JPS6335981B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6335981B2 JPS6335981B2 JP12236380A JP12236380A JPS6335981B2 JP S6335981 B2 JPS6335981 B2 JP S6335981B2 JP 12236380 A JP12236380 A JP 12236380A JP 12236380 A JP12236380 A JP 12236380A JP S6335981 B2 JPS6335981 B2 JP S6335981B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- substrate
- photoconductive film
- amorphous selenium
- cooling rate
- hardness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03G—ELECTROGRAPHY; ELECTROPHOTOGRAPHY; MAGNETOGRAPHY
- G03G5/00—Recording-members for original recording by exposure, e.g. to light, to heat or to electrons; Manufacture thereof; Selection of materials therefor
- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
- G03G5/082—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic and not being incorporated in a bonding material, e.g. vacuum deposited
- G03G5/08207—Selenium-based
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、電子写真用光導電体に係り、特に導
電膜の製造法に関する。
電膜の製造法に関する。
電子写真用光導電体は通常アルミニウム、又は
その合金及び銅などの導電性基板上に光導電膜を
蒸着等によつて設けた構造を有し、光導電膜は、
一般に無定形セレンが用いられている。
その合金及び銅などの導電性基板上に光導電膜を
蒸着等によつて設けた構造を有し、光導電膜は、
一般に無定形セレンが用いられている。
前記無定形セレン光導電膜を有する光導電体を
使用した電子写真用印刷においては、繰返し使用
した時の印刷性能の劣化を少なくすることが重要
な問題である。なお印刷性能の劣化は、無定形セ
レン光導電膜の表面硬さが小さいことが主な原因
となつている。たとえば高速ノンインパクトプリ
ンタでは、光導電体はアルミニウム等の基板に無
定形セレン層を蒸着によつて形成している。光導
電膜は、現像されたトナー像を紙に転写する過程
あるいは残留トナーを刷毛等により除去する過程
で、機械的損傷を受ける。前記無定形セレン光導
電膜は、電子写真用光導電膜として好ましい光感
度を有する。しかしながらセレンの硬さがモース
硬さで２程度ときわめて軟かいために、前記過程
を経るたびに表面にすり傷が発生する。このよう
に光導電膜の表面にすり傷が生じると、その部分
より無定形セレンの結晶化が起り帯電しにくくな
る。この結果、電子写真に必要な電位差が得られ
なくなり、印刷が不鮮明となる。光導電膜の硬さ
を高める手段として、光導電膜の表面層にセレン
−テルル−アンチモンの合金層を真空蒸着によつ
て形成する方法がある。しかしながらこの光導電
膜の表面硬さは、一般に電子写真用光導電膜の硬
さ評価法として用いられている、鉛筆硬度法でい
うと圧痕硬さが3H程度であり、印刷可能頁数は
約20万頁である。この程度の寿命では光導電体が
比較的高価なものであることからすると不満足で
ある。
使用した電子写真用印刷においては、繰返し使用
した時の印刷性能の劣化を少なくすることが重要
な問題である。なお印刷性能の劣化は、無定形セ
レン光導電膜の表面硬さが小さいことが主な原因
となつている。たとえば高速ノンインパクトプリ
ンタでは、光導電体はアルミニウム等の基板に無
定形セレン層を蒸着によつて形成している。光導
電膜は、現像されたトナー像を紙に転写する過程
あるいは残留トナーを刷毛等により除去する過程
で、機械的損傷を受ける。前記無定形セレン光導
電膜は、電子写真用光導電膜として好ましい光感
度を有する。しかしながらセレンの硬さがモース
硬さで２程度ときわめて軟かいために、前記過程
を経るたびに表面にすり傷が発生する。このよう
に光導電膜の表面にすり傷が生じると、その部分
より無定形セレンの結晶化が起り帯電しにくくな
る。この結果、電子写真に必要な電位差が得られ
なくなり、印刷が不鮮明となる。光導電膜の硬さ
を高める手段として、光導電膜の表面層にセレン
−テルル−アンチモンの合金層を真空蒸着によつ
て形成する方法がある。しかしながらこの光導電
膜の表面硬さは、一般に電子写真用光導電膜の硬
さ評価法として用いられている、鉛筆硬度法でい
うと圧痕硬さが3H程度であり、印刷可能頁数は
約20万頁である。この程度の寿命では光導電体が
比較的高価なものであることからすると不満足で
ある。
本発明の目的は上記欠点をなくし、新規な光導
電膜の製造方法により、光導電膜の表面硬さを高
くし、電子写真印刷の繰返し使用において、印刷
可能頁数の寿命を増すことにある。
電膜の製造方法により、光導電膜の表面硬さを高
くし、電子写真印刷の繰返し使用において、印刷
可能頁数の寿命を増すことにある。
本発明は、基板に無定形セレンの真空蒸着膜を
形成する際に、真空蒸着終了後の冷却速度を速く
して、表面硬さを高くするものである。
形成する際に、真空蒸着終了後の冷却速度を速く
して、表面硬さを高くするものである。
一般に、無定形セレンの軟化は35℃付近におい
て始まる。さて、蒸着完了時においては基板温度
が60〜70℃のため、無定形セレンは軟化状態にお
かれている。従来、蒸着終了後の冷却速度には特
別な考慮はなされていなかつた。しかし、本発明
者らは前記基板を強制冷却すること、特に毎分５
℃以上の冷却速度で冷却することの必要性を見出
し、これによつて光導電膜の表面圧痕硬さを高く
できることを見出した。
て始まる。さて、蒸着完了時においては基板温度
が60〜70℃のため、無定形セレンは軟化状態にお
かれている。従来、蒸着終了後の冷却速度には特
別な考慮はなされていなかつた。しかし、本発明
者らは前記基板を強制冷却すること、特に毎分５
℃以上の冷却速度で冷却することの必要性を見出
し、これによつて光導電膜の表面圧痕硬さを高く
できることを見出した。
以下本発明の実施例を図面にて説明する。
表面を平滑に加工したアルミニウム円筒基板を
洗浄処理し、無定形セレンの蒸着を行つた。蒸着
原料には、99.99％以上の高純度のものを用いた。
蒸着装置には基体回転手段と加熱、冷却手段を有
するマンドレル型真空蒸着装置を用いた。そして
５×10-5Torrの圧力下で、Se原料を入れた蒸発
ボートを300℃に加熱し、回転する基板に原料を
蒸着させた。なお基板の回転数は10〜30rpmとし
た。また蒸着の際には基板を60〜70℃に加熱して
おいた。蒸着終了後、基板温度が30℃になるまで
基板を強制冷却した。そのときの平均冷却速度は
毎分0.5℃、2.0℃、5.0℃、7.0℃、10.0℃及び20.0
℃とした。なお冷却速度を速くする方法として
は、マンドレル内に不凍液を用いた−10℃〜−20
℃の冷水を入れ、さらに真空槽中に冷却空気を導
入して行つた。このようにして、毎分５℃〜20℃
の冷却速度を実現した。各冷却速度で得られた光
導電膜について鉛筆硬度法により、光導電膜の表
面硬さを測定した。図面によりその結果を説明す
る。冷却速度が大きくなるほど表面圧痕硬度は大
きくなり、５℃／分以上の冷却速度で、鉛筆硬度
4H以上が得られるのがわかる。
洗浄処理し、無定形セレンの蒸着を行つた。蒸着
原料には、99.99％以上の高純度のものを用いた。
蒸着装置には基体回転手段と加熱、冷却手段を有
するマンドレル型真空蒸着装置を用いた。そして
５×10-5Torrの圧力下で、Se原料を入れた蒸発
ボートを300℃に加熱し、回転する基板に原料を
蒸着させた。なお基板の回転数は10〜30rpmとし
た。また蒸着の際には基板を60〜70℃に加熱して
おいた。蒸着終了後、基板温度が30℃になるまで
基板を強制冷却した。そのときの平均冷却速度は
毎分0.5℃、2.0℃、5.0℃、7.0℃、10.0℃及び20.0
℃とした。なお冷却速度を速くする方法として
は、マンドレル内に不凍液を用いた−10℃〜−20
℃の冷水を入れ、さらに真空槽中に冷却空気を導
入して行つた。このようにして、毎分５℃〜20℃
の冷却速度を実現した。各冷却速度で得られた光
導電膜について鉛筆硬度法により、光導電膜の表
面硬さを測定した。図面によりその結果を説明す
る。冷却速度が大きくなるほど表面圧痕硬度は大
きくなり、５℃／分以上の冷却速度で、鉛筆硬度
4H以上が得られるのがわかる。
このように本発明によれば、光導電膜の表面硬
度を従来よりも高めることができ、従つて、印刷
可能頁数を延長することができる。
度を従来よりも高めることができ、従つて、印刷
可能頁数を延長することができる。
図は、光導電膜の表面の硬さと基板冷却速度と
の関係を示すグラフである。
の関係を示すグラフである。
Claims (1)
- １ 導電性基板上に無定形セレンを蒸着したのち
前記基板を前記無定形セレンの軟化温度よりも低
温になるまで５〜20℃／分の冷却速度で強制冷却
することを特徴とする電子写真用光導電体の製造
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12236380A JPS5746249A (en) | 1980-09-05 | 1980-09-05 | Method for manufacturing photoconductive body for electrophotograph |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12236380A JPS5746249A (en) | 1980-09-05 | 1980-09-05 | Method for manufacturing photoconductive body for electrophotograph |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5746249A JPS5746249A (en) | 1982-03-16 |
| JPS6335981B2 true JPS6335981B2 (ja) | 1988-07-18 |
Family
ID=14834025
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12236380A Granted JPS5746249A (en) | 1980-09-05 | 1980-09-05 | Method for manufacturing photoconductive body for electrophotograph |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5746249A (ja) |
-
1980
- 1980-09-05 JP JP12236380A patent/JPS5746249A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5746249A (en) | 1982-03-16 |
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