JPS6336681B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6336681B2 JPS6336681B2 JP56086582A JP8658281A JPS6336681B2 JP S6336681 B2 JPS6336681 B2 JP S6336681B2 JP 56086582 A JP56086582 A JP 56086582A JP 8658281 A JP8658281 A JP 8658281A JP S6336681 B2 JPS6336681 B2 JP S6336681B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power supply
- type
- circuit
- voltage
- transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03B—GENERATION OF OSCILLATIONS, DIRECTLY OR BY FREQUENCY-CHANGING, BY CIRCUITS EMPLOYING ACTIVE ELEMENTS WHICH OPERATE IN A NON-SWITCHING MANNER; GENERATION OF NOISE BY SUCH CIRCUITS
- H03B5/00—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input
- H03B5/30—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator
- H03B5/32—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator
- H03B5/36—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device
- H03B5/364—Generation of oscillations using amplifier with regenerative feedback from output to input with frequency-determining element being electromechanical resonator being a piezoelectric resonator active element in amplifier being semiconductor device the amplifier comprising field effect transistors
Landscapes
- Oscillators With Electromechanical Resonators (AREA)
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は電界効果トランジスタ（以下単に
「FET」という。）を用いた発振回路に関するも
ので、特に、集積回路装置に適したパルス検出回
路に関するものである。
「FET」という。）を用いた発振回路に関するも
ので、特に、集積回路装置に適したパルス検出回
路に関するものである。
従来、発振回路はＰ型FETとＮ型FETによる
インバータと180度の位相遅れをさせる帰還回路
より成つている。ところで、最近の半導体集積回
路装置においては低消費電流化が要望されてい
る。
インバータと180度の位相遅れをさせる帰還回路
より成つている。ところで、最近の半導体集積回
路装置においては低消費電流化が要望されてい
る。
この為、半導体集積回路装置内に安定化電源を
内蔵させ、発振回路を駆動させる電源をこの内蔵
安定化電源とする方式が採用されている。しかし
この方式の発振回路は低電圧で駆動されるため、
FETのｇｍは通常の外部電圧で駆動させるよう
設計したFETのｇｍより大きくなる。
内蔵させ、発振回路を駆動させる電源をこの内蔵
安定化電源とする方式が採用されている。しかし
この方式の発振回路は低電圧で駆動されるため、
FETのｇｍは通常の外部電圧で駆動させるよう
設計したFETのｇｍより大きくなる。
さらに発振の起動時間を短かくする為に電源投
入時においては、外部電源で発振回路を駆動させ
ている。このことにより安定化電源で駆動してい
る状態よりさらにｇｍが増大し、高調波発振を起
こす可能性がある。
入時においては、外部電源で発振回路を駆動させ
ている。このことにより安定化電源で駆動してい
る状態よりさらにｇｍが増大し、高調波発振を起
こす可能性がある。
本発明は、上記欠点を改良するもので安定化電
源で駆動する発振回路において、電源投入時に外
部電源が発振回路に加わつた場合のｇｍが安定化
電源で駆動した場合のｇｍと差がないようにした
発振回路を提供することを目的とする。本発明に
よれば、第１のＰ型FETと第１のＮ型FETとを
直列接続したインバータと、このインバータの出
力を約180゜位相反転して入力に帰還する帰還回路
と、第１のＰ型FETのソースと正の電源端子間
に接続された第１の抵抗と第２のＰ型FETとの
並列接続回路と、第１のＮ型FETのソースと負
の電源端子間に接続された第２の抵抗と第２のＮ
型FETとの並列接続回路と、電源電圧変換回路
とを含み、電源電圧変換回路で高い電圧が与えら
れる時には第２のＰ型FETと第２のＮ型FETと
を遮断状態とし、電源電圧変換回路で低い電圧が
与えられる時には第２のＰ型FETと第２のＮ型
FETとを導通状態とすることを特徴とする発振
回路を得る。次に、図面を参照して本発明をより
詳細に説明する。
源で駆動する発振回路において、電源投入時に外
部電源が発振回路に加わつた場合のｇｍが安定化
電源で駆動した場合のｇｍと差がないようにした
発振回路を提供することを目的とする。本発明に
よれば、第１のＰ型FETと第１のＮ型FETとを
直列接続したインバータと、このインバータの出
力を約180゜位相反転して入力に帰還する帰還回路
と、第１のＰ型FETのソースと正の電源端子間
に接続された第１の抵抗と第２のＰ型FETとの
並列接続回路と、第１のＮ型FETのソースと負
の電源端子間に接続された第２の抵抗と第２のＮ
型FETとの並列接続回路と、電源電圧変換回路
とを含み、電源電圧変換回路で高い電圧が与えら
れる時には第２のＰ型FETと第２のＮ型FETと
を遮断状態とし、電源電圧変換回路で低い電圧が
与えられる時には第２のＰ型FETと第２のＮ型
FETとを導通状態とすることを特徴とする発振
回路を得る。次に、図面を参照して本発明をより
詳細に説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す構成図であ
る。Ｐ型FET１とＮ型FET２のドレイン同志を
接続し、その接続点に180度位相させる帰還回路
９を接続し、その帰還回路９の反対側とＰ型
FET１のゲート及びＮ型FET２のゲートを接続
する。この帰還回路９は水晶発振子と２個のコン
デンサとで形成され、各コンデンサは電源電圧
VDDに接続されている。Ｐ型FET１およびＮ型
FET２のドレイン同志の接続点とＰ型FET１お
よびＮ型FET２のゲート同志の接続点を帰還抵
抗７を介して接続する。このＰ型FET１のソー
スと正の電源電圧VDD間に抵抗３とＰ型FET５と
を並列接続する。さらにＮ型FET２のソースと
安定化電源回路１１の出力間に抵抗４とＮ型
FET６を並列に接続する。さらに安定化電源回
路１１の出力にＮ型FET１０のドレインを接続
し、Ｎ型FET１０のソースを負の電源電圧VSSと
接続する。また、電圧制御信号端子１２とＮ型
FET１０のゲート及びＰ型FET５のゲート及び
インバータ８の入力に接続する。そしてインバー
タ８の出力とＮ型FET６のゲートとを接続する。
る。Ｐ型FET１とＮ型FET２のドレイン同志を
接続し、その接続点に180度位相させる帰還回路
９を接続し、その帰還回路９の反対側とＰ型
FET１のゲート及びＮ型FET２のゲートを接続
する。この帰還回路９は水晶発振子と２個のコン
デンサとで形成され、各コンデンサは電源電圧
VDDに接続されている。Ｐ型FET１およびＮ型
FET２のドレイン同志の接続点とＰ型FET１お
よびＮ型FET２のゲート同志の接続点を帰還抵
抗７を介して接続する。このＰ型FET１のソー
スと正の電源電圧VDD間に抵抗３とＰ型FET５と
を並列接続する。さらにＮ型FET２のソースと
安定化電源回路１１の出力間に抵抗４とＮ型
FET６を並列に接続する。さらに安定化電源回
路１１の出力にＮ型FET１０のドレインを接続
し、Ｎ型FET１０のソースを負の電源電圧VSSと
接続する。また、電圧制御信号端子１２とＮ型
FET１０のゲート及びＰ型FET５のゲート及び
インバータ８の入力に接続する。そしてインバー
タ８の出力とＮ型FET６のゲートとを接続する。
以下、動作について説明をする。本実施例の回
路に電源を投入すると、電圧制御信号端子１２に
高レベルの電圧制御信号がかかりＮ型FET１０
はON状態、Ｐ型FET５、Ｎ型FET６はOFF状
態となり、発振回路として動作するＰ型FET１
及びＮ型FET２の電源電圧は外部電圧である
（VDD−VSS）がかかる。しかしこの場合はＰ型
FET１のソースと正の電源電圧VDD間に抵抗３が
接続され、Ｎ型FET２のソースとＮ型FET１０
のドレイン間には抵抗４が接続されている。この
為電流帰還がかかり、発振回路として動作するイ
ンバータのｇｍの増加は少なくなる。この為外部
電圧によるこのｇｍの変化は小さくなる。次に発
振回路が定常発振状態となり電圧制御信号端子１
２に低レベルの電圧制御信号を加えるとＮ型
FET１０がOFF状態、Ｐ型FET５、Ｎ型FET６
がON状態の場合は発振回路として動作するＮ型
FET２にかかる電圧は安定化電源回路１１の出
力となり、前述の電源投入時より電源電圧は低下
するが、Ｐ型FET５、Ｎ型FET６がON状態とな
り、発振回路として動作するインバータのｇｍ
は、前述の電源投入時の場合と同等にすることが
可能となる。
路に電源を投入すると、電圧制御信号端子１２に
高レベルの電圧制御信号がかかりＮ型FET１０
はON状態、Ｐ型FET５、Ｎ型FET６はOFF状
態となり、発振回路として動作するＰ型FET１
及びＮ型FET２の電源電圧は外部電圧である
（VDD−VSS）がかかる。しかしこの場合はＰ型
FET１のソースと正の電源電圧VDD間に抵抗３が
接続され、Ｎ型FET２のソースとＮ型FET１０
のドレイン間には抵抗４が接続されている。この
為電流帰還がかかり、発振回路として動作するイ
ンバータのｇｍの増加は少なくなる。この為外部
電圧によるこのｇｍの変化は小さくなる。次に発
振回路が定常発振状態となり電圧制御信号端子１
２に低レベルの電圧制御信号を加えるとＮ型
FET１０がOFF状態、Ｐ型FET５、Ｎ型FET６
がON状態の場合は発振回路として動作するＮ型
FET２にかかる電圧は安定化電源回路１１の出
力となり、前述の電源投入時より電源電圧は低下
するが、Ｐ型FET５、Ｎ型FET６がON状態とな
り、発振回路として動作するインバータのｇｍ
は、前述の電源投入時の場合と同等にすることが
可能となる。
以上の説明で明かなように、安定化電源を内蔵
とした発振回路において、発振回路の電源が変化
する場合に対応し、Ｐ型FETのソースと正の電
源間に接続するインピーダンス、及びＮ型FET
のソースと負の電源間に接続するインピーダンス
を制御することにより、発振回路にかかる電源電
圧に依存しない発振回路のｇｍを実現することが
できる。この為異常な高調波発振を抑えると共に
発振の安定にすることができる。
とした発振回路において、発振回路の電源が変化
する場合に対応し、Ｐ型FETのソースと正の電
源間に接続するインピーダンス、及びＮ型FET
のソースと負の電源間に接続するインピーダンス
を制御することにより、発振回路にかかる電源電
圧に依存しない発振回路のｇｍを実現することが
できる。この為異常な高調波発振を抑えると共に
発振の安定にすることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す回路図であ
る。 １，５……Ｐ型FET、２，６，１０……Ｎ型
FET、８……インバータ、９……帰還回路、３，
４……抵抗、７……帰還抵抗、１１……安定化電
源回路。
る。 １，５……Ｐ型FET、２，６，１０……Ｎ型
FET、８……インバータ、９……帰還回路、３，
４……抵抗、７……帰還抵抗、１１……安定化電
源回路。
Claims (1)
- １ 直列接続された第１および第２のトランジス
タを有するインバータ、前記インバータの入出力
間に接続された帰還回路、第１および第２の電源
端子、これら第１および第２の電源端子間の電圧
よりも絶対値が小さな電圧を前記第１の電源端子
を基準として出力端子に発生する電圧発生回路、
前記第１のトランジスタと前記第１の電源端子と
の間に接続された第１の抵抗性素子、この第１の
抵抗性素子に並列に接続された第３のトランジス
タ、前記第２のトランジスタと前記電圧発生回路
の前記出力端子との間に接続された第２の抵抗性
素子、この第２の抵抗性素子に並列に接続された
第４のトランジスタ、前記電圧発生回路の前記出
力端子と前記第２の電源端子との間に接続された
第５のトランジスタ、ならびに前記第１および第
２の電源端子間への電源電圧の投入に応答して前
記第３および第４のトランジスタを非導通状態に
前記第５のトランジスタを導通状態にそれぞれせ
しめ、電源電圧投入から所定時間後に前記第３お
よび第４のトランジスタを導通状態に前記第５の
トランジスタを遮断状態にそれぞれせしめる制御
手段を備える発振回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8658281A JPS57202106A (en) | 1981-06-05 | 1981-06-05 | Oscillation circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8658281A JPS57202106A (en) | 1981-06-05 | 1981-06-05 | Oscillation circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57202106A JPS57202106A (en) | 1982-12-10 |
| JPS6336681B2 true JPS6336681B2 (ja) | 1988-07-21 |
Family
ID=13890994
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8658281A Granted JPS57202106A (en) | 1981-06-05 | 1981-06-05 | Oscillation circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57202106A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4956618A (en) * | 1989-04-07 | 1990-09-11 | Vlsi Technology, Inc. | Start-up circuit for low power MOS crystal oscillator |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54158840A (en) * | 1978-06-05 | 1979-12-15 | Sanyo Electric Co Ltd | Oscillation circuit |
-
1981
- 1981-06-05 JP JP8658281A patent/JPS57202106A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57202106A (en) | 1982-12-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2772522B2 (ja) | パワーオン信号発生回路 | |
| US4307354A (en) | Crystal oscillator circuit having rapid starting characteristics and a low power consumption | |
| US3889211A (en) | MOS field effect transistor crystal oscillator | |
| JPS6250984B2 (ja) | ||
| JPS6336681B2 (ja) | ||
| JPH0457241B2 (ja) | ||
| JP2607304B2 (ja) | 半導体集積回路装置 | |
| JP3540872B2 (ja) | 起動回路 | |
| JPH0234022A (ja) | パルス出力回路 | |
| JP3155977B2 (ja) | 発振用集積回路および発振回路 | |
| JPH0659761A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JP3635519B2 (ja) | 発振回路 | |
| JP2564584B2 (ja) | 半導体集積回路 | |
| JPS6049365B2 (ja) | 低消費電力水晶発振回路 | |
| JPH0533055Y2 (ja) | ||
| JP2969419B2 (ja) | 発振用集積回路および発振回路 | |
| JPH01154620A (ja) | 半導体集積回路 | |
| RU2057391C1 (ru) | Кварцевый генератор | |
| JPH054846B2 (ja) | ||
| JPH03169118A (ja) | パワー出力回路 | |
| JPH0279603A (ja) | 発振回路 | |
| JPS63111718A (ja) | 半導体集積回路 | |
| JP2523788B2 (ja) | デジタル信号装置 | |
| JPH06216727A (ja) | 遅延時間可変論理回路 | |
| JPH0879036A (ja) | スイッチ回路 |