JPS6336820A - 脱硝反応装置 - Google Patents
脱硝反応装置Info
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- JPS6336820A JPS6336820A JP61177660A JP17766086A JPS6336820A JP S6336820 A JPS6336820 A JP S6336820A JP 61177660 A JP61177660 A JP 61177660A JP 17766086 A JP17766086 A JP 17766086A JP S6336820 A JPS6336820 A JP S6336820A
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- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims abstract description 14
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- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
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Classifications
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J8/00—Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
- B01J8/008—Details of the reactor or of the particulate material; Processes to increase or to retard the rate of reaction
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J2208/00—Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
- B01J2208/00796—Details of the reactor or of the particulate material
- B01J2208/00805—Details of the particulate material
- B01J2208/00814—Details of the particulate material the particulate material being provides in prefilled containers
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
- Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、排ガス中の窒素酸化物を除去するのブ3−
に使用される脱硝反応装置に一〇、特にその構造体の改
良に関する。
良に関する。
従来の技術
排ガス中の窒素酸化物を除去する乾式脱硝法を採用する
場合、アンモニア等の還元剤と窒素酸化物との反応を促
進するために、触媒層を配置した反応装置が用いられる
。
場合、アンモニア等の還元剤と窒素酸化物との反応を促
進するために、触媒層を配置した反応装置が用いられる
。
第4図および第5図は従来の脱硝反応装置の要部を示し
たもので、第4図は側断面図、第5図は、第4図の■−
■線に沿った拡大断面図である。第4図において1、l
は反応装置本体であり、その内部壁面に耐火性保温材2
を配設し、内部にパック化された触媒層3が配置されて
いる。4は入口ダクト、5は出口ダクトであり、この反
応装置本体lは基礎にしっかり支持されている。
たもので、第4図は側断面図、第5図は、第4図の■−
■線に沿った拡大断面図である。第4図において1、l
は反応装置本体であり、その内部壁面に耐火性保温材2
を配設し、内部にパック化された触媒層3が配置されて
いる。4は入口ダクト、5は出口ダクトであり、この反
応装置本体lは基礎にしっかり支持されている。
第5図は触媒層3部分を拡大して示したもので、パック
化された触媒層3は、ケーシング補強性6゜7、このケ
ーシング補強柱6.7を夫々上部および下部で連結した
上部梁8、底面梁9から成るケーシング10で支持され
ている。なお、ケーシング補強柱6.7は夫々基礎11
に支持され、更に、底面梁9の要所も支柱12で基礎1
1に支持されている。
化された触媒層3は、ケーシング補強性6゜7、このケ
ーシング補強柱6.7を夫々上部および下部で連結した
上部梁8、底面梁9から成るケーシング10で支持され
ている。なお、ケーシング補強柱6.7は夫々基礎11
に支持され、更に、底面梁9の要所も支柱12で基礎1
1に支持されている。
さて、排ガスは入口ダクト4から反応装置本体1 内へ
導入され、排ガス中の窒素酸化物とアンモニア等の還元
剤との反応が触媒層3において促進される。そして、脱
硝反応の終了した排ガスは、出口ダクト5から排出され
る。
導入され、排ガス中の窒素酸化物とアンモニア等の還元
剤との反応が触媒層3において促進される。そして、脱
硝反応の終了した排ガスは、出口ダクト5から排出され
る。
発明が解決しようとする問題点
ところで、脱硝反応装置は内部に高温の排ガスか導入さ
れるもので、かつ、内壁に保温材を配設して保温しであ
るので、反応装置本体1の内外面に大きな温度差が生じ
る。そのため、反応装置本体内部に加わったときの安全
対策として、ケーシング補強柱6.7の断面を大きくし
ておかなければならなかった。
れるもので、かつ、内壁に保温材を配設して保温しであ
るので、反応装置本体1の内外面に大きな温度差が生じ
る。そのため、反応装置本体内部に加わったときの安全
対策として、ケーシング補強柱6.7の断面を大きくし
ておかなければならなかった。
すなわち、触媒層3の水平力は第5図に矢印13で示す
ようにケーシング補強柱6に伝わり、これが下部梁8、
底面梁9をとおり基礎11へ伝達される。このとき、ケ
ーシング補強柱6.7は大きな曲げモーメントを受けて
、天端部に大きなたわみが発生することになる。これを
防止するためには、ケーシング補強柱6.7の断面を大
きくすることが必要となり、そのため装置が大形化し基
礎を強化しなければならなくなる等の問題が生ずるもの
であった。
ようにケーシング補強柱6に伝わり、これが下部梁8、
底面梁9をとおり基礎11へ伝達される。このとき、ケ
ーシング補強柱6.7は大きな曲げモーメントを受けて
、天端部に大きなたわみが発生することになる。これを
防止するためには、ケーシング補強柱6.7の断面を大
きくすることが必要となり、そのため装置が大形化し基
礎を強化しなければならなくなる等の問題が生ずるもの
であった。
問題点を解決するための手段
このような問題点を解決するために、本発明では、基礎
に設置されたケーシング補強柱に上部梁と底面梁とが連
結され、内側に保温材が施工され、保温材内側に多段に
積み重ねられた触媒が複数列配置された脱硝反応装置に
おいて、前記触媒の少なくとも1列を挟むように設けた
上下に伸びるガイドフレームと、このガイドフレームの
上下端部を夫々連結するように設けたガイドフレーム用
下部梁およびガイドフレーム用下部梁と、前記底面梁と
前記ガイドフレームの下端とを連結するとともにこの連
結位置で底面梁を基礎に支持させる支持手段と、前記ガ
イドフレーム用下部梁の略中央部を前記底面梁に連結す
る支持柱と、この支持柱の連結位置の底面梁を前記基礎
に対して半固定する第1のストッパ手段と、前記ガイド
フレーム用上部梁の略中央部を前記下部梁に対して半固
定する第2のストッパ手段とを備えている。
に設置されたケーシング補強柱に上部梁と底面梁とが連
結され、内側に保温材が施工され、保温材内側に多段に
積み重ねられた触媒が複数列配置された脱硝反応装置に
おいて、前記触媒の少なくとも1列を挟むように設けた
上下に伸びるガイドフレームと、このガイドフレームの
上下端部を夫々連結するように設けたガイドフレーム用
下部梁およびガイドフレーム用下部梁と、前記底面梁と
前記ガイドフレームの下端とを連結するとともにこの連
結位置で底面梁を基礎に支持させる支持手段と、前記ガ
イドフレーム用下部梁の略中央部を前記底面梁に連結す
る支持柱と、この支持柱の連結位置の底面梁を前記基礎
に対して半固定する第1のストッパ手段と、前記ガイド
フレーム用上部梁の略中央部を前記下部梁に対して半固
定する第2のストッパ手段とを備えている。
作用
」二足のように、本発明では、反応装置本体内部に温度
差に影響されないガイドフレームによるトラス構造を配
設することにより、柱に集中して働く水平力を分散させ
て、曲げモーメントを軸力に変化させて支持することが
でき、補強柱の大形化を防止できる。
差に影響されないガイドフレームによるトラス構造を配
設することにより、柱に集中して働く水平力を分散させ
て、曲げモーメントを軸力に変化させて支持することが
でき、補強柱の大形化を防止できる。
実施例
以下本発明に係る脱硝反応装置の一実施例を第1図ない
し第3図を参照して詳細に説明する。こ第1図は、従来
の第5図に対応する部分の概略的な図で、ケーシング補
強柱6,7とこれに連結された上部梁8、底面梁9から
成るケーシングIOにパック化された触媒層3が多数列
配置されている。ケーシングlOの内部には、第2図お
よび第3図を参照すると明らかなように、触媒層3の少
なくとも1列を挾むように上下に伸びたガイドフレーム
20.21が設けられており、その上端部をガイドフレ
ーム用上部梁23で連結し、下端部をガイドフレーム用
下部梁24で連結している。そして、ガイドフレーム2
0.21は補強梁25で連結されてトラス構造を形成し
ている。
し第3図を参照して詳細に説明する。こ第1図は、従来
の第5図に対応する部分の概略的な図で、ケーシング補
強柱6,7とこれに連結された上部梁8、底面梁9から
成るケーシングIOにパック化された触媒層3が多数列
配置されている。ケーシングlOの内部には、第2図お
よび第3図を参照すると明らかなように、触媒層3の少
なくとも1列を挾むように上下に伸びたガイドフレーム
20.21が設けられており、その上端部をガイドフレ
ーム用上部梁23で連結し、下端部をガイドフレーム用
下部梁24で連結している。そして、ガイドフレーム2
0.21は補強梁25で連結されてトラス構造を形成し
ている。
ガイドフレーム20.21の下端は、支持部材26によ
って夫々底面梁9に連結されているとともに、この連結
位置で底面梁9を基礎11に支持している。
って夫々底面梁9に連結されているとともに、この連結
位置で底面梁9を基礎11に支持している。
このガイドフレーム20.21と支持部材26との連結
部(第3図A部、B部参照)の連結手段は、上下(縦)
方向には固定されるが左右(l&)方向には自由なよう
にされるものである。
部(第3図A部、B部参照)の連結手段は、上下(縦)
方向には固定されるが左右(l&)方向には自由なよう
にされるものである。
また、ガイドフレーム用下部梁24の略中間部は、支持
部材27によって底面梁9に固定されている。
部材27によって底面梁9に固定されている。
この部分(第3図C部参照)は上下左右に対して共に固
定されている。そして、この支持部材27は底面梁9か
ら基礎11側へ突出しており、その先端部の横方向の移
動を拘束するようストッパ部材28が基礎11側から突
出して設けられている。従って、支持部材27の連結位
置において、底面梁9は基礎IIに対して半固定的に保
持されることになる。
定されている。そして、この支持部材27は底面梁9か
ら基礎11側へ突出しており、その先端部の横方向の移
動を拘束するようストッパ部材28が基礎11側から突
出して設けられている。従って、支持部材27の連結位
置において、底面梁9は基礎IIに対して半固定的に保
持されることになる。
一方、ガイドフレーム用上部梁23の略中央部へ向けて
、上部梁8から突出部材29が突出するようにして設け
られており、その先端部の横方向の移動を拘束するよう
にストッパ部材30がガイドフレーム用上部梁23側か
ら突出して設けられている。
、上部梁8から突出部材29が突出するようにして設け
られており、その先端部の横方向の移動を拘束するよう
にストッパ部材30がガイドフレーム用上部梁23側か
ら突出して設けられている。
従って、ガイドフレーム用上部梁23の中央部は、上部
梁8に対して半固定的に保持されることになる。
梁8に対して半固定的に保持されることになる。
本発明に係る脱硝反応装置は、上述のように構成された
もので、従来ケーシング補強柱6に集中していた水平力
を、ガイドフレーム20.21に3分割して作用させる
ことができる。また、水平力による荷重でケーシング補
強柱6に作用した力の一部は、第2図にD部として示し
であるストッパ部を通じて、ガイドフレーム20.21
、補強梁25等から成るトラス構造体に伝達され、ガイ
ドフレーム20、21に作用した荷重と一緒になって第
3図のA部では圧縮力、B部では引張力として基礎11
へ伝達される。更に、触媒層3を挾持すトラス構造体は
、低温の上面@8および底面梁9に連結されているが、
A部およびB部では上下固定・左右自由、0部では上下
左右固定、D部では上下自由・左右固定となっているで
、熱伸びによって拘束される恐れはない。
もので、従来ケーシング補強柱6に集中していた水平力
を、ガイドフレーム20.21に3分割して作用させる
ことができる。また、水平力による荷重でケーシング補
強柱6に作用した力の一部は、第2図にD部として示し
であるストッパ部を通じて、ガイドフレーム20.21
、補強梁25等から成るトラス構造体に伝達され、ガイ
ドフレーム20、21に作用した荷重と一緒になって第
3図のA部では圧縮力、B部では引張力として基礎11
へ伝達される。更に、触媒層3を挾持すトラス構造体は
、低温の上面@8および底面梁9に連結されているが、
A部およびB部では上下固定・左右自由、0部では上下
左右固定、D部では上下自由・左右固定となっているで
、熱伸びによって拘束される恐れはない。
発明の効果
以上詳述したように、本発明によれば、ケーシング補強
柱に集中して作用する水平力を、ガイドフレームに分散
させることによって、曲げモーメントを軸力に変化させ
て支持するので、補強柱の断面を大きくすることなく地
震等の水平力に対して十分な強度を得ることのできる脱
硝反応装置が提供される。また、本発明の脱硝反応装置
は熱伸びの影響も受は難いという効果もある。
柱に集中して作用する水平力を、ガイドフレームに分散
させることによって、曲げモーメントを軸力に変化させ
て支持するので、補強柱の断面を大きくすることなく地
震等の水平力に対して十分な強度を得ることのできる脱
硝反応装置が提供される。また、本発明の脱硝反応装置
は熱伸びの影響も受は難いという効果もある。
第1図は本発明に係る脱硝反応装置の一実施例を示した
要部の概略断面図、第2図は第1図の■部を拡大した部
分拡大図、第3図は第1図の■部を拡大した部分拡大図
、第4図は従来の脱硝反応装置の側断面図、第5図は第
4図の■−■線に沿う断面の拡大図である。 1・・脱硝反応装置本体、2・・耐火性保温材、3・・
触媒層、6.7・・ケーンング補強往、8・・上部梁、
9・・底面梁、10・・ケーシング、11・・基礎、2
0.21・・ガイドフレーム、23・・ガイドフレーム
用上部梁、24・・ガイドフレーム用上部梁、25・・
補強梁、26.27・・支持部材、(ほか1名) 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図
要部の概略断面図、第2図は第1図の■部を拡大した部
分拡大図、第3図は第1図の■部を拡大した部分拡大図
、第4図は従来の脱硝反応装置の側断面図、第5図は第
4図の■−■線に沿う断面の拡大図である。 1・・脱硝反応装置本体、2・・耐火性保温材、3・・
触媒層、6.7・・ケーンング補強往、8・・上部梁、
9・・底面梁、10・・ケーシング、11・・基礎、2
0.21・・ガイドフレーム、23・・ガイドフレーム
用上部梁、24・・ガイドフレーム用上部梁、25・・
補強梁、26.27・・支持部材、(ほか1名) 第1図 第2図 第3図 第4図 第5図
Claims (1)
- 基礎に設置されたケーシング補強柱に上面梁と底面梁と
が連結され、内側に保温材が施工され、保温材内側に多
段に積み重ねられた触媒が複数列配置された脱硝反応装
置において、前記触媒の少なくとも1列を挟むように設
けた上下に伸びるガイドフレームと、このガイドフレー
ムの上下端部を夫々連結するように設けたガイドフレー
ム用上部梁およびガイドフレーム用下部梁と、前記底面
梁と前記ガイドフレームの下端とを連結するとともにこ
の連結位置で底面梁を基礎に支持させる支持手段と、前
記ガイドフレーム用下部梁の略中央部を前記底面梁に連
結する支持柱と、この支持柱の連結位置の底面梁を前記
基礎に対して半固定する第1のストッパ手段と、前記ガ
イドフレーム用上部梁の略中央部を前記上面梁に対して
半固定する第2のストッパ手段とを備えた脱硝反応装置
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61177660A JPH0653210B2 (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 脱硝反応装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61177660A JPH0653210B2 (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 脱硝反応装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6336820A true JPS6336820A (ja) | 1988-02-17 |
| JPH0653210B2 JPH0653210B2 (ja) | 1994-07-20 |
Family
ID=16034874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61177660A Expired - Fee Related JPH0653210B2 (ja) | 1986-07-30 | 1986-07-30 | 脱硝反応装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0653210B2 (ja) |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9812320B1 (en) | 2016-07-28 | 2017-11-07 | Asm Ip Holding B.V. | Method and apparatus for filling a gap |
| US11447861B2 (en) | 2016-12-15 | 2022-09-20 | Asm Ip Holding B.V. | Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure |
| US10770286B2 (en) | 2017-05-08 | 2020-09-08 | Asm Ip Holdings B.V. | Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures |
| US12040200B2 (en) | 2017-06-20 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus |
| US10923344B2 (en) | 2017-10-30 | 2021-02-16 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures |
| US11031242B2 (en) | 2018-11-07 | 2021-06-08 | Asm Ip Holding B.V. | Methods for depositing a boron doped silicon germanium film |
| US12040199B2 (en) | 2018-11-28 | 2024-07-16 | Asm Ip Holding B.V. | Substrate processing apparatus for processing substrates |
| USD975665S1 (en) | 2019-05-17 | 2023-01-17 | Asm Ip Holding B.V. | Susceptor shaft |
| CN112309843B (zh) | 2019-07-29 | 2026-01-23 | Asmip私人控股有限公司 | 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法 |
| KR20210024423A (ko) | 2019-08-22 | 2021-03-05 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법 |
| USD979506S1 (en) | 2019-08-22 | 2023-02-28 | Asm Ip Holding B.V. | Insulator |
| KR102868968B1 (ko) | 2019-09-03 | 2025-10-10 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 칼코지나이드 막 및 상기 막을 포함한 구조체를 증착하기 위한 방법 및 장치 |
| US12469693B2 (en) | 2019-09-17 | 2025-11-11 | Asm Ip Holding B.V. | Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer |
| KR102890638B1 (ko) | 2019-11-05 | 2025-11-25 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템 |
| KR20220020210A (ko) | 2020-08-11 | 2022-02-18 | 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. | 기판 상에 티타늄 알루미늄 카바이드 막 구조체 및 관련 반도체 구조체를 증착하는 방법 |
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| TW202229612A (zh) | 2020-10-06 | 2022-08-01 | 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 | 在部件的側壁上形成氮化矽的方法及系統 |
-
1986
- 1986-07-30 JP JP61177660A patent/JPH0653210B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0653210B2 (ja) | 1994-07-20 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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