JPH0653210B2 - 脱硝反応装置 - Google Patents

脱硝反応装置

Info

Publication number
JPH0653210B2
JPH0653210B2 JP61177660A JP17766086A JPH0653210B2 JP H0653210 B2 JPH0653210 B2 JP H0653210B2 JP 61177660 A JP61177660 A JP 61177660A JP 17766086 A JP17766086 A JP 17766086A JP H0653210 B2 JPH0653210 B2 JP H0653210B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
guide frame
bottom beam
foundation
denitration
casing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP61177660A
Other languages
English (en)
Other versions
JPS6336820A (ja
Inventor
徳 福山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Heavy Industries Ltd filed Critical Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Priority to JP61177660A priority Critical patent/JPH0653210B2/ja
Publication of JPS6336820A publication Critical patent/JPS6336820A/ja
Publication of JPH0653210B2 publication Critical patent/JPH0653210B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J8/00Chemical or physical processes in general, conducted in the presence of fluids and solid particles; Apparatus for such processes
    • B01J8/008Details of the reactor or of the particulate material; Processes to increase or to retard the rate of reaction
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2208/00Processes carried out in the presence of solid particles; Reactors therefor
    • B01J2208/00796Details of the reactor or of the particulate material
    • B01J2208/00805Details of the particulate material
    • B01J2208/00814Details of the particulate material the particulate material being provides in prefilled containers

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Exhaust Gas Treatment By Means Of Catalyst (AREA)
  • Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、排ガス中の窒素酸化物を除去するのに使用さ
れる脱硝反応装置に係り、特にその構造体の改良に関す
る。
従来の技術 排ガス中の窒素酸化物を除去する乾式脱硝法を採用する
場合、アンモニア等の還元剤と窒素酸化物との反応を促
進するために、触媒層を配置した反応装置が用いられ
る。
第4図および第5図は従来の脱硝反応装置の要部を示し
たもので、第4図は側断面図、第5図は、第4図のV−
V線に沿った拡大断面図である。第4図において、1は
反応装置本体であり、その内部壁面に耐火性保温材2を
配設し、内部にパック化された触媒層3が配置されてい
る。4は入口ダクト、5は出口ダクトであり、この反応
装置本体1は基礎にしっかり支持されている。
第5図は触媒層3部分を拡大して示したもので、パック
化された触媒層3は、ケーシング補強柱6,7、このケ
ーシング補強柱6,7を夫々上部および下部で連結した
上面梁8、底面梁9から成るケーシング10で支持されて
いる。なお、ケーシング補強柱6,7は夫々基礎11に支
持され、更に、底面梁9の要所も支柱12で基礎11に支持
されている。
さて、排ガスは入口ダクト4から反応装置本体1内へ導
入され、排ガス中の窒素酸化物とアンモニア等の還元剤
との反応が触媒層3において促進される。そして、脱硝
反応の終了した排ガスは、出口ダクト5から排出され
る。
発明が解決しようとする問題点 ところで、脱硝反応装置は内部に高温の排ガスが導入さ
れるもので、かつ、内壁に保温材を配設して保温してあ
るので、反応装置本体1の内外面に大きな温度差が生じ
る。そのため、反応装置本体の内面に垂直ブレース等の
補強材を設置することができず、地震等の水平力が反応
装置本体に加わったときの安全対策として、ケーシング
補強柱6,7の断面を大きくしておかなければならなか
った。
すなわち、触媒層3の水平力は第5図に矢印13で示すよ
うにケーシング補強柱6に伝わり、これが上面梁8、底
面梁9をとおり基礎11へ伝達される。このとき、ケーシ
ング補強柱6,7は大きな曲げモーメントを受けて、天
端部に大きなたわみが発生することになる。これを防止
するためには、ケーシング補強柱6,7の断面を大きく
することが必要となり、そのため装置が大形化し基礎を
強化しなければならなくなる等の問題が生ずるものであ
った。
問題点を解決するための手段 このような問題点を解決するために、本発明では、基礎
に設置されたケーシング補強柱に上面梁と底面梁とが連
結され、内側に保温材が施工され、保温材内側に多段に
積み重ねられた触媒が複数列配置された脱硝反応装置に
おいて、前記触媒の少なくとも1列を挟むように設けた
上下に伸びるガイドフレームと、このガイドフレームの
上下端部を夫々連結するように設けたガイドフレーム用
上部梁およびガイドフレーム用下部梁と、前記底面梁と
前記ガイドフレームの下端とを連結するとともにこの連
結位置で底面梁を基礎に支持させる支持手段と、前記ガ
イドフレーム用下部梁の略中央部を前記底面梁に連結す
る支持柱と、この支持柱の連結位置の底面梁を前記基礎
に対して半固定する第1のストッパ手段と、前記ガイド
フレーム用上部梁の略中央部を前記上面梁に対して半固
定する第2のストッパ手段とを備えている。
作用 上記のように、本発明では、反応装置本体内部に温度差
に影響されないガイドフレームによるトラス構造を配設
することにより、柱に集中して働く水平力を分散させ
て、曲げモーメントを軸力に変化させて支持することが
でき、補強柱の大形化を防止できる。
実施例 以下本発明に係る脱硝反応装置の一実施例を第1図ない
し第3図を参照して詳細に説明する。これらの図におい
て、第4図、第5図と同一部分には同一符号を付してそ
の部分の説明は省略する。
第1図は、従来の第5図に対応する部分の概略的な図
で、ケーシング補強柱6,7とこれに連結された上面梁
8、底面梁9から成るケーシング10にパック化された触
媒層3が多数列配置されている。ケーシング10の内部に
は、第2図および第3図を参照すると明らかなように、
触媒層3の少なくとも1列を挟むように上下に伸びたガ
イドフレーム20,21が設けられており、その上端部をガ
イドフレーム用上部梁23で連結し、下端部をガイドフレ
ーム用下部梁24で連結している。そして、ガイドフレー
ム20,21は補強梁25で連結されてトラス構造を形成して
いる。
ガイドフレーム20,21の下端は、支持部材26によって夫
々底面梁9に連結されているとともに、この連結位置で
底面梁9を基礎11に支持している。このガイドフレーム
20,21と支持部材26との連結部(第3図A部、B部参
照)の連結手段は、上下(縦)方向には固定されるが左
右(横)方向には自由なようにされるものである。
また、ガイドフレーム用下部梁24の略中間部は、支持部
材27によって底面梁9に固定されている。この部分(第
3図C部参照)は上下左右に対して共に固定されてい
る。そして、この支持部材27は底面梁9から基礎11側へ
突出しており、その先端部の横方向の移動を拘束するよ
うストッパ部材28が基礎11側から突出して設けられてい
る。従って、支持部材27の連結位置において、底面梁9
は基礎11に対して半固定的に保持されることになる。
一方、ガイドフレーム用上部梁23の略中央部へ向けて、
上面梁8から突出部材29が突出するようにして設けられ
ており、その先端部の横方向の移動を拘束するようにス
トッパ部材30がガイドフレーム用上部梁23側から突出し
て設けられている。従って、ガイドフレーム用上部梁23
の中央部は、上面梁8に対して半固定的に保持されるこ
とになる。
本発明に係る脱硝反応装置は、上述のように構成された
もので、従来ケーシング補強柱6に集中していた水平力
を、ガイドフレーム20、21に3分割して作用させること
ができる。また、水平力による荷重でケーシング補強柱
6に作用した力の一部は、第2図にD部として示してあ
るストッパ部を通じて、ガイドフレーム20,21、補強梁
25等から成るトラス構造体に伝達され、ガイドフレーム
20,21に作用した荷重と一緒になって第3図のA部では
圧縮力、B部では引張力として基礎11へ伝達される。更
に、触媒層3を挟持すトラス構造体は、低温の上面梁8
および底面梁9に連結されているが、A部およびB部で
は上下固定・左右自由、C部では上下左右固定、D部で
は上下自由・左右固定となっているで、熱伸びによって
拘束される恐れはない。
発明の効果 以上詳述したように、本発明によれば、ケーシング補強
柱に集中して作用する水平力を、ガイドフレームに分散
させることによって、曲げモーメントを軸力に変化させ
て支持するので、補強柱の断面を大きくすることなく地
震等の水平力に対して十分な強度を得ることのできる脱
硝反応装置が提供される。また、本発明の脱硝反応装置
は熱伸びの影響も受け難いという効果もある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に係る脱硝反応装置の一実施例を示した
要部の概略断面図、第2図は第1図のII部を拡大した部
分拡大図、第3図は第1図のIII部を拡大した部分拡大
図、第4図は従来の脱硝反応装置の側断面図、第5図は
第4図のV−V線に沿う断面の拡大図である。 1……脱硝反応装置本体、2……耐火性保温材、3……
触媒層、6,7……ケーシング補強柱、8……上面梁、
9……底面梁、10……ケーシング、11……基礎、20,21
……ガイドフレーム、23……ガイドフレーム用上部梁、
24……ガイドフレーム用下部梁、25……補強梁、26,27
……支持部材、28,30……ストッパ部材、29……突出部
材。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基礎に設置されたケーシング補強柱に上面
    梁と底面梁とが連結され、内側に保温材が施工され、保
    温材内側に多段に積み重ねられた触媒が複数列配置され
    た脱硝反応装置において、前記触媒の少なくとも1列を
    挟むように設けた上下に伸びるガイドフレームと、この
    ガイドフレームの上下端部を夫々連結するように設けた
    ガイドフレーム用上部梁およびガイドフレーム用下部梁
    と、前記底面梁と前記ガイドフレームの下端とを連結す
    るとともにこの連結位置で底面梁を基礎に支持させる支
    持手段と、前記ガイドフレーム用下部梁の略中央部を前
    記底面梁に連結する支持柱と、この支持柱の連結位置の
    底面梁を前記基礎に対して半固定する第1のストッパ手
    段と、前記ガイドフレーム用上部梁の略中央部を前記上
    面梁に対して半固定する第2のストッパ手段とを備えた
    脱硝反応装置。
JP61177660A 1986-07-30 1986-07-30 脱硝反応装置 Expired - Fee Related JPH0653210B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61177660A JPH0653210B2 (ja) 1986-07-30 1986-07-30 脱硝反応装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP61177660A JPH0653210B2 (ja) 1986-07-30 1986-07-30 脱硝反応装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS6336820A JPS6336820A (ja) 1988-02-17
JPH0653210B2 true JPH0653210B2 (ja) 1994-07-20

Family

ID=16034874

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP61177660A Expired - Fee Related JPH0653210B2 (ja) 1986-07-30 1986-07-30 脱硝反応装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH0653210B2 (ja)

Cited By (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US11557474B2 (en) 2019-07-29 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US11594450B2 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming a structure with a hole
US11594600B2 (en) 2019-11-05 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same
US11848200B2 (en) 2017-05-08 2023-12-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11851755B2 (en) 2016-12-15 2023-12-26 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US12040184B2 (en) 2017-10-30 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US12518970B2 (en) 2020-08-11 2026-01-06 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a titanium aluminum carbide film structure on a substrate and related semiconductor structures
US12525449B2 (en) 2016-07-28 2026-01-13 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US12532674B2 (en) 2019-09-03 2026-01-20 Asm Ip Holding B.V. Methods and apparatus for depositing a chalcogenide film and structures including the film
US12550644B2 (en) 2020-10-06 2026-02-10 Asm Ip Holding B.V. Method and system for forming silicon nitride on a sidewall of a feature
US12622218B2 (en) 2020-07-22 2026-05-05 Asm Ip Holding B.V. Cassette lid opening device

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US12525449B2 (en) 2016-07-28 2026-01-13 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US11851755B2 (en) 2016-12-15 2023-12-26 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11848200B2 (en) 2017-05-08 2023-12-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US12040184B2 (en) 2017-10-30 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
US11557474B2 (en) 2019-07-29 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition utilizing n-type dopants and/or alternative dopants to achieve high dopant incorporation
US11594450B2 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming a structure with a hole
US12040229B2 (en) 2019-08-22 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Method for forming a structure with a hole
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
US12532674B2 (en) 2019-09-03 2026-01-20 Asm Ip Holding B.V. Methods and apparatus for depositing a chalcogenide film and structures including the film
US12469693B2 (en) 2019-09-17 2025-11-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a carbon-containing layer and structure including the layer
US11594600B2 (en) 2019-11-05 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Structures with doped semiconductor layers and methods and systems for forming same
US12622218B2 (en) 2020-07-22 2026-05-05 Asm Ip Holding B.V. Cassette lid opening device
US12518970B2 (en) 2020-08-11 2026-01-06 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a titanium aluminum carbide film structure on a substrate and related semiconductor structures
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
US12550644B2 (en) 2020-10-06 2026-02-10 Asm Ip Holding B.V. Method and system for forming silicon nitride on a sidewall of a feature

Also Published As

Publication number Publication date
JPS6336820A (ja) 1988-02-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0653210B2 (ja) 脱硝反応装置
JP3867037B2 (ja) 既存構造物の補強構造および補強方法
JP3646575B2 (ja) 仮設サポート工法および仮設サポート装置
JP2002349096A (ja) 自立型ケーシング付き構造物
EP0010631B1 (en) Nuclear fuel storage rack
JPH01247711A (ja) セラミックハニカム部材の支持装置
JPH10245889A (ja) 熱変形吸収骨組構造
SU1761885A2 (ru) Способ возведени многоэтажного здани
JPS5914253B2 (ja) 反応器の支持装置
JPH09101002A (ja) 排ガス流路の箱型構造物
JPH11241804A (ja) 支持架構
JPS58196838A (ja) 触媒反応器
JPH0493432A (ja) 梁架構
JPH03206221A (ja) 鉄筋コンクリート造柱・梁の接合部補強構造
JPH06212692A (ja) 門型構造物
JP3853627B2 (ja) 鉄筋コンクリート建造物の柱頭仕口構造
JPS61207742A (ja) 鉄骨造に於ける吊り下げ傘型トラスによる床版架設方法
JPH08229410A (ja) モジュール化触媒
JP2551860Y2 (ja) 構造物における柱の伸縮振動に対する減衰装置
JP2926106B2 (ja) V型ブレースによる大スパン吊り構造
JPH0833082B2 (ja) 積層ゴム免震装置
JPH09317074A (ja) 建造物における平坦部の変形吸収構造
JPS6178945A (ja) コンクリ−ト耐震壁の構築構造
JPH0357597Y2 (ja)
JPH059364Y2 (ja)

Legal Events

Date Code Title Description
LAPS Cancellation because of no payment of annual fees