JPS6337146B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6337146B2 JPS6337146B2 JP22435686A JP22435686A JPS6337146B2 JP S6337146 B2 JPS6337146 B2 JP S6337146B2 JP 22435686 A JP22435686 A JP 22435686A JP 22435686 A JP22435686 A JP 22435686A JP S6337146 B2 JPS6337146 B2 JP S6337146B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- condensate
- polymer
- radiation
- acenaphthylene
- halogenated
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
- C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
- C08G2261/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
- C08G2261/30—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain
- C08G2261/31—Monomer units or repeat units incorporating structural elements in the main chain incorporating aromatic structural elements in the main chain
- C08G2261/312—Non-condensed aromatic systems, e.g. benzene
Landscapes
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Description
〔産業上の利用分野〕
本発明は、耐放射線性を大巾に改善した高分子
組成物に関するものである。 〔従来の技術〕 原子炉、増殖炉、放射性廃棄物処理施設あるい
はイオン化放射線発生器などに使用される有機高
分子材料、例えば電線、ケーブルおよび各種機器
類は常時かなりの量の放射線に曝露されている。 空気中で高線量の放射線を被曝したこれら高分
子材料は、一般に硬化して脆くなつて可撓性をう
しなつたり、軟弱化したりするため著しく特性低
下したものとなる。 従つて、かかる使用目的の電線、ケーブル等の
被覆絶縁材料、パツキング、シール材料、枠、ホ
ース材料などに用いられる高分子組成物に対して
は、経済上並びに安全上の見地から高度の耐放射
線性を有することが要求されており、高分子材料
に耐放射線性を付与する技術の研究が進められて
いる。 高分子重合体に下記一般式［］ （式［］中、Ｘは塩素または臭素、ａは０〜
２、ｂは１〜６、ｎは１以上の整数を表わす） で示されるハロゲン化アセナフチレンおよび／ま
たはその縮合体を配合することにより、高分子重
合体に高度の耐放射線性と優れた難燃性を付与出
来ることが知られている（特公昭58−1146号公
報、特公昭60−25063号公報）。 高分子重合体に該ハロゲン化アセナフチレンお
よび／またはその縮合体を配合する場合、通常混
練時または加熱成型時に加熱してハロゲン化アセ
ナフチレンおよび／またはその縮合体を高分子重
合体中に溶融分散させて使用する。 更には、ハロゲン化アセナフチレン単位の炭素
１と炭素２の間の二重結合のラジカル重合反応を
利用して、成形後遊離基発生処理を施して高分子
重合体のグラフト化させる。これらの方法により
高分子重合体の耐放射線性、難燃性の向上が図れ
ることが知られている。 〔発明が解決すべき問題点〕 本発明者らは、ハロゲン化アセナフチレンおよ
び／またはその縮合体による高分子重合体への耐
放射線性付与効果につき検討を重ねたところ、加
工条件のバラツキやハロゲン化アセナフチレンお
よび／またはその縮合体の品質の違い等によつ
て、耐放射線性の発現に大きな差異が生じること
を認めた。 即ち、ハロゲン化アセナフチレンおよび／また
はその縮合体をポリオレフイン系樹脂、ゴム等に
配合する時、加工温度がハロゲン化アセナフチレ
ンおよび／またはその縮合体の溶融温度よりも低
い場合やハロゲン化アセナフチレン縮合体の縮合
組成が高い場合には、耐放射線性の判定基準であ
る破断点での伸び率が低下する現象が認められ問
題であつた。 本発明の目的は、加工成形条件のバラツキの影
響を受けず、ハロゲン化アセナフチレンおよび／
またはその縮合体の品質の影響を押えて、その高
度な耐放射線性を安定的に発現させる高分子組成
物を提供することである。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者らは、従来技術の問題点に鑑み、ハロ
ゲン化アセナフチレンおよび／またはその縮合体
を配合した高分子組成物の耐放射線性の発現方法
について鋭意検討を行なつたところ、加工成形条
件やハロゲン化アセナフチレンおよび／またはそ
の縮合体の品質の違いにより、高分子重合体中で
の分散性や相溶性が微妙に異なつて耐放射線性の
発現に大きく影響することを見出した。 この問題を解決するために、ハロゲン化アセナ
フチレンおよび／またはその縮合体の高分子重合
体内での分散性を改善し、高分子組成物の物性に
悪影響を及ぼさない分散性向上剤の探索を精力的
に行なつた。 その結果、各種の高分子樹脂、ゴム、スエテル
系可塑剤、パラフイン系や芳香族系のプロセスオ
イルおよび各種滑剤等では、分散性を改善させる
効果はほとんど認められなかつたものの、下記一
般式［］ （式［］中、R1、R2は水素、アルキル、アル
コキシ、フエニル、フエノキシ、ジフエニルオキ
シ、ターフエニルオキシ基の何れかを表わす） で示されるジフエニルエーテル誘導体を適量配合
した場合にのみ、特異的にハロゲン化アセナフチ
レンおよび／またはその縮合体の高分子重合体中
での分散性を著しく改善し、高分子組成物の耐放
射線性を向上させ安定的に発現出来ることを見出
した。 更には、このジフエニルエーテル誘導体の配合
は、高分子重合体の架橋特性や電気・機械特性に
も悪影響を及ぼさないことを見出し本発明を完成
するに至つたものである。 〔作 用〕 ハロゲン化アセナフチレンおよび／またはその
縮合体の高分子中での分散性向上を図ると耐放射
線性が向上する理由は、必ずしも明確ではない
が、均一分散化により、アセナフチレン誘導体が
放射線照射により生じる励起エネルギーのトラツ
プサイトとして有効に働き、励起エネルギーの移
動効率が高まる点と生成したポリマーラジカルの
捕捉がこのアセナフチレン誘導体により有効に行
なわれる点からポリマーの劣化が抑制され耐放射
線性が発現されると考えられる。 以下、さらに詳細に説明をする。 本発明の耐放射線性高分子組成物は、高分子重
合体のハロゲン化アセナフチレンおよび／または
その縮合体とジフエニルエーテル誘導体を配合す
ることにより達成される。 本発明により耐放射線性が改良される高分子重
合体としては、たとえばポリエチレン、ポリプロ
ピレン、ポリブテン、エチレン−酢酸ビニル共重
合体、エチレン−エチルアクリレート共重合体、
エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−プロ
ピレン−ジエン共重合体、エチレン−塩化ビニル
共重合体、エチレン−酢酸ビニル−グラフト塩化
ビニル共重合体、エチレン−エチルアクリレート
−グラフト塩化ビニル共重合体、エチレン−プロ
ピレン−グラフト塩化ビニル共重合体、塩素化ポ
リエチレン、塩素化ポリエチレン−グラフト塩化
ビニル共重合体、ポリアミド、アクリル樹脂など
の熱可塑性樹脂またはエラストマー、ポリエステ
ル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、フエノール樹
脂、メラミン樹脂、尿素樹脂などの熱硬化性樹
脂、およびブチルゴム、クロロプレンゴム、ニト
リルゴム、天然ゴム、シリコンゴム、クロロスル
ホン化ポリエチレン、スチレン−ブタジエンゴ
ム、スチレン−ブタジエン−アクリロニトリル共
重合体、ポリエステル−エーテルエラストマーな
どが例示される。中でもポリエチレンに代表され
るポリオレフイン系樹脂やエチレン−プロピレン
−ジエン共重合体で代表されるポリオレフイン系
エラストマーは、電気特性、耐薬品性などに優れ
た諸特性を有する汎用の重合体であり、その欠点
である可燃性も本発明によれば改善できるもので
あり最も好適な重合体である。 本発明でいうハロゲン化アセナフチレンおよ
び／またはその縮合体とは、下記一般式［］ （式［］中、Ｘは塩素または臭素、ａは０〜
２、ｂは１〜６、ｎは１以上の整数を表わす） で示されるもので、ハロゲン原子をアセナフチレ
ンの芳香環上に少なくとも１個以上含有する化合
物で、縮合体ではハロゲン化アセナフテンが形式
的にはフリーデル・クラフツ反応を起して縮合
し、縮合度２以上の多量体となり、続いて脱臭化
水素反応によりベンジル位に炭素−炭素二重結合
を生成したものである。 縮合体の結合様式は、アセナフチレンのベンジ
ル位炭素とアセナフチレンのアリール位炭素との
分子間の結合である。その結合点は、例えば、１
（あるいは２），5′− または、１（あるいは２），6′− 等が例示されるが、その他にも１（あるいは２），
3′−、１（あるいは２），4′−、１（あるいは２），
7′−、１（あるいは２），8′−等の結合が考えられ
る。 結合度３以上のものは、このような結合の何れ
かにより構成単位を増大せしめたものである。本
発明でいう縮合体とは、樹脂との相溶性に優れて
いる縮合度10以下のものをいう。 これらハロゲン化アセナフチレンおよび／また
はその縮合体の高分子重合体に対する配合量は、
下限においては良好な耐放射線性確保のため、上
限においては高分子組成物の伸び特性、可撓性等
確保のため、高分子重合体100重量部に対し、５
〜150重量部とすることが好ましい。 次に本発明でいうジフエニルエーテル誘導体と
は、下記一般式［］ （式［］中、R1、R2は水素、アルキル、アル
コキシ、フエニル、フエノキシ、ジフエニルオキ
シ、ターフエニルオキシ基の何れかを表わす） で表わされる化合物またはこれらの混合物であ
る。 例えば、具体的には、ジフエニルエーテル、モ
ノアルキルジフエニルエーテル、ジアルキルジフ
エニルエーテル、モノアルコキシジフエニルエー
テル、ジアルコキシジフエニルエーテル、フエノ
キシジフエニル、フエニルフエノキシジフエニ
ル、フエノキシジフエニルエーテル、ジフエノキ
シジフエニルエーテル、フエノキシフエノキシジ
フエニル、フエノキシフエノキシターフエニル等
が挙げられる。 このジフエニルエーテル誘導体の配合量は、ハ
ロゲン化アセナフチレンおよび／または縮合体
100重量部に対して１〜100重量部の範囲が選ばれ
る。その理由は、１重量部よりも少ないとハロゲ
ン化アセナフチレンおよび／またはその縮合体を
高分子重合体に均一に分散させる効果が不十分で
あり、一方100重量部をこえても、その増量効果
がほとんど見られないことによるものである。 尚、本発明の組成物に対しては、その使用目的
などに応じて適当な補強剤、増量剤、顔料、滑
剤、加硫剤、架橋助剤あるいは老化防止剤、紫外
線防止剤、難燃助剤などをその特性を低下させな
い範囲で適量配合することは何等差支えない。 本発明の配合処方としては、高分子重合体にハ
ロゲン化アセナフチレンおよび／またはその縮合
体とジフエニルエーテル誘導体とを配合し、混練
時に十分加熱してハロゲン化アセナフチレンおよ
び／またはその縮合体を高分子重合体中に均一に
溶融分散させる。 更にこの高分子組成物の成形にあたつては、ジ
クミルパーオキサイド等の有機過酸化物を混入し
て加熱する化学架橋法、β線、γ線、電子線等の
電離性放射線を照射するいわゆる放射線架橋法な
どにより遊離基発生処理を施し、ハロゲン化アセ
ナフチレンおよび／またはその縮合体を高分子基
質にグラフト化させると同時に高分子重合体を橋
かけ処理することは樹脂の種類によつては有効で
ある。 〔実施例〕 以下実施例によりさらに説明するが、本発明は
これらに限定されるものではない。 実施例１〜３および比較例１〜２ エチレン−プロピレン−ジエン共重合体に対し
て、第１表に示した組成となるように配合剤を加
えた。尚、下記各例における各成分の配合量単位
は重量部である。 遊離基発生剤以外の全成分を160℃の熱ロール
にて均一に混練した後、さらに遊離基発生剤を20
〜70℃にて添加した。さらにこれらを160℃の熱
プレスにて30分間加圧下に加熱して、１mm厚のシ
ートに成型した。 尚、本実施例に用いられたハロゲン化アセナフ
チレンおよび／またはその縮合体は、下記の臭素
化アセナフチレン縮合体組成物である。 臭素含有率 55.7％ 融 点 125〜143℃ 縮合組成 単量体 19.0％ ２量体 19.5％ ３量体 18.9％ ４〜８量体 42.6％ 縮合組成は、充填剤としてTSK gel G1000H8
（東洋曹達工業(株)製）を充填した内径7.5mm×長さ
600mmのカラムによる高速液体クロマトグラフイ
ーで求めた。 得られた組成物シートに対して空気中、室温に
て0.5Mrad／hrの線量率で200Mradのγ線を照射
した。照射前後の機械的特性をJIS Ｃ 3005にて
測定し、各試料の耐放射線性を評価した結果を第
１表に示す。 更に、γ線照射前後のハロゲン化アセナフチレ
ンおよび／またはその縮合体の高分子重合体への
グラフト化率の変化をテトラヒドロフランによる
ソツクスレー抽出法により求めた。得られた結果
を第１表に示す。 また、各シート表面の臭素化アセナフチレン縮
合体の分散性をＸ線マイクロアナライザーで
BrKα線により測定したが、第１図に実施例１の
シートの分散性を、第２図に比較例１のシートの
分散性を示す。白色部が臭素原子の存在を示す。
組成物に関するものである。 〔従来の技術〕 原子炉、増殖炉、放射性廃棄物処理施設あるい
はイオン化放射線発生器などに使用される有機高
分子材料、例えば電線、ケーブルおよび各種機器
類は常時かなりの量の放射線に曝露されている。 空気中で高線量の放射線を被曝したこれら高分
子材料は、一般に硬化して脆くなつて可撓性をう
しなつたり、軟弱化したりするため著しく特性低
下したものとなる。 従つて、かかる使用目的の電線、ケーブル等の
被覆絶縁材料、パツキング、シール材料、枠、ホ
ース材料などに用いられる高分子組成物に対して
は、経済上並びに安全上の見地から高度の耐放射
線性を有することが要求されており、高分子材料
に耐放射線性を付与する技術の研究が進められて
いる。 高分子重合体に下記一般式［］ （式［］中、Ｘは塩素または臭素、ａは０〜
２、ｂは１〜６、ｎは１以上の整数を表わす） で示されるハロゲン化アセナフチレンおよび／ま
たはその縮合体を配合することにより、高分子重
合体に高度の耐放射線性と優れた難燃性を付与出
来ることが知られている（特公昭58−1146号公
報、特公昭60−25063号公報）。 高分子重合体に該ハロゲン化アセナフチレンお
よび／またはその縮合体を配合する場合、通常混
練時または加熱成型時に加熱してハロゲン化アセ
ナフチレンおよび／またはその縮合体を高分子重
合体中に溶融分散させて使用する。 更には、ハロゲン化アセナフチレン単位の炭素
１と炭素２の間の二重結合のラジカル重合反応を
利用して、成形後遊離基発生処理を施して高分子
重合体のグラフト化させる。これらの方法により
高分子重合体の耐放射線性、難燃性の向上が図れ
ることが知られている。 〔発明が解決すべき問題点〕 本発明者らは、ハロゲン化アセナフチレンおよ
び／またはその縮合体による高分子重合体への耐
放射線性付与効果につき検討を重ねたところ、加
工条件のバラツキやハロゲン化アセナフチレンお
よび／またはその縮合体の品質の違い等によつ
て、耐放射線性の発現に大きな差異が生じること
を認めた。 即ち、ハロゲン化アセナフチレンおよび／また
はその縮合体をポリオレフイン系樹脂、ゴム等に
配合する時、加工温度がハロゲン化アセナフチレ
ンおよび／またはその縮合体の溶融温度よりも低
い場合やハロゲン化アセナフチレン縮合体の縮合
組成が高い場合には、耐放射線性の判定基準であ
る破断点での伸び率が低下する現象が認められ問
題であつた。 本発明の目的は、加工成形条件のバラツキの影
響を受けず、ハロゲン化アセナフチレンおよび／
またはその縮合体の品質の影響を押えて、その高
度な耐放射線性を安定的に発現させる高分子組成
物を提供することである。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者らは、従来技術の問題点に鑑み、ハロ
ゲン化アセナフチレンおよび／またはその縮合体
を配合した高分子組成物の耐放射線性の発現方法
について鋭意検討を行なつたところ、加工成形条
件やハロゲン化アセナフチレンおよび／またはそ
の縮合体の品質の違いにより、高分子重合体中で
の分散性や相溶性が微妙に異なつて耐放射線性の
発現に大きく影響することを見出した。 この問題を解決するために、ハロゲン化アセナ
フチレンおよび／またはその縮合体の高分子重合
体内での分散性を改善し、高分子組成物の物性に
悪影響を及ぼさない分散性向上剤の探索を精力的
に行なつた。 その結果、各種の高分子樹脂、ゴム、スエテル
系可塑剤、パラフイン系や芳香族系のプロセスオ
イルおよび各種滑剤等では、分散性を改善させる
効果はほとんど認められなかつたものの、下記一
般式［］ （式［］中、R1、R2は水素、アルキル、アル
コキシ、フエニル、フエノキシ、ジフエニルオキ
シ、ターフエニルオキシ基の何れかを表わす） で示されるジフエニルエーテル誘導体を適量配合
した場合にのみ、特異的にハロゲン化アセナフチ
レンおよび／またはその縮合体の高分子重合体中
での分散性を著しく改善し、高分子組成物の耐放
射線性を向上させ安定的に発現出来ることを見出
した。 更には、このジフエニルエーテル誘導体の配合
は、高分子重合体の架橋特性や電気・機械特性に
も悪影響を及ぼさないことを見出し本発明を完成
するに至つたものである。 〔作 用〕 ハロゲン化アセナフチレンおよび／またはその
縮合体の高分子中での分散性向上を図ると耐放射
線性が向上する理由は、必ずしも明確ではない
が、均一分散化により、アセナフチレン誘導体が
放射線照射により生じる励起エネルギーのトラツ
プサイトとして有効に働き、励起エネルギーの移
動効率が高まる点と生成したポリマーラジカルの
捕捉がこのアセナフチレン誘導体により有効に行
なわれる点からポリマーの劣化が抑制され耐放射
線性が発現されると考えられる。 以下、さらに詳細に説明をする。 本発明の耐放射線性高分子組成物は、高分子重
合体のハロゲン化アセナフチレンおよび／または
その縮合体とジフエニルエーテル誘導体を配合す
ることにより達成される。 本発明により耐放射線性が改良される高分子重
合体としては、たとえばポリエチレン、ポリプロ
ピレン、ポリブテン、エチレン−酢酸ビニル共重
合体、エチレン−エチルアクリレート共重合体、
エチレン−プロピレン共重合体、エチレン−プロ
ピレン−ジエン共重合体、エチレン−塩化ビニル
共重合体、エチレン−酢酸ビニル−グラフト塩化
ビニル共重合体、エチレン−エチルアクリレート
−グラフト塩化ビニル共重合体、エチレン−プロ
ピレン−グラフト塩化ビニル共重合体、塩素化ポ
リエチレン、塩素化ポリエチレン−グラフト塩化
ビニル共重合体、ポリアミド、アクリル樹脂など
の熱可塑性樹脂またはエラストマー、ポリエステ
ル、ポリウレタン、エポキシ樹脂、フエノール樹
脂、メラミン樹脂、尿素樹脂などの熱硬化性樹
脂、およびブチルゴム、クロロプレンゴム、ニト
リルゴム、天然ゴム、シリコンゴム、クロロスル
ホン化ポリエチレン、スチレン−ブタジエンゴ
ム、スチレン−ブタジエン−アクリロニトリル共
重合体、ポリエステル−エーテルエラストマーな
どが例示される。中でもポリエチレンに代表され
るポリオレフイン系樹脂やエチレン−プロピレン
−ジエン共重合体で代表されるポリオレフイン系
エラストマーは、電気特性、耐薬品性などに優れ
た諸特性を有する汎用の重合体であり、その欠点
である可燃性も本発明によれば改善できるもので
あり最も好適な重合体である。 本発明でいうハロゲン化アセナフチレンおよ
び／またはその縮合体とは、下記一般式［］ （式［］中、Ｘは塩素または臭素、ａは０〜
２、ｂは１〜６、ｎは１以上の整数を表わす） で示されるもので、ハロゲン原子をアセナフチレ
ンの芳香環上に少なくとも１個以上含有する化合
物で、縮合体ではハロゲン化アセナフテンが形式
的にはフリーデル・クラフツ反応を起して縮合
し、縮合度２以上の多量体となり、続いて脱臭化
水素反応によりベンジル位に炭素−炭素二重結合
を生成したものである。 縮合体の結合様式は、アセナフチレンのベンジ
ル位炭素とアセナフチレンのアリール位炭素との
分子間の結合である。その結合点は、例えば、１
（あるいは２），5′− または、１（あるいは２），6′− 等が例示されるが、その他にも１（あるいは２），
3′−、１（あるいは２），4′−、１（あるいは２），
7′−、１（あるいは２），8′−等の結合が考えられ
る。 結合度３以上のものは、このような結合の何れ
かにより構成単位を増大せしめたものである。本
発明でいう縮合体とは、樹脂との相溶性に優れて
いる縮合度10以下のものをいう。 これらハロゲン化アセナフチレンおよび／また
はその縮合体の高分子重合体に対する配合量は、
下限においては良好な耐放射線性確保のため、上
限においては高分子組成物の伸び特性、可撓性等
確保のため、高分子重合体100重量部に対し、５
〜150重量部とすることが好ましい。 次に本発明でいうジフエニルエーテル誘導体と
は、下記一般式［］ （式［］中、R1、R2は水素、アルキル、アル
コキシ、フエニル、フエノキシ、ジフエニルオキ
シ、ターフエニルオキシ基の何れかを表わす） で表わされる化合物またはこれらの混合物であ
る。 例えば、具体的には、ジフエニルエーテル、モ
ノアルキルジフエニルエーテル、ジアルキルジフ
エニルエーテル、モノアルコキシジフエニルエー
テル、ジアルコキシジフエニルエーテル、フエノ
キシジフエニル、フエニルフエノキシジフエニ
ル、フエノキシジフエニルエーテル、ジフエノキ
シジフエニルエーテル、フエノキシフエノキシジ
フエニル、フエノキシフエノキシターフエニル等
が挙げられる。 このジフエニルエーテル誘導体の配合量は、ハ
ロゲン化アセナフチレンおよび／または縮合体
100重量部に対して１〜100重量部の範囲が選ばれ
る。その理由は、１重量部よりも少ないとハロゲ
ン化アセナフチレンおよび／またはその縮合体を
高分子重合体に均一に分散させる効果が不十分で
あり、一方100重量部をこえても、その増量効果
がほとんど見られないことによるものである。 尚、本発明の組成物に対しては、その使用目的
などに応じて適当な補強剤、増量剤、顔料、滑
剤、加硫剤、架橋助剤あるいは老化防止剤、紫外
線防止剤、難燃助剤などをその特性を低下させな
い範囲で適量配合することは何等差支えない。 本発明の配合処方としては、高分子重合体にハ
ロゲン化アセナフチレンおよび／またはその縮合
体とジフエニルエーテル誘導体とを配合し、混練
時に十分加熱してハロゲン化アセナフチレンおよ
び／またはその縮合体を高分子重合体中に均一に
溶融分散させる。 更にこの高分子組成物の成形にあたつては、ジ
クミルパーオキサイド等の有機過酸化物を混入し
て加熱する化学架橋法、β線、γ線、電子線等の
電離性放射線を照射するいわゆる放射線架橋法な
どにより遊離基発生処理を施し、ハロゲン化アセ
ナフチレンおよび／またはその縮合体を高分子基
質にグラフト化させると同時に高分子重合体を橋
かけ処理することは樹脂の種類によつては有効で
ある。 〔実施例〕 以下実施例によりさらに説明するが、本発明は
これらに限定されるものではない。 実施例１〜３および比較例１〜２ エチレン−プロピレン−ジエン共重合体に対し
て、第１表に示した組成となるように配合剤を加
えた。尚、下記各例における各成分の配合量単位
は重量部である。 遊離基発生剤以外の全成分を160℃の熱ロール
にて均一に混練した後、さらに遊離基発生剤を20
〜70℃にて添加した。さらにこれらを160℃の熱
プレスにて30分間加圧下に加熱して、１mm厚のシ
ートに成型した。 尚、本実施例に用いられたハロゲン化アセナフ
チレンおよび／またはその縮合体は、下記の臭素
化アセナフチレン縮合体組成物である。 臭素含有率 55.7％ 融 点 125〜143℃ 縮合組成 単量体 19.0％ ２量体 19.5％ ３量体 18.9％ ４〜８量体 42.6％ 縮合組成は、充填剤としてTSK gel G1000H8
（東洋曹達工業(株)製）を充填した内径7.5mm×長さ
600mmのカラムによる高速液体クロマトグラフイ
ーで求めた。 得られた組成物シートに対して空気中、室温に
て0.5Mrad／hrの線量率で200Mradのγ線を照射
した。照射前後の機械的特性をJIS Ｃ 3005にて
測定し、各試料の耐放射線性を評価した結果を第
１表に示す。 更に、γ線照射前後のハロゲン化アセナフチレ
ンおよび／またはその縮合体の高分子重合体への
グラフト化率の変化をテトラヒドロフランによる
ソツクスレー抽出法により求めた。得られた結果
を第１表に示す。 また、各シート表面の臭素化アセナフチレン縮
合体の分散性をＸ線マイクロアナライザーで
BrKα線により測定したが、第１図に実施例１の
シートの分散性を、第２図に比較例１のシートの
分散性を示す。白色部が臭素原子の存在を示す。
【表】
【表】
第１表および第１図から明らかな如く、縮合組
成の高い臭素化アセナフチレン縮合体を配合した
場合、本発明のジフエニルエーテル誘導体の添加
では、その均一分散化がはかられ、放射線照射後
の機械的特性も優れ、特に伸びの特性低下がおさ
えられていることがわかる。それに反し、ジフエ
ニル誘導体を添加しない場合（比較例１）には、
第２図にみられる如く、臭素化アセナフチレン縮
合体の一部凝集による分散性の不均一化により、
放射線照射後の機械的特性の劣化がはげしい。ま
た、ジフエニルエーテル誘導体のみ添加（比較例
２）では、その耐放射線性の改善ははかられてい
ない。 臭素化アセナフチレン縮合体の均一分散化でγ
線照射前後でのグラフト化率が向上しており、γ
線照射時の励起エネルギーの移動促進効果以外に
γ線照射時に生成したポリマーラジカルの捕捉が
有効に行なわれていることを示している。 またジフエニルエーテル誘導体の添加は、ポリ
マーの架橋、特気特性には殆んど悪影響を及ぼさ
ない。 実施例４、５および比較例３、４ ポリエチレンに対して第２表に示した組成とな
るよう配合剤を加え、これらを加熱ロールにてよ
く混練し、得られた組成物を160℃にて30分間プ
レス成型し１mm厚シートを作成した。 得られた各々のシートについて、臭素化アセナ
フチレン縮合体の分散性、初期の機械的特性およ
びγ線200Mrad照射後の特性を測定し、その結
果を第２表に示す。
成の高い臭素化アセナフチレン縮合体を配合した
場合、本発明のジフエニルエーテル誘導体の添加
では、その均一分散化がはかられ、放射線照射後
の機械的特性も優れ、特に伸びの特性低下がおさ
えられていることがわかる。それに反し、ジフエ
ニル誘導体を添加しない場合（比較例１）には、
第２図にみられる如く、臭素化アセナフチレン縮
合体の一部凝集による分散性の不均一化により、
放射線照射後の機械的特性の劣化がはげしい。ま
た、ジフエニルエーテル誘導体のみ添加（比較例
２）では、その耐放射線性の改善ははかられてい
ない。 臭素化アセナフチレン縮合体の均一分散化でγ
線照射前後でのグラフト化率が向上しており、γ
線照射時の励起エネルギーの移動促進効果以外に
γ線照射時に生成したポリマーラジカルの捕捉が
有効に行なわれていることを示している。 またジフエニルエーテル誘導体の添加は、ポリ
マーの架橋、特気特性には殆んど悪影響を及ぼさ
ない。 実施例４、５および比較例３、４ ポリエチレンに対して第２表に示した組成とな
るよう配合剤を加え、これらを加熱ロールにてよ
く混練し、得られた組成物を160℃にて30分間プ
レス成型し１mm厚シートを作成した。 得られた各々のシートについて、臭素化アセナ
フチレン縮合体の分散性、初期の機械的特性およ
びγ線200Mrad照射後の特性を測定し、その結
果を第２表に示す。
【表】
以上説明した如く、本発明の高分子組成物は、
ジフエニルエーテル誘導体の添加により、ハロゲ
ン化アセナフチレンおよび／またはその縮合体の
高分子重合体への均一分散化を可能にし、高分子
組成物の耐放射線性の機能を安定的に発現させる
ことが出来るものであり、放射線を被曝する場所
での構造材料、被覆絶縁材料、パツキング、シー
ル材料などに有用である。
ジフエニルエーテル誘導体の添加により、ハロゲ
ン化アセナフチレンおよび／またはその縮合体の
高分子重合体への均一分散化を可能にし、高分子
組成物の耐放射線性の機能を安定的に発現させる
ことが出来るものであり、放射線を被曝する場所
での構造材料、被覆絶縁材料、パツキング、シー
ル材料などに有用である。
第１図は本発明重合体組成物の成型シート表面
の臭素化アセナフチレン縮合体の分散性をＸ線マ
イクロアナライザーで測定した写真であり、第２
図は比較例の測定写真である。
の臭素化アセナフチレン縮合体の分散性をＸ線マ
イクロアナライザーで測定した写真であり、第２
図は比較例の測定写真である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 高分子重合体に下記一般式［］ （式［］中、Ｘは塩素または臭素、ａは０〜
２、ｂは１〜６、ｎは１以上の整数を表わす） で示されるハロゲン化アセナフチレンおよび／ま
たはその縮合体と、下記一般式［］ （式［］中、R1、R2は水素、アルキル、アル
コキシ、フエニル、フエノキシ、ジフエニルオキ
シ、ターフエニルオキシ基の何れかを表わす） で示されるジフエニルエーテル誘導体とを配合し
たことを特徴とする耐放射線性高分子組成物。 ２ ハロゲン化アセナフチレンおよび／またはそ
の縮合体の配合量が高分子重合体100重量部に対
して５〜150重量部である特許請求の範囲第１項
記載の耐放射線性高分子組成物。 ３ ジフエニルエーテル誘導体の配合量が、ハロ
ゲン化アセナフチレンおよび／またはその縮合体
100重量部に対して１〜100重量部である特許請求
の範囲第１項または２項記載の耐放射線性高分子
組成物。 ４ 高分子重合体が熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂
および天然または合成ゴムの群から選ばれたいず
れかの樹脂またはエラストマーである特許請求の
範囲第１項から３項までの何れか１項記載の耐放
射線性高分子組成物。 ５ 高分子重合体がポリオレフイン系樹脂または
ポリオレフイン系エラストマーである特許請求の
範囲第１項から４項までの何れか１項記載の耐放
射線性高分子組成物。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22435686A JPS6377972A (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 耐放射線性高分子組成物 |
| CA 547414 CA1290479C (en) | 1986-09-22 | 1987-09-21 | Radiation-resistant high molecular composition |
| US07/098,883 US4900766A (en) | 1986-09-22 | 1987-09-21 | Radiation-resistant high molecular composition |
| EP19870113828 EP0261638A3 (en) | 1986-09-22 | 1987-09-22 | Radiation-resistant high molecular composition |
| US07/412,087 US5015526A (en) | 1986-09-22 | 1989-09-25 | Radiation-resistant high molecular composition |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22435686A JPS6377972A (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 耐放射線性高分子組成物 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6377972A JPS6377972A (ja) | 1988-04-08 |
| JPS6337146B2 true JPS6337146B2 (ja) | 1988-07-22 |
Family
ID=16812479
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22435686A Granted JPS6377972A (ja) | 1986-09-22 | 1986-09-22 | 耐放射線性高分子組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6377972A (ja) |
-
1986
- 1986-09-22 JP JP22435686A patent/JPS6377972A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6377972A (ja) | 1988-04-08 |
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