JPS6337629A - プラズマ装置 - Google Patents
プラズマ装置Info
- Publication number
- JPS6337629A JPS6337629A JP61180906A JP18090686A JPS6337629A JP S6337629 A JPS6337629 A JP S6337629A JP 61180906 A JP61180906 A JP 61180906A JP 18090686 A JP18090686 A JP 18090686A JP S6337629 A JPS6337629 A JP S6337629A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- plasma
- holding jig
- support plate
- uniform
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の目的］
（産業上の利用分野）
本発明は、ウェハを直立状態に保持して処理を行なう半
導体製造装置等に配置されるウェハ保ｊ４用冶貝に関す
る。
導体製造装置等に配置されるウェハ保ｊ４用冶貝に関す
る。
（従来の技術）
一般にウェハを直立状態に保持して処理を行なう半導体
製造装置では、立設されウェハ側面を支持する支持板と
、この支持板から突設されウェハ下部を保持するウェハ
保持用治具によってウェハを支持板表面に平行に保持す
る。
製造装置では、立設されウェハ側面を支持する支持板と
、この支持板から突設されウェハ下部を保持するウェハ
保持用治具によってウェハを支持板表面に平行に保持す
る。
例えばプラズマＣＶＤ装置では、第５図および第６図に
示すように、例えばアルミ等からなり、処理室内に平行
に多数配列されるプラズマ電極１の両側には、このプラ
ズマ電極１の表面に平行に配置されるウェハ２の下半部
外周を保持する溝を形成し、半円環状に突設されたウェ
ハ保持用治具３が配置されている。
示すように、例えばアルミ等からなり、処理室内に平行
に多数配列されるプラズマ電極１の両側には、このプラ
ズマ電極１の表面に平行に配置されるウェハ２の下半部
外周を保持する溝を形成し、半円環状に突設されたウェ
ハ保持用治具３が配置されている。
このようなプラズマＣＶＤ装置では、対向して配置され
るプラズマ電極１間に高周波電力が印加されるため、例
えばウェハ保持用治具として爪等を設けると、対向する
プラズマ電極１との距離が近くなるこの爪の間で集中放
電が起き、成膜に悪影響を及ぼすため、プラズマ電極１
間の距離を平均化するため、ウェハ保持用治具は上記説
明のように構成されている。
るプラズマ電極１間に高周波電力が印加されるため、例
えばウェハ保持用治具として爪等を設けると、対向する
プラズマ電極１との距離が近くなるこの爪の間で集中放
電が起き、成膜に悪影響を及ぼすため、プラズマ電極１
間の距離を平均化するため、ウェハ保持用治具は上記説
明のように構成されている。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、上記説明の従来のウェハ保持用治具では
、プラズマ電極の上部と下部とでプラズマ電極間の距離
が異なり、このため放電が不均一となり、成膜等の処理
を均一に行なうことができないという問題があった。
、プラズマ電極の上部と下部とでプラズマ電極間の距離
が異なり、このため放電が不均一となり、成膜等の処理
を均一に行なうことができないという問題があった。
本発明は係る従来の事情に対処してなされたもので、プ
ラズマ電極間の放電を均一化することができ、成膜等の
処理を均一に行なうことのできるウェハ保持用治具を提
供しようとするものである。
ラズマ電極間の放電を均一化することができ、成膜等の
処理を均一に行なうことのできるウェハ保持用治具を提
供しようとするものである。
［発明の構成］
（問題点を解決するための手段〉
すなわら本発明は、立設された支持板から突設され、こ
の支持板表面に平行して配置されるウェハの下部を保持
するウェハ保持用治具において、豆いに嵌合され一体化
可能とする固定機構を有し、底台状態では両端に大径部
および中間部に小径部を形成する石英からなる複数の部
材からなり、前記支持板に設けられた前記小径部とほぼ
同径の透孔の両側から嵌合されてこの支持板の少なくと
も一方に前記ウェハを保持する突出部を形成するよう構
成されたことを特徴とする。
の支持板表面に平行して配置されるウェハの下部を保持
するウェハ保持用治具において、豆いに嵌合され一体化
可能とする固定機構を有し、底台状態では両端に大径部
および中間部に小径部を形成する石英からなる複数の部
材からなり、前記支持板に設けられた前記小径部とほぼ
同径の透孔の両側から嵌合されてこの支持板の少なくと
も一方に前記ウェハを保持する突出部を形成するよう構
成されたことを特徴とする。
（作用）
本発明のウェハ保持用治具では、絶縁体である石英から
なる複数の部材によりウェハ保持用治具を構成したので
、支持板上に導体からなる突出部が形成されず、放電を
均一化することができ、均一な処理を行なうことができ
る。
なる複数の部材によりウェハ保持用治具を構成したので
、支持板上に導体からなる突出部が形成されず、放電を
均一化することができ、均一な処理を行なうことができ
る。
（実施例）
以下本発明のウェハ保持用治具を図面を参照して一実施
例について説明する。
例について説明する。
第１図は、本発明の一実施例のウェハ保持用治具を示す
もので、石英からなり、例えば直径３ｍｍ、長さ７ｍｍ
の円柱状の小径部１１ａと、小径部１１ａの一端にテー
パ状に形成され、その最大径が例えば１３ｍｍの大径部
１１ｂと、小径部１１ａの他端に配置され例えば幅２ｍ
ｍ 、長さ１．５ｍｍ、厚さ１ｍｍの突起部１１ｃとか
ら構成される部材１１と、この部材１１の形状に合わせ
て構成され例えば内径３．１ｍｍ、長さ４ｍｍの中空円
筒状の小径部１２ａ、この小径部１２ａの一端にテーパ
状に形成され、その最大径が例えば１３ｍｍの大径部１
２ｂを有する部材１２とから構成されている。
もので、石英からなり、例えば直径３ｍｍ、長さ７ｍｍ
の円柱状の小径部１１ａと、小径部１１ａの一端にテー
パ状に形成され、その最大径が例えば１３ｍｍの大径部
１１ｂと、小径部１１ａの他端に配置され例えば幅２ｍ
ｍ 、長さ１．５ｍｍ、厚さ１ｍｍの突起部１１ｃとか
ら構成される部材１１と、この部材１１の形状に合わせ
て構成され例えば内径３．１ｍｍ、長さ４ｍｍの中空円
筒状の小径部１２ａ、この小径部１２ａの一端にテーパ
状に形成され、その最大径が例えば１３ｍｍの大径部１
２ｂを有する部材１２とから構成されている。
なｄ３、部材１２の小径部１２ａ内に形成された中空部
は、大径部１２ｂ内にまで至り、その全長は、例えば７
ｍｍ程度とされている。そして、その内側の側壁部には
、突起部１１Ｇの形状に合わせて例えば幅２．１１１１
ｍ、高さ１．１ｍｍの溝１２ｃが形成されており、この
溝１２Ｇは付き当たり部で側壁に添って半円状に形成さ
れており、突起部１１Ｇと係［卜される固定機構を構成
する。
は、大径部１２ｂ内にまで至り、その全長は、例えば７
ｍｍ程度とされている。そして、その内側の側壁部には
、突起部１１Ｇの形状に合わせて例えば幅２．１１１１
ｍ、高さ１．１ｍｍの溝１２ｃが形成されており、この
溝１２Ｇは付き当たり部で側壁に添って半円状に形成さ
れており、突起部１１Ｇと係［卜される固定機構を構成
する。
ぞして第２図に示すように、例えばプラズマＣＶＤ装置
等によるＣＶＤ処理等に用いられ、立設状態でその表面
に平行にウェハを配置されるプラズマ電極１３＠に配置
される。このようなプラズマ電極１３は、例えば表面に
アルマイト処理を施されたアルミ等から、直径１７５ｍ
ｍ 、厚さ３ｍｍの円板状に形成されており、このプラ
ズマ電極１３に配置された直径５．１ｍｍ程度の透孔１
３ａの両側に部＋、１１１と部材１２とを配置しくａ）
、部材１１の突起部１１Ｇを部材１２の溝１２ｃに合わ
せて小径部１２ａ内に挿入しくｂ）、部材１１と部材１
２とを相対的に半回転して突起部１１ｃの位置を中空部
の付き当たり部に形成された半円状の溝１２ｃ内で移動
させ、部材１１と部材１２とを固定する（Ｃ）。
等によるＣＶＤ処理等に用いられ、立設状態でその表面
に平行にウェハを配置されるプラズマ電極１３＠に配置
される。このようなプラズマ電極１３は、例えば表面に
アルマイト処理を施されたアルミ等から、直径１７５ｍ
ｍ 、厚さ３ｍｍの円板状に形成されており、このプラ
ズマ電極１３に配置された直径５．１ｍｍ程度の透孔１
３ａの両側に部＋、１１１と部材１２とを配置しくａ）
、部材１１の突起部１１Ｇを部材１２の溝１２ｃに合わ
せて小径部１２ａ内に挿入しくｂ）、部材１１と部材１
２とを相対的に半回転して突起部１１ｃの位置を中空部
の付き当たり部に形成された半円状の溝１２ｃ内で移動
させ、部材１１と部材１２とを固定する（Ｃ）。
上記構成のウェハ保持用治具は、第３図および第４図に
示すように、例えばプラズマ電極１３表面下部の、この
プラズマ電極１３表面に同心的に配置される例えば直径
１５ｃｍのウェハ１４の外周縁部に沿った位置に間隔を
設けて配置され、ウェハ１４の下部を支持する。
示すように、例えばプラズマ電極１３表面下部の、この
プラズマ電極１３表面に同心的に配置される例えば直径
１５ｃｍのウェハ１４の外周縁部に沿った位置に間隔を
設けて配置され、ウェハ１４の下部を支持する。
すなわちこの実施例のウェハ保持用治具では、石英から
なる部材１１．１２から構成され、プラズマ電極１３に
設けられた透孔１３ａの両側から挿入嵌合されて、プラ
ズマ電極１３の両側にテーパ状の大径部１１ｂ、１２ｂ
によってウェハ１１１を保持する突出部を形成する。し
たがって、プラズマ電極１３上に導体からなる突出部が
形成されず、プラズマ電極１３間の距離を均一化するこ
とができるので、これらのプラズマ電極１３間に均一な
プラズマが形成され、均一な処理を行なうことができる
。
なる部材１１．１２から構成され、プラズマ電極１３に
設けられた透孔１３ａの両側から挿入嵌合されて、プラ
ズマ電極１３の両側にテーパ状の大径部１１ｂ、１２ｂ
によってウェハ１１１を保持する突出部を形成する。し
たがって、プラズマ電極１３上に導体からなる突出部が
形成されず、プラズマ電極１３間の距離を均一化するこ
とができるので、これらのプラズマ電極１３間に均一な
プラズマが形成され、均一な処理を行なうことができる
。
なおこの実施例では、支持板がプラズマ電極１３である
場合について説明したが、本発明は係る実施例に限定さ
れるものではなく、伯の電極板またはサセプタ等支持板
はどのようなものでもよく、また高温（約１０００℃）
でも使用可能で、汚染物および歩留りの低下の原因とな
るアルカリ金属、単金属等はとんど含まず、化学的に安
定であるため、プラズマＣＶＤ装置以外のどのような半
導体製造装置にでも使用することができる。また、固定
機構はｉＮ合させ、固定することのできるものであれば
どのようなものでもよいことはもちろんである。
場合について説明したが、本発明は係る実施例に限定さ
れるものではなく、伯の電極板またはサセプタ等支持板
はどのようなものでもよく、また高温（約１０００℃）
でも使用可能で、汚染物および歩留りの低下の原因とな
るアルカリ金属、単金属等はとんど含まず、化学的に安
定であるため、プラズマＣＶＤ装置以外のどのような半
導体製造装置にでも使用することができる。また、固定
機構はｉＮ合させ、固定することのできるものであれば
どのようなものでもよいことはもちろんである。
［発明の効果］
上述のように本発明のウェハ保持用治具では、プラズマ
電極内の放電を均一化することができ、成膜等の処理を
均一に行なうことができる。
電極内の放電を均一化することができ、成膜等の処理を
均一に行なうことができる。
第１図は本発明の一実施例のウェハ保持用冶具を示す縦
断面図、第２図は第１図に示すウェハ保持用治具の嵌合
状態を示す説明図、第３図は第１図に示すウェハ保持用
治具を配置されたプラズマ電極を示す正面図、第４図は
第３図の側面図、第５図は従来のウェハ保持用治具を示
す正面図、第６図は第５図の側面図である。 １１・・・・・・石英からなる部材、１１ａ・・・・・
・小径部、１１ｂ・・・・・・大径部、１１Ｇ・・・・
・・突起部、１２・・・・・・・・・石英からなる部材
、１２ａ・・・・・・小径部、１２ｂ・・・・・・大径
部、１２・・・・・・溝、１３・・・・・・プラズマ電
極、１３ａ・・・・・・透孔。 出願人 東京エレクトロン株式会社代理人 弁理
士 須 山 佐 − 業２図 第３図 第４図 ７４５図 第６図
断面図、第２図は第１図に示すウェハ保持用治具の嵌合
状態を示す説明図、第３図は第１図に示すウェハ保持用
治具を配置されたプラズマ電極を示す正面図、第４図は
第３図の側面図、第５図は従来のウェハ保持用治具を示
す正面図、第６図は第５図の側面図である。 １１・・・・・・石英からなる部材、１１ａ・・・・・
・小径部、１１ｂ・・・・・・大径部、１１Ｇ・・・・
・・突起部、１２・・・・・・・・・石英からなる部材
、１２ａ・・・・・・小径部、１２ｂ・・・・・・大径
部、１２・・・・・・溝、１３・・・・・・プラズマ電
極、１３ａ・・・・・・透孔。 出願人 東京エレクトロン株式会社代理人 弁理
士 須 山 佐 − 業２図 第３図 第４図 ７４５図 第６図
Claims (1)
- （１）立設された支持板から突設され、この支持板表面
に平行して配置されるウェハの下部を保持するウェハ保
持用治具において、互いに嵌合され一体化可能とする固
定機構を有し、嵌合状態では両端に大径部および中間部
に小径部を形成する石英からなる複数の部材からなり、
前記支持板に設けられた前記小径部とほぼ同径の透孔の
両側から嵌合されてこの支持板の少なくとも一方に前記
ウェハを保持する突出部を形成するよう構成されたこと
を特徴とするウェハ保持用治具。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61180906A JPH077792B2 (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | プラズマ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61180906A JPH077792B2 (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | プラズマ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6337629A true JPS6337629A (ja) | 1988-02-18 |
| JPH077792B2 JPH077792B2 (ja) | 1995-01-30 |
Family
ID=16091369
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61180906A Expired - Fee Related JPH077792B2 (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | プラズマ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH077792B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4955649A (en) * | 1988-02-29 | 1990-09-11 | Tel Sagami Limited | Apparatus for holding plates |
| KR101232754B1 (ko) | 2010-12-15 | 2013-02-13 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판지지대 및 이를 구비한 기판처리장치 |
| CN103811400A (zh) * | 2014-03-10 | 2014-05-21 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 晶圆支撑基座 |
| JP2014152339A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Shimadzu Corp | サンプルホルダ |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50135060U (ja) * | 1974-04-24 | 1975-11-07 | ||
| JPS50140357U (ja) * | 1974-05-08 | 1975-11-19 | ||
| JPS5139094U (ja) * | 1974-09-18 | 1976-03-23 | ||
| JPS5464460U (ja) * | 1977-10-14 | 1979-05-08 | ||
| JPS55123130A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-22 | Fujitsu Ltd | Plasma treating device |
| JPS5712289A (en) * | 1980-06-24 | 1982-01-22 | Asahi Chemical Ind | Dryer for granular solid |
-
1986
- 1986-07-31 JP JP61180906A patent/JPH077792B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50135060U (ja) * | 1974-04-24 | 1975-11-07 | ||
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| JPS5139094U (ja) * | 1974-09-18 | 1976-03-23 | ||
| JPS5464460U (ja) * | 1977-10-14 | 1979-05-08 | ||
| JPS55123130A (en) * | 1979-03-16 | 1980-09-22 | Fujitsu Ltd | Plasma treating device |
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|---|---|---|---|---|
| US4955649A (en) * | 1988-02-29 | 1990-09-11 | Tel Sagami Limited | Apparatus for holding plates |
| KR101232754B1 (ko) | 2010-12-15 | 2013-02-13 | 주식회사 원익아이피에스 | 기판지지대 및 이를 구비한 기판처리장치 |
| JP2014152339A (ja) * | 2013-02-05 | 2014-08-25 | Shimadzu Corp | サンプルホルダ |
| CN103811400A (zh) * | 2014-03-10 | 2014-05-21 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 晶圆支撑基座 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH077792B2 (ja) | 1995-01-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |