JPS6337675A - 非晶質薄膜太陽電池 - Google Patents
非晶質薄膜太陽電池Info
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- JPS6337675A JPS6337675A JP61181790A JP18179086A JPS6337675A JP S6337675 A JPS6337675 A JP S6337675A JP 61181790 A JP61181790 A JP 61181790A JP 18179086 A JP18179086 A JP 18179086A JP S6337675 A JPS6337675 A JP S6337675A
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- Japan
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- layer
- amorphous silicon
- solar cell
- thin film
- germanium
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明はＰ−Ｉ−Ｎ構造を有する非晶質半導体薄膜を備
えた太陽電池の改良に関し、特に１層を主としてケイ素
及びゲルマニウムからなる層（ａ−８ｉＧｅ層）を備え
た非晶質薄膜太陽電池の改良に関するものである。
えた太陽電池の改良に関し、特に１層を主としてケイ素
及びゲルマニウムからなる層（ａ−８ｉＧｅ層）を備え
た非晶質薄膜太陽電池の改良に関するものである。
〈従来の技術〉
従来より非晶質太陽電池の光電変換効率を向上させる為
に、ａ−８ｉＧｅというａ−８ｉ よりもバンドギャッ
プの狭い材料を用いた太陽電池が研究されている。ａ−
８ｉＧｅｌｄａ−８ｉ よりもバンドギャップが狭い為
、従来利用することができなかった長波長光を有効に利
用できる材料であるが、このａ−８ｉＧｅを１層に用い
て作製した太陽電池の光電変換効率は低く、その特性の
改善が必要とされている。
に、ａ−８ｉＧｅというａ−８ｉ よりもバンドギャッ
プの狭い材料を用いた太陽電池が研究されている。ａ−
８ｉＧｅｌｄａ−８ｉ よりもバンドギャップが狭い為
、従来利用することができなかった長波長光を有効に利
用できる材料であるが、このａ−８ｉＧｅを１層に用い
て作製した太陽電池の光電変換効率は低く、その特性の
改善が必要とされている。
〈発明が解決しようとする問題点〉
上記の如き太陽電池にあっては、短絡電流、開放端電圧
、曲線因子のそれぞれの値は、従来のａ −Ｓ ｉ太１
陽電池よりも低いものであシ、十分にａ−ＳｉＧ６の持
つ利点を生７５）すことができていなかった。この様に
太陽電池の１層としてａ−ＳｉＧｅを用いる場合、その
バンドギャップが従来のａ −Ｓｉ よシも０，２ｅＶ
以上狭い為、Ｐ層あるいはＮ層との界面での接合がうま
くいかず、その結果太陽電池の光電変換効率を低下させ
る要因となっている。
、曲線因子のそれぞれの値は、従来のａ −Ｓ ｉ太１
陽電池よりも低いものであシ、十分にａ−ＳｉＧ６の持
つ利点を生７５）すことができていなかった。この様に
太陽電池の１層としてａ−ＳｉＧｅを用いる場合、その
バンドギャップが従来のａ −Ｓｉ よシも０，２ｅＶ
以上狭い為、Ｐ層あるいはＮ層との界面での接合がうま
くいかず、その結果太陽電池の光電変換効率を低下させ
る要因となっている。
本発明は上記の点に′鑑みて創案されたものであわ、Ｐ
層と１層の界面に改良を加えて光電変換効率の向上を図
った非晶質薄膜太陽電池を提供することを目的としてい
る０ く問題点を解決するための手段〉 上記の目的を達成するため、本発明はＰ−Ｉ−Ｎ構造を
有する非晶買手導体薄膜を備えた太陽′１池において、
１層を主としてケイ素及びゲルマニウムによ沙構成し、
Ｐ層と１層の界面に主としてケイ素及び炭素よりなるバ
ッファ層を介挿してなるように構成している。
層と１層の界面に改良を加えて光電変換効率の向上を図
った非晶質薄膜太陽電池を提供することを目的としてい
る０ く問題点を解決するための手段〉 上記の目的を達成するため、本発明はＰ−Ｉ−Ｎ構造を
有する非晶買手導体薄膜を備えた太陽′１池において、
１層を主としてケイ素及びゲルマニウムによ沙構成し、
Ｐ層と１層の界面に主としてケイ素及び炭素よりなるバ
ッファ層を介挿してなるように構成している。
即ち、本発明の非晶質薄膜太陽電池は、太陽電１也にお
ける従来のＰ層と１層を直接接合する方法に替えてＰ層
と１層の中間Ｋａ−３ｉＣのバッファ層を設ける構造と
なっている。
ける従来のＰ層と１層を直接接合する方法に替えてＰ層
と１層の中間Ｋａ−３ｉＣのバッファ層を設ける構造と
なっている。
また、本発明の実施態、様にあっては、ｐ ７脅と１層
の界面近傍において、１層のゲルマニウムの濃度を次第
に減少させた層とこの層に続いて上記のバッファ層の炭
素の濃度を次第に増加させた層を備えるように構成して
いるー く作用〉 上記のようにＰ層と１層の中間にａ −Ｓ ｉ Ｃより
なるバッファ層を設けることにより、Ｐ層と１層の界面
の再結合を減少させることができ、開放端電圧か大幅に
向上することになる。この場合、単純にＰ層と１層の中
間にａ −Ｓ ｉ Ｃのバッファ層を設けるとそれぞれ
のバンドギャップが異なる為（２層１．９ｅＶ、Ｉ層１
．５ ｅＶ、 ａ −ＳｉＣバッファ層２ｅＶ）、曲線
因子を大幅に低下させる結果となるが、この点について
は、ａ−８ｉＣバッファ層のＰ層側ではＣの量が多く、
１層側に近づくにつれてＣの量が減少するような構造に
することで改善される。更に１層とａ−３ｉＣバッファ
層間でのバンドギャップの異なりについても、１層のａ
−Ｓ ｉ Ｃバッファ層側ではＧｅの濃度を低ぐ、次
第にＧｅ ８度を増加していくような構造となすことに
よって曲線因子の低下が抑えられる。
の界面近傍において、１層のゲルマニウムの濃度を次第
に減少させた層とこの層に続いて上記のバッファ層の炭
素の濃度を次第に増加させた層を備えるように構成して
いるー く作用〉 上記のようにＰ層と１層の中間にａ −Ｓ ｉ Ｃより
なるバッファ層を設けることにより、Ｐ層と１層の界面
の再結合を減少させることができ、開放端電圧か大幅に
向上することになる。この場合、単純にＰ層と１層の中
間にａ −Ｓ ｉ Ｃのバッファ層を設けるとそれぞれ
のバンドギャップが異なる為（２層１．９ｅＶ、Ｉ層１
．５ ｅＶ、 ａ −ＳｉＣバッファ層２ｅＶ）、曲線
因子を大幅に低下させる結果となるが、この点について
は、ａ−８ｉＣバッファ層のＰ層側ではＣの量が多く、
１層側に近づくにつれてＣの量が減少するような構造に
することで改善される。更に１層とａ−３ｉＣバッファ
層間でのバンドギャップの異なりについても、１層のａ
−Ｓ ｉ Ｃバッファ層側ではＧｅの濃度を低ぐ、次
第にＧｅ ８度を増加していくような構造となすことに
よって曲線因子の低下が抑えられる。
上記のような構造にすることによりＰ層から１層へのバ
ンドギャップは比較的連続して変化することになり、更
にａ −Ｓ ｉ Ｃにより再結合が界面で抑えられるこ
とにより太陽電池特性は従来のものと比較して大幅に向
上することになる。
ンドギャップは比較的連続して変化することになり、更
にａ −Ｓ ｉ Ｃにより再結合が界面で抑えられるこ
とにより太陽電池特性は従来のものと比較して大幅に向
上することになる。
なお、本発明の適用可能な太陽電池は後述する実施例の
ステンレス基板を用いたアモルファスシリコン太陽電池
に限定されるものではなく、基板の材質やアモルファス
シリコン層の積み方等には関係なく、１層にａ−３ｉＧ
ｅを用いる太陽電池であれば、いかなる構造のものでも
適用可能である、〈実施例〉 以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
ステンレス基板を用いたアモルファスシリコン太陽電池
に限定されるものではなく、基板の材質やアモルファス
シリコン層の積み方等には関係なく、１層にａ−３ｉＧ
ｅを用いる太陽電池であれば、いかなる構造のものでも
適用可能である、〈実施例〉 以下、図面を参照して本発明の一実施例を詳細に説明す
る。
第１図は本発明の一実施例としてアモルファスシリコン
太陽電池の構造を模式的に示す断面図である。
太陽電池の構造を模式的に示す断面図である。
第１図において、１はステンレス基板であシ、このステ
ンレス基板１上にＮ型７モル２７２７９７７層（ａ−８
ｉＣＮ）層）２を膜厚１００００００Ａ程積し、このＮ
型アモルファスシリコン層２上ニ真性アモルファスシリ
コンゲルマニウム層（ａ ５ｉＧｅ（Ｉ）層）３企膜
厚３ｏｏｏＸ程度に堆１１ａＬ、コの真性アモルファス
シリコンゲルマニウム層３上にバッファ層トしてアモル
ファスシリコノカーバイド層（ａ−８ｉＣ層）４を膜厚
１００Ａ程度に堆積し、このアモルファスシリコンカー
バイド層４上にＰ型アモルファスシリコン層（ａ−３ｉ
（Ｐ）層）５を膜厚５０λ程度シて堆積し、このＰ型ア
モルファスシリコン層５の上に透明導′七膜６を６ｏｏ
Ｘ程度に順次堆積形成する。尚真性アモルファスシリコ
ンゲルマニウム層３のアモルファスシリコンカーバイド
層４に接する１００Ａ程度の膜厚部分ではアモルファス
シリコンカーバ・イト層・ｌに近づくに従ってＧｅ濃度
を減少させ、接合部分においてはＧｅ ８度ばＯとする
ように構成している。
ンレス基板１上にＮ型７モル２７２７９７７層（ａ−８
ｉＣＮ）層）２を膜厚１００００００Ａ程積し、このＮ
型アモルファスシリコン層２上ニ真性アモルファスシリ
コンゲルマニウム層（ａ ５ｉＧｅ（Ｉ）層）３企膜
厚３ｏｏｏＸ程度に堆１１ａＬ、コの真性アモルファス
シリコンゲルマニウム層３上にバッファ層トしてアモル
ファスシリコノカーバイド層（ａ−８ｉＣ層）４を膜厚
１００Ａ程度に堆積し、このアモルファスシリコンカー
バイド層４上にＰ型アモルファスシリコン層（ａ−３ｉ
（Ｐ）層）５を膜厚５０λ程度シて堆積し、このＰ型ア
モルファスシリコン層５の上に透明導′七膜６を６ｏｏ
Ｘ程度に順次堆積形成する。尚真性アモルファスシリコ
ンゲルマニウム層３のアモルファスシリコンカーバイド
層４に接する１００Ａ程度の膜厚部分ではアモルファス
シリコンカーバ・イト層・ｌに近づくに従ってＧｅ濃度
を減少させ、接合部分においてはＧｅ ８度ばＯとする
ように構成している。
即ち、例えば真性アモルファスシリコンゲルマニウム層
３をグロー放電法を用いて形成している場合、最初はＳ
ｉＨ４ガスとＧ ｅ Ｈ，ガスとを１０：１の割合で混
合した状態で反応させてｚ９ｏｏＸ程度堆積形成し、ア
モルファスシリコンカーバイド層４：て接する１ｏｏＡ
程度の膜厚部分ではアモルファスシリコンカーバイド層
４に近づくに従ってＧ ｅ Ｈ４ガスの流量を減少させ
、接合部分においてはＧ ｅ Ｈ４ガスの流量が零にな
るように制御してｌ（を積形成している。更にアモルフ
ァスシリコンカーハイ）”層４ ’ｒｉＡ性アモルファ
スシリコンゲルマニウム層３に接する部分においてはカ
ーボン濃度は０でありＰ型アモルファスシリコン層５に
接する部分においてはカーボン濃度が最大となるように
変化させて構成している。即ち、例えばアモルファスシ
リコンカーバイド層４をグロー放電法を用いて形成して
いる場合、ＳｉＨ４ガスとＣＨ４ガスの混合ガスを原料
ガスとして用い、当初はＣＨ４ガス全零とし、Ｐ型アモ
ルファスシリコン層５に近づくにしたがってＣＨ４ガス
の流量を増加させ、Ｐ型アモルファスシリコン層５に接
する部分ではＳｉＨ４ガスとＣＨ４ガスの重量比が１：
１になるようにＣＨ４ガスの供給流量を変化させてアモ
ルファスシリコンカーベイト層４を堆積形成している。
３をグロー放電法を用いて形成している場合、最初はＳ
ｉＨ４ガスとＧ ｅ Ｈ，ガスとを１０：１の割合で混
合した状態で反応させてｚ９ｏｏＸ程度堆積形成し、ア
モルファスシリコンカーバイド層４：て接する１ｏｏＡ
程度の膜厚部分ではアモルファスシリコンカーバイド層
４に近づくに従ってＧ ｅ Ｈ４ガスの流量を減少させ
、接合部分においてはＧ ｅ Ｈ４ガスの流量が零にな
るように制御してｌ（を積形成している。更にアモルフ
ァスシリコンカーハイ）”層４ ’ｒｉＡ性アモルファ
スシリコンゲルマニウム層３に接する部分においてはカ
ーボン濃度は０でありＰ型アモルファスシリコン層５に
接する部分においてはカーボン濃度が最大となるように
変化させて構成している。即ち、例えばアモルファスシ
リコンカーバイド層４をグロー放電法を用いて形成して
いる場合、ＳｉＨ４ガスとＣＨ４ガスの混合ガスを原料
ガスとして用い、当初はＣＨ４ガス全零とし、Ｐ型アモ
ルファスシリコン層５に近づくにしたがってＣＨ４ガス
の流量を増加させ、Ｐ型アモルファスシリコン層５に接
する部分ではＳｉＨ４ガスとＣＨ４ガスの重量比が１：
１になるようにＣＨ４ガスの供給流量を変化させてアモ
ルファスシリコンカーベイト層４を堆積形成している。
上記のように構成１−たアモルファスシリコン太陽電池
と従来の構造のアモルファスシリコン太陽電池のＡＭ
−１、１００ｌｎＷ／−下における電流−電圧特性を第
２図に示している。
と従来の構造のアモルファスシリコン太陽電池のＡＭ
−１、１００ｌｎＷ／−下における電流−電圧特性を第
２図に示している。
この第２図において、点線で示した曲線７が従来のａ−
３ｉＧｅ太陽電池の電流−電圧特性であり実線で示した
曲線８が本発明の上記した実施例のａ−８ｉＧｅ太陽電
池の電流−電圧特性であり、開放端電圧並びに短絡電流
の大幅な改善が見られている。このことは従来Ｐ型アモ
ルファスシリコン層とＩ型アモルファスシリコン層との
接合部分で再結合による損失が大きかったのが、ａ −
８ｉＣ層を設けることにより大福に改善されたことを示
している。
３ｉＧｅ太陽電池の電流−電圧特性であり実線で示した
曲線８が本発明の上記した実施例のａ−８ｉＧｅ太陽電
池の電流−電圧特性であり、開放端電圧並びに短絡電流
の大幅な改善が見られている。このことは従来Ｐ型アモ
ルファスシリコン層とＩ型アモルファスシリコン層との
接合部分で再結合による損失が大きかったのが、ａ −
８ｉＣ層を設けることにより大福に改善されたことを示
している。
第３図は本発明の他の実施例としてのアモルファスシリ
コンタンデム太陽電池の構造を模式的に示す断面図であ
る。
コンタンデム太陽電池の構造を模式的に示す断面図であ
る。
第３図において１１はステンレス基板であり、このステ
ンレス基板１１上にＮ型アモルファスシリコン層（ａ−
３ｉ（Ｎ）層）１２を膜厚１０００人程度程度積し、こ
のＮ型アモルファスシリコ７層１２上にＸｆｉアモルフ
ァスシリコンゲルマニウム層（ａ −Ｓ １Ｇｅ（Ｉ）
層）１３を膜厚３ｏｏｏＸａ度に：’１ ｆＲし、この
真性アモルファスシリコンゲルマニウム層１３上にアモ
ルファスシリコンカーバイド層（ａ−８ｉＣ層）１４を
膜厚１００入程度に堆積シ、このアモルファスシリコン
カーバイド層１４上にＰ型アモルファスシリコン層（ａ
−８ｉ’Ｐ）層）１５を膜厚５０Ｘ程度に堆積し、この
Ｐ型アモルファスシリコン層１５の上にＮｕアモルファ
ス／リコン層２２を膜厚５０人程度に堆積し、このＮ型
７モルファスシリコ７層２２上に真性アモルファスシリ
コン層ｃ ａ−８ｉ （Ｉ）Ｆｉ）２３ヲ［ｒｑ １ｏ
ｏ ＯＸ程度に堆積し、この真性アモルファスンリコ
ン層２３上にアモルファス７リコ／力−バイド層２４仝
模厚１ｏｏＸ程度に堆積し、このアモルファスシリコン
カーバイド層２４上にＰ型アモルファスシリコン層２５
を摸厚５０程度度にＭＬ Ｔｓ２し、このＰ型アモルフ
ァスシリコン層２５上に透明導′混膜１６を６００人程
程度順次積層する。
ンレス基板１１上にＮ型アモルファスシリコン層（ａ−
３ｉ（Ｎ）層）１２を膜厚１０００人程度程度積し、こ
のＮ型アモルファスシリコ７層１２上にＸｆｉアモルフ
ァスシリコンゲルマニウム層（ａ −Ｓ １Ｇｅ（Ｉ）
層）１３を膜厚３ｏｏｏＸａ度に：’１ ｆＲし、この
真性アモルファスシリコンゲルマニウム層１３上にアモ
ルファスシリコンカーバイド層（ａ−８ｉＣ層）１４を
膜厚１００入程度に堆積シ、このアモルファスシリコン
カーバイド層１４上にＰ型アモルファスシリコン層（ａ
−８ｉ’Ｐ）層）１５を膜厚５０Ｘ程度に堆積し、この
Ｐ型アモルファスシリコン層１５の上にＮｕアモルファ
ス／リコン層２２を膜厚５０人程度に堆積し、このＮ型
７モルファスシリコ７層２２上に真性アモルファスシリ
コン層ｃ ａ−８ｉ （Ｉ）Ｆｉ）２３ヲ［ｒｑ １ｏ
ｏ ＯＸ程度に堆積し、この真性アモルファスンリコ
ン層２３上にアモルファス７リコ／力−バイド層２４仝
模厚１ｏｏＸ程度に堆積し、このアモルファスシリコン
カーバイド層２４上にＰ型アモルファスシリコン層２５
を摸厚５０程度度にＭＬ Ｔｓ２し、このＰ型アモルフ
ァスシリコン層２５上に透明導′混膜１６を６００人程
程度順次積層する。
なお、真性アモルファスンリコンゲルマニウム層１３，
２３及びアモルファスシリコンカーバイド層１４．２４
′ｆｉ第１図に示１−た実施例と同様にゲルマニウム及
び炭素の濃度に勾配を持たせた構造としている。
２３及びアモルファスシリコンカーバイド層１４．２４
′ｆｉ第１図に示１−た実施例と同様にゲルマニウム及
び炭素の濃度に勾配を持たせた構造としている。
上記の様な構造にすることにより、ａ−８ｉＧｅ太陽電
池の長波−長丸感度が高いという特徴を利用し、更にａ
−８ｉＧｅ太陽電池の開放端′層圧が低いという欠点を
補うことが可能となる。これにより更に高効率の太陽電
池の作製が可能となる。
池の長波−長丸感度が高いという特徴を利用し、更にａ
−８ｉＧｅ太陽電池の開放端′層圧が低いという欠点を
補うことが可能となる。これにより更に高効率の太陽電
池の作製が可能となる。
〈発明の効果〉
以上のように本発明によればＰ／工界面にアモルファス
ノリコンカーバイドのバッファ層ヲ設ケること！・こよ
り、高効率の太５→電池を得ることが出来兄−・
ノリコンカーバイドのバッファ層ヲ設ケること！・こよ
り、高効率の太５→電池を得ることが出来兄−・
第１図は本発明の一実施例としてのアモルファスシリコ
ンゲルマ太陽電池の構造を模式的に示す断面図、第２図
は従来と本発明による電流−電圧特性の比較を示す慨略
図、第３図は本発明の他の実施例のアモルファスシリコ
ンタンデム天場電池の構造を模式的に示した図である。 ｌ・・・ステンレス基［、２・・・Ｎ型アモルファスシ
リコン層、 ３・・・真性アモルファスシリコンゲルマ
ニウム／Ｌ ４・・・バッファ層トシてのアモルファ
スシリコンカーバイド層、 ５・・Ｐ型アモルファスシ
リコン層、 ６・・・透明導！膜。 代理人 弁理士 杉 山 股 至（他１名）第１図 第２図
ンゲルマ太陽電池の構造を模式的に示す断面図、第２図
は従来と本発明による電流−電圧特性の比較を示す慨略
図、第３図は本発明の他の実施例のアモルファスシリコ
ンタンデム天場電池の構造を模式的に示した図である。 ｌ・・・ステンレス基［、２・・・Ｎ型アモルファスシ
リコン層、 ３・・・真性アモルファスシリコンゲルマ
ニウム／Ｌ ４・・・バッファ層トシてのアモルファ
スシリコンカーバイド層、 ５・・Ｐ型アモルファスシ
リコン層、 ６・・・透明導！膜。 代理人 弁理士 杉 山 股 至（他１名）第１図 第２図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｐ−Ｉ−Ｎ構造を有する非晶質半導体薄膜を備えた
太陽電池であって、 Ｉ層が主としてケイ素及びゲルマニウムからなり、 Ｐ層とＩ層の界面に主としてケイ素及び炭素よりなるバ
ッファ層を介挿してなる ことを特徴とする非晶質薄膜太陽電池。 ２、前記Ｐ層とＩ層の界面近傍において、Ｉ層のゲルマ
ニウムの濃度を次第に減少させた層と、該層に続き前記
バッファ層の炭素の濃度を次第に増加させた層を備えて
なることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の非晶
質薄膜太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61181790A JPS6337675A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 非晶質薄膜太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61181790A JPS6337675A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 非晶質薄膜太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6337675A true JPS6337675A (ja) | 1988-02-18 |
Family
ID=16106913
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61181790A Pending JPS6337675A (ja) | 1986-07-31 | 1986-07-31 | 非晶質薄膜太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6337675A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5716480A (en) * | 1995-07-13 | 1998-02-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic device and method of manufacturing the same |
| EP2109155A3 (en) * | 2008-04-10 | 2012-09-12 | Kisco | Thin film silicon solar cell and manufacturing method thereof |
-
1986
- 1986-07-31 JP JP61181790A patent/JPS6337675A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5716480A (en) * | 1995-07-13 | 1998-02-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Photovoltaic device and method of manufacturing the same |
| EP2109155A3 (en) * | 2008-04-10 | 2012-09-12 | Kisco | Thin film silicon solar cell and manufacturing method thereof |
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