JPS6338577Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6338577Y2 JPS6338577Y2 JP17861382U JP17861382U JPS6338577Y2 JP S6338577 Y2 JPS6338577 Y2 JP S6338577Y2 JP 17861382 U JP17861382 U JP 17861382U JP 17861382 U JP17861382 U JP 17861382U JP S6338577 Y2 JPS6338577 Y2 JP S6338577Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- circuit
- diode
- voltage
- rectifier
- temperature compensation
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 230000005236 sound signal Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Reduction Or Emphasis Of Bandwidth Of Signals (AREA)
- Signal Processing Not Specific To The Method Of Recording And Reproducing (AREA)
- Tone Control, Compression And Expansion, Limiting Amplitude (AREA)
Description
【考案の詳細な説明】
＜産業上の利用分野＞
本考案はオーデオ機器を初めビデオデイスクプ
レーヤ等の映像機器においてもノイズリダクシヨ
ンシステムとして採用されている音声ダイナミツ
クエキスパンダー方式（以下DEシステムと略称
する）の温度補償回路に関するものである。
レーヤ等の映像機器においてもノイズリダクシヨ
ンシステムとして採用されている音声ダイナミツ
クエキスパンダー方式（以下DEシステムと略称
する）の温度補償回路に関するものである。
このDEシステムとは音声信号の基準レベル以
上ではクリツピングレベルの改善を、また基準レ
ベル以下ではノイズの低減を行なうダイナミツク
レンジ拡大システムである。基本的には録音シス
テム内に信号圧縮を行なうコンプレツサーを、再
生システム内に信号伸長を行なうエキスパンダー
を使用して行なう。
上ではクリツピングレベルの改善を、また基準レ
ベル以下ではノイズの低減を行なうダイナミツク
レンジ拡大システムである。基本的には録音シス
テム内に信号圧縮を行なうコンプレツサーを、再
生システム内に信号伸長を行なうエキスパンダー
を使用して行なう。
本考案はこのようなDEシステムにおける特に
エキスパンダー部の温度補償回路に関するもので
ある。
エキスパンダー部の温度補償回路に関するもので
ある。
＜従来技術＞
第１図に従来一般に採用されているエキスパン
ダー部のブロツク線図を示す。ここで簡単に説明
すると１は電圧制御増幅器、２は可変時定数制御
回路であり、この電圧制御増幅器１では入力端子
３に加えられる信号圧縮された音声信号が可変時
定数制御回路２からの出力電圧に基いて利得制御
され、この結果出力端子４から信号伸長された元
の音声信号が出力される。なおここで上記可変時
定数制御回路２はローパスフイルタ５、ハイパス
フイルタ６、増幅器７，８、整流回路９，１０、
可変時定数回路１１、低リプル制御回路１２、及
び加算器１３から構成され、ここでは入力端子３
に供給される音声信号がローパスフイルタ５及び
ハイパスフイルタ６を介して低域成分と高域成分
とにそれぞれ分離され、これら各音声信号は増幅
器７，８にてそれぞれ増幅されたのち整流回路
９，１０に加えられ整流される。そして一方の整
流回路９の整流出力電圧は可変時定数回路１１を
介して加算器１３に供給され、また他方の整流回
路１０の整流出力電圧は低リプル制御回路１２を
介して加算器１３に供給され、加算器１３より両
者の加算出力が電圧制御増幅器１の制御電圧とし
て出力される。
ダー部のブロツク線図を示す。ここで簡単に説明
すると１は電圧制御増幅器、２は可変時定数制御
回路であり、この電圧制御増幅器１では入力端子
３に加えられる信号圧縮された音声信号が可変時
定数制御回路２からの出力電圧に基いて利得制御
され、この結果出力端子４から信号伸長された元
の音声信号が出力される。なおここで上記可変時
定数制御回路２はローパスフイルタ５、ハイパス
フイルタ６、増幅器７，８、整流回路９，１０、
可変時定数回路１１、低リプル制御回路１２、及
び加算器１３から構成され、ここでは入力端子３
に供給される音声信号がローパスフイルタ５及び
ハイパスフイルタ６を介して低域成分と高域成分
とにそれぞれ分離され、これら各音声信号は増幅
器７，８にてそれぞれ増幅されたのち整流回路
９，１０に加えられ整流される。そして一方の整
流回路９の整流出力電圧は可変時定数回路１１を
介して加算器１３に供給され、また他方の整流回
路１０の整流出力電圧は低リプル制御回路１２を
介して加算器１３に供給され、加算器１３より両
者の加算出力が電圧制御増幅器１の制御電圧とし
て出力される。
＜問題点＞
ところで上記のように構成されるエキスパンダ
一部の可変時定数制御回路２では、通常整流回路
９，１０に半導体整流ダイオードが使用され、こ
のダイオードが温度特性を有しているため、特に
低温時に例えば５℃以下になると、整流回路９，
１０のダイオードの正特性により整流出力電圧の
レベルが減少し、一方また50℃以上の高温時には
ダイオードの逆リーク電流が増加するという温度
特性により整流出力電圧レベルが著しく減少しこ
れにより可変時定数制御回路２の出力電圧が減少
し、この結果電圧制御増幅器１から出力端子４に
導出される音声出力が減少し、このような高温時
或いは低温時に安定した音声が得られなくなる欠
点があつた。
一部の可変時定数制御回路２では、通常整流回路
９，１０に半導体整流ダイオードが使用され、こ
のダイオードが温度特性を有しているため、特に
低温時に例えば５℃以下になると、整流回路９，
１０のダイオードの正特性により整流出力電圧の
レベルが減少し、一方また50℃以上の高温時には
ダイオードの逆リーク電流が増加するという温度
特性により整流出力電圧レベルが著しく減少しこ
れにより可変時定数制御回路２の出力電圧が減少
し、この結果電圧制御増幅器１から出力端子４に
導出される音声出力が減少し、このような高温時
或いは低温時に安定した音声が得られなくなる欠
点があつた。
＜目的＞
本考案はこのような点に鑑みなされたものであ
り、DEシステムの可変時定数制御回路に使用さ
れる整流回路の温度補償を十分に行なうことがで
きる温度補償回路を提供するものである。
り、DEシステムの可変時定数制御回路に使用さ
れる整流回路の温度補償を十分に行なうことがで
きる温度補償回路を提供するものである。
＜問題点を解決するための手段＞
特に本考案では整流回路のバイアス回路に相異
なる温度特性を持つたシリコンダイオード及びゲ
ルマニウムダイオードを使用することによつて温
度補償を行なうものである。
なる温度特性を持つたシリコンダイオード及びゲ
ルマニウムダイオードを使用することによつて温
度補償を行なうものである。
＜実施例＞
以下図面に示す実施例とともに本考案を説明す
る。第２図は本考案の一実施例、特に可変時定数
制御回路２の回路図を示し、ここで第１図に示す
ブロツク線図の各部と同一部分には、同一符号を
附記し、特にその信号伸長動作については第１図
に従つて既述した動作とほぼ同一であるため省略
する。
る。第２図は本考案の一実施例、特に可変時定数
制御回路２の回路図を示し、ここで第１図に示す
ブロツク線図の各部と同一部分には、同一符号を
附記し、特にその信号伸長動作については第１図
に従つて既述した動作とほぼ同一であるため省略
する。
ここでは特に整流回路９，１０に用いられてい
る整流ダイオードD1，D2のバイアス用電源とし
て、抵抗R1及びツエナーダイオードZD1からなる
基準電源回路にさらにシリコンダイオードD4を
挿入してこの回路より得られる基準電源電圧に、
負の温度特性を持たせ、さらにこの基準電源電圧
を分圧する分圧用の抵抗R2，R3及び可変抵抗
VR1からなる分圧回路にさらに抵抗R2と並列に
ゲルマニウムダイオードD3を挿入し、この分圧
回路にて分圧された電圧を可変抵抗VR1の摺動子
より取出し、これを整流ダイオードD1，D2に温
度補償されたバイアス電圧として印加したもので
ある。但しここで温度補償用ゲルマニウムダイオ
ードD3は定常時にはカツトオフ状態になるよう
に電源電圧（＋12V）に対し逆極性に接続する。
る整流ダイオードD1，D2のバイアス用電源とし
て、抵抗R1及びツエナーダイオードZD1からなる
基準電源回路にさらにシリコンダイオードD4を
挿入してこの回路より得られる基準電源電圧に、
負の温度特性を持たせ、さらにこの基準電源電圧
を分圧する分圧用の抵抗R2，R3及び可変抵抗
VR1からなる分圧回路にさらに抵抗R2と並列に
ゲルマニウムダイオードD3を挿入し、この分圧
回路にて分圧された電圧を可変抵抗VR1の摺動子
より取出し、これを整流ダイオードD1，D2に温
度補償されたバイアス電圧として印加したもので
ある。但しここで温度補償用ゲルマニウムダイオ
ードD3は定常時にはカツトオフ状態になるよう
に電源電圧（＋12V）に対し逆極性に接続する。
上記のように構成されるエキスパンダーにおい
て、いま温度補償用ダイオードD3，D4の挿入さ
れていない場合には、50℃以上の高温になつたと
き、整流ダイオードD1，D2の逆リーク電流が増
加して各整流回路９，１０の整流出力電圧のレベ
ルが低下し、また低温時になると整流ダイオード
D1，D2の順方向電圧降下が増加することにより
整流出力電圧のレベルが低下する。これに伴つて
音声出力が減少するが、ここでは分圧回路の抵抗
R2と並列にダイオードD3が挿入されているため、
このような高温時にはこのダイオードD3を介し
て流れる逆リーク電流も増加し、これによつて可
変抵抗VR1の摺動子より得られる分圧電圧も上昇
され、整流ダイオードD1，D2に印加されるバイ
アス電圧が増加される。また、低温時にはシリコ
ンダイオードの順方向電圧が増加する特性によ
り、ツエナーダイオードZD1及びシリコンダイオ
ードD4からなる基準電源電圧が上昇され、上記
と同様にバイアス電圧が増加される。
て、いま温度補償用ダイオードD3，D4の挿入さ
れていない場合には、50℃以上の高温になつたと
き、整流ダイオードD1，D2の逆リーク電流が増
加して各整流回路９，１０の整流出力電圧のレベ
ルが低下し、また低温時になると整流ダイオード
D1，D2の順方向電圧降下が増加することにより
整流出力電圧のレベルが低下する。これに伴つて
音声出力が減少するが、ここでは分圧回路の抵抗
R2と並列にダイオードD3が挿入されているため、
このような高温時にはこのダイオードD3を介し
て流れる逆リーク電流も増加し、これによつて可
変抵抗VR1の摺動子より得られる分圧電圧も上昇
され、整流ダイオードD1，D2に印加されるバイ
アス電圧が増加される。また、低温時にはシリコ
ンダイオードの順方向電圧が増加する特性によ
り、ツエナーダイオードZD1及びシリコンダイオ
ードD4からなる基準電源電圧が上昇され、上記
と同様にバイアス電圧が増加される。
このような結果、整流回路９，１０の整流出力
電圧レベルの低下が抑制され、このとき出力端子
４からは温度補償の施こされた安定な音声出力が
得られることになる。
電圧レベルの低下が抑制され、このとき出力端子
４からは温度補償の施こされた安定な音声出力が
得られることになる。
＜効果＞
以上のように本考案によれば、DEシステムの
エキスパンダー部において整流回路のバイアス回
路に温度補償用のシリコンダイオードとゲルマニ
ウムダイオードを追加するだけで、整流回路の温
度特性を容易に補償することが可能となり常に安
定な音声出力を得ることができる。
エキスパンダー部において整流回路のバイアス回
路に温度補償用のシリコンダイオードとゲルマニ
ウムダイオードを追加するだけで、整流回路の温
度特性を容易に補償することが可能となり常に安
定な音声出力を得ることができる。
第１図は一般のDCシステムのエキスパンダー
部のブロツク線図、第２図は本考案に係る温度補
償回路が使用された可変時定数制御回路の回路図
である。 ２……可変時定数制御回路、９，１０……整流
回路、D1，D2……整流ダイオード、D3……温度
補償用ゲルマニウムダイオード、D4……温度補
償用シリコンダイオード、R1，R2，R3……分圧
用抵抗。
部のブロツク線図、第２図は本考案に係る温度補
償回路が使用された可変時定数制御回路の回路図
である。 ２……可変時定数制御回路、９，１０……整流
回路、D1，D2……整流ダイオード、D3……温度
補償用ゲルマニウムダイオード、D4……温度補
償用シリコンダイオード、R1，R2，R3……分圧
用抵抗。
Claims (1)
- 半導体整流ダイオードが使用された整流回路を
含むエキスパンダーの前記整流ダイオードにバイ
アス電圧を印加するバイアス回路において基準電
源回路に温度補償用シリコンダイオードを挿入し
て基準電源電圧に負温度特性を持たせる一方、こ
の基準電源電圧を分圧する分圧用抵抗の一つと並
列に温度補償用ゲルマニウムダイオードを挿入
し、低温時に負温度特性を、高温時に前記ゲルマ
ニウムダイオードの逆リーク電流を利用して正温
度特性を持たせ整流回路の温度補償を行なうこと
を特徴とする音声ダイナミツクエキスパンダー方
式の温度補償回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17861382U JPS5984940U (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | 音声ダイナミツクエキスパンダ−方式の温度補償回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17861382U JPS5984940U (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | 音声ダイナミツクエキスパンダ−方式の温度補償回路 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5984940U JPS5984940U (ja) | 1984-06-08 |
| JPS6338577Y2 true JPS6338577Y2 (ja) | 1988-10-12 |
Family
ID=30387741
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17861382U Granted JPS5984940U (ja) | 1982-11-25 | 1982-11-25 | 音声ダイナミツクエキスパンダ−方式の温度補償回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5984940U (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102077464B (zh) | 2008-07-11 | 2014-02-26 | 歌乐株式会社 | 声学处理装置 |
-
1982
- 1982-11-25 JP JP17861382U patent/JPS5984940U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5984940U (ja) | 1984-06-08 |
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