JPH0247127B2 - Daioodogensuiki - Google Patents
DaioodogensuikiInfo
- Publication number
- JPH0247127B2 JPH0247127B2 JP12098784A JP12098784A JPH0247127B2 JP H0247127 B2 JPH0247127 B2 JP H0247127B2 JP 12098784 A JP12098784 A JP 12098784A JP 12098784 A JP12098784 A JP 12098784A JP H0247127 B2 JPH0247127 B2 JP H0247127B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- diode
- bias application
- diodes
- attenuator
- circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000001131 transforming effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03G—CONTROL OF AMPLIFICATION
- H03G1/00—Details of arrangements for controlling amplification
- H03G1/0005—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal
- H03G1/0035—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements
- H03G1/0052—Circuits characterised by the type of controlling devices operated by a controlling current or voltage signal using continuously variable impedance elements using diodes
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H11/00—Networks using active elements
- H03H11/02—Multiple-port networks
- H03H11/24—Frequency-independent attenuators
Landscapes
- Attenuators (AREA)
- Control Of Amplification And Gain Control (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
技術分野
本発明はダイオード減衰器に関し、特にπ型定
インピーダンスダイオード可変減衰器に関するも
のである。
インピーダンスダイオード可変減衰器に関するも
のである。
従来技術
かゝるダイオード減衰器の具体例が第１図に示
されており、制御用の直流バイアス印加点３と基
準電位点（アース）との間に、ダイオードD1と
D2との直列回路及びダイオードD3とD4との直列
回路が夫々挿入されている。そして、入力端子１
からバイパスコンデンサC1を介してRF（高周波）
信号が、ダイオードD1とD2と直列接続点に印加
され、ダイオードD3とD4の直列接続点からバイ
パスコンデンサC2を介して出力端子２へRF信号
が導出される。
されており、制御用の直流バイアス印加点３と基
準電位点（アース）との間に、ダイオードD1と
D2との直列回路及びダイオードD3とD4との直列
回路が夫々挿入されている。そして、入力端子１
からバイパスコンデンサC1を介してRF（高周波）
信号が、ダイオードD1とD2と直列接続点に印加
され、ダイオードD3とD4の直列接続点からバイ
パスコンデンサC2を介して出力端子２へRF信号
が導出される。
尚、抵抗R1，R2は各ダイオードの動作電流を
定めるものである。
定めるものである。
かゝるπ型ダイオード減衰器では、端子３の印
加電圧を一定にすると定インピーダンス特性が保
たれることは知られているが、ダイオードは温度
によりその特性が大巾に変化するために、広い温
度範囲に亘つて定インピーダンス特性を維持する
ことは困難である。
加電圧を一定にすると定インピーダンス特性が保
たれることは知られているが、ダイオードは温度
によりその特性が大巾に変化するために、広い温
度範囲に亘つて定インピーダンス特性を維持する
ことは困難である。
発明の目的
本発明は、直流バイアス印加端子へ供給するバ
イアス電圧として減衰器を構成するダイオードと
同特性を有するダイオードの電圧降下を基準とし
た定電圧値を用いることにより、温度的に安定し
た定インピーダンス特性を有するダイオード減衰
器を提供することを目的としている。
イアス電圧として減衰器を構成するダイオードと
同特性を有するダイオードの電圧降下を基準とし
た定電圧値を用いることにより、温度的に安定し
た定インピーダンス特性を有するダイオード減衰
器を提供することを目的としている。
発明の構成
本発明によるダイオード減衰器は、直流バイア
ス印加点と基準電位点との間に２個のダイオード
による直列回路を２組設け、これら直列回路の各
直列接続点を信号の入出力とするπ型定インピー
ダンスダイオード減衰器を対象とし、その特徴と
するところは、ダイオードと同特性のダイオード
を帰還部に有する演算増幅器（以下オペアンプと
称す）の入力に所定制御電圧を印加し、このオペ
アンプ出力を交流阻止機能を有するチヨーク回路
を介して前記直流バイアス印加点へ導出してなる
ことにある。
ス印加点と基準電位点との間に２個のダイオード
による直列回路を２組設け、これら直列回路の各
直列接続点を信号の入出力とするπ型定インピー
ダンスダイオード減衰器を対象とし、その特徴と
するところは、ダイオードと同特性のダイオード
を帰還部に有する演算増幅器（以下オペアンプと
称す）の入力に所定制御電圧を印加し、このオペ
アンプ出力を交流阻止機能を有するチヨーク回路
を介して前記直流バイアス印加点へ導出してなる
ことにある。
実施例
以下に、第２図を参照しつつ本発明の実施例を
説明する。
説明する。
第２図において第１図と同等部分は同一符号に
より示されており、直流バイアス印加点３へのバ
イアス電圧発生回路が、帰還部に２個のダイオー
ドD5，D6の直列回路を有するオペアンプ４と、
このオペアンプ出力V0をバイアス印加点３へ導
出するRFチヨーク回路５とからなる。
より示されており、直流バイアス印加点３へのバ
イアス電圧発生回路が、帰還部に２個のダイオー
ドD5，D6の直列回路を有するオペアンプ４と、
このオペアンプ出力V0をバイアス印加点３へ導
出するRFチヨーク回路５とからなる。
このオペアンプ４の正相入力はアースされ、逆
相入力には抵抗R3を介して直流制御電圧−VIが
印加されている。そして、ダイオードD5，D6は、
減衰器を構成するダイオードD1〜D4の特性と同
一特性を有する素子とされている。
相入力には抵抗R3を介して直流制御電圧−VIが
印加されている。そして、ダイオードD5，D6は、
減衰器を構成するダイオードD1〜D4の特性と同
一特性を有する素子とされている。
RFチヨーク回路５は、バイパスコンデンサC3
とチヨークコイルL1とからなる。
とチヨークコイルL1とからなる。
かゝる構成において、オペアンプ４の出力電圧
V0は、 V0＝VD5＋VD6＝2VD5 ……(1) となる。こゝに、VD5，VD6はダイオードD5，D6
の順方向電圧降下を示し、共にVD5であるとす
る。また、 V1＝R3・ID5 ……(2) が成立する。ID5はダイオードD5，D6を流れる電
流である。
V0は、 V0＝VD5＋VD6＝2VD5 ……(1) となる。こゝに、VD5，VD6はダイオードD5，D6
の順方向電圧降下を示し、共にVD5であるとす
る。また、 V1＝R3・ID5 ……(2) が成立する。ID5はダイオードD5，D6を流れる電
流である。
一方、ダイオードの整流特性は、その温度特性
に注目して考えると次式となる。
に注目して考えると次式となる。
ID＝Ae(q/KT)(VD-〓B) ……(3)
(3)式を変形すると、
VD＝（KT／ｑ）log（ID／Ａ）＋φB ……(4)
となる。こゝに、Ａは定数、ｑは電子電荷量、Ｋ
はボルツマン定数、Ｔは絶対温度、φBはビルテ
イングポテンシヤルである。
はボルツマン定数、Ｔは絶対温度、φBはビルテ
イングポテンシヤルである。
従つて、ダイオードのRT抵抗値Ｒは、
Ｒ＝∂V／∂I＝１／｛ｑ／KT）Ae(q/KT)(VD-〓B)｝
＝（KT／ｑ）（１／ID）……(5) で表わされる。
＝（KT／ｑ）（１／ID）……(5) で表わされる。
いま、π型ダイオード可変減衰器にあつては、
ダイオードD1，D2（D3，D4）の抵抗値の積がRF
特性インピーダンスの２乗に略等しいときに定イ
ンピーダンス特性が保たれることが知られてい
る。そこで、(5)式及び(3)式を用いてダイオード
D1，D2のインピーダンス積RD1・RD2を求めると
次式となる。
ダイオードD1，D2（D3，D4）の抵抗値の積がRF
特性インピーダンスの２乗に略等しいときに定イ
ンピーダンス特性が保たれることが知られてい
る。そこで、(5)式及び(3)式を用いてダイオード
D1，D2のインピーダンス積RD1・RD2を求めると
次式となる。
RD1・RD2＝（KT／ｑ）2・（１／ID1・ID2）≒（KT
／ｑ）2〔１／｛A2e（ｑ／KT）（VO−2φB）｝〕
……(6) ところで、(1)，(4)式より、 VO＝2VD＝２｛（KT／ｑ）log（ID5／Ａ）＋φB｝…
…(7) であるから、(6)式は RD1・RD2≒（KT／ｑ）2〔１／｛A2e2log（ID5／Ａ
）｝〕＝（KT／q2）（１／ID5 2）……(8) となり、RD1・RD2は略一定となつて常温付近で
の温度変化として30℃とすると、(8)式の変化は20
％程度となつて、従来の第１図の端子３の電圧を
一定とした場合に比し、格段の改善が可能となる
のである。
／ｑ）2〔１／｛A2e（ｑ／KT）（VO−2φB）｝〕
……(6) ところで、(1)，(4)式より、 VO＝2VD＝２｛（KT／ｑ）log（ID5／Ａ）＋φB｝…
…(7) であるから、(6)式は RD1・RD2≒（KT／ｑ）2〔１／｛A2e2log（ID5／Ａ
）｝〕＝（KT／q2）（１／ID5 2）……(8) となり、RD1・RD2は略一定となつて常温付近で
の温度変化として30℃とすると、(8)式の変化は20
％程度となつて、従来の第１図の端子３の電圧を
一定とした場合に比し、格段の改善が可能となる
のである。
尚、第２図ではRFチヨーク回路５として、コ
ンデンサC3とチヨークコイルL1とを用いた例を
示しているが、ボルテージフオロワ回路とRCチ
ヨーク回路とを用いて構成しても良いとは勿論で
ある。
ンデンサC3とチヨークコイルL1とを用いた例を
示しているが、ボルテージフオロワ回路とRCチ
ヨーク回路とを用いて構成しても良いとは勿論で
ある。
発明の効果
叙上の如く、本発明によれば、定インピーダン
ス性を広い温度範囲に亘つて保つことが可能とな
る。
ス性を広い温度範囲に亘つて保つことが可能とな
る。
第１図は従来のダイオード減衰器の回路図、第
２図は本発明の実施例の回路図である。 主要部分の符号の説明、１，２……入出力端
子、３……直流バイアス印加端子、４……オペア
ンプ、５……RFチヨーク回路。
２図は本発明の実施例の回路図である。 主要部分の符号の説明、１，２……入出力端
子、３……直流バイアス印加端子、４……オペア
ンプ、５……RFチヨーク回路。
Claims (1)
- １ 直流バイアス印加点と基準電位点との間に２
個のダイオードによる直列回路を２組設け、これ
ら直列回路の各直列接続点を信号の入出力とする
π型定インピーダンスダイオード減衰器であつ
て、前記直流バイアス印加点へのバイアス印加回
路は、前記ダイオードと同特性を有するダイオー
ドを帰還部に有し入力に所定制御電圧が印加され
た演算増幅手段を含み、この演算増幅手段の出力
電圧を前記直流バイアス印加点へ供給するように
したことを特徴とするダイオード減衰器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12098784A JPH0247127B2 (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | Daioodogensuiki |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12098784A JPH0247127B2 (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | Daioodogensuiki |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60264114A JPS60264114A (ja) | 1985-12-27 |
| JPH0247127B2 true JPH0247127B2 (ja) | 1990-10-18 |
Family
ID=14799975
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12098784A Expired - Lifetime JPH0247127B2 (ja) | 1984-06-13 | 1984-06-13 | Daioodogensuiki |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0247127B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FR2617655B1 (fr) * | 1987-06-30 | 1994-05-20 | Telecommunicat Radioelect Teleph | Dispositif d'attenuation variable destine a etre insere entre un circuit emetteur et un circuit de charge |
| JP2010062745A (ja) * | 2008-09-02 | 2010-03-18 | Hochiki Corp | 自動利得制御回路 |
-
1984
- 1984-06-13 JP JP12098784A patent/JPH0247127B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS60264114A (ja) | 1985-12-27 |
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