JPS6338853B2 - - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は静電容量素子に係るものであり、その
目的とするところは、小型高容量でtanδの低い素
子を提供することである。

本発明者は、柔軟な誘電体フイルムからなり、
小型大容量の静電容量素子について種々実験検討
し、各種の誘電体フイルム中に金属・フタロシア
ニンおよびその誘導体を混合し、そのフタロシア
ニン化合物の少なくとも１表面濃度がフイルムの
中層部濃度よりも高い構成のフイルム群では、金
属電極を設けることによりみかけの誘電率が著し
く高くなり、小型大容量素子が可能となり、ま
た、この構成のフイルム系ではtanδが小さいこと
を確認した。

以下、本発明の実施例について説明するが、そ
の前に本発明において用いる材料および製造方法
について説明する。

本発明における金属・フタロシアニンおよびそ
の誘導体としては、銅・フタロシアニン、鉛・フ
タロシアニン、カルシウム・フタロシアニン、
鉄・フタロシアニン、亜鉛・フタロシアニン、白
金・フタロシアニン、クロム・フタロシアニン、
コバルト・フタロシアニン、ニツケル・フタロシ
アニン、マグネシウム・フタロシアニン等があ
る。尚、その誘導体とは、エチオポルフイリンの
如く各種の誘導基をフタロシアニン核に付加させ
た化合物で前記に示した金属を含有するポルフイ
リン類である。また、フイルムの主原料たるポリ
マー群としては、ポリスルホン、ポリエーテルス
ルホン、メチルメタアクリレート、ポリスチレ
ン、ポリブタジエン、ポリエチレンテレフタレー
ト、ポリブチラール、フエノキシ樹脂、エポキシ
樹脂、硬化型ポリエステル樹脂、ポリエチレン、
ポリプロピレン等がある。

次に本発明静電容量素子のフイルム構造を得る
製造方法としては、前記フタロシアニン化合物と
ポリマーの相溶性を調整して選択したり、単独溶
媒の乾燥時間、二種以上の溶媒を用いたフイルム
乾燥時間の調整により行う方法がある。また別の
方法として、フタロシアニン化合物、溶媒、ポリ
マーからなるドープ液であつて、フタロシアニン
化合物の濃度が希薄なものから高濃度のものまで
調整し、これを多層に塗布する方法がある。更に
熱可塑性で溶媒に不融性のポリマーの場合には共
押出しやラミネート手法を用いることにより、ま
た熱硬化型の樹脂の場合には硬化配合物中に混合
することにより溶媒可溶性ポリマーと同様にして
製造できる。

以下、実施例について説明する。

実施例 １ 金属・フタロシアニン、ポリマー、溶媒として
それぞれ銅・フタロシアニン、ポリスルホン、ジ
メチルホルムアミドを用い、多層塗布方法により
第１図に示す組成構造（A1＝29重量％、A2＝５
重量％、A3＝31重量％）を得、これに金属電極
（Al、Al）を設けた。この場合の静電容量は
21100PF、tanδは7.2％であつた。尚、静電容量、
tanδは1KHzでの測定であり、以下の実施例、比
較例において同じである。

実施例 ２ 銅・フタロシアニン、ポリブチラール、メタノ
ールを用い、フイルム乾燥時に表面析出させるこ
とにより第２図に示す組成構造（B1＝42重量％、
B2＝12重量％）を得、これに金属電極（Al、
Au）を設けた。この場合の静電容量は7060PF、
tanδは5.2％であつた。

実施例 ３ 鉛・フタロシアニン、ポリブチラール、エタノ
ールを用い、多層塗布方法により第３図に示す組
成構造（C1＝19重量％、C2＝５重量％、C3＝21
重量％）を得、これに金属電極（Pd、Pd）を設
けた。この場合の静電容量は8470PF、tanδは3.4
％であつた。

実施例 ４ 鉛・フタロシアニン、ポリブチラール、メタノ
ールを用い、フイルム乾燥時に表面析出させるこ
とにより第４図に示す組成構造（D1＝44重量％、
D2＝15重量％）を得、これに金属電極（Al、
Al）を設けた。この場合の静電容量は2980PF、
tanδは4.7％であつた。

実施例 ５ コバルト・フタロシアニン、アクリロニトリ
ル・ブタジエンコポリマー、酢酸エチルを用い、
多層塗布方法により第５図に示す組成構造（E1
＝21重量％、E2＝0.5重量％、E3＝23重量％）を
得、これに金属電極（Al、Au）を設けた。この
場合の静電容量は19700PF、tanδは8.5％であつ
た。

実施例 ６ 実施例５と同じ材料、同じ多層塗布方法により
第６図に示す組成構造（F1＝28重量％、F2＝0.5
重量％）を得、これに金属電極（Mg、Mg）を
設けた。この場合の静電容量は2540PF、tanδは
2.2％であつた。

実施例 ７ ニツケル・フタロシアニン、アクリロニトリ
ル、ブタジエンコポリマー、酢酸エチルを用い、
多層塗布方法により第７図に示す組成構造（G1
＝25重量％、G2＝0.9重量％、G3＝48重量％）を
得、これに金属電極（Mg、Pd）を設けた。この
場合の静電容量は4730PF、tanδは2.7％であつ
た。

比較例 １ 銅・フタロシアニン、ポリスルホン、ジメチル
ホルムアミドを用い、均一塗布し、均一濃度（42
重量％）のものを得、これに金属電極（Al、Al）
を設けた。この場合の静電容量は392PF、tanδは
21％であつた。

比較例 ２ 鉛・フタロシアニン、ポリブチラール、エタノ
ールを用い、均一塗布し、均一濃度（32重量％）
のものを得、これに金属電極（Pd、Pd）を設け
た。この場合の静電容量は320PF、tanδは23％で
あつた。

尚、各図に示した濃度分布は、フイルム断面を
２層または３層に見なし、各層の平均濃度を計算
して模式的に示したものであり、実際の濃度分布
は連続的な分布である。

以上のように本発明の静電容量素子は構成した
ので、小型高容量でtanδの低い素子を得ることが
できる。また柔軟で加工性に富んだ静電容量素子
を得ることができるものであり、その工業的価値
は高い。

【図面の簡単な説明】

第１図〜第７図は本発明の実施例１〜７のフイ
ルム断面の濃度分布を模式的に示した図である。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 金属・フタロシアニンおよびその誘導体を少
   なくとも１種含有し、少なくとも１表面のフタロ
   シアニン化合物の濃度が中層部よりも高いポリマ
   ーフイルムの表面に金属電極を設けたことを特徴
   とする静電容量素子。