JPS6340318A - Ｘ線マスクメンブレンの製法 - Google Patents
Ｘ線マスクメンブレンの製法Info
- Publication number
- JPS6340318A JPS6340318A JP61182790A JP18279086A JPS6340318A JP S6340318 A JPS6340318 A JP S6340318A JP 61182790 A JP61182790 A JP 61182790A JP 18279086 A JP18279086 A JP 18279086A JP S6340318 A JPS6340318 A JP S6340318A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- membrane
- ray mask
- gas
- carrier gas
- nitrogen
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体装置の製造に使用するのに適するＸ線
マスクのＸ線透過性メンブレンの製法に関する。
マスクのＸ線透過性メンブレンの製法に関する。
Ｘ線マスクは、シリコン基板１の１つの面の周辺部にア
ルミナリング２を接着し、その反対側の面にＸＢ透過性
メンブレン３を成膜した後に、リング２に囲まれた領域
のシリコンを除去して、リング２が薄いメンブレン３を
周辺から引張っている状態とした後に、メンブレン３の
上にＸ線吸収体４のパターンを設ける（第２図参照）。
ルミナリング２を接着し、その反対側の面にＸＢ透過性
メンブレン３を成膜した後に、リング２に囲まれた領域
のシリコンを除去して、リング２が薄いメンブレン３を
周辺から引張っている状態とした後に、メンブレン３の
上にＸ線吸収体４のパターンを設ける（第２図参照）。
メンブレンの材料は水素化：窒化炭化ほう素が適当であ
るが、これの薄膜を形成する方法として、通常のイオン
プレーティング法によるときは、蒸着される薄膜の組成
を制御することが困難であるので、十分かつ妥当な引張
り応力、またＸ線吸収体を載せるメンブレンとして必要
な曲げヤング率を確保することができない。
るが、これの薄膜を形成する方法として、通常のイオン
プレーティング法によるときは、蒸着される薄膜の組成
を制御することが困難であるので、十分かつ妥当な引張
り応力、またＸ線吸収体を載せるメンブレンとして必要
な曲げヤング率を確保することができない。
問題点は、Ｘ線マスクのＸ線吸収体支持メンブレンとし
て使用できる、引張り応力が十分かつ妥当であって、曲
げヤング率が大きく、形状保持性がすぐれた水素化：窒
化炭化ほう素薄膜の製法を提供することである。
て使用できる、引張り応力が十分かつ妥当であって、曲
げヤング率が大きく、形状保持性がすぐれた水素化：窒
化炭化ほう素薄膜の製法を提供することである。
上記問題点は、蒸発源としてほう素を使用し、キャリア
ガスのアルゴンに、反応ガスとして全ガスに対して窒素
１〜１０％および低級脂肪族炭化水素１〜１０％を混入
して反応性イオンプレーティングを行ない、シリコン基
板の上に水素化：窒化炭化ほう素の薄膜を形成する工程
を含むことを特徴とする、Ｘ線マスクメンブレンの製法
によって解決することができる。
ガスのアルゴンに、反応ガスとして全ガスに対して窒素
１〜１０％および低級脂肪族炭化水素１〜１０％を混入
して反応性イオンプレーティングを行ない、シリコン基
板の上に水素化：窒化炭化ほう素の薄膜を形成する工程
を含むことを特徴とする、Ｘ線マスクメンブレンの製法
によって解決することができる。
メタンの混合量が１％より少ないときは、得られる薄膜
は可視光透過率が減少して位置合せが：困難となり、１
０％より多いときは曲げヤング率が減少して十分な強度
が得られない。窒素の混合量が１％より少ないときは、
薄膜の引張応力が強すぎて、曲げヤング率が二大きくて
も自己破壊する欠点があり、１０％より多いときは薄膜
に圧縮応力を生じて、膜面にしわができるのでＸ線マス
クメンブレンとして適当でない。
は可視光透過率が減少して位置合せが：困難となり、１
０％より多いときは曲げヤング率が減少して十分な強度
が得られない。窒素の混合量が１％より少ないときは、
薄膜の引張応力が強すぎて、曲げヤング率が二大きくて
も自己破壊する欠点があり、１０％より多いときは薄膜
に圧縮応力を生じて、膜面にしわができるのでＸ線マス
クメンブレンとして適当でない。
低級脂肪族炭化水素として、メタンの他に、エタン、プ
ロパンまたはエチレンを使用することができ、はぼ同様
の水素化：窒化炭化ほう製薄膜を得ることができる。
ロパンまたはエチレンを使用することができ、はぼ同様
の水素化：窒化炭化ほう製薄膜を得ることができる。
第１図は水素化：窒化炭化ほう素の薄膜を反応性イオン
プレーティングによって成膜する装置を例示する。この
装置はタラスタイオンプレーティング装置として知られ
ており、真空容器内に、シリコン基板１と、蒸発源のほ
う素を入れた加熱るつぼ５とを対向させ、るつぼ５に正
電圧、基板１に負電圧を印加するとともに、基板１の近
くに加速電極６を設けて負電圧を印加する。るつぼ５と
加速電極６との間にはイオン化用グリッド７を設けて、
流入する反応ガスをイオン化させる。反応容器を排気し
、アルゴンをキャリアガスとし、全ガスに対して窒素５
％、メタン５％を反応ガスとして混入して流入させ、ガ
スの全圧力を５００ｍＴｏｒｒとし、基板１とるつぼ５
との間に直流２０００ Ｖを印加し、蒸発源を温度１０
００℃に加熱してシリコン基板１の上に水素化：窒化炭
化ほう素のメンブレン３を形成した。
プレーティングによって成膜する装置を例示する。この
装置はタラスタイオンプレーティング装置として知られ
ており、真空容器内に、シリコン基板１と、蒸発源のほ
う素を入れた加熱るつぼ５とを対向させ、るつぼ５に正
電圧、基板１に負電圧を印加するとともに、基板１の近
くに加速電極６を設けて負電圧を印加する。るつぼ５と
加速電極６との間にはイオン化用グリッド７を設けて、
流入する反応ガスをイオン化させる。反応容器を排気し
、アルゴンをキャリアガスとし、全ガスに対して窒素５
％、メタン５％を反応ガスとして混入して流入させ、ガ
スの全圧力を５００ｍＴｏｒｒとし、基板１とるつぼ５
との間に直流２０００ Ｖを印加し、蒸発源を温度１０
００℃に加熱してシリコン基板１の上に水素化：窒化炭
化ほう素のメンブレン３を形成した。
得られたメンブレンは引張応力が、Ｉ Ｘ１０９ｄｙｎ
ｅ／ｃＪ、曲げヤング率が、３ ＸＩＯ”ｄｙｎｅ／ｃ
ａｌであって、Ｘ線マスクメンブレンとして適当であっ
た。
ｅ／ｃＪ、曲げヤング率が、３ ＸＩＯ”ｄｙｎｅ／ｃ
ａｌであって、Ｘ線マスクメンブレンとして適当であっ
た。
本発明によって製造したｘ、ｖＩマスクメンブレンは膜
質がち密であり、十分な強度を有するので、Ｘ線吸収体
パターンを精密に保持することができ、半導体装置の製
造に適するＸ線マスクに使用することができる。
質がち密であり、十分な強度を有するので、Ｘ線吸収体
パターンを精密に保持することができ、半導体装置の製
造に適するＸ線マスクに使用することができる。
第１図は本発明の方法を実施するタラスタイオンプレー
ティング装置の説明図であり、第２図はＸ線マスクの断
面図である。 １・・・シリコン基板、 ２・・・リング、３・・
・メンブレン、 ４・・・Ｘ線吸収体、５・・・
蒸発源るつぼ、 ６・・・加速電極、７・・・イオン
化用グリッド。 第１図 １・・−シリコン基板 ２・−リング ３−・メンブレン ４・−Ｘ線吸収体 ５・−蒸発源るつぼ ６− 加速電極 ７−・−グリ、ド Ｘ線マスクの断面図 第２図
ティング装置の説明図であり、第２図はＸ線マスクの断
面図である。 １・・・シリコン基板、 ２・・・リング、３・・
・メンブレン、 ４・・・Ｘ線吸収体、５・・・
蒸発源るつぼ、 ６・・・加速電極、７・・・イオン
化用グリッド。 第１図 １・・−シリコン基板 ２・−リング ３−・メンブレン ４・−Ｘ線吸収体 ５・−蒸発源るつぼ ６− 加速電極 ７−・−グリ、ド Ｘ線マスクの断面図 第２図
Claims (1)
- １、蒸発源としてほう素を使用し、キャリアガスのアル
ゴンに、反応ガスとして全ガスに対して窒素１〜１０％
および低級脂肪族炭化水素１〜１０％を混入して反応性
イオンプレーティングを行ない、シリコン基板の上に水
素化：窒化炭化ほう素の薄膜を形成する工程を含むこと
を特徴とする、Ｘ線マスクメンブレンの製法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61182790A JPS6340318A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | Ｘ線マスクメンブレンの製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61182790A JPS6340318A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | Ｘ線マスクメンブレンの製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6340318A true JPS6340318A (ja) | 1988-02-20 |
Family
ID=16124466
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61182790A Pending JPS6340318A (ja) | 1986-08-05 | 1986-08-05 | Ｘ線マスクメンブレンの製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6340318A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999028519A3 (de) * | 1997-12-03 | 1999-08-05 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum herstellen einer bc(n):h schicht |
| US6562705B1 (en) * | 1999-10-26 | 2003-05-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for manufacturing semiconductor element |
-
1986
- 1986-08-05 JP JP61182790A patent/JPS6340318A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999028519A3 (de) * | 1997-12-03 | 1999-08-05 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zum herstellen einer bc(n):h schicht |
| US6562705B1 (en) * | 1999-10-26 | 2003-05-13 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Method and apparatus for manufacturing semiconductor element |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS52140267A (en) | Vapor epitaxial crystal growing device | |
| ES2074969A6 (es) | Metodo para depositar diamante sobre un sustrato. | |
| RU98119152A (ru) | Способ получения гомоэпитаксиальной алмазной тонкой пленки и устройство для его осуществления | |
| US3503798A (en) | Silicon nitride film deposition method | |
| JP2722724B2 (ja) | ダイヤモンド膜の被覆方法 | |
| JPS57124438A (en) | Ion beam etching for silicon carbide | |
| JPH01306569A (ja) | 薄膜形成方法とその装置 | |
| JPS6037118A (ja) | プラズマ気相反応方法 | |
| JPS55149195A (en) | Manufacture of silicon carbide substrate | |
| Anastasi et al. | Preparation and characterisation of silicon nitride membranes for soft x-ray microscopy | |
| US4866746A (en) | Coated material and X-ray exposure mask | |
| JP2814503B2 (ja) | 単結晶ダイアモンド膜複合体の製造方法 | |
| JPS60231498A (ja) | ダイヤモンド低圧合成法 | |
| JPS62174378A (ja) | 硬質炭素薄膜の形成方法 | |
| JPS5745226A (en) | Manufacture of thin film semiconductor | |
| JPH01138198A (ja) | ダイヤモンド膜の製造方法 | |
| JPS5678413A (en) | Preparation of amorphous silicon | |
| JPS5755698A (en) | Manufacture of acoustic vibrating material | |
| JPH0334310A (ja) | Ｘ線用マスクブランクの製造方法 | |
| JPS6340317A (ja) | Ｘ線マスクメンブレンの製法 | |
| JPS63129099A (ja) | ダイヤモンド薄膜又はダイヤモンド状薄膜の製造方法 | |
| JPS61295235A (ja) | 微粒状硫化チタンの製造方法 | |
| KR910004008B1 (ko) | X선 투명 박막과 그의 제조방법 | |
| JPS55149197A (en) | Manufacture of silicon carbide substrate | |
| JPH0543389A (ja) | 表面にダイヤモンド薄膜を有する基材の製造法 |