JPS6342128A - 光加工方法 - Google Patents
光加工方法Info
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- JPS6342128A JPS6342128A JP61186200A JP18620086A JPS6342128A JP S6342128 A JPS6342128 A JP S6342128A JP 61186200 A JP61186200 A JP 61186200A JP 18620086 A JP18620086 A JP 18620086A JP S6342128 A JPS6342128 A JP S6342128A
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野Ｊ
本発明は、太陽電池、デイスプレィ装置等に用いられる
基板上の被加工面、特に好ましくは薄膜である金属また
は透光性導電膜をフォトレジストを用いることなく、マ
スクのみを用いて所定のパターンを直接描画により行う
選択加工法に関する。
基板上の被加工面、特に好ましくは薄膜である金属また
は透光性導電膜をフォトレジストを用いることなく、マ
スクのみを用いて所定のパターンを直接描画により行う
選択加工法に関する。
「従来技術ｊ
フォトレジストを用いることのない光加工に関して、レ
ーザ加工技術としてＹＡＧ レーザ光（波長１．０６μ
ｍ）法が主として用いられている。
ーザ加工技術としてＹＡＧ レーザ光（波長１．０６μ
ｍ）法が主として用いられている。
この波長によるレーザ加工方法においては、スポット状
のビームを被加工物に照射するとともに、このビームを
加工方向に走査し、点の連続の鎖状に開講を形成せんと
するものである。そのため、このビームの走査スピード
と、加工に必要なエネルギ密度とは、被加工物の熱伝導
度、昇華性に加えて、きわめて微妙に相互作用する。そ
のため、工業化に際しての生産性を向上させつつ、最適
品賞を保証するマージンが少ないという欠点を有する。
のビームを被加工物に照射するとともに、このビームを
加工方向に走査し、点の連続の鎖状に開講を形成せんと
するものである。そのため、このビームの走査スピード
と、加工に必要なエネルギ密度とは、被加工物の熱伝導
度、昇華性に加えて、きわめて微妙に相互作用する。そ
のため、工業化に際しての生産性を向上させつつ、最適
品賞を保証するマージンが少ないという欠点を有する。
更に、そのレーザ光の光学的エネルギが１．２３ｅＶ（
１，０６μｍ）Ｌかなく、かつそのパルス中は８０ｎ秒
以上も有する。しかし、他方、熱伝導度のきわめて小さ
い絶縁性基板、例えばガラス基板上に形成されている被
加工物、例えば金属または透光性導電膜（以下ＣＴＦと
いう）は基板に比べて１桁以上大きな熱伝導度を有する
ため、照射された熱が薄膜の横方向に伝播し、パルス光
が照射されている間に照射されている部分のみを局所的
に超高温とすることができない。又、ＹＡＧ レーザの
Ｑスイッチを用いるレーザ加工方式においては、パルス
光は平均０．５〜ＩＷ（光径５０μｍ、焦点距離４０ｍ
ｍ、パルス周波数３ＫＨｚ、パルス中１００ ｎ秒の場
合）の強い光エネルギを走査スピードが３０〜６０ｃｍ
／分で加えて加工しなければならない。その結果、この
必要以上の強いレーザ光によりＣＴＦの加工は行い得る
が、同時にその下側に設けられた基板、例えばガラス基
板に対して、マイクロクラックを発生させてしまった。
１，０６μｍ）Ｌかなく、かつそのパルス中は８０ｎ秒
以上も有する。しかし、他方、熱伝導度のきわめて小さ
い絶縁性基板、例えばガラス基板上に形成されている被
加工物、例えば金属または透光性導電膜（以下ＣＴＦと
いう）は基板に比べて１桁以上大きな熱伝導度を有する
ため、照射された熱が薄膜の横方向に伝播し、パルス光
が照射されている間に照射されている部分のみを局所的
に超高温とすることができない。又、ＹＡＧ レーザの
Ｑスイッチを用いるレーザ加工方式においては、パルス
光は平均０．５〜ＩＷ（光径５０μｍ、焦点距離４０ｍ
ｍ、パルス周波数３ＫＨｚ、パルス中１００ ｎ秒の場
合）の強い光エネルギを走査スピードが３０〜６０ｃｍ
／分で加えて加工しなければならない。その結果、この
必要以上の強いレーザ光によりＣＴＦの加工は行い得る
が、同時にその下側に設けられた基板、例えばガラス基
板に対して、マイクロクラックを発生させてしまった。
「発明の解決しようとする問題」
このＹＡＧ レーザを用いた加工方式では、スポット状
のビームを繰り返し走査しつつ加えるため、下地基板に
発生する微小クランクは、レーザ光の円周と類似の形状
を有し、「鱗」状に作られてしまった。
のビームを繰り返し走査しつつ加えるため、下地基板に
発生する微小クランクは、レーザ光の円周と類似の形状
を有し、「鱗」状に作られてしまった。
さらにこのパルス中の長いレーザ光のため、加工部の周
辺部に盛り上がりが生じやすく、特に金属薄膜において
は、固体から直接気化するに十分短い時間の照射である
ため、横方向での熱の伝播に伴う溶融状態が発生し、こ
の溶融時の表面張力により薄膜が固まりあい、さらにそ
のまま固化してしまうため、レーザ光の照射された領域
の端部に「盛り上がり」が生じてしまう。このため、フ
ォトレジストを用いる方式に比較すると、パターンの端
部の切れが悪くなってしまう。
辺部に盛り上がりが生じやすく、特に金属薄膜において
は、固体から直接気化するに十分短い時間の照射である
ため、横方向での熱の伝播に伴う溶融状態が発生し、こ
の溶融時の表面張力により薄膜が固まりあい、さらにそ
のまま固化してしまうため、レーザ光の照射された領域
の端部に「盛り上がり」が生じてしまう。このため、フ
ォトレジストを用いる方式に比較すると、パターンの端
部の切れが悪くなってしまう。
また、ＹＡＧ レーザのＱスイッチを用いる方式はその
尖頭値の出力が長期間使用においてバラツキやすく、使
用の度にモニターでのチエツクを必要とした。
尖頭値の出力が長期間使用においてバラツキやすく、使
用の度にモニターでのチエツクを必要とした。
更に、１０〜５０μφ巾の微細パターンを多数同一平面
に選択的に形成させることがまったく不可能であった。
に選択的に形成させることがまったく不可能であった。
また、照射後、加工部のＣＴＦ材料が十分に微粉末化し
ていないため、ＣＴＦのエツチング溶液によりエツチン
グを行わなければならなかった。
ていないため、ＣＴＦのエツチング溶液によりエツチン
グを行わなければならなかった。
本発明は、本発明人の出願になる「特願昭５９−２１１
７６９ （、昭和５９年１０月８日出１ＩＩ）光加工方
法」をさらに改良したものである。
７６９ （、昭和５９年１０月８日出１ＩＩ）光加工方
法」をさらに改良したものである。
ｒ問題を解決するための手段Ｊ
本発明は、上記の問題を解決するものであり、照射光と
して４００ｎｍ以下（エネルギ的には３．１ｅＶ以上）
及びパルス巾４０ｎ秒以下の波長のパルスレーザを照射
し、２０〜５０μφのビームスポットではなく、５０μ
ｍ〜１５１１ＩＩ＋の巾、長さ６０〜２ｃｍ （例えば
１００μＸ ３０ｃｍまたは１０ｍ履×１５１であり、
単位面積あたりのエネルギ密度は被加工面で加工し得る
に十分な密度となる）とし、同一箇所に１回または数回
のパルスを照射し、そのパターン全面を同時に瞬間的に
加工する。かくの如く、本発明に示される４００ｎ１１
以下の波長のパルス光（パルス巾４０ｎ秒以下）を集光
して被加工面に照射することにより、被加工面上での光
エネルギの吸収効率をＹＡＧレーザ（１，０６μｍ）の
１００倍以上に高め、結果として加工速度を１０倍以上
に速くしたものである。
して４００ｎｍ以下（エネルギ的には３．１ｅＶ以上）
及びパルス巾４０ｎ秒以下の波長のパルスレーザを照射
し、２０〜５０μφのビームスポットではなく、５０μ
ｍ〜１５１１ＩＩ＋の巾、長さ６０〜２ｃｍ （例えば
１００μＸ ３０ｃｍまたは１０ｍ履×１５１であり、
単位面積あたりのエネルギ密度は被加工面で加工し得る
に十分な密度となる）とし、同一箇所に１回または数回
のパルスを照射し、そのパターン全面を同時に瞬間的に
加工する。かくの如く、本発明に示される４００ｎ１１
以下の波長のパルス光（パルス巾４０ｎ秒以下）を集光
して被加工面に照射することにより、被加工面上での光
エネルギの吸収効率をＹＡＧレーザ（１，０６μｍ）の
１００倍以上に高め、結果として加工速度を１０倍以上
に速くしたものである。
さらに、本発明はエキシマレーザ光を用いる。
このため、初期の光の照射面は矩形を有し、またその強
さも照射面内で概略均一である。このため光の巾を広げ
るいわゆるビームエキスパンダで矩形の大面積化または
長面積比する。その後、そのＸまたはＹ方向に他の光学
系にてレーザ光を集光する。
さも照射面内で概略均一である。このため光の巾を広げ
るいわゆるビームエキスパンダで矩形の大面積化または
長面積比する。その後、そのＸまたはＹ方向に他の光学
系にてレーザ光を集光する。
さらに、任意のパターン例えばＩＣ（集積回路）チップ
をオンボード化（エポキシパッケージ化したものを基板
に装着するのではなく、チップを直接基板に装着し、小
型化、低価格化を図る）するためのパターンを形成する
。
をオンボード化（エポキシパッケージ化したものを基板
に装着するのではなく、チップを直接基板に装着し、小
型化、低価格化を図る）するためのパターンを形成する
。
その結果、このマスクのパターン形状により、例えば１
００ μｍＸ３０ｃｍないし１０ｍｍ Ｘ １５ｍｍの
照射面積内でのパターンをその周辺部のエッヂを明確に
して作り得る。
００ μｍＸ３０ｃｍないし１０ｍｍ Ｘ １５ｍｍの
照射面積内でのパターンをその周辺部のエッヂを明確に
して作り得る。
「作用」
本発明は、その第１として、１回または数回のパルス光
を同じ個所にマスクを通して照射することにより、所定
の位置に所定のパターンを形成する。さらにこのパター
ンと同じパターンを基板の隣または他部に繰り返し形成
するリピート方式により基板上にフォトレジストを用い
ることなく直接描画する。
を同じ個所にマスクを通して照射することにより、所定
の位置に所定のパターンを形成する。さらにこのパター
ンと同じパターンを基板の隣または他部に繰り返し形成
するリピート方式により基板上にフォトレジストを用い
ることなく直接描画する。
本発明のその第２は、基板上に大面積の所定のマスクを
構成する。このマスクと被加工面とを有する基板とを固
定し、直接描画し得る強度に十分な強いレーザ光を照射
しつつ少しずつ移動し、最後に全面にわたってマスクに
パターニングされたパターンを熱伝導度の小さい絶縁基
板上の熱伝導度の大きい導電性薄膜の被加工面に直接描
画するものである。
構成する。このマスクと被加工面とを有する基板とを固
定し、直接描画し得る強度に十分な強いレーザ光を照射
しつつ少しずつ移動し、最後に全面にわたってマスクに
パターニングされたパターンを熱伝導度の小さい絶縁基
板上の熱伝導度の大きい導電性薄膜の被加工面に直接描
画するものである。
結果として下地基板に対し、損傷を与えることなくして
被加工物、例えばクロム、ニッケルまたはＣＴＦのみの
スリット状開溝の選択除去が可能となり、同時にマスク
と被加工物との間を真空、クリーンエアまたは窒素を注
入することにより、被加工物のレーザ光照射により生じ
る飛翔物をマスク下面に付着させることなく、下方向に
積極的に落下せしめ、防ぐことができる。
被加工物、例えばクロム、ニッケルまたはＣＴＦのみの
スリット状開溝の選択除去が可能となり、同時にマスク
と被加工物との間を真空、クリーンエアまたは窒素を注
入することにより、被加工物のレーザ光照射により生じ
る飛翔物をマスク下面に付着させることなく、下方向に
積極的に落下せしめ、防ぐことができる。
また開講を形成した後の被加工部に残る粉状の残差物は
、アルコール、アセトン等の洗浄液による超音波洗浄で
十分除去が可能であり、いわゆるレジストコート、被加
工物のエツチング、レジスト除去等の多くの工程がまっ
たく不要となり、かつ公害材料の使用も不要となった。
、アルコール、アセトン等の洗浄液による超音波洗浄で
十分除去が可能であり、いわゆるレジストコート、被加
工物のエツチング、レジスト除去等の多くの工程がまっ
たく不要となり、かつ公害材料の使用も不要となった。
加えて、マスクは被加工物より離間しているため、マス
クの損傷が少ない。また、マスクの配設された位置はレ
ーザ光が十分集光される以前のレーザ光であるため、被
加工物を加工するのには十分大きいエネルギ密度であっ
てもマスクにとってはまったく損傷を与えないエネルギ
密度を選ぶことができる。
クの損傷が少ない。また、マスクの配設された位置はレ
ーザ光が十分集光される以前のレーザ光であるため、被
加工物を加工するのには十分大きいエネルギ密度であっ
てもマスクにとってはまったく損傷を与えないエネルギ
密度を選ぶことができる。
ｒ実施例１」
第１図にエキシマレーザを用いた本発明のレーザ加工の
系統図を記す。エキシマレーザ（１）（波長２４８ ｎ
ｍ、Ｅｇ ＝５．０ｅＶ）を用いた。すると、初期の光
ビーム（２０）は１５ｍ１ｌＸ ２０ｍｍを有し、効率
３χであるため、３５０ ｍＪを有する。さらにこのビ
ームをビームエキスパンダ（２）にて長面積比または大
面積化した、即ち１５ｍｍ Ｘ ３００ｍｍに拡大した
（第２図（２１））。
系統図を記す。エキシマレーザ（１）（波長２４８ ｎ
ｍ、Ｅｇ ＝５．０ｅＶ）を用いた。すると、初期の光
ビーム（２０）は１５ｍ１ｌＸ ２０ｍｍを有し、効率
３χであるため、３５０ ｍＪを有する。さらにこのビ
ームをビームエキスパンダ（２）にて長面積比または大
面積化した、即ち１５ｍｍ Ｘ ３００ｍｍに拡大した
（第２図（２１））。
この装置に５．６ Ｘ １０−”ｍＪ／ｍｍ２をエネル
ギ密度で得た。
ギ密度で得た。
更に合成石英製のレンズ（４）にて加工面での開溝中が
マスクを用いない場合５ｍｍとなるべく集光した。石英
の板のマスク（３）を用いた。このマスクの下側にクロ
ム、ＭｏＳｉ２等の耐熱性遮光材（３′）が選択的に設
けられ、マスクを構成している。ここで集光光（１２）
より被加工面（１０）に照射している。
マスクを用いない場合５ｍｍとなるべく集光した。石英
の板のマスク（３）を用いた。このマスクの下側にクロ
ム、ＭｏＳｉ２等の耐熱性遮光材（３′）が選択的に設
けられ、マスクを構成している。ここで集光光（１２）
より被加工面（１０）に照射している。
かくして長さ５ＴＩＩｍ、巾５ｍｍのスリット状のビー
ム（２２）を基板（１０）上の被加工物（１１）に面状
に照射し、加工を行い、パターン（５）を形成した。
ム（２２）を基板（１０）上の被加工物（１１）に面状
に照射し、加工を行い、パターン（５）を形成した。
被加工面として、ガラス上のクロム（厚さ５００〜１０
００人）を有する基板（１０）に対し、エキシマレーザ
（Ｑｕｅｓｔｅｃ Ｉｎｃ、製）を用いた。
００人）を有する基板（１０）に対し、エキシマレーザ
（Ｑｕｅｓｔｅｃ Ｉｎｃ、製）を用いた。
パルス巾２０ｎ秒、繰り返し周波数１〜１００Ｈｚ、例
えば１０Ｈｚ、また、被加工物はガラス基板上の金属薄
膜であり、このクロムは昇華性であるため、１回のパル
ス光照射により照射された部分を十分除去することがで
きた。
えば１０Ｈｚ、また、被加工物はガラス基板上の金属薄
膜であり、このクロムは昇華性であるため、１回のパル
ス光照射により照射された部分を十分除去することがで
きた。
この後アセトン水溶液にての超音波洗浄（周波数２９Ｋ
Ｈｚ）を約１〜１０分行いこのＣＴＦを除去した。
Ｈｚ）を約１〜１０分行いこのＣＴＦを除去した。
クロムの基板上に付着している残差物を除去した。
下地のソーダガラスは何ら損傷を受けていなかった・
第２図は第１図におけるレーザビーム光の状態を解説し
たものである。即ち、レーザ光より照射された状態は第
２図（Ａ）の矩形（２０）となる。これがエキスパンダ
にて拡大（２１）され、第２図（Ｂ）を得る。さらに集
光レンズにより集光され、フォトマスクにより一部が除
去され、被形成面上に所定の大きさのビーム光（第２図
（Ｃ））が照射される。
たものである。即ち、レーザ光より照射された状態は第
２図（Ａ）の矩形（２０）となる。これがエキスパンダ
にて拡大（２１）され、第２図（Ｂ）を得る。さらに集
光レンズにより集光され、フォトマスクにより一部が除
去され、被形成面上に所定の大きさのビーム光（第２図
（Ｃ））が照射される。
この時、マスクのパターンに第２図（Ｄ−１）（この第
２図（Ｄ−１）は、第２図（Ｃ）に比べ配線をみやすく
するため拡大して示している）に示される如く、（２３
−１）のパターンが基板上の薄膜にパターニングされる
。さらにこの後、基板を左方向に移し、繰り返すことに
より（２３−２）にマスクの同じパターンを用いて同一
のパターンを形成させることができる。かくの如（この
第２図ＣＤ−１）はＩＣチップのパターンの例である。
２図（Ｄ−１）は、第２図（Ｃ）に比べ配線をみやすく
するため拡大して示している）に示される如く、（２３
−１）のパターンが基板上の薄膜にパターニングされる
。さらにこの後、基板を左方向に移し、繰り返すことに
より（２３−２）にマスクの同じパターンを用いて同一
のパターンを形成させることができる。かくの如（この
第２図ＣＤ−１）はＩＣチップのパターンの例である。
またこの第２図（Ｄ−１）は隣の領域（２３−２）かも
との領域（２３−１）と同じパターンである場合を示す
。
との領域（２３−１）と同じパターンである場合を示す
。
他方、第２図（Ｄ−２）は大きな領域に異なるパターン
を描画せんとする場合である。この場合、マスクと基板
とを固定し、レーザ光を（２３−１） （２３−２）と
繰り返していったもので、この場合、マスクはこの領域
すべてを覆う大きさであることが必要である。
を描画せんとする場合である。この場合、マスクと基板
とを固定し、レーザ光を（２３−１） （２３−２）と
繰り返していったもので、この場合、マスクはこの領域
すべてを覆う大きさであることが必要である。
この図面でチップの配設された位置（３０） 、 リ
ード（３３）を有するクロス配線は（３１）と（３２）
又は（３１°）と（３２’）との間でパターニングした
後、それぞれをワイヤボンドしてエアアイソレイション
をする方式を用いている。このワイヤボンド工程はＩＣ
チップ（３０）と配Ｌ％（３３）との間のワイヤボンデ
ィングと同一工程で行えばよい。
ード（３３）を有するクロス配線は（３１）と（３２）
又は（３１°）と（３２’）との間でパターニングした
後、それぞれをワイヤボンドしてエアアイソレイション
をする方式を用いている。このワイヤボンド工程はＩＣ
チップ（３０）と配Ｌ％（３３）との間のワイヤボンデ
ィングと同一工程で行えばよい。
ｒ実施例２」
この実施例は第３図に示す。即ち、第１図における初期
のレーザビーム光（２０）は第３図（Ａ）に示されてい
る。これをビームエキスパンダにて拡大し第３図（Ｂ）
を得る。更にシリンドリカルレンズにて、横方向に最終
パターンと同じ長さを有し巾を被加工面を直接描画する
に十分なエネルギとするため、２０〜２００ μ例えば
１００ μに集光し、第３図（Ｃ） （２２）を得る。
のレーザビーム光（２０）は第３図（Ａ）に示されてい
る。これをビームエキスパンダにて拡大し第３図（Ｂ）
を得る。更にシリンドリカルレンズにて、横方向に最終
パターンと同じ長さを有し巾を被加工面を直接描画する
に十分なエネルギとするため、２０〜２００ μ例えば
１００ μに集光し、第３図（Ｃ） （２２）を得る。
この第３図（Ｃ）は被加工面上におけるビームの大きさ
を有する。フォトマスクは第２図（Ｄ−２）と同時に基
板上の被加工面にバターニングされるべきすべてのパタ
ーンを１つのマスクに予め上方向より（２２−１） 、
（２２−２） ・・・（２２−３）と少しずつマス
クと基板とを移動させる。またはマスクと基板を固定し
レーザ光を移動させる。
を有する。フォトマスクは第２図（Ｄ−２）と同時に基
板上の被加工面にバターニングされるべきすべてのパタ
ーンを１つのマスクに予め上方向より（２２−１） 、
（２２−２） ・・・（２２−３）と少しずつマス
クと基板とを移動させる。またはマスクと基板を固定し
レーザ光を移動させる。
するとこの移動に従ってマスクのパターンを直接基板上
の金属薄膜上に形成することができた。
の金属薄膜上に形成することができた。
本実施例において、この基板、マスクの位置を真空下（
真空度１０−３ｔｏｒｒ以下）とし、４００ｎｍ以下の
波長のパルス光を加えた。波長は２４８ｎｍ （ＫｒＦ
）とした。パルス巾Ｉｏｎ秒、平均出力２．３ｍＪ／ｍ
ｍ”とした。すると被加工面のニッケルは気化し、下地
の絶縁体が損傷することなく、この開講により残った金
属リード間を絶縁化することができた。
真空度１０−３ｔｏｒｒ以下）とし、４００ｎｍ以下の
波長のパルス光を加えた。波長は２４８ｎｍ （ＫｒＦ
）とした。パルス巾Ｉｏｎ秒、平均出力２．３ｍＪ／ｍ
ｍ”とした。すると被加工面のニッケルは気化し、下地
の絶縁体が損傷することなく、この開講により残った金
属リード間を絶縁化することができた。
その他は実施例１と同じである。
「効果」
本発明によりフォトマスクのパターンにより決められた
パターンを基板上の被加工物に形成させんとする場合、
その延べ面積が２ｃｍ Ｘ ３０ｃｍにおいて約５分間
で可能となった。
パターンを基板上の被加工物に形成させんとする場合、
その延べ面積が２ｃｍ Ｘ ３０ｃｍにおいて約５分間
で可能となった。
その結果、従来のマスクアライン方式でフォトレジスト
を用いてパターニングを行う場合に比べて、工程数が７
エ程より２工程（光照射、洗浄）となり、かつ作業時間
を５分〜１０分とすることができ、低コスト、高生産性
を図ることができた。
を用いてパターニングを行う場合に比べて、工程数が７
エ程より２工程（光照射、洗浄）となり、かつ作業時間
を５分〜１０分とすることができ、低コスト、高生産性
を図ることができた。
即ち、本発明は被加工面より十分離れた位置にフォトマ
スクを配設して用い、かつ被加工面上に密着してフォト
レジストを用いない方式であるため、マスクの寿命が長
い。フォトレジストのコート（塗布）、プリベータ、露
光、エツチング、剥離等の工程がない。またマスクを用
いるため、任意のパターンを形成させ得る。
スクを配設して用い、かつ被加工面上に密着してフォト
レジストを用いない方式であるため、マスクの寿命が長
い。フォトレジストのコート（塗布）、プリベータ、露
光、エツチング、剥離等の工程がない。またマスクを用
いるため、任意のパターンを形成させ得る。
本発明は第２図（Ｉ）−１） 、 （Ｄ−２）に示され
る如く、その金属リード配線が３０〜１００μｍの巾、
代表的には５０μｍを有し、超ＬＳＩに用いられている
０、３〜３μの巾に比べ１０倍以上のラフなバターニン
グで十分なリードを基板上に形成でき、工程の簡略化に
よる低価格化を図ることができる。
る如く、その金属リード配線が３０〜１００μｍの巾、
代表的には５０μｍを有し、超ＬＳＩに用いられている
０、３〜３μの巾に比べ１０倍以上のラフなバターニン
グで十分なリードを基板上に形成でき、工程の簡略化に
よる低価格化を図ることができる。
また、本発明の光学系において、ビームエキスパンダと
被加工面との間に光学系をより高精度とするため、イン
テグレータ、コンデンサレンズおよび投影レンズを挿入
してもよい。
被加工面との間に光学系をより高精度とするため、イン
テグレータ、コンデンサレンズおよび投影レンズを挿入
してもよい。
第１図は本発明の光加工方法の概要を示す。
第２図は本発明の光のパターンの変化を示す。
第３図は本発明の他の作製工程を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、４００ｎｍ以下の波長のパルスレーザ光を被加工面
より離間して設けられた所定のパターンが描画されたマ
スクを介して基板上の被加工面に照射することにより、
前記被加工面を選択的に除去することにより、前記パタ
ーンと同一形状のパターンを有する前記薄膜の被加工面
を基板上に形成せしめることを特徴とする光加工方法。 ２、特許請求の範囲第１項において、基板上の被加工面
は絶縁性基板の金属または透光性導電膜の薄膜よりなる
ことを特徴とする光加工方法。 ３、特許請求の範囲第１項において、所定のパターンを
同一基板上の異なる位置の薄膜の被加工面に形成するこ
とを特徴とする光加工方法。 ４、特許請求の範囲第１項において、マスクの所定のパ
ターンを同一基板上にレーザ光を移動せしめることによ
り薄膜の被加工面に形成することを特徴とする光加工方
法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61186200A JP2683687B2 (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 光加工方法 |
| US07/082,545 US4786358A (en) | 1986-08-08 | 1987-08-07 | Method for forming a pattern of a film on a substrate with a laser beam |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61186200A JP2683687B2 (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 光加工方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6342128A true JPS6342128A (ja) | 1988-02-23 |
| JP2683687B2 JP2683687B2 (ja) | 1997-12-03 |
Family
ID=16184130
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61186200A Expired - Lifetime JP2683687B2 (ja) | 1986-08-08 | 1986-08-08 | 光加工方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2683687B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02142918A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-06-01 | Nippon Seiko Kk | リニアガイド装置におけるローラ戻し通路の被覆構造とその製法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60187026A (ja) * | 1984-01-24 | 1985-09-24 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 金属層をエツチングする方法 |
| JPS60225431A (ja) * | 1984-04-23 | 1985-11-09 | Toshiba Corp | 表面処理装置 |
| JPS6142141A (ja) * | 1984-08-02 | 1986-02-28 | Toshiba Corp | 選択光化学反応装置 |
-
1986
- 1986-08-08 JP JP61186200A patent/JP2683687B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60187026A (ja) * | 1984-01-24 | 1985-09-24 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 金属層をエツチングする方法 |
| JPS60225431A (ja) * | 1984-04-23 | 1985-11-09 | Toshiba Corp | 表面処理装置 |
| JPS6142141A (ja) * | 1984-08-02 | 1986-02-28 | Toshiba Corp | 選択光化学反応装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02142918A (ja) * | 1988-11-22 | 1990-06-01 | Nippon Seiko Kk | リニアガイド装置におけるローラ戻し通路の被覆構造とその製法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2683687B2 (ja) | 1997-12-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |