JPS6344925Y2 - - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 この考案は、高周波リレーをマイクロストリツ
プラインの手法を用いて両面基板へ実装する場合
に、その接地端子から最端距離の位置に、基板の
両面を導通するためのジヤンパピンを設けるよう
にした、高周波リレーの実装構造に関する。

本出願人は先に、樹脂ケース内に接点部を収容
するとともに、その収容室をシールドハウジング
で囲んでなる安価な高周波リレーを提供してい
る。この高周波リレーは、各接点部に対応してそ
れぞれ対称的な２本のアース端子ピンで前記シー
ルドハウジングを接地している。

このため、マイクロストリツプラインの手法を
用いて実装するには、両面基板の裏面に突出する
アース端子ピンに通ずるアースパターンを、基板
表面側のベタアースへ導通させる場合、前記２本
のアース端子ピンから最短距離でジヤンパピンに
より接続させることが、アース端子ピンとベタア
ース間のインピーダンスを最小とする上で好まし
い。

ところが、前記２本のアース端子ピンからの最
短距離であるアース端子ピン間の中心には、リレ
ーケースが密着載置されているため、ジヤンパピ
ンはケース脇に近接させて設けざるを得ないとい
う問題があつた。

そこでこの考案は、上記問題を解決するため
に、リレーの下面に突出する接地端子から最短距
離の位置で、基板の両面をジヤンパピンにより導
通できるような実装構造を得ることを目的とす
る。

上記目的を達成するために、この考案は高周波
リレーのアース端子ピンの間の中心でケース下面
に凹部を形成し、その凹部内において基板上下面
をジヤンパピンを貫通させて、アースパターンと
ベタアースとを導通させるように構成したことを
特徴とする高周波リレーの実装構造を提供するも
のである。

以下にこの考案の一実施例を図面を用いて詳細
に説明する。

第１、第２図に示すように、合成樹脂で形成さ
れた箱形のケース１とカバー２とでハウジングが
構成されている。このケース１には後述の接点回
路部を収納するための凹部１ａと電磁石部を収納
するための凹部１ｆ等が設けられているが、少な
くとも凹部１ａの内面の全面（この実施例ではケ
ース１の全表面）にメツキ、蒸着等により導電性
薄膜が形成されている。

上記ケース１の凹部１ａには、絶縁性樹脂でな
る絶縁ブロツク３ｄ，４ｄ，５ｄが嵌入され、こ
れら絶縁ブロツク３ｄ，４ｄ，５ｄにより保持さ
れる棒状の３本の固定端子３，４，５がその接点
部３ａ，４ａ，５ａがケース１内に、端子部３
ｂ，４ｂ，５ｂがケース１外に突出するように固
着されている。カード９，１０は上記ケース１に
形成されたガイド溝１ｄ，１ｅでスライド可能に
支持されており、このカード９，１０のほぼ中央
には可動接触片１１，１２がそれぞれ固定されて
いる。この可動接触片１１の両端は上記端子３，
４と接触可能に対向し、可動接触片１２の両端は
上記固定端子４，５と接触可能に対向している。
また、上記可動接触片１１，１２の接点部１１
ａ，１１ａ，１２ａ，１２ａと対向する上記ケー
ス１の凹部１ａの側壁には可動接触片側に突出す
る４個のアース接点部１ｂ，１ｂ，……が形成さ
れている。

このアース接点部１ｂは、第４図に拡大して示
すように、ケース１の表面に導電性薄膜１ｃを形
成することにより、凹部１ａの側壁に形成された
突部において突状に作られるものである。

そして金属板のシールドカバー１３をこの凹部
１ａを覆うよう被着すると、凹部１ａの内面の導
電性薄膜１ｃとこのシールドカバー１３とにより
接点回路部を包囲するシールドハウジングが形成
される。

このシールドハウジング内の底面には、４個の
アース接点部から導電性薄膜１ｃを通つて最短距
離の位置に４本の棒状のアース端子６ａ，６ｂ，
７ａ，７ｂが固着されている。これらのアース端
子６ａ，６ｂ，７ａ，７ｂの凹部１ａ内側は、凹
部１ａ内底面の導電性薄膜と導通されており、ケ
ース１外側に突出した部分は、ケース１外側の導
電性薄膜と導通されている。また、ケース１の外
底面のアース端子６ａ，６ｂ，７ａ，７ｂが突出
している部分には、アース端子６ａと６ｂ、７ａ
と７ｂの間の中心にそれぞれ凹部１ｉ，１ｉが設
けられている。この凹部の内容積は、前記両面基
板にジヤンパピン８を貫通させハンダ付した場合
に、そのハンダ付部分が充分に収納される程度の
容積となるように形成されている。

この他に上記ケース１の凹部１ｆには鉄心１
４、コイル１５、スプール１６、継鉄１７、可動
鉄片１８および復帰バネ１９からなる電磁石が固
定されている。

上記復帰バネ１９はその基部を継鉄１７とケー
ス１の突出部１ｇとで挟着されており、自由端の
押圧片１９ａを継鉄１７にヒンジ支持した可動鉄
片１８に圧接させることにより、可動鉄片１８に
復帰力を作用させている。連結板２０はその両端
が上記カード９，１０の穴９ａ，１０ａに嵌入さ
れており、カード９，１０を連動させるようにな
つている。バネ板２１には中央に穴２１ａが形成
され、かつその両側に開孔２１ｂ，２１ｂが形成
されており、このバネ板２１は穴２１ａを上記連
結板２０の下方に突出する突起２０ａに嵌合し、
全体を撓ませるように両端を上記ケース１の両側
の突出部１ｈ，１ｈに圧接させることによりケー
ス１に保持されている。

以上のように構成された高周波リレーを両面基
板に実装する場合には、第２図に示すように、両
面基板２２のベタアース側２３とアースパターン
２４をジヤンパピン８によつて導通するのである
が、後にリレーを実装した場合、前記凹部１ｉ，
１ｉがその真上に来るような位置にジヤンパピン
８を挿入し、基板上下面にてハンダ付してベタア
ース側２３とアースパターン２４を導通させる。
こうした後、高周波リレーを上面のベタアース側
２３に装着すれば、ジヤンパピン８のハンダ付部
分はリレーの凹部１ｉ内に収納されるため、リレ
ーの下面は基板の上面に密着させることができ
る。そして、ジヤンパピン８はアース端子６ａと
６ｂ、７ａと７ｂのそれぞれ中間に設定され、基
板２２の下面アースパターン２４側でアース端子
６ａ，６ｂ，７ａ，７ｂと導通していることにな
る。しかもこれは、アース端子６ａ，６ｂ，７
ａ，７ｂを上面ベタアース２３へ最短距離で導通
させていることになる。

以上説明したように、この考案に係る高周波リ
レーの実装構造にあつては、アース端子ピン間の
中心でケース下面に凹部を形成し、その凹部内に
おいて基板上下面をジヤンパピンを貫通させてベ
タアースとアースパターンとを導通させたもので
あるから、従来のケース下面に凹部を持たない高
周波リレーに比して、リレーのアース端子から最
短距離の位置に、上面ベタアースへ導通するジヤ
ンパピンを設置でき、しかもリレー本体が基板表
面に密着固定できる。

こうしたことによつて、アース端子とベタアー
スへの導通点との間のインピーダンスを最小限に
することができ、リレーの接点回路におけるアー
ス接点部の接地効果を向上させることができる。
また、接点回路を覆うシールドハウジングのシー
ルド効果も向上し、高周波リレーをその特性が最
良の状態で作動させることができる。

また、従来通り、ジヤンパピンを両面基板に挿
入して両面基板の上下アース部を導通する方法で
あるから、作業工程に変わりはなく、しかも、ケ
ース底面に凹部を形成したことで、その部分の無
駄な樹脂を取り去ることができ、ケース成型時の
ひけを防止することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図はこの考案の一実施例の高周波リレーを
示す一部破断平面図、第２図は第１図に示す高周
波リレーを両面基板に実装した場合の第１図のＡ
−Ａ断面図、第３図はこの考案の可動部を構成す
る部品の分解斜視図、第４図はアース接点部付近
を拡大して示す断面図である。 １……ケース、１ｂ……アース接点部、１ｃ…
…導電性薄膜、１ｉ……凹部、６ａ，６ｂ，７
ａ，７ｂ……アース端子、８……ジヤンパピン、
２２……両面基板、２３……ベタアース、２４…
…アースパターン。

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 両面基板の上面にベタアースを、下面にはアー
   スパターンを形成するとともに、この両面基板の
   上面側には高周波リレーを実装し、この高周波リ
   レーの下面より突出するアース端子ピンを基板を
   上下に貫通させて、その下面側のアースパターン
   へハンダ付するようにした高周波リレーの実装構
   造において、前記アース端子ピン間の中心でケー
   ス下面に凹部を形成し、この凹部内において基板
   上下面をジヤンパピンを貫通させて、アースパタ
   ーンとベタアースとを導通させるように構成した
   ことを特徴とする高周波リレーの実装構造。