JPS6345561B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6345561B2 JPS6345561B2 JP10239683A JP10239683A JPS6345561B2 JP S6345561 B2 JPS6345561 B2 JP S6345561B2 JP 10239683 A JP10239683 A JP 10239683A JP 10239683 A JP10239683 A JP 10239683A JP S6345561 B2 JPS6345561 B2 JP S6345561B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- dielectric multilayer
- multilayer film
- sio
- layers
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 5
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 22
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 22
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 20
- 230000010287 polarization Effects 0.000 description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 6
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 5
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 5
- 239000005083 Zinc sulfide Substances 0.000 description 4
- 229910001610 cryolite Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 229910052984 zinc sulfide Inorganic materials 0.000 description 4
- DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N zinc;sulfide Chemical compound [S-2].[Zn+2] DRDVZXDWVBGGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L magnesium fluoride Chemical compound [F-].[F-].[Mg+2] ORUIBWPALBXDOA-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 3
- 229910001635 magnesium fluoride Inorganic materials 0.000 description 3
- RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);zirconium(4+) Chemical compound [O-2].[O-2].[Zr+4] RVTZCBVAJQQJTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 3
- 229910001928 zirconium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical compound [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910001634 calcium fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- YAFKGUAJYKXPDI-UHFFFAOYSA-J lead tetrafluoride Chemical compound F[Pb](F)(F)F YAFKGUAJYKXPDI-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 description 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001936 tantalum oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/30—Polarising elements
- G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
- G02B5/3033—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state in the form of a thin sheet or foil, e.g. Polaroid
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Optical Filters (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、偏光プリズム用の誘電体多層膜を含
む偏光膜に関するものである。
む偏光膜に関するものである。
一般に、偏光膜を有する偏光プリズムは、第１
図に示すような２個の45°プリズムのガラス基体
１，２との間に偏光膜を密着し、第２図に示すよ
うに、入射光のＰ波とＳ波を分離している。
図に示すような２個の45°プリズムのガラス基体
１，２との間に偏光膜を密着し、第２図に示すよ
うに、入射光のＰ波とＳ波を分離している。
従来、この種の偏光膜は、第３図に示すような
構造となつていた。すなわち、ガラス基体１，２
の屈折率が約1.6のとき、フツ化マグネシウム
（屈折率は約1.38。）のような物質よりなる低屈折
率誘電体層（以下、「Ｌ層」という。）３１と、酸
化ジルコニウム（屈折率は約2.04。）のような物
質よりなる高屈折率誘電体層（以下、「Ｈ層」と
いう。）３２を交互に積層して形成されていた。
この偏光膜は、先ずガラス基体１上に真空蒸着法
等によりＬ層３１が蒸着され、このＬ層３１上に
Ｈ層３２、Ｌ層３１が真空蒸着法等により交互に
順次積層されて13層を形成した。その後、ガラス
基体１上に積層した偏光膜は洗浄され、光学ボン
ドのような接着剤４により、もう一方のガラス基
体２に接着された。さらに、従来の他の偏光膜
は、ガラス基体１，２の屈折率が約1.55のとき、
Ｌ層３１にクリオライト（屈折率は約1.25。）Ｈ
層３２に硫化亜鉛（屈折率は約2.29。）を使用し
て、前記同様交互に積層して形成されていた。
構造となつていた。すなわち、ガラス基体１，２
の屈折率が約1.6のとき、フツ化マグネシウム
（屈折率は約1.38。）のような物質よりなる低屈折
率誘電体層（以下、「Ｌ層」という。）３１と、酸
化ジルコニウム（屈折率は約2.04。）のような物
質よりなる高屈折率誘電体層（以下、「Ｈ層」と
いう。）３２を交互に積層して形成されていた。
この偏光膜は、先ずガラス基体１上に真空蒸着法
等によりＬ層３１が蒸着され、このＬ層３１上に
Ｈ層３２、Ｌ層３１が真空蒸着法等により交互に
順次積層されて13層を形成した。その後、ガラス
基体１上に積層した偏光膜は洗浄され、光学ボン
ドのような接着剤４により、もう一方のガラス基
体２に接着された。さらに、従来の他の偏光膜
は、ガラス基体１，２の屈折率が約1.55のとき、
Ｌ層３１にクリオライト（屈折率は約1.25。）Ｈ
層３２に硫化亜鉛（屈折率は約2.29。）を使用し
て、前記同様交互に積層して形成されていた。
しかしながら、従来の誘電体多層膜の偏光膜
は、Ｈ層及びＬ層が、引張応力を有する物質（例
えば、Ｈ層が酸化ジルコニウム、Ｌ層がフツ化マ
グネシウム。）よりなるとき、偏光膜を形成する
誘電体層の層数が多くなると引張応力により破壊
してしまう欠点があつた。このことを防止するた
めに、Ｌ層の厚さを薄くし、Ｈ層の厚さを厚くす
ることにより可能であるが、偏光特性が劣化して
しまうので、所望の偏光特性を得るためにさらに
Ｈ層とＬ層の層数を多くするが、前記同様引張応
力により破壊してしまう欠点があつた。さらに、
硫化亜鉛とクリオライトを使用した偏光膜は、前
記欠点のみならず、湿気に弱いために、偏光膜を
洗浄する過程において厳しい制約の条件下で洗浄
しなければならない欠点があつた。
は、Ｈ層及びＬ層が、引張応力を有する物質（例
えば、Ｈ層が酸化ジルコニウム、Ｌ層がフツ化マ
グネシウム。）よりなるとき、偏光膜を形成する
誘電体層の層数が多くなると引張応力により破壊
してしまう欠点があつた。このことを防止するた
めに、Ｌ層の厚さを薄くし、Ｈ層の厚さを厚くす
ることにより可能であるが、偏光特性が劣化して
しまうので、所望の偏光特性を得るためにさらに
Ｈ層とＬ層の層数を多くするが、前記同様引張応
力により破壊してしまう欠点があつた。さらに、
硫化亜鉛とクリオライトを使用した偏光膜は、前
記欠点のみならず、湿気に弱いために、偏光膜を
洗浄する過程において厳しい制約の条件下で洗浄
しなければならない欠点があつた。
本発明は、前記のような従来の欠点を除去する
ためになされたもので、ケイ素酸化物の層を誘電
体多層膜に付着させた偏光膜を提供し、誘電体多
層膜の引張応力による破壊を防止することを目的
とする。本発明の他の目的は、耐湿性の向上、さ
らに他の目的は、ガラス基体と誘電体多層膜とに
ケイ素酸化物層を付着させることにより、ガラス
基体から誘電体多層膜が剥離することを防止する
ことである。
ためになされたもので、ケイ素酸化物の層を誘電
体多層膜に付着させた偏光膜を提供し、誘電体多
層膜の引張応力による破壊を防止することを目的
とする。本発明の他の目的は、耐湿性の向上、さ
らに他の目的は、ガラス基体と誘電体多層膜とに
ケイ素酸化物層を付着させることにより、ガラス
基体から誘電体多層膜が剥離することを防止する
ことである。
以下、本発明を図に基づいて、詳細に説明す
る。
る。
実施例 １
第４図に基づいて説明する。３は後記するＨ層
３２とＬ層３１を交互に積層して誘電体多層膜を
なし、その誘電体多層膜の両端の層は、Ｈ層３２
よりなり、その両端の層のＨ層３２には各々後記
するSiO2層３３，３４が付着している偏光膜、
３１はクリオライトのＬ層、３２は硫化亜鉛のＨ
層、３３は前記誘電体多層膜の一主面に付着し、
さらに光学ボンドのような接着剤４に接着してい
るSiO2層、３４は前記誘電体多層膜のもう一方
の主面に付着し、さらにガラスの基体１に付着し
ているSiO2層である。本実施例を、偏光プリズ
ムを形成するガラス基体の間に介在させるには、
先ずガラス基体１上に前記SiO2層３４を約1530
Åの厚さで付着し、次に前記SiO2層３４上に前
記Ｈ層３２を約750Åの厚さで付着し、次に前記
Ｈ層３２上に前記Ｌ層３１を約2500Åの厚さで付
着し、その後、前記の厚さで前記Ｈ層３２と前記
Ｌ層３１を交互に積層して、誘電体多層膜の層数
を７層とし、誘電体多層膜を構成する最後のＨ層
３２上には、約1530Åに前記SiO2層３３を付着
し、次に、前記ガラス基体１に付着した前記偏光
膜３を洗浄乾燥し、その後、接着剤４により前記
偏光膜３を、もう一方のガラス基体２に接着す
る。SiO2層３３，３４、Ｈ層３２、Ｌ層３１は、
真空蒸着法等により付着される。前記のように形
成した偏光プリズムに関する分光反射率曲線を第
６図Ａに示す。参考として、前記SiO2層３３，
３４を付着していない従来の偏光膜を有する偏光
プリズムに関する分光反射率曲線を第６図Ｂに示
す。分光反射率曲線Ａ，Ｂを比較すると、偏光特
性は大差なく、SiO2層を誘電体多層膜の両側に
付着した影響はない。本実施例によれば、偏光特
性を損ねることなく、誘電体多層膜の破壊を防止
できた。また、ガラス基体と誘電体多層膜とに
SiO2層が付着しているため、誘電体多層膜のガ
ラス基体からの剥離も防止でき、また、接着剤と
誘電体多層膜とにSiO2層が付着しているため、
誘電体多層膜に対する耐湿性も向上した。
３２とＬ層３１を交互に積層して誘電体多層膜を
なし、その誘電体多層膜の両端の層は、Ｈ層３２
よりなり、その両端の層のＨ層３２には各々後記
するSiO2層３３，３４が付着している偏光膜、
３１はクリオライトのＬ層、３２は硫化亜鉛のＨ
層、３３は前記誘電体多層膜の一主面に付着し、
さらに光学ボンドのような接着剤４に接着してい
るSiO2層、３４は前記誘電体多層膜のもう一方
の主面に付着し、さらにガラスの基体１に付着し
ているSiO2層である。本実施例を、偏光プリズ
ムを形成するガラス基体の間に介在させるには、
先ずガラス基体１上に前記SiO2層３４を約1530
Åの厚さで付着し、次に前記SiO2層３４上に前
記Ｈ層３２を約750Åの厚さで付着し、次に前記
Ｈ層３２上に前記Ｌ層３１を約2500Åの厚さで付
着し、その後、前記の厚さで前記Ｈ層３２と前記
Ｌ層３１を交互に積層して、誘電体多層膜の層数
を７層とし、誘電体多層膜を構成する最後のＨ層
３２上には、約1530Åに前記SiO2層３３を付着
し、次に、前記ガラス基体１に付着した前記偏光
膜３を洗浄乾燥し、その後、接着剤４により前記
偏光膜３を、もう一方のガラス基体２に接着す
る。SiO2層３３，３４、Ｈ層３２、Ｌ層３１は、
真空蒸着法等により付着される。前記のように形
成した偏光プリズムに関する分光反射率曲線を第
６図Ａに示す。参考として、前記SiO2層３３，
３４を付着していない従来の偏光膜を有する偏光
プリズムに関する分光反射率曲線を第６図Ｂに示
す。分光反射率曲線Ａ，Ｂを比較すると、偏光特
性は大差なく、SiO2層を誘電体多層膜の両側に
付着した影響はない。本実施例によれば、偏光特
性を損ねることなく、誘電体多層膜の破壊を防止
できた。また、ガラス基体と誘電体多層膜とに
SiO2層が付着しているため、誘電体多層膜のガ
ラス基体からの剥離も防止でき、また、接着剤と
誘電体多層膜とにSiO2層が付着しているため、
誘電体多層膜に対する耐湿性も向上した。
実施例 ２
第５図に基づいて説明する。３は後記するＬ層
３１とＨ層３２を交互に積層して誘電体多層膜を
なし、その誘電体多層膜の両端の層のうち、ガラ
ス基体１に付着される層は、Ｌ層３１をなし、ガ
ラス基体２側で後記するSiO2層３３に付着して
いる層は、Ｈ層３２をなしている偏光膜、３１は
フツ化マグネシウムのＬ層、３２は酸化ジルコニ
ウムのＨ層、３３は前記誘電体多層膜の一主面に
付着し、さらに光学ボンドのような接続剤４に接
着しているSiO2層である。前記Ｌ層３１、Ｈ層
３２及びSiO2層３３の厚さは、各々、約1900Å、
約900Å、約1600Åである。本実施例を、偏光プ
リズムを形成するガラス基体間に介在させる方法
は、前記実施例１と同様である。本実施例によれ
ば、前記実施例と同様に、誘電体多層膜の破壊が
防止でき、また、SiO2層が接着剤と誘電体多層
膜に付着しているため、耐湿性も向上し、さらに
洗浄条件も緩和された。
３１とＨ層３２を交互に積層して誘電体多層膜を
なし、その誘電体多層膜の両端の層のうち、ガラ
ス基体１に付着される層は、Ｌ層３１をなし、ガ
ラス基体２側で後記するSiO2層３３に付着して
いる層は、Ｈ層３２をなしている偏光膜、３１は
フツ化マグネシウムのＬ層、３２は酸化ジルコニ
ウムのＨ層、３３は前記誘電体多層膜の一主面に
付着し、さらに光学ボンドのような接続剤４に接
着しているSiO2層である。前記Ｌ層３１、Ｈ層
３２及びSiO2層３３の厚さは、各々、約1900Å、
約900Å、約1600Åである。本実施例を、偏光プ
リズムを形成するガラス基体間に介在させる方法
は、前記実施例１と同様である。本実施例によれ
ば、前記実施例と同様に、誘電体多層膜の破壊が
防止でき、また、SiO2層が接着剤と誘電体多層
膜に付着しているため、耐湿性も向上し、さらに
洗浄条件も緩和された。
以上、前記実施例１及び２においては、ケイ素
酸化物層として、SiO2層を使用したが、これに
限定されず、SiOx層（１＜ｘ≦２）であれば、
SiO2層と同様に、圧縮応力を有することにより
誘電体多層膜の破壊防止等の効果がある。次に、
前記実施例１及び２では、Ｈ層は、硫化亜鉛又は
酸化ジルコニウムを使用し、Ｌ層は、クリオライ
ト又はフツ化マグネシウムを使用したが、これら
物質に限定されず、相対的に高屈折率を有する誘
電体物質と低屈折率を有する誘電体物質を各々Ｈ
層、Ｌ層に使用すればよい。例えば、Ｈ層は、酸
化セリウム、二酸化チタン、酸化タンタル、フツ
化鉛、酸化マグネシウム、酸化イツトリウム等、
Ｌ層は、フツ化カルシウム、チオライト等を使用
できる。次に、ケイ素酸化物層SiOx層（前記実
施例１及び２では、SiO2層。）の厚さは、ガラス
基体とSiOx層との屈折率差が非常に大きいとき、
SiOx層の厚さが大きいと、Ｐ波の分光反射率が
波長の変化に対して、小刻みに振動し、偏光特性
を損ねるため、偏光特性を良好に保つためには、
SiOx層の厚さは、光学的厚さで5λ／４（λ：入射
光の波長。）以下であることが望ましい。次に、
誘電体多層膜を構成する層の層数は、偏光プリズ
ムとして所望する偏光特性を有するだけの層数で
あればよい。
酸化物層として、SiO2層を使用したが、これに
限定されず、SiOx層（１＜ｘ≦２）であれば、
SiO2層と同様に、圧縮応力を有することにより
誘電体多層膜の破壊防止等の効果がある。次に、
前記実施例１及び２では、Ｈ層は、硫化亜鉛又は
酸化ジルコニウムを使用し、Ｌ層は、クリオライ
ト又はフツ化マグネシウムを使用したが、これら
物質に限定されず、相対的に高屈折率を有する誘
電体物質と低屈折率を有する誘電体物質を各々Ｈ
層、Ｌ層に使用すればよい。例えば、Ｈ層は、酸
化セリウム、二酸化チタン、酸化タンタル、フツ
化鉛、酸化マグネシウム、酸化イツトリウム等、
Ｌ層は、フツ化カルシウム、チオライト等を使用
できる。次に、ケイ素酸化物層SiOx層（前記実
施例１及び２では、SiO2層。）の厚さは、ガラス
基体とSiOx層との屈折率差が非常に大きいとき、
SiOx層の厚さが大きいと、Ｐ波の分光反射率が
波長の変化に対して、小刻みに振動し、偏光特性
を損ねるため、偏光特性を良好に保つためには、
SiOx層の厚さは、光学的厚さで5λ／４（λ：入射
光の波長。）以下であることが望ましい。次に、
誘電体多層膜を構成する層の層数は、偏光プリズ
ムとして所望する偏光特性を有するだけの層数で
あればよい。
次に、前記実施例２では、Ｈ層がSiO2層に付
着していたが、Ｌ層がSiO2層に付着してもよい。
すなわち、前記実施例２において、Ｈ層をＬ層
に、Ｌ層をＨ層に置換してもよい。さらに、
SiOx層をガラス基体１と誘電体多層膜との間に
形成し、接着剤と誘電体多層膜との間に形成しな
くとも、誘電体多層膜の破壊防止、及び誘電体多
層膜の剥離は防止できる。
着していたが、Ｌ層がSiO2層に付着してもよい。
すなわち、前記実施例２において、Ｈ層をＬ層
に、Ｌ層をＨ層に置換してもよい。さらに、
SiOx層をガラス基体１と誘電体多層膜との間に
形成し、接着剤と誘電体多層膜との間に形成しな
くとも、誘電体多層膜の破壊防止、及び誘電体多
層膜の剥離は防止できる。
以上、本発明によれば、誘電体多層膜にSiOx
層を付着させることにより、偏光特性を極度に損
なわすことなく、誘電体多層膜の破壊防止、また
耐湿性の向上、ガラス基体よりの誘電体多層膜の
剥離防止に効果があつた。
層を付着させることにより、偏光特性を極度に損
なわすことなく、誘電体多層膜の破壊防止、また
耐湿性の向上、ガラス基体よりの誘電体多層膜の
剥離防止に効果があつた。
第１図は、一般の偏光プリズムの斜視図、第２
図は前記第１図の平面図と入射光、Ｐ波、Ｓ波の
関係を示す概略図、第３図は従来の偏光膜の断面
図、第４図は本発明の一実施例の断面図、第５図
は本発明の他の実施例の断面図、第６図は前記第
４図の一実施例による波長とＰ波、Ｓ波との分光
反射率の関係を示す図。 １，２……ガラス基体、３……偏光膜、４……
接着剤、３１……Ｌ層、３２……Ｈ層、３３，３
４……SiO2層。
図は前記第１図の平面図と入射光、Ｐ波、Ｓ波の
関係を示す概略図、第３図は従来の偏光膜の断面
図、第４図は本発明の一実施例の断面図、第５図
は本発明の他の実施例の断面図、第６図は前記第
４図の一実施例による波長とＰ波、Ｓ波との分光
反射率の関係を示す図。 １，２……ガラス基体、３……偏光膜、４……
接着剤、３１……Ｌ層、３２……Ｈ層、３３，３
４……SiO2層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 高屈折率を有する誘電体物質層と低屈折率を
有する誘電体物質層を交互に積層することにより
全体として引張応力を有する誘電体多層膜の主面
の両面又は片面にSiOx（１＜ｘ≦２）層を付着し
たことを特徴とする偏光膜。 ２ 特許請求の範囲第１項において、前記誘電体
多層膜を構成する複数の高屈折率を有する誘電体
物質層の各層が実質的に同一物質よりなること、
及び前記誘電体多層膜を構成する複数の低屈折率
を有する誘電体物質層の各層が実質的に同一物質
よりなることを特徴とする偏光膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10239683A JPS606905A (ja) | 1983-06-08 | 1983-06-08 | 偏光膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10239683A JPS606905A (ja) | 1983-06-08 | 1983-06-08 | 偏光膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS606905A JPS606905A (ja) | 1985-01-14 |
| JPS6345561B2 true JPS6345561B2 (ja) | 1988-09-09 |
Family
ID=14326284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10239683A Granted JPS606905A (ja) | 1983-06-08 | 1983-06-08 | 偏光膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS606905A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61281203A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-11 | Toshiba Corp | 低散乱ミラ−及びその製造方法 |
| JPS63147106A (ja) * | 1986-12-10 | 1988-06-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学部品 |
| DE3902456A1 (de) * | 1988-01-29 | 1989-08-03 | Asahi Optical Co Ltd | Verbundstruktur optischer materialien |
| JP2702170B2 (ja) * | 1988-08-24 | 1998-01-21 | 三菱化学株式会社 | 偏光フィルム |
| JPH02106703A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学フィルタ |
-
1983
- 1983-06-08 JP JP10239683A patent/JPS606905A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS606905A (ja) | 1985-01-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4714308A (en) | Ultraviolet reflecting mirror | |
| JP2000171625A (ja) | ダイクロイックミラー | |
| US12025864B2 (en) | Composite substrate for electro-optic element and method for manufacturing the same | |
| JPS6345561B2 (ja) | ||
| US20070086092A1 (en) | Non-polarizing beam splitter | |
| US5771118A (en) | Beam splitter | |
| JPH03284705A (ja) | 偏光ビームスプリッタ | |
| JPH0242201B2 (ja) | ||
| JP2566634B2 (ja) | 多層反射防止膜 | |
| JPH08122523A (ja) | 位相差板 | |
| JP2776553B2 (ja) | 反射防止膜 | |
| JPS6340289B2 (ja) | ||
| JPH05127018A (ja) | 被蒸着基板の歪み除去方法及びフイルター | |
| JP3606630B2 (ja) | 光学多層膜フィルタ | |
| JP2741731B2 (ja) | 偏光子 | |
| JPH0894802A (ja) | 光学素子 | |
| JPH1139689A (ja) | プリズム | |
| JP2003344645A (ja) | 光反射膜及び光反射膜の製造方法 | |
| JPH0291603A (ja) | 光学多層膜 | |
| JPS6086506A (ja) | 短波長パス干渉フイルタ | |
| JPH07104123A (ja) | 光学バンドパスフィルタ | |
| KR200192146Y1 (ko) | 캠코더용 분산광 필터 | |
| JPS62208003A (ja) | 光部品 | |
| JPH0415442B2 (ja) | ||
| JPH09265002A (ja) | 光学素子 |