JPS606905A - 偏光膜 - Google Patents
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- JPS606905A JPS606905A JP10239683A JP10239683A JPS606905A JP S606905 A JPS606905 A JP S606905A JP 10239683 A JP10239683 A JP 10239683A JP 10239683 A JP10239683 A JP 10239683A JP S606905 A JPS606905 A JP S606905A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
- G02B5/00—Optical elements other than lenses
- G02B5/30—Polarising elements
- G02B5/3025—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state
- G02B5/3033—Polarisers, i.e. arrangements capable of producing a definite output polarisation state from an unpolarised input state in the form of a thin sheet or foil, e.g. Polaroid
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、偏光プリズム用の誘電体多層膜を含む偏光膜
に関するものである。
に関するものである。
一般に、偏光膜を有する偏光プリズムは、第１図に示す
ような２個の４５°プリズムのガラス基体１．２どの間
に偏光膜を密着し、第２図に示すにうに、入射光のＰ波
とＳ波を分離している。
ような２個の４５°プリズムのガラス基体１．２どの間
に偏光膜を密着し、第２図に示すにうに、入射光のＰ波
とＳ波を分離している。
従来、この種の偏光膜は、第３図に示すようなｕ４造と
なっていた。すなわち、ガラス基体１．２の屈折率が約
１．６のとき、フッ化マグネシウム（屈折率は約１．３
８゜）のような物質よりなる低屈折率Ｍ電体層く以下、
「１層」という。）３１と、酸化ジルコニウム（屈折率
は約２．０４゜）のような物質よりなる高屈折率誘電体
層（以下、「１」層」という。）３２を交互に積層して
形成されていた。
なっていた。すなわち、ガラス基体１．２の屈折率が約
１．６のとき、フッ化マグネシウム（屈折率は約１．３
８゜）のような物質よりなる低屈折率Ｍ電体層く以下、
「１層」という。）３１と、酸化ジルコニウム（屈折率
は約２．０４゜）のような物質よりなる高屈折率誘電体
層（以下、「１」層」という。）３２を交互に積層して
形成されていた。
この偏光膜は、先ずガラス基体１上に真空蒸着法等によ
り１層３１が蒸着され、この１一層３１」−に１−１層
３２．１層３１が真空蒸着法等により交互に順次積層さ
れて１３層を形成した。その後ζガラス基体１」−に積
層した偏光膜は洗浄され、光学ボンドのような接着剤４
により、もう一方のガラス基体２に接着された。さらに
、従来の他の偏光膜は、ガラス基体１，２の屈折率が約
１．５５のとぎ、１層３１にクリオライト（屈折率は約
１．２５゜）、Ｈ層３２に硫化並用（屈折率は約２．２
９ ｏ）を使用して、前記同様交互に積層して形成され
ていた。
り１層３１が蒸着され、この１一層３１」−に１−１層
３２．１層３１が真空蒸着法等により交互に順次積層さ
れて１３層を形成した。その後ζガラス基体１」−に積
層した偏光膜は洗浄され、光学ボンドのような接着剤４
により、もう一方のガラス基体２に接着された。さらに
、従来の他の偏光膜は、ガラス基体１，２の屈折率が約
１．５５のとぎ、１層３１にクリオライト（屈折率は約
１．２５゜）、Ｈ層３２に硫化並用（屈折率は約２．２
９ ｏ）を使用して、前記同様交互に積層して形成され
ていた。
しかしながら、従来の誘電体多層膜の偏光膜は、Ｈ層及
びＬ層が、引張応力を有する物質（例えば、１−１層が
酸化ジルコニウム、Ｌ層がフッ化マグネシウム。）より
なるとき、偏光膜を形成する誘電体層の層数が多くなる
と引張応力により破壊してしまう欠点があった。このこ
とを防止するために、１一層の厚さを薄くし、ＦＩ層の
厚さを厚くすることにより可能であるが、偏光特性が劣
化してしまうので、所望の偏光特性を得るためにさらに
１」層どＬ層の層数を多くするが、前記同様引張応力に
より破壊してしまう欠点があｐた。さらに、硫化亜鉛と
クリオライトを使用した偏光膜は、前記欠点のみならず
、湿気に弱いために、偏光膜を洗浄する過程において厳
しい制約の条件下で洗浄しなければならない欠点があっ
た。
びＬ層が、引張応力を有する物質（例えば、１−１層が
酸化ジルコニウム、Ｌ層がフッ化マグネシウム。）より
なるとき、偏光膜を形成する誘電体層の層数が多くなる
と引張応力により破壊してしまう欠点があった。このこ
とを防止するために、１一層の厚さを薄くし、ＦＩ層の
厚さを厚くすることにより可能であるが、偏光特性が劣
化してしまうので、所望の偏光特性を得るためにさらに
１」層どＬ層の層数を多くするが、前記同様引張応力に
より破壊してしまう欠点があｐた。さらに、硫化亜鉛と
クリオライトを使用した偏光膜は、前記欠点のみならず
、湿気に弱いために、偏光膜を洗浄する過程において厳
しい制約の条件下で洗浄しなければならない欠点があっ
た。
本発明は、前記のような従来の欠点を除去するためにな
されたもので、ケイ素酸化物の層を誘電体多層膜に一付
着させた偏光膜を提供し、誘電体多層膜の引張応力によ
る破壊を防止することを目的とする。本発明の他の目的
は、耐湿性の向上、さらに他の目的は、ガラス基体と誘
電体多層膜とにケイ′Ｊｇ酸化物層を付着させることに
より、ガラス基体から誘電体多層膜が剥離することを防
止することである。
されたもので、ケイ素酸化物の層を誘電体多層膜に一付
着させた偏光膜を提供し、誘電体多層膜の引張応力によ
る破壊を防止することを目的とする。本発明の他の目的
は、耐湿性の向上、さらに他の目的は、ガラス基体と誘
電体多層膜とにケイ′Ｊｇ酸化物層を付着させることに
より、ガラス基体から誘電体多層膜が剥離することを防
止することである。
以下、本発明を図に基づいて、詳細に説明覆る。
（実施例１） 第４図に基づいて説明する。３は後記す
る１１層３２と１層３１を交互に積層して誘電体多層膜
をな（）、その誘電体多層膜の両端の層は、１１層３２
よりなり、その両端の層の１−：層３２には各々後記す
る８１０２層３３．３４が付着している偏光膜、３１は
クリオライトのＬ層、３２は硫化亜鉛の１−１層、３３
は前記誘電体多層膜の一生面に付着し、さらに光学ボン
ドのような接着剤４に接着している５層０２層、３４は
前記誘電体多層膜のもう一方の主面に付着し、さらにガ
ラスの基体１に付着している５１０２層である。本実施
例を、偏光プリズムを形成するガラス基体の間に介在さ
せるには、先ずガラス基体１上に前記ＳｉＯ２層３４を
約１５３０人の厚さで付着し、次に前記８１０２層３４
上に前記１−１層３２を約７５０人の厚さで付着し、次
に前記１１層３２上に前記１一層３１を約２５００人の
厚さで付着し、その後、前記の厚さで前記Ｈ層３２と前
記り層３１を交互に積層して、誘電体多層膜の層数を７
層どし、誘電体多層膜を構成する最後のＨ層３２上には
、約１５３０人の前記５層０２層３３を付着し、次に、
前記ガラス基体１に付着した前記偏光膜３を洗浄乾燥し
、その俊、接着剤４により前記偏光膜３を、もう一方の
ガラス基体２に接着する。８１０２層３３，３４．１−
１層３２．１層３１は、真空蒸着法等により付着される
。前記のように形成した偏光プリズムに関する分光反射
率曲線を第６図Ａに示寸。参考として、前記ＳｉＯ２層
３３．３４を付着していない従来の偏光膜を有り′る偏
光プリズムに関する分光反射率曲線を第６図Ｂに示す。
る１１層３２と１層３１を交互に積層して誘電体多層膜
をな（）、その誘電体多層膜の両端の層は、１１層３２
よりなり、その両端の層の１−：層３２には各々後記す
る８１０２層３３．３４が付着している偏光膜、３１は
クリオライトのＬ層、３２は硫化亜鉛の１−１層、３３
は前記誘電体多層膜の一生面に付着し、さらに光学ボン
ドのような接着剤４に接着している５層０２層、３４は
前記誘電体多層膜のもう一方の主面に付着し、さらにガ
ラスの基体１に付着している５１０２層である。本実施
例を、偏光プリズムを形成するガラス基体の間に介在さ
せるには、先ずガラス基体１上に前記ＳｉＯ２層３４を
約１５３０人の厚さで付着し、次に前記８１０２層３４
上に前記１−１層３２を約７５０人の厚さで付着し、次
に前記１１層３２上に前記１一層３１を約２５００人の
厚さで付着し、その後、前記の厚さで前記Ｈ層３２と前
記り層３１を交互に積層して、誘電体多層膜の層数を７
層どし、誘電体多層膜を構成する最後のＨ層３２上には
、約１５３０人の前記５層０２層３３を付着し、次に、
前記ガラス基体１に付着した前記偏光膜３を洗浄乾燥し
、その俊、接着剤４により前記偏光膜３を、もう一方の
ガラス基体２に接着する。８１０２層３３，３４．１−
１層３２．１層３１は、真空蒸着法等により付着される
。前記のように形成した偏光プリズムに関する分光反射
率曲線を第６図Ａに示寸。参考として、前記ＳｉＯ２層
３３．３４を付着していない従来の偏光膜を有り′る偏
光プリズムに関する分光反射率曲線を第６図Ｂに示す。
分光反射率曲線△ 、Ｂを比較すると、偏光特性は大差
なく、５層０２層を誘電体多層膜の両側に付着した影響
はない。本実施例によれば、偏光特性を損ねることなく
、誘電体多層膜の破壊を防止できた。また、ガラス基体
とＭ電体多層膜とにＳｉＯ２層が付着しているため、誘
電体多層膜のガラス基体からの剥離も防止でき、また、
接着剤と誘電体多層膜とにＳｉＯ２層が付着しているた
め、誘電体多層膜に対する耐湿性も向」−シた。
なく、５層０２層を誘電体多層膜の両側に付着した影響
はない。本実施例によれば、偏光特性を損ねることなく
、誘電体多層膜の破壊を防止できた。また、ガラス基体
とＭ電体多層膜とにＳｉＯ２層が付着しているため、誘
電体多層膜のガラス基体からの剥離も防止でき、また、
接着剤と誘電体多層膜とにＳｉＯ２層が付着しているた
め、誘電体多層膜に対する耐湿性も向」−シた。
（実施例２） 第５図に基づいて説明する。３は後記す
る１一層３１と１１層３２を交互に積層して誘電体多層
膜をなし、そのＭ電体多層膜の両端の間のうち、ガラス
基体１に付着される層は、１層３１をなし、ガラス基体
２側で後記する８１０２層３３に付着している層は、Ｈ
層３２をなしている偏光膜、３１はフッ化マグネシウム
のｌＪｉ、３２は酸化ジルコニウムの［−１層、３３は
前記誘電体多層膜の一生面に付着し、さらに光学ボンド
のような接着剤４に接着している５層０２層である。前
記り層３１、Ｈ層３２及び５層０２層３３の厚さは、各
々、約１９００人、約９００人、約１６００人である。
る１一層３１と１１層３２を交互に積層して誘電体多層
膜をなし、そのＭ電体多層膜の両端の間のうち、ガラス
基体１に付着される層は、１層３１をなし、ガラス基体
２側で後記する８１０２層３３に付着している層は、Ｈ
層３２をなしている偏光膜、３１はフッ化マグネシウム
のｌＪｉ、３２は酸化ジルコニウムの［−１層、３３は
前記誘電体多層膜の一生面に付着し、さらに光学ボンド
のような接着剤４に接着している５層０２層である。前
記り層３１、Ｈ層３２及び５層０２層３３の厚さは、各
々、約１９００人、約９００人、約１６００人である。
本実施例を、偏光プリズムを形成するガラス基体間に介
在させる方法は、前記実施例１と同様である。本実施例
によれば、前記実施例と同様に、誘電体多層膜の破壊が
防止でき、また、ＳｉＯ２層が接着剤と誘電体多層膜に
付着しているため、耐湿性も向上し、さらに洗浄条ｆ］
も緩和された。
在させる方法は、前記実施例１と同様である。本実施例
によれば、前記実施例と同様に、誘電体多層膜の破壊が
防止でき、また、ＳｉＯ２層が接着剤と誘電体多層膜に
付着しているため、耐湿性も向上し、さらに洗浄条ｆ］
も緩和された。
以」二、前記実施例１及び２においては、ケイ素酸化物
層として、ＳｉＯ２層を使用したが、これに限定されず
、ＳｉＯｘ層（１〈ｘ≦２）であれば、ＳｉＯ２層と同
様に、圧縮応力を有することにＪ、り誘電体多層膜の破
壊防止等の効果がある。
層として、ＳｉＯ２層を使用したが、これに限定されず
、ＳｉＯｘ層（１〈ｘ≦２）であれば、ＳｉＯ２層と同
様に、圧縮応力を有することにＪ、り誘電体多層膜の破
壊防止等の効果がある。
次に、前記実施例１及び２では、１７１層は、硫化亜鉛
又は酸化ジルコニウムを使用し、Ｌ層は、クリオライＩ
・又はフッ化マグネシウムを使用したが、これらの物質
に限定されず、相対的に高屈折率を有する誘電体物質と
低屈折率を有する誘電体物質を各々１−１層、Ｌ層に使
用すればよい。例えば、１−１層は、酸化レリウム、二
酸化チタン、酸化タンタル、フッ化鉛、酸化マグネシウ
ム、酸化イツトリウム等、Ｌ層は、フッ化カルシウム、
チΔライト等を使用できる。次に、ケイ素酸化物層Ｓｉ
Ｏｘ層（＾な記実施例１及び２では、ＳｉＯ２層。）の
厚さは、ガラス基体と３ｉＱｘ層との屈折率差が非常に
大きいとき、５ＩＯｘ層の厚さが大きいと、Ｐ波の分光
反口」率が波長の変化に対して、小刻みに振ＩＩ Ｌ層
、偏光特性を損ねるため、偏光特性を良好に保つために
は、５ｉＯＸ層の厚さは、光学的厚さで５λ／４（λ：
入射光の波長。）以下であることが望ましい。次に、誘
電体多層膜を構成する層の層数は、偏光プリズムとして
所望りる偏光特性を有するだけの層数であればよい。
又は酸化ジルコニウムを使用し、Ｌ層は、クリオライＩ
・又はフッ化マグネシウムを使用したが、これらの物質
に限定されず、相対的に高屈折率を有する誘電体物質と
低屈折率を有する誘電体物質を各々１−１層、Ｌ層に使
用すればよい。例えば、１−１層は、酸化レリウム、二
酸化チタン、酸化タンタル、フッ化鉛、酸化マグネシウ
ム、酸化イツトリウム等、Ｌ層は、フッ化カルシウム、
チΔライト等を使用できる。次に、ケイ素酸化物層Ｓｉ
Ｏｘ層（＾な記実施例１及び２では、ＳｉＯ２層。）の
厚さは、ガラス基体と３ｉＱｘ層との屈折率差が非常に
大きいとき、５ＩＯｘ層の厚さが大きいと、Ｐ波の分光
反口」率が波長の変化に対して、小刻みに振ＩＩ Ｌ層
、偏光特性を損ねるため、偏光特性を良好に保つために
は、５ｉＯＸ層の厚さは、光学的厚さで５λ／４（λ：
入射光の波長。）以下であることが望ましい。次に、誘
電体多層膜を構成する層の層数は、偏光プリズムとして
所望りる偏光特性を有するだけの層数であればよい。
次に、前記実施例２では、１−１層がＳｉＯ２層にイ」
着していたが、Ｌ層がＳｉＯ２層に付着してもよい。す
なわら、前記実施例２において、１−１層をＬ層に、Ｌ
層を１」層に置換してもよい。さらに、３ｉＱｘ層をガ
ラス基体１ど誘電体多層膜どの間に形成し、接着剤と誘
電体多層膜との間に形成しなくとも、誘電体多層膜の破
壊防１に、及び誘電体多層膜の剥離は防止できる。
着していたが、Ｌ層がＳｉＯ２層に付着してもよい。す
なわら、前記実施例２において、１−１層をＬ層に、Ｌ
層を１」層に置換してもよい。さらに、３ｉＱｘ層をガ
ラス基体１ど誘電体多層膜どの間に形成し、接着剤と誘
電体多層膜との間に形成しなくとも、誘電体多層膜の破
壊防１に、及び誘電体多層膜の剥離は防止できる。
以上、本発明によれば、 誘電体多層膜にＳｉＯｘ層を
付着させることにより、偏光特性を極度に損なわすこと
なく、誘電体多層膜の破１ｍ防止、また耐湿性の向上、
ガラス基体よりの誘電体多層膜の剥頗］防止に効果があ
った。
付着させることにより、偏光特性を極度に損なわすこと
なく、誘電体多層膜の破１ｍ防止、また耐湿性の向上、
ガラス基体よりの誘電体多層膜の剥頗］防止に効果があ
った。
第１図は、一般の偏光プリズムの斜視図、第２図は前記
第１図の平面図と入射光、Ｐ波、Ｓ波の関係を示づ概略
図、第３図は従来の偏光膜の断面図、第４図は本発明の
一実施例の断面図、第５図は本発明の他の実施例の断面
図、第６図は前記第４図の一実施例による波長とＰ波、
Ｓ波との分光反射率の関係を示す図。 １．２・・・ガラス基体、３・・・偏光膜、４・・・接
着剤、３１・・・し層、３２・・・１１層、３３゜３４
・・・５１０２層
第１図の平面図と入射光、Ｐ波、Ｓ波の関係を示づ概略
図、第３図は従来の偏光膜の断面図、第４図は本発明の
一実施例の断面図、第５図は本発明の他の実施例の断面
図、第６図は前記第４図の一実施例による波長とＰ波、
Ｓ波との分光反射率の関係を示す図。 １．２・・・ガラス基体、３・・・偏光膜、４・・・接
着剤、３１・・・し層、３２・・・１１層、３３゜３４
・・・５１０２層
Claims (1)
- （１） 高屈折率を有する誘電体物質層と低屈折率を有
する誘電体物質層を交互に積層した誘電体多層膜の主面
の両面又は片面に５ｉＯｘ（１＜Ｘ≦２）層を付着した
ことを特徴とする偏光膜。 （２、特許請求の範囲第１項において、前記誘電体多層
膜を構成する複数の高屈折率を有する誘電体物質層の各
層が実質的に同一物質よりなること、及び前記誘電体多
層膜を構成する複数の低屈折率を有Ｊ゛る誘電体物質層
の各層が実質的に同一物質にりなることを特徴とする偏
光膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10239683A JPS606905A (ja) | 1983-06-08 | 1983-06-08 | 偏光膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10239683A JPS606905A (ja) | 1983-06-08 | 1983-06-08 | 偏光膜 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS606905A true JPS606905A (ja) | 1985-01-14 |
| JPS6345561B2 JPS6345561B2 (ja) | 1988-09-09 |
Family
ID=14326284
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10239683A Granted JPS606905A (ja) | 1983-06-08 | 1983-06-08 | 偏光膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS606905A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61281203A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-11 | Toshiba Corp | 低散乱ミラ−及びその製造方法 |
| JPS63147106A (ja) * | 1986-12-10 | 1988-06-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学部品 |
| JPH01280703A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-11-10 | Asahi Optical Co Ltd | 光学材料の接着構造 |
| JPH0259336A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-28 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | 偏光フィルム |
| JPH02106703A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学フィルタ |
-
1983
- 1983-06-08 JP JP10239683A patent/JPS606905A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61281203A (ja) * | 1985-06-07 | 1986-12-11 | Toshiba Corp | 低散乱ミラ−及びその製造方法 |
| JPS63147106A (ja) * | 1986-12-10 | 1988-06-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学部品 |
| JPH01280703A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-11-10 | Asahi Optical Co Ltd | 光学材料の接着構造 |
| JPH0259336A (ja) * | 1988-08-24 | 1990-02-28 | Mitsubishi Monsanto Chem Co | 偏光フィルム |
| JPH02106703A (ja) * | 1988-10-14 | 1990-04-18 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光学フィルタ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6345561B2 (ja) | 1988-09-09 |
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