JPS634602A - チツプ型皮膜抵抗器の製造方法 - Google Patents
チツプ型皮膜抵抗器の製造方法Info
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- JPS634602A JPS634602A JP61149050A JP14905086A JPS634602A JP S634602 A JPS634602 A JP S634602A JP 61149050 A JP61149050 A JP 61149050A JP 14905086 A JP14905086 A JP 14905086A JP S634602 A JPS634602 A JP S634602A
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- Japan
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- insulating substrate
- resistive
- resistive film
- resistor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野1
この発明は、チップ型皮膜抵抗器の製造方法に関する乙
ので、特に、抵抗皮膜を覆う保護膜、抵抗皮膜に電気的
接続される補助電極、および補助電極に電気的接続され
る取出電極の各形成方法に特徴ある、チップ型皮膜抵抗
器の製造方法に関するbのである。
ので、特に、抵抗皮膜を覆う保護膜、抵抗皮膜に電気的
接続される補助電極、および補助電極に電気的接続され
る取出電極の各形成方法に特徴ある、チップ型皮膜抵抗
器の製造方法に関するbのである。
[従来の技術]
チップ型皮膜抵抗器の一例として、角板型ブーツブw1
石器がある。この1氏抗器は、たとえばアルミナのよう
なセラミック等からなる絶縁基板を備え、そこに、次の
ような加工が施されて製造される。
石器がある。この1氏抗器は、たとえばアルミナのよう
なセラミック等からなる絶縁基板を備え、そこに、次の
ような加工が施されて製造される。
すなわち、まず、絶縁基板の一方主表面上に、抵抗皮膜
となるべき抵抗ペースト層と抵抗皮膜の両端部に接続さ
れる補助7δ極となるべき電極ペースト層とがたとえば
印刷により形成される。l極ペースト居は、通常、グレ
ーズを含0″Fjる金属ペーストからなる。次に、この
ような低石ペースト層と電極ペースト層とを形成した絶
縁基板が加熱炉内に入れられ、抵抗ペースト層と電極ペ
ースト層とが焼成される。この焼成は、両ペーストにつ
き別々に行なわれることもある。これによって、抵抗ペ
ースト層は抵抗皮膜となり、電極ペースト層は補助電極
となる。次に、抵抗皮膜から得られる抵抗値を調整する
ため、抵抗皮膜の一部を取除くトリミング後 にトリミングされた抵抗皮膜を覆うように、保護膜が形
成される。保護膜は、通常、ガラスコートから構成され
、グレーズを塗布し、これを焼成することにより形成さ
れる。そして、補助電極に電気的に接続されるように、
取出電極が絶縁基板の一方主表面から他方主表面まで延
びるように形成される。取出電極は、当該角板型チップ
抵抗器の実装用の電極となるもので、通常、グレーズを
含有する金属ペーストを塗布し、これを焼成することに
より形成される。
となるべき抵抗ペースト層と抵抗皮膜の両端部に接続さ
れる補助7δ極となるべき電極ペースト層とがたとえば
印刷により形成される。l極ペースト居は、通常、グレ
ーズを含0″Fjる金属ペーストからなる。次に、この
ような低石ペースト層と電極ペースト層とを形成した絶
縁基板が加熱炉内に入れられ、抵抗ペースト層と電極ペ
ースト層とが焼成される。この焼成は、両ペーストにつ
き別々に行なわれることもある。これによって、抵抗ペ
ースト層は抵抗皮膜となり、電極ペースト層は補助電極
となる。次に、抵抗皮膜から得られる抵抗値を調整する
ため、抵抗皮膜の一部を取除くトリミング後 にトリミングされた抵抗皮膜を覆うように、保護膜が形
成される。保護膜は、通常、ガラスコートから構成され
、グレーズを塗布し、これを焼成することにより形成さ
れる。そして、補助電極に電気的に接続されるように、
取出電極が絶縁基板の一方主表面から他方主表面まで延
びるように形成される。取出電極は、当該角板型チップ
抵抗器の実装用の電極となるもので、通常、グレーズを
含有する金属ペーストを塗布し、これを焼成することに
より形成される。
[発明が解決しようとする問題点]
上述したような従来の製造方法において、抵抗皮膜の形
成俊に、少なくとも2度の加熱工程にさらされることが
わかる。ずなわら、保護膜を形成するグレーズを焼成す
る工程と、取出電極の金属ペーストを焼成する工程とが
必ずあり、これらは、特に抵抗皮膜のトリミング後に行
なわれ、さらに、場合によっては、補助電極の金属ペー
ストを焼成する工程にさらされることもある。これらの
加熱工程では、通常、500〜600℃の温度が加えら
れる。
成俊に、少なくとも2度の加熱工程にさらされることが
わかる。ずなわら、保護膜を形成するグレーズを焼成す
る工程と、取出電極の金属ペーストを焼成する工程とが
必ずあり、これらは、特に抵抗皮膜のトリミング後に行
なわれ、さらに、場合によっては、補助電極の金属ペー
ストを焼成する工程にさらされることもある。これらの
加熱工程では、通常、500〜600℃の温度が加えら
れる。
しかしながら、このような加熱、特にトリミング後の加
熱のために、折角トリミングされたw1抗皮膜の抵抗値
が、製品になった段階で上下に変動していることがしば
しばあつlζ。その理由は、補助電極の材料と抵抗皮膜
の材料との間で相互拡散が生じるためであると考えられ
る。また、たとえトリミング前であっても、抵抗皮膜の
たび重なる加熱は、温度特性の劣化など、その特性に好
ましくない影響を与えることもある。このように、抵抗
皮膜の形成後の加熱のために、抵抗値のずれ等が生じ、
製品の歩留りを悪くしている。
熱のために、折角トリミングされたw1抗皮膜の抵抗値
が、製品になった段階で上下に変動していることがしば
しばあつlζ。その理由は、補助電極の材料と抵抗皮膜
の材料との間で相互拡散が生じるためであると考えられ
る。また、たとえトリミング前であっても、抵抗皮膜の
たび重なる加熱は、温度特性の劣化など、その特性に好
ましくない影響を与えることもある。このように、抵抗
皮膜の形成後の加熱のために、抵抗値のずれ等が生じ、
製品の歩留りを悪くしている。
また、補助電極、取出電極および保v1膜が上述のよう
な形成方法によって形成される限り、材料コストの低減
をあまり望めず、かつ、生産性の向上にも限度がある。
な形成方法によって形成される限り、材料コストの低減
をあまり望めず、かつ、生産性の向上にも限度がある。
そこで、この発明は、抵抗皮膜が形成された後は、それ
ほどの?3温にさらされることがな(、また、材料コス
トの低減および生産性の向上を図ることができる、チッ
プ型皮膜抵抗器のll!JTi方法を提供しようとする
ものである。
ほどの?3温にさらされることがな(、また、材料コス
トの低減および生産性の向上を図ることができる、チッ
プ型皮膜抵抗器のll!JTi方法を提供しようとする
ものである。
[問題点を解決するための手段]
この発明は、絶縁基板と、前記絶縁基板の一方主表面上
に形成される抵抗皮膜と、前記抵抗皮膜の各端部に電気
的に接続され前記絶縁基板の前記主表面上に形成される
1対の補助電極と、前記抵抗皮膜を覆うように形成され
る保護膜と、前記各補助電極に電気的に接続され前記絶
縁基板の少なくとも側面上にまで延びるように形成され
た1対の取出i極とを備える、チップ型皮膜抵抗器の製
造方法であって、上述の問題点を解決するため、次のこ
とを特徴とするらのである。
に形成される抵抗皮膜と、前記抵抗皮膜の各端部に電気
的に接続され前記絶縁基板の前記主表面上に形成される
1対の補助電極と、前記抵抗皮膜を覆うように形成され
る保護膜と、前記各補助電極に電気的に接続され前記絶
縁基板の少なくとも側面上にまで延びるように形成され
た1対の取出i極とを備える、チップ型皮膜抵抗器の製
造方法であって、上述の問題点を解決するため、次のこ
とを特徴とするらのである。
すなわち、前記1対の補助電極は、前記抵抗皮膜を前記
絶縁基板の一方主表面上に形成した後、無電解めっきに
より形成され、 前記保護膜は、前記抵抗皮膜をトリミングした後、樹脂
によって形成され、 前記1対の取出電極は、前記補助7rillを形成した
後、無電解めっきにより形成される。
絶縁基板の一方主表面上に形成した後、無電解めっきに
より形成され、 前記保護膜は、前記抵抗皮膜をトリミングした後、樹脂
によって形成され、 前記1対の取出電極は、前記補助7rillを形成した
後、無電解めっきにより形成される。
[発明の作用効果]
この発明によるチップ型皮膜抵抗器の製造方法では、抵
抗皮膜は、保護膜より先であることはもちろんのこと、
補助電極および取出電極よりも先に形成されるが、これ
ら保護膜、補助電極および取出電極の形成にあたっては
、いずれも、それほどの高い温度を必要としない。すな
わち、補助電極や取出電極を形成するステップでは、無
電解めっきが用いられるので、既に形成された抵抗皮膜
に対しては、常温ないし常温よりやや高い温度しか与え
られない。また、保護膜を形成するステップでは、保1
膜として樹脂が用いられるので、グレーズを焼成するほ
どの?3塩は必要でなく、たとえば、200℃程度の温
度が抵抗皮膜に与えられるのみである。
抗皮膜は、保護膜より先であることはもちろんのこと、
補助電極および取出電極よりも先に形成されるが、これ
ら保護膜、補助電極および取出電極の形成にあたっては
、いずれも、それほどの高い温度を必要としない。すな
わち、補助電極や取出電極を形成するステップでは、無
電解めっきが用いられるので、既に形成された抵抗皮膜
に対しては、常温ないし常温よりやや高い温度しか与え
られない。また、保護膜を形成するステップでは、保1
膜として樹脂が用いられるので、グレーズを焼成するほ
どの?3塩は必要でなく、たとえば、200℃程度の温
度が抵抗皮膜に与えられるのみである。
これらのことから、特にトリミング後の抵抗皮膜の抵抗
値を変動させる要因となる高温での処理がなくなり、抵
抗皮膜は、トリミング後の抵抗値を維持することができ
る。したがって、高精度に調整された抵抗値を有するチ
ップ型皮膜抵抗器を歩留り口く製造することができる。
値を変動させる要因となる高温での処理がなくなり、抵
抗皮膜は、トリミング後の抵抗値を維持することができ
る。したがって、高精度に調整された抵抗値を有するチ
ップ型皮膜抵抗器を歩留り口く製造することができる。
また、樹脂からなる保!を膜、および無電解めっきによ
り形成される補助電極および取出電極は、従来のように
グレーズの焼成によって得られる保rlI膜ヤ金属ペー
ストの焼成によって得られる補助′R極および取出電極
に比べて、材料コストの低減化および生産性の向上を図
ることができる。
り形成される補助電極および取出電極は、従来のように
グレーズの焼成によって得られる保rlI膜ヤ金属ペー
ストの焼成によって得られる補助′R極および取出電極
に比べて、材料コストの低減化および生産性の向上を図
ることができる。
[実施例]
以下に、この発明を、角板型チップ抵抗器の製造に適用
した場合について説明する。また、ここで説明する実施
例は、比較的大きな1枚のいわゆるマザーボード上で、
複数個の皮l!抵抗器を得るためのいくつかのステップ
を進め、このようなマデーボードを後で分割することに
よって、[」的とする複数個のチップ抵抗器を得ようと
するものである。
した場合について説明する。また、ここで説明する実施
例は、比較的大きな1枚のいわゆるマザーボード上で、
複数個の皮l!抵抗器を得るためのいくつかのステップ
を進め、このようなマデーボードを後で分割することに
よって、[」的とする複数個のチップ抵抗器を得ようと
するものである。
まず、第1図に一部を示すように、アルミナのようなセ
ラミック等からなる絶縁基板1が用意される。この絶R
m板1には、後での分割を容易にするため、たとえば図
による横方向に延びる複数の切り溝2が形成されている
。
ラミック等からなる絶縁基板1が用意される。この絶R
m板1には、後での分割を容易にするため、たとえば図
による横方向に延びる複数の切り溝2が形成されている
。
このような絶縁基板1の一方主表面上には、さらに第1
図に示すように、複数の抵抗皮膜3が、縦および横方向
に整列されて形成される。抵抗皮膜3は、抵抗ペースト
を印刷し、乾燥後、焼成ず益 ることより形成される。
図に示すように、複数の抵抗皮膜3が、縦および横方向
に整列されて形成される。抵抗皮膜3は、抵抗ペースト
を印刷し、乾燥後、焼成ず益 ることより形成される。
次に、第2図に示すように、各抵抗器1103の両端部
および横方向に隣り合う抵抗皮膜3の間に決まれだ領域
を残して、−次しシスト膜4が形成される。なお、絶R
11k板1の他方主表面においては、図示しないが、全
面にねって、同様のレジスト膜が形成される。なお、こ
のようなレジスt−膜4は、当該レジスト膜4を構成す
るたとえば紫外線硬化型樹脂を印刷し、乾燥した後、硬
化させることにより形成される。
および横方向に隣り合う抵抗皮膜3の間に決まれだ領域
を残して、−次しシスト膜4が形成される。なお、絶R
11k板1の他方主表面においては、図示しないが、全
面にねって、同様のレジスト膜が形成される。なお、こ
のようなレジスt−膜4は、当該レジスト膜4を構成す
るたとえば紫外線硬化型樹脂を印刷し、乾燥した後、硬
化させることにより形成される。
次に、第2図に示した絶縁基板1は、無電解めっきのた
めのめっき浴中に入れられる。これによって、第3図に
示すように、絶縁基板1には、その全面にめつきl!3
5が形成される。
めのめっき浴中に入れられる。これによって、第3図に
示すように、絶縁基板1には、その全面にめつきl!3
5が形成される。
次に、第3図に示しICl漬物に対して、第2図に示し
た一次しジス[・膜4の剥離が行なわれる。
た一次しジス[・膜4の剥離が行なわれる。
これによって、第4図に示すような構造物が得られる。
第3図に示しためつき膜5は、第4図において、横方向
に隣り合う抵抗皮膜3を連結するように形成された補助
電極6となって残る。なお、絶縁基板1の他方主表面に
おいては、すべてのめつき膜が除去されている。
に隣り合う抵抗皮膜3を連結するように形成された補助
電極6となって残る。なお、絶縁基板1の他方主表面に
おいては、すべてのめつき膜が除去されている。
次に、横方向に隣り合う1対の補助電極6.6を用いて
、各抵抗皮膜3の抵抗値が測定されながら、当該抵抗値
を所望の値に調整するため、第5図に示すように、抵抗
皮膜3に対してトリミングが実施される。第5図におい
て、各抵抗皮膜3上には、トリミング跡7が図示されて
いる。
、各抵抗皮膜3の抵抗値が測定されながら、当該抵抗値
を所望の値に調整するため、第5図に示すように、抵抗
皮膜3に対してトリミングが実施される。第5図におい
て、各抵抗皮膜3上には、トリミング跡7が図示されて
いる。
次に、第6図に示すように、各抵抗皮膜3を覆うように
、保ff膜8が形成される。保護膜8は、たとえば熱硬
化性樹脂のような樹脂から構成され、たとえば印刷によ
り第6図に示すようなパターンに形成される。保ii[
8は、これを硬化させるため、たとえば200℃程度の
′cA度で焼付けが行なわれる。このような温度は、l
I!抗皮膜3(たとえば第5図)の抵抗値に影響を与え
るものではない。
、保ff膜8が形成される。保護膜8は、たとえば熱硬
化性樹脂のような樹脂から構成され、たとえば印刷によ
り第6図に示すようなパターンに形成される。保ii[
8は、これを硬化させるため、たとえば200℃程度の
′cA度で焼付けが行なわれる。このような温度は、l
I!抗皮膜3(たとえば第5図)の抵抗値に影響を与え
るものではない。
次に、第7図に示すように、二次レジスト膜9が、印刷
、乾燥、硬化の工程を経て形成される。
、乾燥、硬化の工程を経て形成される。
二次レジスト族9は、各補助電極6の少なくと5−部を
露出させた状態で形成される。なお、同様の二次レジス
ト膜が、絶jQkJ板1の他方主表面側においても、同
じパターンで形成される。
露出させた状態で形成される。なお、同様の二次レジス
ト膜が、絶jQkJ板1の他方主表面側においても、同
じパターンで形成される。
また、第7図に示すように、隣り合う二次レジスト膜9
の間に挾まれた領域のほぼ中央部を横切る線10に沿っ
てスクライプが実施され、第8図に示すように、絶縁基
板1が分割される。
の間に挾まれた領域のほぼ中央部を横切る線10に沿っ
てスクライプが実施され、第8図に示すように、絶縁基
板1が分割される。
次に、第9図に示すように、無電解めっきが再び実施さ
れ、分割された各絶縁基板1の全面にわたってめつき膜
11が形成される。
れ、分割された各絶縁基板1の全面にわたってめつき膜
11が形成される。
なお、めっぎ膜11が、たとえばニッケルにより形成さ
れたとぎには、そのはんだ付は性が劣るため、これを改
善づるため、必要に応じて、めっき膜11の上に、たと
えば電解めっきにより、はんだ付は性の優れた金属、た
とえば錫および鉛合金のような金属からなるめっき膜を
さらに形成するようにしてもよい。
れたとぎには、そのはんだ付は性が劣るため、これを改
善づるため、必要に応じて、めっき膜11の上に、たと
えば電解めっきにより、はんだ付は性の優れた金属、た
とえば錫および鉛合金のような金属からなるめっき膜を
さらに形成するようにしてもよい。
次に、二次レジスト膜9の剥離が行なわれ、それによっ
て第10図に示すような構造物が得られる。二次レジス
トII!9の剥離により、前述のめっぎ膜11は、各補
助電極6に電気的に接続され絶縁基板1の他方主表面上
にまで延びる取出電極12として残される。
て第10図に示すような構造物が得られる。二次レジス
トII!9の剥離により、前述のめっぎ膜11は、各補
助電極6に電気的に接続され絶縁基板1の他方主表面上
にまで延びる取出電極12として残される。
次に、絶縁基板1が、前述した切り溝2に沿って折られ
、それによって、第11図に拡大して示す角板型チップ
抵抗器13が得られる。なお、第12図は、第11図の
線XII−XIIに沿う断面図である。
、それによって、第11図に拡大して示す角板型チップ
抵抗器13が得られる。なお、第12図は、第11図の
線XII−XIIに沿う断面図である。
得られた角板型チップ抵抗器13は、絶縁基板1と、絶
縁基板1の一方主表面上に形成される抵抗皮膜3と、抵
抗皮膜3の各端部に電気的に接続され絶縁基板1の一方
主表面上に形成される1対の補助電極6と、抵抗皮膜3
を覆うように形成される保護膜8と、各補助電極6に電
気的に接続され絶縁基板1の他方主表面上にまで延びる
ように形成された1対の取出m112とを備えている。
縁基板1の一方主表面上に形成される抵抗皮膜3と、抵
抗皮膜3の各端部に電気的に接続され絶縁基板1の一方
主表面上に形成される1対の補助電極6と、抵抗皮膜3
を覆うように形成される保護膜8と、各補助電極6に電
気的に接続され絶縁基板1の他方主表面上にまで延びる
ように形成された1対の取出m112とを備えている。
このような角板型チップ抵抗器13は、出荷にあたり、
測定およびその他の検査が行なわれ、場合によってはテ
ーピングされて包装される。
測定およびその他の検査が行なわれ、場合によってはテ
ーピングされて包装される。
上述した実施例では、比較的大きなマザーボードとして
の絶縁基板を用意し、これを分割して、1個のチップ抵
抗器を得るようにしたが、最初から1個のチップ抵抗器
のための絶縁基板を用意し、これから所望のステップを
経てチップ抵抗器を得るようにしてもよい。
の絶縁基板を用意し、これを分割して、1個のチップ抵
抗器を得るようにしたが、最初から1個のチップ抵抗器
のための絶縁基板を用意し、これから所望のステップを
経てチップ抵抗器を得るようにしてもよい。
また、上述した実施例は、角板型チップ抵抗器を得る場
合について説明したが、この発明が適用されるチップ型
皮膜抵抗器は、このような形態には限定されるものでは
ない。
合について説明したが、この発明が適用されるチップ型
皮膜抵抗器は、このような形態には限定されるものでは
ない。
また、取出電極12は必ずしも他方主表面上にまで付与
される必要はなく、少なくとも側面にまで付与されてい
ればよい。
される必要はなく、少なくとも側面にまで付与されてい
ればよい。
図面は、この発明の一実施例に含まれるステップを順次
示すもので、第1図は、絶縁基板1の一方主表面上に抵
抗皮膜3が形成された状態を示し、第2図は、さらに−
次しシストIt!i! 4が形成された状態を示し、第
3図は、さらに無電解めっきによりめっぎ膜5が形成さ
れた状態を示し、第4図は、−次しシスト膜4を剥離し
て補助電極6が残された状態を示し、第5図は、抵抗皮
膜3にトリミングが実施された状態を示し、第6図は、
ざらに保護膜8が形成された状態を示し、第7図は、ざ
らに二次レジスト膜9が形成された状態を示し、第8図
は、スクライブによって絶縁基板1が縦方向に切断され
た状態を示し、第9図は、さらに無電解めっきによるめ
っき膜11が形成された状態を示し、第10図は、二次
レジスト膜9が剥離され、取出電極12が残された状態
を示し、第11図は、切り1112に沿う分割によって
得られた角板型チップ抵抗器13を示し、第12図は、
第11図の線xi−x■に沿う断面図を示す。 図にJ3いて、1は絶縁基板、3は抵抗皮膜、4は一次
しシスト膜、5はめっき膜、6は補助電117はトリミ
ング跡、8は保ilN、9は二次レジスト膜、11はめ
つぎ膜、12は取出電極、13は角板型チップ抵抗器で
ある。
示すもので、第1図は、絶縁基板1の一方主表面上に抵
抗皮膜3が形成された状態を示し、第2図は、さらに−
次しシストIt!i! 4が形成された状態を示し、第
3図は、さらに無電解めっきによりめっぎ膜5が形成さ
れた状態を示し、第4図は、−次しシスト膜4を剥離し
て補助電極6が残された状態を示し、第5図は、抵抗皮
膜3にトリミングが実施された状態を示し、第6図は、
ざらに保護膜8が形成された状態を示し、第7図は、ざ
らに二次レジスト膜9が形成された状態を示し、第8図
は、スクライブによって絶縁基板1が縦方向に切断され
た状態を示し、第9図は、さらに無電解めっきによるめ
っき膜11が形成された状態を示し、第10図は、二次
レジスト膜9が剥離され、取出電極12が残された状態
を示し、第11図は、切り1112に沿う分割によって
得られた角板型チップ抵抗器13を示し、第12図は、
第11図の線xi−x■に沿う断面図を示す。 図にJ3いて、1は絶縁基板、3は抵抗皮膜、4は一次
しシスト膜、5はめっき膜、6は補助電117はトリミ
ング跡、8は保ilN、9は二次レジスト膜、11はめ
つぎ膜、12は取出電極、13は角板型チップ抵抗器で
ある。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 絶縁基板と、前記絶縁基板の一方主表面上に形成され
る抵抗皮膜と、前記抵抗皮膜の各端部に電気的に接続さ
れ前記絶縁基板の前記主表面上に形成される1対の補助
電極と、前記抵抗皮膜を覆うように形成される保護膜と
、前記各補助電極に電気的に接続され前記絶縁基板の少
なくとも側面上にまで延びるように形成された1対の取
出電極とを備える、チップ型皮膜抵抗器の製造方法にお
いて、 前記絶縁基板の一方主表面上に前記抵抗皮膜を形成した
後、前記1対の補助電極を無電解めつきにより形成する
こと、 前記抵抗皮膜をトリミングした後、前記保護膜を樹脂に
よって形成すること、および 前記補助電極を形成した後、前記1対の取出電極を無電
解めつきにより形成すること、 を特徴とする、チップ型皮膜抵抗器の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61149050A JPS634602A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | チツプ型皮膜抵抗器の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61149050A JPS634602A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | チツプ型皮膜抵抗器の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS634602A true JPS634602A (ja) | 1988-01-09 |
Family
ID=15466554
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61149050A Pending JPS634602A (ja) | 1986-06-24 | 1986-06-24 | チツプ型皮膜抵抗器の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS634602A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01279409A (ja) * | 1988-04-30 | 1989-11-09 | Sharp Corp | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
-
1986
- 1986-06-24 JP JP61149050A patent/JPS634602A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01279409A (ja) * | 1988-04-30 | 1989-11-09 | Sharp Corp | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
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