JPS6347263B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6347263B2 JPS6347263B2 JP56191155A JP19115581A JPS6347263B2 JP S6347263 B2 JPS6347263 B2 JP S6347263B2 JP 56191155 A JP56191155 A JP 56191155A JP 19115581 A JP19115581 A JP 19115581A JP S6347263 B2 JPS6347263 B2 JP S6347263B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photodegradable
- metal wiring
- integrated circuit
- organic material
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10P—GENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10P76/00—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
- H10P76/20—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising organic materials
- H10P76/204—Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising organic materials of organic photoresist masks
- H10P76/2041—Photolithographic processes
Landscapes
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Formation Of Insulating Films (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
この発明は、集積回路素子の平坦化を図る製造
方法に関するものである。
方法に関するものである。
従来、集積回路素子の金属配線部を絶縁膜で覆
つた後の断面形状は第１図のようであつた。図に
おいて、１はシリコン等の半導体基板、２は金属
配線、３は金属配線と他の導電体とを電気的に分
離するための絶縁膜である。通常、この絶縁膜と
してはスパツタ蒸着やCVD法によつて形成され
るSiO2膜やSiN膜が使われている。
つた後の断面形状は第１図のようであつた。図に
おいて、１はシリコン等の半導体基板、２は金属
配線、３は金属配線と他の導電体とを電気的に分
離するための絶縁膜である。通常、この絶縁膜と
してはスパツタ蒸着やCVD法によつて形成され
るSiO2膜やSiN膜が使われている。
第１図に示したように従来の方法によつた場
合、絶縁膜の表面は、その下の表面の凹凸をその
まま反映して凹凸が激しい。このことは、２層以
上に金属配線層を形成する場合は、その段差部
で、配線の断線を生じたり、段差部で配線膜厚
が局部的に薄くなつて配線抵抗が増大したり、
表面の凹凸によつてパターン転写の微細化が困難
になつたりする等の欠点を有していた。
合、絶縁膜の表面は、その下の表面の凹凸をその
まま反映して凹凸が激しい。このことは、２層以
上に金属配線層を形成する場合は、その段差部
で、配線の断線を生じたり、段差部で配線膜厚
が局部的に薄くなつて配線抵抗が増大したり、
表面の凹凸によつてパターン転写の微細化が困難
になつたりする等の欠点を有していた。
この発明は上記のような従来のものの欠点を除
去するためになされたもので、絶縁膜として光分
解型の材料を使い、それに光を全面照射した時、
反射率の高い金属配線の上の光分解型材料が他の
部分より残膜量が低くなり、その結果として表面
段差をゆるくすることを目的としている。
去するためになされたもので、絶縁膜として光分
解型の材料を使い、それに光を全面照射した時、
反射率の高い金属配線の上の光分解型材料が他の
部分より残膜量が低くなり、その結果として表面
段差をゆるくすることを目的としている。
以下、この発明の一実施例を第２図から第４図
について説明する。第２図において、４はシリコ
ン等の半導体基板、５はその上に形成された金属
配線である。この発明では、この後、スピンコー
テイング等の方法により、６の光分解型センチタ
イザーを含んだ有機材料を１〜３ミクロン厚で塗
布する。次に適当な温度、例えば摂氏100度〜200
度でベーキングして、有機材料中の溶接を除き、
７の光を全面に均一に照射する。このときの光の
波長は250〜365ナノメートル程度が好適である。
すると、光分解型有機材料のうち金属配線の真上
の有機材料は、下地から反射光の影響を強くうけ
て、他の部分より実効的な光被照射量が多くな
る。これを現像処理すると、第３図に示すように
光分解型有機材料のうち８で示すように金属配線
の上の有機材料が他の部分の有機材料より多く除
去され、結果として第４図に示すように平坦化が
実現される。この後、加熱処理等を施せば、この
耐熱性光分解型有機材料は安定化し、絶縁膜とし
て使える。
について説明する。第２図において、４はシリコ
ン等の半導体基板、５はその上に形成された金属
配線である。この発明では、この後、スピンコー
テイング等の方法により、６の光分解型センチタ
イザーを含んだ有機材料を１〜３ミクロン厚で塗
布する。次に適当な温度、例えば摂氏100度〜200
度でベーキングして、有機材料中の溶接を除き、
７の光を全面に均一に照射する。このときの光の
波長は250〜365ナノメートル程度が好適である。
すると、光分解型有機材料のうち金属配線の真上
の有機材料は、下地から反射光の影響を強くうけ
て、他の部分より実効的な光被照射量が多くな
る。これを現像処理すると、第３図に示すように
光分解型有機材料のうち８で示すように金属配線
の上の有機材料が他の部分の有機材料より多く除
去され、結果として第４図に示すように平坦化が
実現される。この後、加熱処理等を施せば、この
耐熱性光分解型有機材料は安定化し、絶縁膜とし
て使える。
耐熱性光分解型有機材料の例としては例えばポ
ジ型感光性ポリイミドがある。これはポリアミツ
ク酸とＯ―ニトロベンジルアルコールとの反応に
よつてエステルを合成し、酸クロライドを経てジ
アミン界面重結合してポリアミツク酸とする反応
で得られ、第(1)式に示す構造式を有したものであ
る。なお、第(1)式中の記号Ｒは第(2)式または(3)式
に示す構造のものである。
ジ型感光性ポリイミドがある。これはポリアミツ
ク酸とＯ―ニトロベンジルアルコールとの反応に
よつてエステルを合成し、酸クロライドを経てジ
アミン界面重結合してポリアミツク酸とする反応
で得られ、第(1)式に示す構造式を有したものであ
る。なお、第(1)式中の記号Ｒは第(2)式または(3)式
に示す構造のものである。
光照射による反応は次のように行なわれる。光
照射によりＯ―ニトロベンジルエステルが分解し
てカルボキシル基が出現するが、これはアルカリ
水溶液に可溶で、アルカリ現像液に溶け、膜減り
する。この膜減りの量はこの材料中に取り込まれ
た光の量に比例する。
照射によりＯ―ニトロベンジルエステルが分解し
てカルボキシル基が出現するが、これはアルカリ
水溶液に可溶で、アルカリ現像液に溶け、膜減り
する。この膜減りの量はこの材料中に取り込まれ
た光の量に比例する。
なお、第３図、第４図で９は現像後、残つた有
機材料である。
機材料である。
なお、上記実施例では、絶縁膜として光分解型
有機材料を用いたが、代りに光分解型無機材料を
用いてもよい。このときの光分解型無機材料とし
てはラダー型シリコン樹脂に光感光剤を混ぜたも
の例えば、第(4)式に構造式を示すポリフエニルシ
ルセスキオキザン（PSQ）にナフトキノンジア
ジド系感光材を混ぜたもの等を用いればよい。ま
たポリ―Ｐ―ジシラニレンフエニレン、あるいは
メチルシラン型共重合体（DSAM）などを用い
てもよい。
有機材料を用いたが、代りに光分解型無機材料を
用いてもよい。このときの光分解型無機材料とし
てはラダー型シリコン樹脂に光感光剤を混ぜたも
の例えば、第(4)式に構造式を示すポリフエニルシ
ルセスキオキザン（PSQ）にナフトキノンジア
ジド系感光材を混ぜたもの等を用いればよい。ま
たポリ―Ｐ―ジシラニレンフエニレン、あるいは
メチルシラン型共重合体（DSAM）などを用い
てもよい。
以上のようにこの発明によれば、絶縁膜として
光分解型有機材料を用いて金属配線の反射率の高
いことを利用したので、段差の高低部をセルフア
ラインできるとともに、工程が簡単になる等の効
果がある。
光分解型有機材料を用いて金属配線の反射率の高
いことを利用したので、段差の高低部をセルフア
ラインできるとともに、工程が簡単になる等の効
果がある。
第１図は従来の素子を示す断面図、第２図〜第
４図はこの発明の一実施例を示す断面図である。 ４…半導体基板、５…金属配線、６…光分解型
有機材料、７…光、９…現像後残つた有機材料。
４図はこの発明の一実施例を示す断面図である。 ４…半導体基板、５…金属配線、６…光分解型
有機材料、７…光、９…現像後残つた有機材料。
Claims (1)
- １ 集積回路素子の製造工程で、金属配線パター
ン形成をした集積回路素子を、光分解型センチタ
イザーを含んだ有機材料または光分解型無機材料
からなる光分解型材料で覆い、その全面に光照射
して、金属配線と配線下地との光反射率の差に基
づき、金属配線の上と金属配線のない部分の上と
で上記光分解型材料の光被照射量の差が生じるこ
とを利用して金属配線上における上記光分解型材
料の残膜量を他の部分より少なくしたことを特徴
とする集積回路素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56191155A JPS5892226A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 集積回路素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56191155A JPS5892226A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 集積回路素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5892226A JPS5892226A (ja) | 1983-06-01 |
| JPS6347263B2 true JPS6347263B2 (ja) | 1988-09-21 |
Family
ID=16269811
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56191155A Granted JPS5892226A (ja) | 1981-11-27 | 1981-11-27 | 集積回路素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5892226A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0616506B2 (ja) * | 1984-12-26 | 1994-03-02 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 積層体の側周辺に選択的に被膜を形成する方法 |
| JP2543363Y2 (ja) * | 1991-07-01 | 1997-08-06 | 村田機械株式会社 | 紡績用ノズル |
-
1981
- 1981-11-27 JP JP56191155A patent/JPS5892226A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5892226A (ja) | 1983-06-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11515198B2 (en) | Semiconductor constructions comprising dielectric material, and methods of forming dielectric fill within openings extending into semiconductor constructions | |
| JP2846761B2 (ja) | 伝導層パターン形成方法 | |
| JP3276963B2 (ja) | 誘電体フィルムを基盤上に形成する方法 | |
| JP2951504B2 (ja) | シリル化平坦化レジスト及び平坦化方法並びに集積回路デバイスの製造方法 | |
| US4428796A (en) | Adhesion bond-breaking of lift-off regions on semiconductor structures | |
| JP2004530288A (ja) | 半導体パッケージおよびその調製方法 | |
| JPH04229638A (ja) | 感光性ポリイミドポリマー組成物を用いるマルチレベルコプレーナ伝導体／絶縁体フィルムを形成する方法 | |
| JPH033378B2 (ja) | ||
| JPS6347263B2 (ja) | ||
| US6833326B2 (en) | Method for forming fine patterns in semiconductor device | |
| JP2529685B2 (ja) | 装置の製造方法 | |
| JPS5932895B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
| JPS59161827A (ja) | 絶縁膜加工法 | |
| JPS6236827A (ja) | 選択エツチング方法 | |
| JPH0119255B2 (ja) | ||
| JPS6329951A (ja) | 微細配線パタ−ン形成法 | |
| JPS5852341B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| KR890002306B1 (ko) | 이중 절연 구조를 가진 이중 금속 배선공정방법 | |
| JPH042183B2 (ja) | ||
| JPS6059737A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH04320322A (ja) | レジストパターンの作製方法 | |
| JPH04184444A (ja) | 感光性耐熱樹脂組成物と半導体装置の製造方法 | |
| JPS6236828A (ja) | 選択エツチング方法 | |
| KR0166787B1 (ko) | 반도체소자의 배선방법 | |
| JPS60142543A (ja) | 半導体装置の製造方法 |