JPS6348448B2 - - Google Patents
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- JPS6348448B2 JPS6348448B2 JP12325281A JP12325281A JPS6348448B2 JP S6348448 B2 JPS6348448 B2 JP S6348448B2 JP 12325281 A JP12325281 A JP 12325281A JP 12325281 A JP12325281 A JP 12325281A JP S6348448 B2 JPS6348448 B2 JP S6348448B2
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- Japan
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- piezoelectric ceramic
- ceramic plate
- width
- vibration
- electrodes
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- Expired
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/15—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material
- H03H9/17—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator
- H03H9/177—Constructional features of resonators consisting of piezoelectric or electrostrictive material having a single resonator of the energy-trap type
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、機械振動エネルギを圧電セラミツク
振動子の一部分に集中させたエネルギ閉込め形の
セラミツク振動子に関するものである。
振動子の一部分に集中させたエネルギ閉込め形の
セラミツク振動子に関するものである。
圧電磁器材料を用いたセラミツク振動子は、小
形、無調整、コイル不要等の多くの利点があり、
無線通信装置等の中間周波フイルタ等に多く使用
されている。更に最近の圧電磁器材料の高性能化
と共に、IC、LSI回路との整合性の良い点とによ
り、今後益々その用途が拡大される傾向にある。
形、無調整、コイル不要等の多くの利点があり、
無線通信装置等の中間周波フイルタ等に多く使用
されている。更に最近の圧電磁器材料の高性能化
と共に、IC、LSI回路との整合性の良い点とによ
り、今後益々その用途が拡大される傾向にある。
従来のセラミツク振動子は、円板の広り振動等
の輪郭振動を利用したものと、板の厚み縦振動又
は厚みすべり振動を用いて振動エネルギを一部分
に集中させたエネルギ閉込め形とがある。
の輪郭振動を利用したものと、板の厚み縦振動又
は厚みすべり振動を用いて振動エネルギを一部分
に集中させたエネルギ閉込め形とがある。
円板の広り振動等の輪郭振動を利用した振動子
は、その共振周波数が輪郭寸法、円板の場合はそ
の直形に反比例するので、周波数が高くなるに従
つて振動子寸法が小さくなり、製造が困難となる
為、実用化周波数帯は数百ＫHz以下である。更に
輪郭振動の振動子は、全体が振動し、振動変位が
零となる点は節点であつて、円板の広り振動では
円板の中心が節点となる。この為、節点に於いて
振動子を支持することになる。この節点に於ける
支持を強固にすると、振動エネルギが支持体を介
して外部に漏れるので、通常は比較的軟い支持構
造が採用される。この結果、外部振動等に対する
信頼度が低下する原因となつている。
は、その共振周波数が輪郭寸法、円板の場合はそ
の直形に反比例するので、周波数が高くなるに従
つて振動子寸法が小さくなり、製造が困難となる
為、実用化周波数帯は数百ＫHz以下である。更に
輪郭振動の振動子は、全体が振動し、振動変位が
零となる点は節点であつて、円板の広り振動では
円板の中心が節点となる。この為、節点に於いて
振動子を支持することになる。この節点に於ける
支持を強固にすると、振動エネルギが支持体を介
して外部に漏れるので、通常は比較的軟い支持構
造が採用される。この結果、外部振動等に対する
信頼度が低下する原因となつている。
第１図ａは前述の円板の広り振動を利用した振
動子の斜視図であり、圧電磁器板１の両面に蒸着
等により金属薄膜電極２が形成されている。この
振動子は同図ｂ，ｃに示すように支持されるもの
で、同図ｂでは絶縁基板に固定した金属の支持柱
４に一端を固着した細線３の他端を、圧電磁器板
１の両面の金属薄膜２の中心部分に導電性接着剤
等で固定する。又同図ｃでは、絶縁基板に固定し
た金属の支持具５を弾性材料で構成し、支持具５
の先端部分で圧電磁器板１の両面の金属薄膜電極
２の中心部分と接続して、振動子を保持する。
動子の斜視図であり、圧電磁器板１の両面に蒸着
等により金属薄膜電極２が形成されている。この
振動子は同図ｂ，ｃに示すように支持されるもの
で、同図ｂでは絶縁基板に固定した金属の支持柱
４に一端を固着した細線３の他端を、圧電磁器板
１の両面の金属薄膜２の中心部分に導電性接着剤
等で固定する。又同図ｃでは、絶縁基板に固定し
た金属の支持具５を弾性材料で構成し、支持具５
の先端部分で圧電磁器板１の両面の金属薄膜電極
２の中心部分と接続して、振動子を保持する。
一方圧電磁器板の厚み縦振動又は厚みすべり振
動を利用した振動子は、その共振周波数が板厚に
反比例し、又振動エネルギが板の中央部に閉込め
られるので、圧電磁器板の外周部を強固に保持で
きることになり、外部振動等に対して信頼度を高
くすることができる。しかし、振動エネルギの閉
込め特性を良くする為に、振動子の外形寸法を板
厚の30倍以上に選定している。
動を利用した振動子は、その共振周波数が板厚に
反比例し、又振動エネルギが板の中央部に閉込め
られるので、圧電磁器板の外周部を強固に保持で
きることになり、外部振動等に対して信頼度を高
くすることができる。しかし、振動エネルギの閉
込め特性を良くする為に、振動子の外形寸法を板
厚の30倍以上に選定している。
例えば周波数10MHzの振動子は、板厚が約0.13
mmで直径は約３mmとなるが、周波数が１〜2MHz
では、板厚が0.7〜1.3mm、直径が20〜30mmとな
り、セラミツク振動子の特徴の一つである小形化
が実現できないことになる。この為、輪郭振動の
セラミツツク振動子は、数ＭHz以上のものが実用
化されているに過ぎない。
mmで直径は約３mmとなるが、周波数が１〜2MHz
では、板厚が0.7〜1.3mm、直径が20〜30mmとな
り、セラミツク振動子の特徴の一つである小形化
が実現できないことになる。この為、輪郭振動の
セラミツツク振動子は、数ＭHz以上のものが実用
化されているに過ぎない。
第２図は前述の厚み縦振動を利用したセラミツ
ク振動子の一例の斜視図であり、圧電磁器板７の
両面に蒸着等により金属薄膜電極８を形成し、圧
電磁器板７の周縁部を金属の保持具９で保持する
と共に、金属薄膜電極８と接続したものであつ
て、金属薄膜電極８の対向部分に振動エネルギの
大半が閉込められる。
ク振動子の一例の斜視図であり、圧電磁器板７の
両面に蒸着等により金属薄膜電極８を形成し、圧
電磁器板７の周縁部を金属の保持具９で保持する
と共に、金属薄膜電極８と接続したものであつ
て、金属薄膜電極８の対向部分に振動エネルギの
大半が閉込められる。
前述の如く、従来実用化されているセラミツク
振動子では、数百ＫHz〜数ＭHz帯では、振動子寸
法が小さくなり過ぎて製造が困難となるか、又は
大きくなり過ぎてLSI回路等との整合がとれなか
つたりする欠点があつた。又輪郭振動モードのセ
ラミツク振動子では、支持の信頼度が低い等の理
由から高周波帯用としての実用化がなされていな
かつた。
振動子では、数百ＫHz〜数ＭHz帯では、振動子寸
法が小さくなり過ぎて製造が困難となるか、又は
大きくなり過ぎてLSI回路等との整合がとれなか
つたりする欠点があつた。又輪郭振動モードのセ
ラミツク振動子では、支持の信頼度が低い等の理
由から高周波帯用としての実用化がなされていな
かつた。
本発明は、数百ＫHz〜数ＭHz帯の周波数で動作
することができると共に、製造が容易で高信頼性
のエネルギ閉込め形のセラミツク振動子を提供す
ることを目的とするものである。以下実施例につ
いて詳細に説明する。
することができると共に、製造が容易で高信頼性
のエネルギ閉込め形のセラミツク振動子を提供す
ることを目的とするものである。以下実施例につ
いて詳細に説明する。
第３図及び第４図は本発明の一実施例の斜視図
及び上面図であり、圧電磁器板１０は厚さｔ、長
さｌ、幅Ｗで、中央部分はその両側の幅より狭い
幅W′となるように凹部が形成されている。又１
１ａ〜１１ｄは蒸着等により形成した金属薄膜の
電極、１２ａ，１２ｂは端子、１３ａ，１３ｂは
金属薄膜を除去した分離帯、１４は分極方向を示
す矢印である。圧電磁器板１０の狭幅部は電極１
１ｂ，１１ｃの一部により挾まれており、端子１
２ａ，１２ｂに電圧を加えることにより、電極１
１ａ，１１ｃ間及び電極１１ｂ，１１ｄ間は等電
位となるが、電極１１ｂ，１１ｃ間の狭幅部には
電界が与えられることになる。
及び上面図であり、圧電磁器板１０は厚さｔ、長
さｌ、幅Ｗで、中央部分はその両側の幅より狭い
幅W′となるように凹部が形成されている。又１
１ａ〜１１ｄは蒸着等により形成した金属薄膜の
電極、１２ａ，１２ｂは端子、１３ａ，１３ｂは
金属薄膜を除去した分離帯、１４は分極方向を示
す矢印である。圧電磁器板１０の狭幅部は電極１
１ｂ，１１ｃの一部により挾まれており、端子１
２ａ，１２ｂに電圧を加えることにより、電極１
１ａ，１１ｃ間及び電極１１ｂ，１１ｄ間は等電
位となるが、電極１１ｂ，１１ｃ間の狭幅部には
電界が与えられることになる。
セラミツク振動子に用いる圧電磁器材料は、ポ
アソン比が１／３以下となるのが普通であり、こ
の為厚み縦振動等は、周波数上昇形のエネルギ閉
込め形振動子となることが知られている。セラミ
ツク振動子の幅方向の縦振動の共振周波数f0と振
動子寸法との関係は次式で表わされる。
アソン比が１／３以下となるのが普通であり、こ
の為厚み縦振動等は、周波数上昇形のエネルギ閉
込め形振動子となることが知られている。セラミ
ツク振動子の幅方向の縦振動の共振周波数f0と振
動子寸法との関係は次式で表わされる。
f0＝１／２・W0・ｖ〔Hz〕 ……(1)
但し、W0は振動子の幅〔ｍ〕、ｖは縦伝播速度
〔ｍ／ｓ〕である。
〔ｍ／ｓ〕である。
本発明に於いては、中央部分の幅W′が両端部
分の幅Ｗより小さいので、(1)式からも判るよう
に、中央部分の幅方向縦振動の共振周波数f1は両
端部分の幅方向縦振動の共振周波数f2よりも大き
くなる。又、両端部分に於いては対向する電極１
１ａ，１１ｃ及び１１ｂ，１１ｄが短絡されてい
るから、圧電反作用によつて弾性定数が小さくな
り、それによつて縦伝播速度ｖは小さくなるか
ら、両端部分の共振周波数f2は更に低下する。従
つて端子１２ａ，１２ｂに交流電圧を印加する
と、中央部分の狭幅部に交流電界が加わり、圧電
横効果により幅方向の縦振動が発生し、この縦振
動は周波数上昇形であり、狭幅部で励起された振
動に対して両端部分の共振周波数が低いので、伝
播定数が虚数となり、両端部分に伝播した振動は
減衰する。この結果、印加交流電界によつて励起
された振動エネルギは中央部分の狭幅部に集中す
ることになり、所謂エネルギ閉込め形の振動子と
なる。
分の幅Ｗより小さいので、(1)式からも判るよう
に、中央部分の幅方向縦振動の共振周波数f1は両
端部分の幅方向縦振動の共振周波数f2よりも大き
くなる。又、両端部分に於いては対向する電極１
１ａ，１１ｃ及び１１ｂ，１１ｄが短絡されてい
るから、圧電反作用によつて弾性定数が小さくな
り、それによつて縦伝播速度ｖは小さくなるか
ら、両端部分の共振周波数f2は更に低下する。従
つて端子１２ａ，１２ｂに交流電圧を印加する
と、中央部分の狭幅部に交流電界が加わり、圧電
横効果により幅方向の縦振動が発生し、この縦振
動は周波数上昇形であり、狭幅部で励起された振
動に対して両端部分の共振周波数が低いので、伝
播定数が虚数となり、両端部分に伝播した振動は
減衰する。この結果、印加交流電界によつて励起
された振動エネルギは中央部分の狭幅部に集中す
ることになり、所謂エネルギ閉込め形の振動子と
なる。
前述の如く振動エネルギが中央部分の狭幅部に
集中するので両端部分の端部の振動変位が零とな
り、この端部により振動子を強固に保持すること
が可能となるから、外部振動等に対する信頼度を
向上させることができる。
集中するので両端部分の端部の振動変位が零とな
り、この端部により振動子を強固に保持すること
が可能となるから、外部振動等に対する信頼度を
向上させることができる。
具体例としては、周波数2MHzの場合、ｔ＝0.1
〜0.3mm、ｌ＝７〜13mm、Ｗ１mm、W′0.9mmと
なり、このような振動子寸法であれば製造も容易
であり、又所望の共振周波数を得る為の狭幅部の
幅W′は、研削等により凹部を形成することによ
つて容易に所望の値とすることができるので、数
百ＫHz〜数ＭHzの振動子を容易に製造することが
できる。又複数の圧電磁器板１０を同時に加工す
ることも容易であるから製造コストの低減も可能
となる。
〜0.3mm、ｌ＝７〜13mm、Ｗ１mm、W′0.9mmと
なり、このような振動子寸法であれば製造も容易
であり、又所望の共振周波数を得る為の狭幅部の
幅W′は、研削等により凹部を形成することによ
つて容易に所望の値とすることができるので、数
百ＫHz〜数ＭHzの振動子を容易に製造することが
できる。又複数の圧電磁器板１０を同時に加工す
ることも容易であるから製造コストの低減も可能
となる。
第５図は本発明の一実施例の組立てた構成の斜
視図であり、第３図及び第４図と同一符号は同一
部分を示し、１５は絶縁基板、１６ａ，１６ｂは
導電性接着剤、１７ａ，１７ｂは金属の支持体で
ある。この支持体１７ａ，１７ｂは絶縁基板１５
に固定され、先端部分がＵ字状に彎曲されて導電
性接着剤１６ａ，１６ｂにより圧電磁器板１０を
保持すると共に電極１１ａ〜１１ｄとの接続が行
なわれ、第４図の端子１２ａ，１２ｂとなるもの
である。即ち、振動子の両端は振動変位が零とな
ることにより、強固な保持が可能となり、Ｕ字状
の彎曲部により対向電極間の短絡が行なわれるも
のである。なお支持構造は第５図に示す実施例の
みでなく、他の支持構造を採用し得ることは勿論
である。
視図であり、第３図及び第４図と同一符号は同一
部分を示し、１５は絶縁基板、１６ａ，１６ｂは
導電性接着剤、１７ａ，１７ｂは金属の支持体で
ある。この支持体１７ａ，１７ｂは絶縁基板１５
に固定され、先端部分がＵ字状に彎曲されて導電
性接着剤１６ａ，１６ｂにより圧電磁器板１０を
保持すると共に電極１１ａ〜１１ｄとの接続が行
なわれ、第４図の端子１２ａ，１２ｂとなるもの
である。即ち、振動子の両端は振動変位が零とな
ることにより、強固な保持が可能となり、Ｕ字状
の彎曲部により対向電極間の短絡が行なわれるも
のである。なお支持構造は第５図に示す実施例の
みでなく、他の支持構造を採用し得ることは勿論
である。
第６図は本発明の他の実施例の斜視図であり、
第５図と同一符号は同一部分を示し、１８ａ，１
８ｂはダンピング材である。前述の実施例に於い
て説明したように、狭幅部に印加される交流電界
により幅方向の縦振動が励起される。この場合、
圧電磁器板１０は圧電横効果により長さ方向にも
伸縮する振動が生じ、この振動は両端部の条件等
によつて幅屈曲振動を励起することになり、主振
動の幅方向の縦振動共振周波数近傍にスプリアス
が発生する。
第５図と同一符号は同一部分を示し、１８ａ，１
８ｂはダンピング材である。前述の実施例に於い
て説明したように、狭幅部に印加される交流電界
により幅方向の縦振動が励起される。この場合、
圧電磁器板１０は圧電横効果により長さ方向にも
伸縮する振動が生じ、この振動は両端部の条件等
によつて幅屈曲振動を励起することになり、主振
動の幅方向の縦振動共振周波数近傍にスプリアス
が発生する。
第７図は周波数応答特性を示すもので、Ａ，Ｂ
は前述の屈曲振動によるスプリアスを示すもので
ある。このようなスプリアスを抑圧するためにダ
ンピング材１８ａ，１８ｂを設けるものであり、
主振動の幅方向縦振動に影響を与えることなく、
屈曲振動を抑圧することができる。
は前述の屈曲振動によるスプリアスを示すもので
ある。このようなスプリアスを抑圧するためにダ
ンピング材１８ａ，１８ｂを設けるものであり、
主振動の幅方向縦振動に影響を与えることなく、
屈曲振動を抑圧することができる。
第８図はダンピング材１８ａ，１８ｂを設けた
実施例の周波数応答特性を示し、第７図に於ける
スプリアスＡ，Ｂは全く現われないものとなつ
た。
実施例の周波数応答特性を示し、第７図に於ける
スプリアスＡ，Ｂは全く現われないものとなつ
た。
ダンピング材１８ａ，１８ｂは、音響損失の大
きい材料、例えばエポキシ系の樹脂を用いること
ができる。又圧電磁器板１０の両端部の上部のみ
でなく、下部にはダンピング材を設けることがで
き、上下部にダンピング材を設ければ屈曲振動の
抑圧効果は一層大きくなる。
きい材料、例えばエポキシ系の樹脂を用いること
ができる。又圧電磁器板１０の両端部の上部のみ
でなく、下部にはダンピング材を設けることがで
き、上下部にダンピング材を設ければ屈曲振動の
抑圧効果は一層大きくなる。
第９図は本発明の更に他の実施例の斜視図で、
２０は圧電磁器板、２１ａ，２１ｂは電極、２３
ａは分離帯、２４は分極方向を示す矢印、２５は
絶縁基板、２６ａ，２６ｂは導電性接着剤、２７
ａ，２７ｂは金属の支持体である。圧電磁器板２
０は上下に凹部ａ，ｂが形成されて中央部分が狭
幅部となつている。又電極２１ａ，２１ｂは前述
の実施例の電極１１ａ，１１ｂに対応し、電極１
１ｃ，１１ｄに対応する電極が反対側の側面に設
けられているものである。凹部ａ，ｂを形成した
ことにより、長さ方向の伸縮による振動は、圧電
磁器板２０が対称構造である為、純粋な伸縮振動
となつて屈曲振動が生じないものとなる。この結
果、主振動の幅方向縦振動周波数の近傍に屈曲振
動に起因するスプリアス応答がなくなり、周波数
応答特性は第８図に示す特性とほぼ同じものとな
る。なお第６図に示す実施例のように、ダンピン
グ材を設けて、凹部ａ，ｂの誤差等に基く残留屈
曲振動成分を抑圧するようにすることもできる。
２０は圧電磁器板、２１ａ，２１ｂは電極、２３
ａは分離帯、２４は分極方向を示す矢印、２５は
絶縁基板、２６ａ，２６ｂは導電性接着剤、２７
ａ，２７ｂは金属の支持体である。圧電磁器板２
０は上下に凹部ａ，ｂが形成されて中央部分が狭
幅部となつている。又電極２１ａ，２１ｂは前述
の実施例の電極１１ａ，１１ｂに対応し、電極１
１ｃ，１１ｄに対応する電極が反対側の側面に設
けられているものである。凹部ａ，ｂを形成した
ことにより、長さ方向の伸縮による振動は、圧電
磁器板２０が対称構造である為、純粋な伸縮振動
となつて屈曲振動が生じないものとなる。この結
果、主振動の幅方向縦振動周波数の近傍に屈曲振
動に起因するスプリアス応答がなくなり、周波数
応答特性は第８図に示す特性とほぼ同じものとな
る。なお第６図に示す実施例のように、ダンピン
グ材を設けて、凹部ａ，ｂの誤差等に基く残留屈
曲振動成分を抑圧するようにすることもできる。
以上説明したように、本発明は、厚さ方向に全
体が分極され、長さ方向の中央部分の幅W′を両
端部分の幅Ｗより小さくした狭幅部を有する圧電
磁器板１０，２０と、圧電磁器板の一方の側面と
他方の側面とにそれぞれ蒸着等により形成した金
属薄膜を、長さ方向の異なる位置で狭幅部を挾む
ように分離帯１３ａ，１３ｂにより分離した電極
１１ａ〜１１ｄと、長さ方向の両端部で対向する
電極１１ａ，１１ｃ及び１１ｂ，１１ｄを相互に
接続した端子１２ａ，１２ｂとを備えたもので、
端子１２ａ，１２ｂに交流電圧を印加することに
より狭幅部には交流電界が加えられて幅方向の縦
振動が生じ、その両側部分では狭幅部で生じた縦
振動が伝播しても減衰させる作用を行なうことに
なり、両端部を強固に保持することができ、支持
体を端子１２ａ，１２ｂとすることができる。
体が分極され、長さ方向の中央部分の幅W′を両
端部分の幅Ｗより小さくした狭幅部を有する圧電
磁器板１０，２０と、圧電磁器板の一方の側面と
他方の側面とにそれぞれ蒸着等により形成した金
属薄膜を、長さ方向の異なる位置で狭幅部を挾む
ように分離帯１３ａ，１３ｂにより分離した電極
１１ａ〜１１ｄと、長さ方向の両端部で対向する
電極１１ａ，１１ｃ及び１１ｂ，１１ｄを相互に
接続した端子１２ａ，１２ｂとを備えたもので、
端子１２ａ，１２ｂに交流電圧を印加することに
より狭幅部には交流電界が加えられて幅方向の縦
振動が生じ、その両側部分では狭幅部で生じた縦
振動が伝播しても減衰させる作用を行なうことに
なり、両端部を強固に保持することができ、支持
体を端子１２ａ，１２ｂとすることができる。
共振周波数は狭幅部の幅W′で定まることにな
り、数百ＫHz〜数ＭHz帯用でも製造容易な寸法と
なると共に、振動子の支持を強固にすることが可
能であるから、廉価且つ高信頼度のセラミツク振
動子を提供することができることになる。
り、数百ＫHz〜数ＭHz帯用でも製造容易な寸法と
なると共に、振動子の支持を強固にすることが可
能であるから、廉価且つ高信頼度のセラミツク振
動子を提供することができることになる。
又、圧電磁器板の端部条件等により屈曲振動が
生じる場合は、ダンピング材１８ａ，１８ｂを設
けることにより屈曲振動を抑圧し、主振動の幅方
向の縦振動周波数近傍に生じるスプリアスを抑圧
することができる。従つて圧電磁器板の寸法比の
選定や支持手段の選定による制約が緩和されるこ
とになる。
生じる場合は、ダンピング材１８ａ，１８ｂを設
けることにより屈曲振動を抑圧し、主振動の幅方
向の縦振動周波数近傍に生じるスプリアスを抑圧
することができる。従つて圧電磁器板の寸法比の
選定や支持手段の選定による制約が緩和されるこ
とになる。
又前述の屈曲振動は、圧電磁器板の長手方向の
中央部分の上部と下部とに凹部を対称的に形成し
て狭幅部とすることにより抑圧することができる
ものであり、対称構造により純粋な伸縮振動とな
つて屈曲振動は生じないものとなる。
中央部分の上部と下部とに凹部を対称的に形成し
て狭幅部とすることにより抑圧することができる
ものであり、対称構造により純粋な伸縮振動とな
つて屈曲振動は生じないものとなる。
第１図ａ〜ｃは従来の円板の広り振動を利用し
た振動子の斜視図及び保持手段を示す側面図、第
２図は従来の厚み縦振動を利用した振動子の斜視
図、第３図は本発明の一実施例の斜視図、第４図
は上面図、第５図、第６図及び第９図は本発明の
それぞれ異なる実施例の斜視図、第７図及び第８
図は周波数応答特性曲線図である。 １０，２０は圧電磁器板、１１ａ〜１１ｄ，２
１ａ，２１ｂは電極、１２ａ，１２ｂは端子、１
３ａ，１３ｂ，２３ａは分離帯、１４，２４は分
極方向を示す矢印、１５，２５は絶縁基板、１６
ａ，１６ｂ，２６ａ，２６ｂは導電性接着剤、１
７ａ，１７ｂ，２７ａ，２７ｂは支持体、１８
ａ，１８ｂはダンピング材である。
た振動子の斜視図及び保持手段を示す側面図、第
２図は従来の厚み縦振動を利用した振動子の斜視
図、第３図は本発明の一実施例の斜視図、第４図
は上面図、第５図、第６図及び第９図は本発明の
それぞれ異なる実施例の斜視図、第７図及び第８
図は周波数応答特性曲線図である。 １０，２０は圧電磁器板、１１ａ〜１１ｄ，２
１ａ，２１ｂは電極、１２ａ，１２ｂは端子、１
３ａ，１３ｂ，２３ａは分離帯、１４，２４は分
極方向を示す矢印、１５，２５は絶縁基板、１６
ａ，１６ｂ，２６ａ，２６ｂは導電性接着剤、１
７ａ，１７ｂ，２７ａ，２７ｂは支持体、１８
ａ，１８ｂはダンピング材である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 厚さ方向に全体が分極され、長さ方向の中央
部分の幅を両端部分の幅より小さくした狭幅部を
有する圧電磁器板、該圧電磁器板の一方の側面と
他方の側面とにそれぞれ形成した金属薄膜を、長
さ方向のそれぞれ異なる位置で前記狭幅部を挾む
ように分離帯で分離した電極、前記圧電磁器板の
長さ方向の両端部に於ける対向電極を相互に接続
した端子とを備えたことを特徴とするセラミツク
振動子。 ２ 厚さ方向に全体が分極され、長さ方向の中央
部分の幅を両端部分の幅より小さくした狭幅部を
有する圧電磁器板、該圧電磁器板の一方の側面と
他方の側面とにそれぞれ形成した金属薄膜を、長
さ方向のそれぞれ異なる位置で前記狭幅部を挾む
ように分離帯で分離した電極、前記圧電磁器板の
長さ方向の両端部に於ける対向電極を相互に接続
した端子、前記圧電磁器板の長さ方向の両端部の
少なくとも上部に設けてスプリアスを抑圧するダ
ンピング材とを備えたことを特徴とするセラミツ
ク振動子。 ３ 厚さ方向に全体が分極され、長さ方向の中央
部分の幅を両端部分の幅より小さくするように上
部と下部との凹部により狭幅部を形成した圧電磁
器板、該圧電磁器板の一方の側面と他方の側面と
にそれぞれ形成した金属薄膜を、長さ方向のそれ
ぞれ異なる位置で前記狭幅部を挾むように分離帯
で分離した電極、前記圧電磁器板の長さ方向の両
端部に於ける対向電極を相互に接続した端子とを
備えたことを特徴とするセラミツク振動子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12325281A JPS5824216A (ja) | 1981-08-06 | 1981-08-06 | セラミツク振動子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12325281A JPS5824216A (ja) | 1981-08-06 | 1981-08-06 | セラミツク振動子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5824216A JPS5824216A (ja) | 1983-02-14 |
| JPS6348448B2 true JPS6348448B2 (ja) | 1988-09-29 |
Family
ID=14855965
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12325281A Granted JPS5824216A (ja) | 1981-08-06 | 1981-08-06 | セラミツク振動子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5824216A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6359012A (ja) * | 1986-08-27 | 1988-03-14 | Murata Mfg Co Ltd | 複合電子部品 |
| JPH08316776A (ja) * | 1996-03-29 | 1996-11-29 | Murata Mfg Co Ltd | 複合電子部品 |
-
1981
- 1981-08-06 JP JP12325281A patent/JPS5824216A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5824216A (ja) | 1983-02-14 |
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