JPS6348809A - スパイラルインダクタ - Google Patents
スパイラルインダクタInfo
- Publication number
- JPS6348809A JPS6348809A JP19422286A JP19422286A JPS6348809A JP S6348809 A JPS6348809 A JP S6348809A JP 19422286 A JP19422286 A JP 19422286A JP 19422286 A JP19422286 A JP 19422286A JP S6348809 A JPS6348809 A JP S6348809A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive part
- insulating layer
- semiconductor substrate
- winding
- conductor part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、半導体基板上に形成される超高周波用のス
パイラルインダクタに関するものである。
パイラルインダクタに関するものである。
第３図（、）は従来のストリップライン形スパイラルイ
ングクタの構成例を示す上面図、第３図（ｂ）は第３図
（ａ）のＢ−Ｂ’綿における断面図である。これらの図
において、１は半導体基板、２は信号取出し導体部、３
は巻線導体部、４は信号入力導体部、５は絶縁層で、交
叉部において巻線導体部３と信号取出し導体部２とを絶
縁するために低誘電率のポリイミド樹脂または絶縁性半
導体から構成される。６は前記半導体基板１の裏面のス
トリップライン用接地金属層である。
ングクタの構成例を示す上面図、第３図（ｂ）は第３図
（ａ）のＢ−Ｂ’綿における断面図である。これらの図
において、１は半導体基板、２は信号取出し導体部、３
は巻線導体部、４は信号入力導体部、５は絶縁層で、交
叉部において巻線導体部３と信号取出し導体部２とを絶
縁するために低誘電率のポリイミド樹脂または絶縁性半
導体から構成される。６は前記半導体基板１の裏面のス
トリップライン用接地金属層である。
第３図（ａ）、（ｂ）に示した従来のス）・リップライ
ン形スパイラルインダククは、半導体基板１上の全面に
金属蒸着を施した後、光露光法により微細パターンを形
成して構成される。この構成では、信号取出し導体部２
と巻線導体部３との間は絶縁層５で絶縁されている。
ン形スパイラルインダククは、半導体基板１上の全面に
金属蒸着を施した後、光露光法により微細パターンを形
成して構成される。この構成では、信号取出し導体部２
と巻線導体部３との間は絶縁層５で絶縁されている。
また、超高周波用のスパイラルインダクタでは、その導
体幅が数μｍから１０μｍ、導体金属厚が数μｍ前後、
絶縁層５の厚さが数μｍ前後の値をもつ。このような構
成でのスパイラルインダクタは、半導体基板１の表面に
一層のスパイラル構成で形成され、信号取出し導体部２
は、巻線導体部３の厚さと絶縁層５の厚さとの和の高さ
の段差を越して配線する必要がある。
体幅が数μｍから１０μｍ、導体金属厚が数μｍ前後、
絶縁層５の厚さが数μｍ前後の値をもつ。このような構
成でのスパイラルインダクタは、半導体基板１の表面に
一層のスパイラル構成で形成され、信号取出し導体部２
は、巻線導体部３の厚さと絶縁層５の厚さとの和の高さ
の段差を越して配線する必要がある。
上記のような従来のスパイラルインダクタでは、半導体
基板１の表面に一層のスパイラル構成で形成されるため
、電磁界が洩れて外部筐体等の影響を受はインダクタン
ス値が変わる。また、巻線導体部３の厚さとその上の絶
縁層５の厚さとの和の高さの段差を越して微細な信号取
出し導体部２を形成するので、信号取出し導体部２の断
線および線路抵抗の増加を招くという問題点があった。
基板１の表面に一層のスパイラル構成で形成されるため
、電磁界が洩れて外部筐体等の影響を受はインダクタン
ス値が変わる。また、巻線導体部３の厚さとその上の絶
縁層５の厚さとの和の高さの段差を越して微細な信号取
出し導体部２を形成するので、信号取出し導体部２の断
線および線路抵抗の増加を招くという問題点があった。
この発明は、かかる問題点を解決するためになされたも
ので、電磁界が洩れず、また、信号取出し導体部の断線
および線路抵抗の増加を招くことのないスパイラルイン
ダクタを得ろことを目的とする。
ので、電磁界が洩れず、また、信号取出し導体部の断線
および線路抵抗の増加を招くことのないスパイラルイン
ダクタを得ろことを目的とする。
この発明に係るスパイラルインダクタは、半導体基板の
表面をスパイラル状に掘り込んだグループ状溝内に形成
した巻線導体部と、グループ状溝を平面状に埋め込む絶
縁層を介して巻線導体部上を横切るとともに、絶縁層中
に形成した貫通金属層を介して＠線導体部と接続される
信号入力導体部または信号取出し導体部と、半導体基板
上に形成され、同じく絶縁層中に形成した貫通金属層を
介して巻線導体部と接続される信号取出し導体部または
信号入力導体部とから構成しなものである。
表面をスパイラル状に掘り込んだグループ状溝内に形成
した巻線導体部と、グループ状溝を平面状に埋め込む絶
縁層を介して巻線導体部上を横切るとともに、絶縁層中
に形成した貫通金属層を介して＠線導体部と接続される
信号入力導体部または信号取出し導体部と、半導体基板
上に形成され、同じく絶縁層中に形成した貫通金属層を
介して巻線導体部と接続される信号取出し導体部または
信号入力導体部とから構成しなものである。
この発明においては、巻線導体部の電磁界が半導体基板
および絶縁層によって遮断され、信号入力導体部または
信号取出し導体部は平坦に形成される。
および絶縁層によって遮断され、信号入力導体部または
信号取出し導体部は平坦に形成される。
第１図（ａ）はこの発明のスパイラルインダクタの一実
施例を示す平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−
Ａ’線における断面図である。これらの図において、第
３図（ａ）、（ｂ）と同一符号は同一部分を示し、３ａ
は前記信号取出し導体部２の直下の巻線導体部、７は前
記半導体基板１の表面をスパイラル状に堀り込んだグル
ープ状溝、８は前記絶縁層５中の貫通金属層である。
施例を示す平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−
Ａ’線における断面図である。これらの図において、第
３図（ａ）、（ｂ）と同一符号は同一部分を示し、３ａ
は前記信号取出し導体部２の直下の巻線導体部、７は前
記半導体基板１の表面をスパイラル状に堀り込んだグル
ープ状溝、８は前記絶縁層５中の貫通金属層である。
すなわち、この発明のスパイラルインダクタは、第２図
（ａ）、（ｂ）に示すように形成したグループ状溝７内
に巻線導体部３を形成し、グループ状溝７を平面状に埋
め込む絶縁層５を介して信号取出し導体部２を形成した
ので、電磁界が洩れない。
（ａ）、（ｂ）に示すように形成したグループ状溝７内
に巻線導体部３を形成し、グループ状溝７を平面状に埋
め込む絶縁層５を介して信号取出し導体部２を形成した
ので、電磁界が洩れない。
また、信号取出し導体部２を平面上に形成し、貫通金属
層８を介して巻線導体部３に接続したので、断線および
線路抵抗の増加を招くことがない。
層８を介して巻線導体部３に接続したので、断線および
線路抵抗の増加を招くことがない。
なお、信号取出し導体部２の直下の巻線導体部３ａ以外
の巻線導体部３の上部には必ずしも絶縁層５は必要でな
いが、さらに、電磁界洩れを防ぐためには、高誘電率の
絶縁層をスパッタ等で埋め込めばよい。
の巻線導体部３の上部には必ずしも絶縁層５は必要でな
いが、さらに、電磁界洩れを防ぐためには、高誘電率の
絶縁層をスパッタ等で埋め込めばよい。
また、上記実施例では、グループ状溝７の断面形状を四
角形としたが、これを円形としてもよいことはいうまで
もない。
角形としたが、これを円形としてもよいことはいうまで
もない。
この発明は以上説明したとおり、半導体基板の表面をス
パイラル状に堀り込んだグループ状溝内に形成した巻線
導体部と、グループ状溝を平面状に埋め込む絶縁層を介
して巻線導体部上を横切るとともに、絶縁層中に形成し
た貫通金属層を介して巻線導体部と接続される信号入力
導体部または信号取出し導体部と、半導体基板上に形成
され、同じく絶縁層中に形成した貫通金属層を介して巻
線導体部と接続される信号取出し導体部または信号入力
導体部とから構成したので、Ｓ磁界が洩れることによる
外部筐体等の影響を少なくすることができるうえ、信号
取出し導体部に段差が生じず、断線や線路抵抗の増大を
避けることができるという効果がある。
パイラル状に堀り込んだグループ状溝内に形成した巻線
導体部と、グループ状溝を平面状に埋め込む絶縁層を介
して巻線導体部上を横切るとともに、絶縁層中に形成し
た貫通金属層を介して巻線導体部と接続される信号入力
導体部または信号取出し導体部と、半導体基板上に形成
され、同じく絶縁層中に形成した貫通金属層を介して巻
線導体部と接続される信号取出し導体部または信号入力
導体部とから構成したので、Ｓ磁界が洩れることによる
外部筐体等の影響を少なくすることができるうえ、信号
取出し導体部に段差が生じず、断線や線路抵抗の増大を
避けることができるという効果がある。
第１図（ａ）はこの発明のスパイラルインダクタの一実
施例を示す平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−
Ａ’線におけろ断面図、第２図はこの発明におけるグル
ープ状溝を示す図、第３図（ａ）は従来のスパイラルイ
ンダクタの構成例を示す上面図、第３図（ｂ）は第３図
（＆）のＢ−Ｂ’綿における断面図である。 図において、１は半導体基板、２は信号取出し導体部、
３，３ａは巻線導体部、４は信号入力導体部、５は絶縁
層、６はス）・リップライン用接地金属層、７はグルー
プ状溝、８は貫通金属層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 第３図
施例を示す平面図、第１図（ｂ）は第１図（ａ）のＡ−
Ａ’線におけろ断面図、第２図はこの発明におけるグル
ープ状溝を示す図、第３図（ａ）は従来のスパイラルイ
ンダクタの構成例を示す上面図、第３図（ｂ）は第３図
（＆）のＢ−Ｂ’綿における断面図である。 図において、１は半導体基板、２は信号取出し導体部、
３，３ａは巻線導体部、４は信号入力導体部、５は絶縁
層、６はス）・リップライン用接地金属層、７はグルー
プ状溝、８は貫通金属層である。 なお、各図中の同一符号は同一または相当部分を示す。 代理人 大 岩 増 雄 （外２名）第１図 第２図 第３図
Claims (1)
- 半導体基板上に構成される一層の巻線状のスパイラル
インダクタにおいて、前記半導体基板の表面をスパイラ
ル状に堀り込んだグループ状溝内に形成した巻線導体部
と、前記グループ状溝を平面状に埋め込む絶縁層を介し
て前記巻線導体部上を横切るとともに、前記絶縁層中に
形成した貫通金属層を介して前記巻線導体部と接続され
る信号入力導体部または信号取出し導体部と、前記半導
体基板上に形成され、同じく前記絶縁層中に形成した貫
通金属層を介して前記巻線導体部と接続される信号取出
し導体部または信号入力導体部とから構成したことを特
徴とするスパイラルインダクタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19422286A JPS6348809A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | スパイラルインダクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19422286A JPS6348809A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | スパイラルインダクタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6348809A true JPS6348809A (ja) | 1988-03-01 |
Family
ID=16320988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19422286A Pending JPS6348809A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | スパイラルインダクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6348809A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0461210A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | インダクタンス素子形成法 |
| US5113689A (en) * | 1989-09-11 | 1992-05-19 | Fabriques De Tabac Reunies, S.A. | Cigarette sidestream smoke collection apparatus |
| JPH0562836A (ja) * | 1991-09-03 | 1993-03-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置とその製造方法 |
| JP2002299121A (ja) * | 2001-04-02 | 2002-10-11 | Kawasaki Steel Corp | 平面磁気素子 |
| JP2009283946A (ja) * | 2003-02-12 | 2009-12-03 | Moog Inc | トルク・モータ |
| US7842580B2 (en) | 2008-05-19 | 2010-11-30 | International Business Machines Corporation | Structure and method for buried inductors for ultra-high resistivity wafers for SOI/RF SiGe applications |
| US8232173B2 (en) | 2010-11-01 | 2012-07-31 | International Business Machines Corporation | Structure and design structure for high-Q value inductor and method of manufacturing the same |
| JP2017028686A (ja) * | 2015-07-17 | 2017-02-02 | ローム株式会社 | チップフィルタ |
-
1986
- 1986-08-19 JP JP19422286A patent/JPS6348809A/ja active Pending
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5113689A (en) * | 1989-09-11 | 1992-05-19 | Fabriques De Tabac Reunies, S.A. | Cigarette sidestream smoke collection apparatus |
| JPH0461210A (ja) * | 1990-06-29 | 1992-02-27 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | インダクタンス素子形成法 |
| JPH0562836A (ja) * | 1991-09-03 | 1993-03-12 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置とその製造方法 |
| JP2002299121A (ja) * | 2001-04-02 | 2002-10-11 | Kawasaki Steel Corp | 平面磁気素子 |
| JP2009283946A (ja) * | 2003-02-12 | 2009-12-03 | Moog Inc | トルク・モータ |
| US7842580B2 (en) | 2008-05-19 | 2010-11-30 | International Business Machines Corporation | Structure and method for buried inductors for ultra-high resistivity wafers for SOI/RF SiGe applications |
| US8188570B2 (en) | 2008-05-19 | 2012-05-29 | International Business Machines Corporation | Structure and method for buried inductors for ultra-high resistivity wafers for SOI/RF SiGe applications |
| US8487379B2 (en) | 2008-05-19 | 2013-07-16 | International Business Machines Corporation | Structure and method for buried inductors for ultra-high resistivity wafers for SOI/RF SiGe applications |
| US8232173B2 (en) | 2010-11-01 | 2012-07-31 | International Business Machines Corporation | Structure and design structure for high-Q value inductor and method of manufacturing the same |
| US8645898B2 (en) | 2010-11-01 | 2014-02-04 | International Business Machines Corporation | Structure and design structure for high-Q value inductor and method of manufacturing the same |
| JP2017028686A (ja) * | 2015-07-17 | 2017-02-02 | ローム株式会社 | チップフィルタ |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5936298A (en) | Method for realizing magnetic circuits in an integrated circuit | |
| US3614554A (en) | Miniaturized thin film inductors for use in integrated circuits | |
| JPH0377360A (ja) | 半導体装置 | |
| WO1996028832A1 (en) | High q integrated inductor | |
| KR100420948B1 (ko) | 병렬 분기 구조의 나선형 인덕터 | |
| JPS6348809A (ja) | スパイラルインダクタ | |
| KR940005555B1 (ko) | 박막자기헤드 | |
| US4318148A (en) | Thin-film magnetic head | |
| US4149205A (en) | Magnetic head and process for making laminated magnetic head | |
| JPS59175108A (ja) | 扁平コイル | |
| JPH01282715A (ja) | 薄膜ヘッド | |
| JPH11274412A (ja) | 半導体集積回路用誘導性素子 | |
| JPS58188115A (ja) | 誘導性素子の形成方法 | |
| US6740956B1 (en) | Metal trace with reduced RF impedance resulting from the skin effect | |
| KR19980020010A (ko) | 스피럴 인덕터의 구조 | |
| JPH07183458A (ja) | 半導体装置 | |
| US6580146B2 (en) | Inductive structure integrated on a semiconductor substrate | |
| JPS61125202A (ja) | サ−キユレ−タ | |
| JPH10270248A (ja) | スパイラルインダクタ | |
| JPH0484404A (ja) | 集積回路用インダクタおよびトランス | |
| JPS6269545A (ja) | スパイラルインダクタ | |
| KR100709782B1 (ko) | 고주파 반도체 수동 소자 및 그 제조 방법 | |
| JPH06132131A (ja) | 薄膜形磁気誘導素子 | |
| JPH04280407A (ja) | モノリシックインダクタ | |
| JPH0249684Y2 (ja) |