JPS6350048A - セラミツク電子部品の製造方法 - Google Patents
セラミツク電子部品の製造方法Info
- Publication number
- JPS6350048A JPS6350048A JP61194980A JP19498086A JPS6350048A JP S6350048 A JPS6350048 A JP S6350048A JP 61194980 A JP61194980 A JP 61194980A JP 19498086 A JP19498086 A JP 19498086A JP S6350048 A JPS6350048 A JP S6350048A
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- JP
- Japan
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- sheet
- paste
- lead pin
- lead
- ceramic
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- Pending
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- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、集積回路基板モジュール等のセラミック電
子部品の製造方法に関し、さらに詳しくいうと、セラミ
ックシートに外部の回路に接続するためのリードピンが
埋設された電子部品に関する。
子部品の製造方法に関し、さらに詳しくいうと、セラミ
ックシートに外部の回路に接続するためのリードピンが
埋設された電子部品に関する。
800〜1000℃という比較的低い温度で焼成可能な
絶縁セラミクスの開発に伴い、未焼結のセラミックシー
トにNi等の卑金属を用いたメタライペーストを印刷し
、これらセラミックシートとメタライズペーストとを、
不活性ガス雰囲気や還元雰囲気等の非酸化雰囲気で同時
焼成する方法が既に一般化している。
絶縁セラミクスの開発に伴い、未焼結のセラミックシー
トにNi等の卑金属を用いたメタライペーストを印刷し
、これらセラミックシートとメタライズペーストとを、
不活性ガス雰囲気や還元雰囲気等の非酸化雰囲気で同時
焼成する方法が既に一般化している。
さらに、この種のセラミック電子部品では。
セラミックシートに凹部や貫通孔を設け、この中に導電
製または絶縁製のペーストを充填すると共に、この中に
リードピンを挿入し、上記ペーストをセラミックシート
と同時に焼成し、リードピンをセラミックシートに固着
する方法も既に提案されている。この場合、上記リード
ピ □ンには、Fe、Ni、Cr等の卑金属またはこれ
らの合金で、耐酸化性の高いものが使用される。
製または絶縁製のペーストを充填すると共に、この中に
リードピンを挿入し、上記ペーストをセラミックシート
と同時に焼成し、リードピンをセラミックシートに固着
する方法も既に提案されている。この場合、上記リード
ピ □ンには、Fe、Ni、Cr等の卑金属またはこれ
らの合金で、耐酸化性の高いものが使用される。
しかし、上記の方法では、脱バインダ処理の時に、未焼
結のセラミックシートから発散した有機成分がリードピ
ンの表面に付着し1表面が荒れたり、酸化被膜が形成さ
れる。このため実際には、焼成後にリードピンを研磨す
る必要があり、同時焼成による工程簡略化の利点を充分
生かしきれない。
結のセラミックシートから発散した有機成分がリードピ
ンの表面に付着し1表面が荒れたり、酸化被膜が形成さ
れる。このため実際には、焼成後にリードピンを研磨す
る必要があり、同時焼成による工程簡略化の利点を充分
生かしきれない。
この発明は、従来のセラミック電子部品製造方法におけ
る上記の問題点を解決するためなされたもので、その目
的は、リードピンへの有機成分の付着を確実に防止する
ことを目的とする。
る上記の問題点を解決するためなされたもので、その目
的は、リードピンへの有機成分の付着を確実に防止する
ことを目的とする。
この発明による方法を1図面の符号を引用しながら説明
すると5未焼結のセラミックシート1にリードピン収納
部3.3−を設け、まず。
すると5未焼結のセラミックシート1にリードピン収納
部3.3−を設け、まず。
同シート1を脱バインダ処理する。その後、リードピン
収納部3,3−にペースト5を充填すると共に、同収納
部3.3−にリードピン2゜2−を挿入し、上記未焼結
のセラミックシート1とペースト5を非酸化雰囲気で焼
成する。
収納部3,3−にペースト5を充填すると共に、同収納
部3.3−にリードピン2゜2−を挿入し、上記未焼結
のセラミックシート1とペースト5を非酸化雰囲気で焼
成する。
なお、リードピン収納部3.3−は9通常の場合1貫通
孔や四部等で、この中にリードピン2.2−を挿入する
。また、ペースト5は、導電性のメタライズペーストや
絶縁性のセラミックペーストが使用される。
孔や四部等で、この中にリードピン2.2−を挿入する
。また、ペースト5は、導電性のメタライズペーストや
絶縁性のセラミックペーストが使用される。
上記の方法では、リードピン収納部3,3−へのリード
ピン2,2 の取付は前に、セラミックシー1−1を脱
バインダ処理しているため。
ピン2,2 の取付は前に、セラミックシー1−1を脱
バインダ処理しているため。
その後の焼成工程で、セラミックシート1に含まれる有
機成分が発散し7 リードピン2. 2−に付着するこ
とがない。
機成分が発散し7 リードピン2. 2−に付着するこ
とがない。
次に2図面を参照しながらこの考案の実施例について説
明する。
明する。
まず、Al103.SiO2,CaO,MgO,B20
3を主体とする磁器原料に、バインダとしてポリビニル
アルコールを加え、常法により磁器スラリを作り、これ
をドクターブレード法で延伸し、未焼結のセラミックシ
ー+−i。
3を主体とする磁器原料に、バインダとしてポリビニル
アルコールを加え、常法により磁器スラリを作り、これ
をドクターブレード法で延伸し、未焼結のセラミックシ
ー+−i。
いわゆるグリーンシートを作った。さらに、このセラミ
ックシート1にリードピン収納部3゜3−とじて、第1
図に示すような貫通孔を設けた。
ックシート1にリードピン収納部3゜3−とじて、第1
図に示すような貫通孔を設けた。
次に、このセラミックシート1を400℃の温度で加熱
することにより、脱バインダ処理した。
することにより、脱バインダ処理した。
その後、この表面に、Niを主体とするメタライズペー
ストを用いて1図示されてない電極や配線パターンを印
刷すると共に、上記リードピン収納部3.3−にペース
ト5としてメタライズペーストを充填した。
ストを用いて1図示されてない電極や配線パターンを印
刷すると共に、上記リードピン収納部3.3−にペース
ト5としてメタライズペーストを充填した。
次いで、第2図で示すように、Ni合金製のリードピン
2.2−を上記リードピン収納部3゜3−に差込み、こ
の状態で、セラミックシート1を焼成炉に入れ、不活性
ガス雰囲気で最高1000℃の温度でセラミックシート
1とペースト5を同時焼成した。これにより、第1図と
第3図で示すような集積回路基板モジュールを構成した
。
2.2−を上記リードピン収納部3゜3−に差込み、こ
の状態で、セラミックシート1を焼成炉に入れ、不活性
ガス雰囲気で最高1000℃の温度でセラミックシート
1とペースト5を同時焼成した。これにより、第1図と
第3図で示すような集積回路基板モジュールを構成した
。
セラミックシート1は、1闇だけでなく、第4図で示す
ように、多層に積層することもできる。この場合は、積
層するセラミックシート1゜1−の対応する位置にリー
ドピン収納部3.3・−とじて連続する貫通孔を設け、
ここにリードピン2,2−を貫通させる。また、リード
ピン収納部3.3−とじて、上記のような貫通孔の他、
第4図において最下層のセラミックシート1のように、
一端が閉じた凹部を設けることもできる。リードピン2
.2−の材質は、Fe。
ように、多層に積層することもできる。この場合は、積
層するセラミックシート1゜1−の対応する位置にリー
ドピン収納部3.3・−とじて連続する貫通孔を設け、
ここにリードピン2,2−を貫通させる。また、リード
ピン収納部3.3−とじて、上記のような貫通孔の他、
第4図において最下層のセラミックシート1のように、
一端が閉じた凹部を設けることもできる。リードピン2
.2−の材質は、Fe。
Ni、Cr等の卑金属またはこれらの合金で。
耐酸化性の高いものが使用されるが、できるだけセラミ
ックシート1と熱膨張係数が近いものが望ましい。
ックシート1と熱膨張係数が近いものが望ましい。
なお、この発明は、上記実施例において示した集積回路
基板モジュールだけでなく、セラミ7クパツケージ、ピ
ンボード、築積回路搭載用補助基板、その他セラミック
シー1・1にリードピン2.2−を貫通させる部品の製
造全般に適用することができる。
基板モジュールだけでなく、セラミ7クパツケージ、ピ
ンボード、築積回路搭載用補助基板、その他セラミック
シー1・1にリードピン2.2−を貫通させる部品の製
造全般に適用することができる。
以上説明した通り、この発明によれば、未焼結のセラミ
ックシートに含まれる有機成分が。
ックシートに含まれる有機成分が。
焼成時にリードピンに付着して、その表面を荒らしたり
、酸化被膜を形成したりすることがない。従って、焼成
後の研磨工程が不要になる等。
、酸化被膜を形成したりすることがない。従って、焼成
後の研磨工程が不要になる等。
同時焼成による工程の簡略化の利点をそのま−活かすこ
とができるようになる。
とができるようになる。
第1図は、この発明の方法により製造された集積回路基
板モジュールの一例を示す縦断斜視図、第2図と第3図
は、同集積回路基板モジュールの製造手順を示す斜視図
、第4図は、集積回路基板モジュールの他の例を示す縦
断斜視図である。
板モジュールの一例を示す縦断斜視図、第2図と第3図
は、同集積回路基板モジュールの製造手順を示す斜視図
、第4図は、集積回路基板モジュールの他の例を示す縦
断斜視図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、セラミックシート1にリードピン2、2・・・を埋
め込み、これを上記セラミック基板1に固着したセラミ
ック電子部品の製造方法において、未焼結のセラミック
シート1にリードピン収納部3、3・・・を設け、同シ
ート1を脱バインダ処理した後、リードピン収納部3、
3・・・にペースト5を充填すると共に、リードピン2
、2・・・を挿入し、上記未焼結のセラミックシート1
とペースト5を非酸化雰囲気で焼成してなることを特徴
とするセラミック電子部品の製造方法。 2、リードピン収納部3が貫通孔である特許請求の範囲
第1項記載の製造方法。 3、リードピン収納部3が凹部である特許請求の範囲第
1項記載の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61194980A JPS6350048A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | セラミツク電子部品の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61194980A JPS6350048A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | セラミツク電子部品の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6350048A true JPS6350048A (ja) | 1988-03-02 |
Family
ID=16333538
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61194980A Pending JPS6350048A (ja) | 1986-08-19 | 1986-08-19 | セラミツク電子部品の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6350048A (ja) |
-
1986
- 1986-08-19 JP JP61194980A patent/JPS6350048A/ja active Pending
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