JPS6352073A - バ−ンインの間にeprom型半導体デバイスをテストするための方法及び装置 - Google Patents
バ−ンインの間にeprom型半導体デバイスをテストするための方法及び装置Info
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- JPS6352073A JPS6352073A JP62182109A JP18210987A JPS6352073A JP S6352073 A JPS6352073 A JP S6352073A JP 62182109 A JP62182109 A JP 62182109A JP 18210987 A JP18210987 A JP 18210987A JP S6352073 A JPS6352073 A JP S6352073A
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- G—PHYSICS
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
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-
- G—PHYSICS
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、一般に集積回路の製造技術に関し、より詳細
には、それが製造フロー中に挿入されたときに、多くの
点で製造プロセス自身にとって重要な部分であると考え
られる品質管理操作に関する。
には、それが製造フロー中に挿入されたときに、多くの
点で製造プロセス自身にとって重要な部分であると考え
られる品質管理操作に関する。
本発明は実際に、集積回路、特に読み出し専用タイプの
EPROMメモリ (消去可能でプログラム可能な読み
出し専用メモリの頭字語)のセクションを含む集積回路
の機能とパラメトリック特性をテストするための装置と
方法に関する。
EPROMメモリ (消去可能でプログラム可能な読み
出し専用メモリの頭字語)のセクションを含む集積回路
の機能とパラメトリック特性をテストするための装置と
方法に関する。
(従来技術とその問題点)
半導体デバイスの品質と信頬性は、製造プロセスで使用
される技術に加えて、ユーザーに引き渡される前に製品
が受ける一連のテストに起因するものである。
される技術に加えて、ユーザーに引き渡される前に製品
が受ける一連のテストに起因するものである。
最も過酷な技術の一つとして認識されている技術は、半
導体デバイスの集団中の初期の廃却率を促進するために
、典型的には85℃から150℃までの特別に高い温度
にデバイスを曙す技術である。当業者間で「バーンイン
」としても知られるこのテストは、製造プロセス及び/
又は取り扱いの間にいつくかの欠陥を生じさせ従って得
られるその構造がいくつかの性能の不確定な素子を含む
これらのデバイスの欠損を引き起こしあるいは刺激する
という目的を有している。
導体デバイスの集団中の初期の廃却率を促進するために
、典型的には85℃から150℃までの特別に高い温度
にデバイスを曙す技術である。当業者間で「バーンイン
」としても知られるこのテストは、製造プロセス及び/
又は取り扱いの間にいつくかの欠陥を生じさせ従って得
られるその構造がいくつかの性能の不確定な素子を含む
これらのデバイスの欠損を引き起こしあるいは刺激する
という目的を有している。
前記バーンイン処理は、数千のデバイスを、長時間熱処
理チャンバーへ好適に挿入される適切なカード上にi!
置された並列のソケット中へ差し込むことを必要とする
ため、前記デバイスの一連の機能テストを、前記バーン
インチャンバーへのそれらの「捕捉」の間に行えること
が経済的に望ましいことになる。この要求は、メモリ及
び論理回路の密度と複雑性が増加するにつれて強くなり
、これにより、より長いテスト時間を必要とすることに
なる。
理チャンバーへ好適に挿入される適切なカード上にi!
置された並列のソケット中へ差し込むことを必要とする
ため、前記デバイスの一連の機能テストを、前記バーン
インチャンバーへのそれらの「捕捉」の間に行えること
が経済的に望ましいことになる。この要求は、メモリ及
び論理回路の密度と複雑性が増加するにつれて強くなり
、これにより、より長いテスト時間を必要とすることに
なる。
例えば典型的な16K RAMへのN2テストパター
ンを行うために要求される時間は約1分であり;64K
RAMについては約30分に上昇し;256K
RAMについては8時間になる。
ンを行うために要求される時間は約1分であり;64K
RAMについては約30分に上昇し;256K
RAMについては8時間になる。
一方このようなテスト時間は前記バーンイン処理を行う
ために必要な時間中に容易に組み入れることができる。
ために必要な時間中に容易に組み入れることができる。
バーンイン間の十分な機能性テストは、複雑なパターン
形成と進んだコントロール及びデータ処理能力を必要と
する。テストプログラムは、テストの有効性を確かめる
ために、テストされているデバイスの入力と出力を追跡
できる中央処理ユニット(CP U)のコントロール下
になければならない。
形成と進んだコントロール及びデータ処理能力を必要と
する。テストプログラムは、テストの有効性を確かめる
ために、テストされているデバイスの入力と出力を追跡
できる中央処理ユニット(CP U)のコントロール下
になければならない。
前記デバイスを高温に維持しながら機能性テストを行う
可能性は、EPROM型デバイスの場合に特に重要とな
る。実際に作業温度は、浮遊構造つまり回路の残りの部
分から完全に絶縁された構造中への電荷の注入によりデ
バイス中にプログラムされるデータのサイトである「浮
遊(floating)ゲート」構造により表される永
久メモリ素子中に貯えられた電荷の再結合やロスの直接
の原因となる。
可能性は、EPROM型デバイスの場合に特に重要とな
る。実際に作業温度は、浮遊構造つまり回路の残りの部
分から完全に絶縁された構造中への電荷の注入によりデ
バイス中にプログラムされるデータのサイトである「浮
遊(floating)ゲート」構造により表される永
久メモリ素子中に貯えられた電荷の再結合やロスの直接
の原因となる。
温度が高くなるほど前記浮遊ゲート中に貯えられた電荷
が前記絶縁により代表されるポテンシャル障壁を越える
ために十分なエネルギを得てその割り当てられたサイト
から消え、そこに貯えられた情報を修正してしまう確率
が高くなる。
が前記絶縁により代表されるポテンシャル障壁を越える
ために十分なエネルギを得てその割り当てられたサイト
から消え、そこに貯えられた情報を修正してしまう確率
が高くなる。
更に、マイクロプロセッサやランダムアクセスメモリ
(RAM)のような他のデバイスとは対照的に、EPR
OMデバイスは、その機能に典型的である他の特殊性を
示す。つまりそれらは特別な内容でプログラムされその
機能をチェックされなければならない。その後、異なっ
た内容のそれらの機能を確認するために、該デバイスは
約10〜15分間UV(紫外)放射に露出することによ
り消去しなければならない。
(RAM)のような他のデバイスとは対照的に、EPR
OMデバイスは、その機能に典型的である他の特殊性を
示す。つまりそれらは特別な内容でプログラムされその
機能をチェックされなければならない。その後、異なっ
た内容のそれらの機能を確認するために、該デバイスは
約10〜15分間UV(紫外)放射に露出することによ
り消去しなければならない。
この消去操作は、前記バーンイン処理も含む製造プロセ
スの最後のステップに関して、フロー中の大きな障害と
なる。従来技術の方法によると、前記バーンインチャン
バーからデバイスをUv前照射受けさせるために除去し
、それらを前記バーンインチャンバー中へ再挿入するた
めにカードのソケット中へ再差し込みする必要がある。
スの最後のステップに関して、フロー中の大きな障害と
なる。従来技術の方法によると、前記バーンインチャン
バーからデバイスをUv前照射受けさせるために除去し
、それらを前記バーンインチャンバー中へ再挿入するた
めにカードのソケット中へ再差し込みする必要がある。
これらの困難性のため、−iに前記バーンインテストを
、デバイスの単一の内容(つまり該デバイス中へプログ
ラムされた単一のテストパターン)で、テスト自身の定
量的目的の明らかな劣化を伴って行うことが好ましい。
、デバイスの単一の内容(つまり該デバイス中へプログ
ラムされた単一のテストパターン)で、テスト自身の定
量的目的の明らかな劣化を伴って行うことが好ましい。
(発明の目的)
本発明の対象であるシステムは上記した問題点を完全に
解決し、そしてそれは、それらがバーンインチャンバー
中に留まっている間に、適切にプログラムされたメモリ
セルの内容をチェックするための機能性テスト、前記デ
バイスのパラメトリックな特性(DC)を確立するため
のテスト、アクセスタイムを確認するための動的テスト
及び前記デバイスの以後のマーキングのための分類の記
録から成る一連の全テストを行うことを許容し、従って
熱的バーンイン処理自身によるこのようなテストを効果
的に統合する。
解決し、そしてそれは、それらがバーンインチャンバー
中に留まっている間に、適切にプログラムされたメモリ
セルの内容をチェックするための機能性テスト、前記デ
バイスのパラメトリックな特性(DC)を確立するため
のテスト、アクセスタイムを確認するための動的テスト
及び前記デバイスの以後のマーキングのための分類の記
録から成る一連の全テストを行うことを許容し、従って
熱的バーンイン処理自身によるこのようなテストを効果
的に統合する。
(発明の構成)
本発明のシステムの主要な態様の一つによると、バーン
インの間にE P ROMタイプの半導体デバイスの機
能と特性をテストするための装置は、それらをUV光で
照射することにより前記EPROMを消去するための手
段、該EPROMをプログラムするための手段、行った
プログラムをlIN!認するための手段、前記プログラ
ムされたデバイスのバーンインを行うための手段、プロ
グラムされたデータの保持を確認するための手段、デバ
イスのパラメトリックな(DC)及び動的な(TAC)
特性を測定するための手段及び単一のデバイスを分類し
取り扱うための手段を含んで成っている。
インの間にE P ROMタイプの半導体デバイスの機
能と特性をテストするための装置は、それらをUV光で
照射することにより前記EPROMを消去するための手
段、該EPROMをプログラムするための手段、行った
プログラムをlIN!認するための手段、前記プログラ
ムされたデバイスのバーンインを行うための手段、プロ
グラムされたデータの保持を確認するための手段、デバ
イスのパラメトリックな(DC)及び動的な(TAC)
特性を測定するための手段及び単一のデバイスを分類し
取り扱うための手段を含んで成っている。
前記装置は本質的に、
a)少なくともその壁面上に、閉塞手段を有しカードア
センブリを好適に受け入れる複数のスロットが装着され
た少なくとも1個のバーンインチャンバーと、 b)それぞれが、デバイス中に差し込むための複数のソ
ケットが装着された第1の部分とマイクロプロセッサを
含む第2の部分から成る複数のシステムカードアセンブ
リであり、該カードアセンブリの前記2部分間に前記ス
ロットとマツチする形状の差し込み体が存在し、これに
より前記カードの第2の部分がカードがスロットに挿入
された後に前記チャンバーの外に位置するようにしたカ
ードアセンブリと、 C)各カードが、1又は2以上のUVランプが装着され
た第1の部分と該ランプのためのスイッチング手段と電
気供給手段を含む第2の部分と、カードの前記2部分間
に存在する前記スロット中へ密着状態で挿入可能で、該
カードが受け入れスロット中に挿入された後に前記カー
ドの第2の部分が前記チャンバーの外に位置するように
した差し込み体から成る、1又は2以上のUVランプを
含む複数のカードと、 d)前記システムカードの各マイクロプロセッサ及び前
記UVランプを含むカードのスイッチング手段と連携す
るcpu、 を含んで成っている。
センブリを好適に受け入れる複数のスロットが装着され
た少なくとも1個のバーンインチャンバーと、 b)それぞれが、デバイス中に差し込むための複数のソ
ケットが装着された第1の部分とマイクロプロセッサを
含む第2の部分から成る複数のシステムカードアセンブ
リであり、該カードアセンブリの前記2部分間に前記ス
ロットとマツチする形状の差し込み体が存在し、これに
より前記カードの第2の部分がカードがスロットに挿入
された後に前記チャンバーの外に位置するようにしたカ
ードアセンブリと、 C)各カードが、1又は2以上のUVランプが装着され
た第1の部分と該ランプのためのスイッチング手段と電
気供給手段を含む第2の部分と、カードの前記2部分間
に存在する前記スロット中へ密着状態で挿入可能で、該
カードが受け入れスロット中に挿入された後に前記カー
ドの第2の部分が前記チャンバーの外に位置するように
した差し込み体から成る、1又は2以上のUVランプを
含む複数のカードと、 d)前記システムカードの各マイクロプロセッサ及び前
記UVランプを含むカードのスイッチング手段と連携す
るcpu、 を含んで成っている。
前記バーンイン処理の間に、EPROMタイプの半導体
デバイスの正確な機能と特性を決定するための本発明の
テスト方法を組み入れた製造プロセスの後の部分のフロ
ーダイアグラムは次のステップを含んで成っている。
デバイスの正確な機能と特性を決定するための本発明の
テスト方法を組み入れた製造プロセスの後の部分のフロ
ーダイアグラムは次のステップを含んで成っている。
A)アセンブリラインから受け入れたEPROMデバイ
スのセルを「全部がO」のパターンになるようプログラ
ミングし、 B)前記デバイスを管中に入れ、該管を170℃と等し
いかそれより高い温度で少なくとも72時間貯蔵し、 C)好適なソケットが装着されたシステムカード上へ前
記管から単一のデバイスを自動的に載置し、前記デバイ
スのソケットへの差し込みの後にステップA)の間にプ
ログラムされたデータの有効性を確認し、有効でないデ
バイスを自動的に排除し、 D)バーンインチャンバー中で125℃と等しいかより
高い温度で動的なバーンイン処理を行い、前記カードの
ソケット中へ差し込まれた前記デバイスに、 i)全てのEPROMセルが「0」状態であることの確
認、 ii )消去、 iii )テストパターンのプログラミング、iv)該
テストパターンの確認、 v)「n」数の異なったテストパターンのためのステッ
プii) 、iii)及びiv)の繰り返し、vi)特
別な品質クラスに従って前記単一デバイスを分類し、 vi)M<テストのために特別なパターンをプログラミ
ングする、 上記各テストを受けさせ、 E)前記システムカードのソケットから前記デバイスを
自動的に引き抜き、特別の品質グレードに従って分類用
管中へ前記デバイスを自動的に挿入することによりそれ
らの分類を行い、F)前記デバイスの動的な(TAC)
パラメータをテストし、更に決定された個々の動的特性
に応じて前記デバイスの分類を行い、そして、G)前記
デバイスのスタンピングを行い、メモリセル中に依然と
して存在するデータの最後の消去を行う。
スのセルを「全部がO」のパターンになるようプログラ
ミングし、 B)前記デバイスを管中に入れ、該管を170℃と等し
いかそれより高い温度で少なくとも72時間貯蔵し、 C)好適なソケットが装着されたシステムカード上へ前
記管から単一のデバイスを自動的に載置し、前記デバイ
スのソケットへの差し込みの後にステップA)の間にプ
ログラムされたデータの有効性を確認し、有効でないデ
バイスを自動的に排除し、 D)バーンインチャンバー中で125℃と等しいかより
高い温度で動的なバーンイン処理を行い、前記カードの
ソケット中へ差し込まれた前記デバイスに、 i)全てのEPROMセルが「0」状態であることの確
認、 ii )消去、 iii )テストパターンのプログラミング、iv)該
テストパターンの確認、 v)「n」数の異なったテストパターンのためのステッ
プii) 、iii)及びiv)の繰り返し、vi)特
別な品質クラスに従って前記単一デバイスを分類し、 vi)M<テストのために特別なパターンをプログラミ
ングする、 上記各テストを受けさせ、 E)前記システムカードのソケットから前記デバイスを
自動的に引き抜き、特別の品質グレードに従って分類用
管中へ前記デバイスを自動的に挿入することによりそれ
らの分類を行い、F)前記デバイスの動的な(TAC)
パラメータをテストし、更に決定された個々の動的特性
に応じて前記デバイスの分類を行い、そして、G)前記
デバイスのスタンピングを行い、メモリセル中に依然と
して存在するデータの最後の消去を行う。
(実施例)
本発明及びその異なった態様及び利点は、一連の添付図
面によっても例示される本発明の好ましい態様である純
粋に例示的で限定することを意図しない以下の説明を通
してより容易に理解されるであろう。
面によっても例示される本発明の好ましい態様である純
粋に例示的で限定することを意図しない以下の説明を通
してより容易に理解されるであろう。
第1図は、本発明の一実施例によるEPROMタイプの
半導体デバイスのための、2個の結合されたバーンイン
の機能性テスト用AC及びDCのパラメトリックなテス
トシステムの斜視図であり、第2図は、本実施例のシス
テム中で使用される1個のオーブンつまり熱処理チャン
バーの前部の拡大図であり、 第3図は、前記オーブンの前後壁土に存在するテストさ
れるべきデバイスを含むカード挿入用の1個の「ウィン
ドー」つまりスロットの部分断面図であり、 第4図は、前記システムの1枚のカードの概略的斜視図
であり、 第5図は、本実施例のシステム中で使用されるU■ラン
プを含む1枚のカードの概略的斜視図であり、 第6図は、前記オープン中の異なったカードの配置を示
す本実施例中で使用される1個のオーブンの概略的部分
断面平面図であり、 第7図は、本発明方法の一例の機能性フローダイアグラ
ムを示すものである。
半導体デバイスのための、2個の結合されたバーンイン
の機能性テスト用AC及びDCのパラメトリックなテス
トシステムの斜視図であり、第2図は、本実施例のシス
テム中で使用される1個のオーブンつまり熱処理チャン
バーの前部の拡大図であり、 第3図は、前記オーブンの前後壁土に存在するテストさ
れるべきデバイスを含むカード挿入用の1個の「ウィン
ドー」つまりスロットの部分断面図であり、 第4図は、前記システムの1枚のカードの概略的斜視図
であり、 第5図は、本実施例のシステム中で使用されるU■ラン
プを含む1枚のカードの概略的斜視図であり、 第6図は、前記オープン中の異なったカードの配置を示
す本実施例中で使用される1個のオーブンの概略的部分
断面平面図であり、 第7図は、本発明方法の一例の機能性フローダイアグラ
ムを示すものである。
第1図は、本発明のシステムの一例の一般的な構造を示
している。第1図には、全体が1及び2で示された2個
の実質的に同一である別個のシステムが示されている。
している。第1図には、全体が1及び2で示された2個
の実質的に同一である別個のシステムが示されている。
各別個のシステムは、キーボード5とモニタ6が装着さ
れ、CPUと連携した適切なコンソール4を有している
。各システムは、好ましくは前記CPUのコントロール
下にある、加熱手段とオーブンのチャンバーの内部の温
度をコントロールする手段が装着されている1又は2以
上のオーブン3を含んでいる。少なくとも一つの壁面上
、より好ましくは各オーブンの2個の対向する壁面上に
は、個々に閉塞手段が装着された一連の「ウィンドー」
(つまりスロット)が設けられている。第1図に示さ
れた前記オーブン3の前壁土に存在するウィンドーは符
号9で示され、一方前記オーブンの後壁上に存在するウ
ィンドーは符号10で示されている。このようなウィン
ドーつまりスロット9及び10は、同数のカード7及び
8の前記オープン3内への挿入を可能にする。
れ、CPUと連携した適切なコンソール4を有している
。各システムは、好ましくは前記CPUのコントロール
下にある、加熱手段とオーブンのチャンバーの内部の温
度をコントロールする手段が装着されている1又は2以
上のオーブン3を含んでいる。少なくとも一つの壁面上
、より好ましくは各オーブンの2個の対向する壁面上に
は、個々に閉塞手段が装着された一連の「ウィンドー」
(つまりスロット)が設けられている。第1図に示さ
れた前記オーブン3の前壁土に存在するウィンドーは符
号9で示され、一方前記オーブンの後壁上に存在するウ
ィンドーは符号10で示されている。このようなウィン
ドーつまりスロット9及び10は、同数のカード7及び
8の前記オープン3内への挿入を可能にする。
単一のオーブン3の拡大図である第2図において、前記
オーブン3の前面のウィンドー9と、該ウィンドー(ス
ロット)に挿入されたカード7の配置をより詳細に観察
することができる。
オーブン3の前面のウィンドー9と、該ウィンドー(ス
ロット)に挿入されたカード7の配置をより詳細に観察
することができる。
第3図は、前記各ウィンドー9又は10の構造を示して
いる。各ウィンドーつまりスロットは、前記オーブンの
絶縁壁13を通して、該絶縁壁13を通して切欠された
好適な開口部に嵌合されたフレーム11により限定され
かつ実質的に四角形の断面を有する孔つまり中央開口部
を有している。
いる。各ウィンドーつまりスロットは、前記オーブンの
絶縁壁13を通して、該絶縁壁13を通して切欠された
好適な開口部に嵌合されたフレーム11により限定され
かつ実質的に四角形の断面を有する孔つまり中央開口部
を有している。
該孔は前記フレームの厚さ方向にテーパー状に広がって
截頭ピラミッド状の通路を存するスロットを形成し、該
通路の長基部は前記オープンの外面14に対応し、短基
部は前記オープンチャンバー壁の内面15に対応してい
る。
截頭ピラミッド状の通路を存するスロットを形成し、該
通路の長基部は前記オープンの外面14に対応し、短基
部は前記オープンチャンバー壁の内面15に対応してい
る。
個々のスロットの前記閉塞手段は、弾性的回復手段(例
えばスプリング)が装着され好適に枢着された2対のフ
ラップ12a及び12bにより都合良く形成され、カー
ドが該スロットに挿入されていないときには自動的に閉
塞されるようになっている。当然にこの目的のために、
同様にカードが挿入されていないときに前記スロットの
孔を閉塞するための他の自動的な手段を考案し利用して
もよい。
えばスプリング)が装着され好適に枢着された2対のフ
ラップ12a及び12bにより都合良く形成され、カー
ドが該スロットに挿入されていないときには自動的に閉
塞されるようになっている。当然にこの目的のために、
同様にカードが挿入されていないときに前記スロットの
孔を閉塞するための他の自動的な手段を考案し利用して
もよい。
前記フレーム11は断熱材で形成して前記オープンの内
部チャンバーと室内雰囲気間に熱のブリフジが構成され
ることを回避することが好ましい。
部チャンバーと室内雰囲気間に熱のブリフジが構成され
ることを回避することが好ましい。
前記システムは、第4図に示す構造を有する複数のカー
ド7を利用する。カード7は2個の部分つまりセクショ
ンから成っている。第1の部分はその表面に形成され、
複数の並列接続されたソケットと、それに差し込まれた
バーンイン処理を受けテストされるべきそれと同数のE
PROMデバイス17を含み、第2の部分つまりセクシ
ョン18は、典型的には中央処理ユニット(CP U)
、読み出し専用メモリ (ROM)、ランダムアクセス
メモリ (RAM)及び出入力インターフェイス段(I
lo)により形成されるマイクロプロセッサを含んでい
る。これら2部分16及び18は、前記ウィンドー9の
フレーム11の中央開口部にマツチし、四角形の基部を
有する截頭ピラミッド形状の中央部材19により分離さ
れている。このような中央結合部材19も好ましくは絶
縁性物質で製造される。
ド7を利用する。カード7は2個の部分つまりセクショ
ンから成っている。第1の部分はその表面に形成され、
複数の並列接続されたソケットと、それに差し込まれた
バーンイン処理を受けテストされるべきそれと同数のE
PROMデバイス17を含み、第2の部分つまりセクシ
ョン18は、典型的には中央処理ユニット(CP U)
、読み出し専用メモリ (ROM)、ランダムアクセス
メモリ (RAM)及び出入力インターフェイス段(I
lo)により形成されるマイクロプロセッサを含んでい
る。これら2部分16及び18は、前記ウィンドー9の
フレーム11の中央開口部にマツチし、四角形の基部を
有する截頭ピラミッド形状の中央部材19により分離さ
れている。このような中央結合部材19も好ましくは絶
縁性物質で製造される。
前記カード7にはその取り扱いを容易にするためハンド
ル20が装着されている。
ル20が装着されている。
前記カードのマイクロプロセッサを前記システムのCP
U及び電力供給源へ接続するための図示を省略した手段
も各カードの前記部分18に収容されることが意図され
ている。
U及び電力供給源へ接続するための図示を省略した手段
も各カードの前記部分18に収容されることが意図され
ている。
本発明装置で使用されるカードの第2のタイプの構造が
第5図に例示されている。この第2のタイプのカードは
フレーム21を含み、8亥フレーム21に固定された好
適なソケット中に機能的に設置された1又は、好ましく
は2以上のUVランプ22が収容されている。第4図で
述べたシステムのカードのそれと類似する截頭ピラミッ
ド状を有する中央部材19は、前記オープンの壁面中の
前記ウィンドー10の開口部との接続手段を提供する。
第5図に例示されている。この第2のタイプのカードは
フレーム21を含み、8亥フレーム21に固定された好
適なソケット中に機能的に設置された1又は、好ましく
は2以上のUVランプ22が収容されている。第4図で
述べたシステムのカードのそれと類似する截頭ピラミッ
ド状を有する中央部材19は、前記オープンの壁面中の
前記ウィンドー10の開口部との接続手段を提供する。
前記カードがスロットの一つに挿入されたときにオープ
ンチャンバーの外側に位置するカードの部分23中には
、前記UVランプ22のための電力供給及びスイッチン
グ手段と前記システムの回路の残りの部分に電気的に相
互接続するための手段が設けられている。この第2のタ
イプのカード8にもハンドル20が都合良く設けられて
いる。
ンチャンバーの外側に位置するカードの部分23中には
、前記UVランプ22のための電力供給及びスイッチン
グ手段と前記システムの回路の残りの部分に電気的に相
互接続するための手段が設けられている。この第2のタ
イプのカード8にもハンドル20が都合良く設けられて
いる。
前記2種類のカードつまりデバイスを有するカード7と
UVランプを有するカード8の前記オープン中での関連
配置が第6図に示されている。
UVランプを有するカード8の前記オープン中での関連
配置が第6図に示されている。
本質的には、前記2種類のタイプのカードの前記オープ
ンチャンバー中での関連配置は次の通りである。つまり
前記UVランプを具備する各カード8は、各ペアのカー
ドの2面のうちの1面に配置された前記デバイス17が
前記カード8上に設置されたUVランプ22に対向する
ことが確保されるように設置されたデバイスを具備する
1対のカード間に挿入されている。前記デバイスを具備
するカード7は前記オープンの前壁13のスロットを通
して挿入されることが好ましく、一方前記UVランプを
具備するカード8は前記オープンの後壁13゛のスロッ
トを通して挿入されることが望ましい。
ンチャンバー中での関連配置は次の通りである。つまり
前記UVランプを具備する各カード8は、各ペアのカー
ドの2面のうちの1面に配置された前記デバイス17が
前記カード8上に設置されたUVランプ22に対向する
ことが確保されるように設置されたデバイスを具備する
1対のカード間に挿入されている。前記デバイスを具備
するカード7は前記オープンの前壁13のスロットを通
して挿入されることが好ましく、一方前記UVランプを
具備するカード8は前記オープンの後壁13゛のスロッ
トを通して挿入されることが望ましい。
第6図の概略的表示から容易に分かるように、前記マイ
クロプロセッサを含むデバイスカード7の部分18及び
前記ランプのためのスイッチング手段を含む前記UVラ
ンプカード8の部分23は、共に挿入後に前記オープン
の温度の高いチャンバーの外側に位置している。
クロプロセッサを含むデバイスカード7の部分18及び
前記ランプのためのスイッチング手段を含む前記UVラ
ンプカード8の部分23は、共に挿入後に前記オープン
の温度の高いチャンバーの外側に位置している。
前記デバイスカード7の外側部分18に含まれるマイク
ロプロセッサは多くの他の機能のうち次の機能を実行す
る。
ロプロセッサは多くの他の機能のうち次の機能を実行す
る。
A)前記カード上に載置されたテストされるべきEPR
OMデバイスへ送られるシグナルを好適に評価して、予
め設定された異なったテストパターンを実施することに
よりデータ内容のプログラミングと機能の確認を行い、
チェックした性能に応じた品質のカテゴリに分類して、
排除されるべきものを検出する。
OMデバイスへ送られるシグナルを好適に評価して、予
め設定された異なったテストパターンを実施することに
よりデータ内容のプログラミングと機能の確認を行い、
チェックした性能に応じた品質のカテゴリに分類して、
排除されるべきものを検出する。
B)前記システムのCPUとインタフェイスして該CP
UからEPROMデバイスで行われるべき操作に関する
監視指令を受け取り、これらの操作の結果を前記システ
ムのCPUに戻し、これらの情報を、引き続く前記バー
ンインカードからのデバイスの「インテリジェント」な
抜き出しを制御するために前記CPUにより貯える。
UからEPROMデバイスで行われるべき操作に関する
監視指令を受け取り、これらの操作の結果を前記システ
ムのCPUに戻し、これらの情報を、引き続く前記バー
ンインカードからのデバイスの「インテリジェント」な
抜き出しを制御するために前記CPUにより貯える。
該システムのCPUは、全バーンインサイクル、機能性
テスト及びデバイスのパラメトリックな特性の決定の特
別な段階の間に、テストされるべきEPROMデバイス
中へプログラムされたデータの消去操作を実行するため
に種々のカード8上に設けられた前記UVランプのため
のスイッチングオン及びスイッチングオフのシグナルも
送る。
テスト及びデバイスのパラメトリックな特性の決定の特
別な段階の間に、テストされるべきEPROMデバイス
中へプログラムされたデータの消去操作を実行するため
に種々のカード8上に設けられた前記UVランプのため
のスイッチングオン及びスイッチングオフのシグナルも
送る。
従って前記システムのCPUは、前記バーンイン熱処理
の間に、意図するテストの順序を決定するシステムの通
常の監視機能を実行する。該CPUは、テストにより得
られるデータを記録しかつ保有し、各カードから前記デ
バイスを一つずつ抜き出し、各別個のデバイスの検出さ
れ記録された性能に応じて分類用容器又は管中へ各デバ
イスを位置させる抜き出し用「ロボット」の作用を導く
ことにより、前記サイクルの終了時にテストカードから
のEPROMデバイスの「インテリジェント」な抜き出
しを指令することを可能にする。
の間に、意図するテストの順序を決定するシステムの通
常の監視機能を実行する。該CPUは、テストにより得
られるデータを記録しかつ保有し、各カードから前記デ
バイスを一つずつ抜き出し、各別個のデバイスの検出さ
れ記録された性能に応じて分類用容器又は管中へ各デバ
イスを位置させる抜き出し用「ロボット」の作用を導く
ことにより、前記サイクルの終了時にテストカードから
のEPROMデバイスの「インテリジェント」な抜き出
しを指令することを可能にする。
それらの品質に応じてEPROMデバイスを分類するた
めのこのような操作、及びデバイスの取り扱いと選択の
自動化のための手段と操作は当業者には周知であり、本
明細書の記載を不当に複雑にしないためにこれ以上記述
しない。この特別のトビツクのために多くのそして容易
に入手できる文献がある。
めのこのような操作、及びデバイスの取り扱いと選択の
自動化のための手段と操作は当業者には周知であり、本
明細書の記載を不当に複雑にしないためにこれ以上記述
しない。この特別のトビツクのために多くのそして容易
に入手できる文献がある。
本発明のプロセスの現時点での最も好ましいフローチャ
ートが第7図に示されている。このようなフローチャー
トはEPROMタイプの半導体デバイスの終わりの部分
の製造の流れを示すものと考えることができる。
ートが第7図に示されている。このようなフローチャー
トはEPROMタイプの半導体デバイスの終わりの部分
の製造の流れを示すものと考えることができる。
品質テストを経ることなくアセンブリラインから直接運
ばれてきた、全てのメモリセルが「0」にプログラムさ
れた単一のデバイスを金属管(il!常アルアルミニウ
ム管に入れ、170℃のオーブン中に72時間位置させ
る。
ばれてきた、全てのメモリセルが「0」にプログラムさ
れた単一のデバイスを金属管(il!常アルアルミニウ
ム管に入れ、170℃のオーブン中に72時間位置させ
る。
次いで該デバイスを含む管を、本発明のシステムの特別
なバーンインカード上にデバイスを載置するために自動
装置へ移動させる。載置用ロボットは前記デバイスを前
記カードのソケットに差し込み、差し込んだ後は、カー
ドのマイクロプロセッサが該デバイスの出力における短
絡の存在又は不存在を確認して、短絡がある場合にはそ
のデバイスは直ちに前記ソケットから抜き出され、不良
品の集まりの中に位置させるようにする。
なバーンインカード上にデバイスを載置するために自動
装置へ移動させる。載置用ロボットは前記デバイスを前
記カードのソケットに差し込み、差し込んだ後は、カー
ドのマイクロプロセッサが該デバイスの出力における短
絡の存在又は不存在を確認して、短絡がある場合にはそ
のデバイスは直ちに前記ソケットから抜き出され、不良
品の集まりの中に位置させるようにする。
前記デバイスが完全に載置された各カードはバーンイン
オーブン中に導かれ、前記システムのCPUと接続され
る。
オーブン中に導かれ、前記システムのCPUと接続され
る。
次いで前記カード上に載置されたデバイスは、125℃
で24時間動的なバーンイン処理を受け、その時間内に
前記デバイスは次のテストを受ける。
で24時間動的なバーンイン処理を受け、その時間内に
前記デバイスは次のテストを受ける。
i)全てのEPROMセルによる状態「O」の保持の確
認、 ii )消去、 iii )第1のテストパターンのプログラミング、1
v)if第1のテストパターンの確認、v)「n」数の
異なったテストパターンのためのステップii)、ii
i)及びiv)の繰り返し、vi)アクセスタイム(T
AC)を決定するための引き続く動的なテストのために
EPROMデバイスを準備するための、特別なチェッカ
ーボードのパターンのプログラミング。
認、 ii )消去、 iii )第1のテストパターンのプログラミング、1
v)if第1のテストパターンの確認、v)「n」数の
異なったテストパターンのためのステップii)、ii
i)及びiv)の繰り返し、vi)アクセスタイム(T
AC)を決定するための引き続く動的なテストのために
EPROMデバイスを準備するための、特別なチェッカ
ーボードのパターンのプログラミング。
前記デバイスを含むカードを、該デバイスを前記カード
のソケットから引き抜き、前記カードマイクロプロセッ
サにより記憶された該デバイスに起因するクレード又は
分類に応じて(該デバイスが受けたテストの結果に依存
して)分類用管中へ前記単一のデバイスを入れるように
した自動装置又はロボットへ移動させる。
のソケットから引き抜き、前記カードマイクロプロセッ
サにより記憶された該デバイスに起因するクレード又は
分類に応じて(該デバイスが受けたテストの結果に依存
して)分類用管中へ前記単一のデバイスを入れるように
した自動装置又はロボットへ移動させる。
パラメトリックなテスト及び機能性テストに関して、そ
れらが示した性能に応じて既に分類された異なったデバ
イスのロフトを、アクセスタイム(TAC)の決定と品
質グレードへ更にデバイスを分類するための自動テスト
装置へ供給する。
れらが示した性能に応じて既に分類された異なったデバ
イスのロフトを、アクセスタイム(TAC)の決定と品
質グレードへ更にデバイスを分類するための自動テスト
装置へ供給する。
該デバイスは次いでスタンプし消去される。
テストデータの消去のより以上のチェック及び/又は最
後の第2のアクセスタイムのテストを行うようにしても
よいが、この時点で前記デバイスは出荷準備完了と考え
ることができる。
後の第2のアクセスタイムのテストを行うようにしても
よいが、この時点で前記デバイスは出荷準備完了と考え
ることができる。
勿論、記述してきた方法は、カード及び管のための好適
な移動手段を与えることにより完全に自動化することが
できる。
な移動手段を与えることにより完全に自動化することが
できる。
種々のテストのタイプ、数及び繰り返し、及び滞在時間
やテスト温度は、特別の要求を満たすためにここに示し
たものと異なっていてもよい。
やテスト温度は、特別の要求を満たすためにここに示し
たものと異なっていてもよい。
(発明の効果)
全ての場合において、本発明の対象である装置は、実質
的にバーンインテストをE P ROMデバイスの機能
性及びパラメトリックなテストと結合させることを許容
し、これによりそれらがバーンイン処理を受けている間
に前記EPROMデバイスのパラメトリックなテスト及
び機能性テストを受けることを許容する上に前記デバイ
スのテスト時間と取り扱いを大きく減少させ、従って製
品の高い度合の信頼性を保証することができる。
的にバーンインテストをE P ROMデバイスの機能
性及びパラメトリックなテストと結合させることを許容
し、これによりそれらがバーンイン処理を受けている間
に前記EPROMデバイスのパラメトリックなテスト及
び機能性テストを受けることを許容する上に前記デバイ
スのテスト時間と取り扱いを大きく減少させ、従って製
品の高い度合の信頼性を保証することができる。
第1図は、本発明の一実施例による、EPROMタイプ
の半導体デバイスのための、2個の結合されたバーンイ
ンの機能性テスト用AC及びDCのパラメトリックなテ
ストシステムの斜視図であり、第2図は、本実施例のシ
ステム中で使用される1個のオープン又は熱処理チャン
バーの前部の拡大図であり、第3図は、前記オープンの
前後壁土に存在するテストされるべきデバイスを含むカ
ード挿入用の1個の「ウィンドー」つまりスロットの部
分断面図であり、第4図は、前記システムの1枚のカー
ドの概略的斜視図であり、第5図は、本実施例のシステ
ム中で使用されるUVランプを含む1枚のカードの概略
的斜視図であり、第6図は、前記オープン中の異なった
カードの配置を示す本実施例中で使用される1個のオー
プンの概略的部分断面平面図であり、第7図は、本発明
方法の一例の機能性フローダイアグラムを示すものであ
る。 1.2・・システム 3・・オープン 4・・コンソール 5・・キーボード 6・・モニタ 7.8・・カード 9.10・・ウィンドー 11・・フレーム12a、1
2b・・フラップ 13・・絶縁壁14・・外面 15
・・内面
の半導体デバイスのための、2個の結合されたバーンイ
ンの機能性テスト用AC及びDCのパラメトリックなテ
ストシステムの斜視図であり、第2図は、本実施例のシ
ステム中で使用される1個のオープン又は熱処理チャン
バーの前部の拡大図であり、第3図は、前記オープンの
前後壁土に存在するテストされるべきデバイスを含むカ
ード挿入用の1個の「ウィンドー」つまりスロットの部
分断面図であり、第4図は、前記システムの1枚のカー
ドの概略的斜視図であり、第5図は、本実施例のシステ
ム中で使用されるUVランプを含む1枚のカードの概略
的斜視図であり、第6図は、前記オープン中の異なった
カードの配置を示す本実施例中で使用される1個のオー
プンの概略的部分断面平面図であり、第7図は、本発明
方法の一例の機能性フローダイアグラムを示すものであ
る。 1.2・・システム 3・・オープン 4・・コンソール 5・・キーボード 6・・モニタ 7.8・・カード 9.10・・ウィンドー 11・・フレーム12a、1
2b・・フラップ 13・・絶縁壁14・・外面 15
・・内面
Claims (7)
- (1)EPROMをデバイスのUV光照射により消去す
る手段と、該EPROMをプログラムする手段と、該E
PROMのプログラミングを確認する手段と、該プログ
ラムされたデバイスのバーンインを行うための手段と、
該プログラムされたデータの保持を確認するための手段
と、前記デバイスのパラメトリックな特性と動的特性を
測定するための手段及び前記単一デバイスを分類し取り
扱うための手段を含んで成るバーンイン熱処理の間のE
PROMタイプの半導体デバイスの特性を機能的にテス
トし決定するための装置において、 a)少なくともその一つの壁面に、自動閉塞手段を有し
カードを受け入れることのできる複数のスロットが装着
された少なくとも1個のバーンインチャンバーと、 b)前記デバイス中に差し込まれるための並列接続され
た複数のソケットが装着された第1の部分と、マイクロ
プロセッサと、カードの前記第1の部分及び第2の部分
の間に存在するスロットに通合する結合体を含んで成り
、前記カードの第2の部分が前記カードが前記スロット
の一つに挿入された後に前記チャンバーの外に位置する
ようにした、テストすべき前記デバイスを載置するため
の前記複数のカードと、 c)各カードが、少なくとも1本のUVランプが装着さ
れた第1の部分と、該ランプのためのスイッチング手段
と電気供給手段を含む第2の部分と、カードの前記2部
分間に存在する前記スロット中へ好適に適合されて該カ
ードが前記スロットの一つの中に挿入された後に前記カ
ードの第2の部分が前記チャンバーの外に位置するよう
にした結合体を含んで成る、少なくとも1本のUVラン
プを含む複数のカードと、 d)前記デバイスを載置するための各カードのマイクロ
プロセッサと、少なくとも1本のUVランプを含む前記
各カードのスイッチング手段とインタフェイスするシス
テムの中央処理ユニット、を含んで成り、 前記UVランプを含む各カードが、前記デバイスの2枚
のカード間に機能的に挟まれ、 前記マイクロプロセッサが、前記デバイスへのプログラ
ミング、該プログラミングの確認、プログラムされたデ
ータの保持の確認、消去操作のための前記UVランプの
スイッチングと協動するシステムの前記中央処理ユニッ
トのコントロール下での前記デバイスの品質と同一性に
関するデバイスの分類、の上記各操作の性能を決定する
ようにしたことを特徴とする装置。 - (2)カードを挿入するためのスロットが、バーンイン
チャンバーの壁面の厚さを通してテーパー状とされた断
面が実質的に四角形である中央開口部を有する絶縁物質
のフレームにより前記バーンインチャンバーを通して限
定されて、前記壁面の外表面と対応する截頭ピラミッド
状の長基部を有する四角形基部と截頭ピラミッドの形状
を有する出入口が形成されるようにした特許請求の範囲
第1項に記載の装置。 - (3)スロット自身へのカードの挿入がないときには、
該スロットの中央開口部を閉塞するための個々の自動的
手段がスロットに装着されている特許請求の範囲第2項
に記載の装置。 - (4)カードに、截頭ピラミッドプラグ状でスロットの
中央開口部の形状にマッチする中央結合体が装着されて
いる特許請求の範囲第1項に記載の装置。 - (5)スロットのうちの1個にカードが挿入された後に
バーンインチャンバーの外側に位置するテストされるべ
きデバイスの組み立てのための前記カードの部分に収容
されたマイクロプロセッサが、中央ユニット、読み出し
専用メモリ、ランダムアクセスメモリ及び出入力インタ
フェイス段を含んで成る特許請求の範囲第1項に記載の
装置。 - (6)デバイスを載置したカードが、バーンインチャン
バーの前壁のスロットを通して該チャンバーに挿入され
、UVランプを具備するカードが前記バーンインチャン
バーの後壁のスロットを通して前記チャンバーへ挿入さ
れるようにした特許請求の範囲第1項に記載の装置。 - (7)バーンイン処理の間に、EPROMタイプの半導
体デバイスの特性を機能的にテストし決定するための方
法において、 A)アセンブリラインから受け入れたEPROMデバイ
スのセルを「全部が0」のパターンになるようプログラ
ミングし、 B)前記デバイスを管中に入れ、該管を170℃と等し
いかそれより高い温度で少なくとも72時間貯蔵し、 C)好適なソケットが装着されたカード上へ前記管から
単一のデバイスを自動的に載置し、ステップA)の間に
プログラムされたデータの有効性を確認し、有効でない
デバイスを自動的に排除し、 D)バーンインチャンバー中で125℃と等しいかより
高い温度で動的なバーンイン処理を行い、前記カードの
ソケット中へ差し込まれた前記デバイスに、 i)全てのEPROMセルが「0」状態であることの確
認、 ii)消去、 iii)テストパターンのプログラミング、 iv)該テストパターンの確認、 v)「n」数の異なったテストパターンのためのステッ
プii)、iii)及びiv)の繰り返し、 vi)特別な品質クラスに従う前記単一デバイスの分類
、 vii)引き続くテストのための特別なパターンのプロ
グラミング、 の上記各テストを受けさせ、 E)前記カードのソケットから前記デバイスを自動的に
引き抜き、特別の品質グレードに従って分類用管中へ前
記デバイスを自動的に挿入することによりそれらの分類
を行い、 F)前記デバイスの動的なパラメータをテストし、更に
決定された個々の動的特性に応じて前記デバイスの分類
を行い、そして、 G)前記デバイスのスタンピングを行い、メモリセル中
に依然として存在するデータの最後の消去を行う、 各ステップを含んで成ることを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| IT83633/86A IT1201837B (it) | 1986-07-22 | 1986-07-22 | Sistema per la verifica della funzionalita' e delle caratteristiche di dispositivi a semiconduttore di tipo eprom durante il "burn-in" |
| IT83633A/86 | 1986-07-22 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6352073A true JPS6352073A (ja) | 1988-03-05 |
| JP2615058B2 JP2615058B2 (ja) | 1997-05-28 |
Family
ID=11323439
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62182109A Expired - Lifetime JP2615058B2 (ja) | 1986-07-22 | 1987-07-21 | バーンインの間にeprom型半導体デバイスをテストするための方法及び装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US4799021A (ja) |
| EP (1) | EP0254691B1 (ja) |
| JP (1) | JP2615058B2 (ja) |
| DE (1) | DE3786203T2 (ja) |
| IT (1) | IT1201837B (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016157227A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 株式会社Jvcケンウッド | 不揮発性半導体記憶装置の評価システム、評価方法、及び評価プログラム |
| JP2016157228A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 株式会社Jvcケンウッド | 不揮発性半導体記憶装置の評価方法、評価システム、及び評価プログラム |
Families Citing this family (45)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| MY103847A (en) * | 1988-03-15 | 1993-09-30 | Yamaichi Electric Mfg | Laminated board for testing electronic components |
| US5030905A (en) * | 1989-06-06 | 1991-07-09 | Hewlett-Packard Company | Below a minute burn-in |
| JPH03146884A (ja) * | 1989-11-02 | 1991-06-21 | Mitsubishi Electric Corp | バーンイン装置 |
| US4985988A (en) * | 1989-11-03 | 1991-01-22 | Motorola, Inc. | Method for assembling, testing, and packaging integrated circuits |
| US5086271A (en) * | 1990-01-12 | 1992-02-04 | Reliability Incorporated | Driver system and distributed transmission line network for driving devices under test |
| JP2830269B2 (ja) * | 1990-01-12 | 1998-12-02 | ソニー株式会社 | ディスク装置 |
| US5200885A (en) * | 1990-04-26 | 1993-04-06 | Micro Control Company | Double burn-in board assembly |
| US5157829A (en) * | 1990-10-02 | 1992-10-27 | Outboard Marine Corporation | Method of burn-in testing of circuitry |
| JP2746763B2 (ja) * | 1991-02-18 | 1998-05-06 | シャープ株式会社 | バーンイン装置およびこれを用いるバーンイン方法 |
| US5265099A (en) * | 1991-02-28 | 1993-11-23 | Feinstein David Y | Method for heating dynamic memory units whereby |
| US5315598A (en) * | 1991-04-04 | 1994-05-24 | Texas Instruments Incorporated | Method to reduce burn-in time and inducing infant failure |
| JP2862154B2 (ja) * | 1991-07-22 | 1999-02-24 | 富士通株式会社 | バーンイン装置 |
| US5391984A (en) * | 1991-11-01 | 1995-02-21 | Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. | Method and apparatus for testing integrated circuit devices |
| US5353254A (en) * | 1992-05-21 | 1994-10-04 | Texas Instruments Incorporated | Semiconductor memory device having burn-in test circuit |
| US5390129A (en) * | 1992-07-06 | 1995-02-14 | Motay Electronics, Inc. | Universal burn-in driver system and method therefor |
| US5339028A (en) * | 1992-07-23 | 1994-08-16 | Texas Instruments Incorporated | Test circuit for screening parts |
| US5402078A (en) * | 1992-10-13 | 1995-03-28 | Micro Control Company | Interconnection system for burn-in boards |
| DE59408020D1 (de) * | 1993-02-10 | 1999-05-06 | Sieba Ag | Vorrichtung zur Prüfung von Modulen |
| IT1261411B (it) * | 1993-03-12 | 1996-05-23 | Texas Instruments Italia Spa | Metodo e circuiteria per l'uso di memorie aventi locazioni difettose erelativa apparecchiatura di produzione. |
| US5375091A (en) * | 1993-12-08 | 1994-12-20 | International Business Machines Corporation | Method and apparatus for memory dynamic burn-in and test |
| US5528161A (en) * | 1994-09-15 | 1996-06-18 | Venturedyne Limited | Through-port load carrier and related test apparatus |
| US5538141A (en) * | 1994-09-27 | 1996-07-23 | Intel Corporation | Test flow assurance using memory imprinting |
| US5724365A (en) * | 1996-05-24 | 1998-03-03 | Advanced Micro Devices, Inc. | Method of utilizing redundancy testing to substitute for main array programming and AC speed reads |
| US5927512A (en) | 1997-01-17 | 1999-07-27 | Micron Technology, Inc. | Method for sorting integrated circuit devices |
| US6100486A (en) * | 1998-08-13 | 2000-08-08 | Micron Technology, Inc. | Method for sorting integrated circuit devices |
| US5844803A (en) | 1997-02-17 | 1998-12-01 | Micron Technology, Inc. | Method of sorting a group of integrated circuit devices for those devices requiring special testing |
| US5915231A (en) | 1997-02-26 | 1999-06-22 | Micron Technology, Inc. | Method in an integrated circuit (IC) manufacturing process for identifying and redirecting IC's mis-processed during their manufacture |
| US5856923A (en) * | 1997-03-24 | 1999-01-05 | Micron Technology, Inc. | Method for continuous, non lot-based integrated circuit manufacturing |
| US5883844A (en) * | 1997-05-23 | 1999-03-16 | Stmicroelectronics, Inc. | Method of stress testing integrated circuit having memory and integrated circuit having stress tester for memory thereof |
| US5907492A (en) * | 1997-06-06 | 1999-05-25 | Micron Technology, Inc. | Method for using data regarding manufacturing procedures integrated circuits (IC's) have undergone, such as repairs, to select procedures the IC's will undergo, such as additional repairs |
| US7120513B1 (en) | 1997-06-06 | 2006-10-10 | Micron Technology, Inc. | Method for using data regarding manufacturing procedures integrated circuits (ICS) have undergone, such as repairs, to select procedures the ICS will undergo, such as additional repairs |
| US5940466A (en) * | 1997-10-29 | 1999-08-17 | Micron Electronics, Inc. | Apparatus for counting parts in a tray |
| US6049624A (en) | 1998-02-20 | 2000-04-11 | Micron Technology, Inc. | Non-lot based method for assembling integrated circuit devices |
| US5998751A (en) * | 1998-02-20 | 1999-12-07 | Micron Electronics, Inc. | Sorting system for computer chips |
| US5996996A (en) * | 1998-02-20 | 1999-12-07 | Micron Electronics, Inc. | Method of sorting computer chips |
| US6512392B2 (en) * | 1998-04-17 | 2003-01-28 | International Business Machines Corporation | Method for testing semiconductor devices |
| US6137301A (en) * | 1998-05-11 | 2000-10-24 | Vanguard International Semiconductor Company | EPROM used as a voltage monitor for semiconductor burn-in |
| KR100269948B1 (ko) * | 1998-08-07 | 2000-10-16 | 윤종용 | 반도체 번-인 공정의 반도체 디바이스 추출/삽입 및자동분류장치 |
| US6563070B2 (en) | 1999-03-30 | 2003-05-13 | Micron Technology, Inc. | Enhanced grading and sorting of semiconductor devices using modular “plug-in” sort algorithms |
| US6307388B1 (en) * | 2000-02-23 | 2001-10-23 | Unisys Corporation | Electromechanical apparatus for testing IC chips using first and second sets of substrates which are pressed together |
| DE10036177C2 (de) * | 2000-07-25 | 2002-07-11 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Testen von Halbleitereinrichtungen |
| DE10115280C2 (de) * | 2001-03-28 | 2003-12-24 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum Klassifizieren von Bauelementen |
| WO2007095974A1 (en) * | 2006-02-24 | 2007-08-30 | Freescale Semiconductor, Inc. | Testing non-volatile memory devices for charge leakage |
| WO2010005747A2 (en) * | 2008-06-16 | 2010-01-14 | Data I/O Corporation | Programmer actuator system and method of operation thereof |
| CN104062471B (zh) * | 2014-06-30 | 2017-01-18 | 深圳市迈昂科技有限公司 | 一种灯具老化架、老化方法及老化监控系统 |
Family Cites Families (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3969618A (en) * | 1974-11-29 | 1976-07-13 | Xerox Corporation | On line PROM handling system |
| NL7416755A (nl) * | 1974-12-23 | 1976-06-25 | Philips Nv | Werkwijze en inrichting voor het testen van een digitaal geheugen. |
| US4379259A (en) * | 1980-03-12 | 1983-04-05 | National Semiconductor Corporation | Process of performing burn-in and parallel functional testing of integrated circuit memories in an environmental chamber |
| JPS5853775A (ja) * | 1981-09-26 | 1983-03-30 | Fujitsu Ltd | Icメモリ試験方法 |
| US4636726A (en) * | 1982-01-04 | 1987-01-13 | Artronics Corporation | Electronic burn-in system |
| US4578751A (en) * | 1982-06-25 | 1986-03-25 | At&T Technologies, Inc. | System for simultaneously programming a number of EPROMs |
| DE8424493U1 (de) * | 1984-08-16 | 1985-08-08 | Brumm GmbH Elektronik-Gerätebau, 1000 Berlin | Prüfadapter |
| FR2570232A1 (fr) * | 1984-09-11 | 1986-03-14 | Thomson Csf | Dispositif de traduction de sequence de test en sequence de rodage pour circuit logique et/ou numerique, procede de rodage de circuit logique et/ou numerique et dispositif de rodage de circuit logique et/ou numerique |
| GB2168802B (en) * | 1984-10-06 | 1988-10-26 | David Nicholas Young | Heating oven and testing apparatus for semiconductors |
| GB8425299D0 (en) * | 1984-10-06 | 1984-11-14 | Young D N | Heating oven |
| US4713611A (en) * | 1986-06-23 | 1987-12-15 | Vtc Incorporated | Burn-in apparatus for integrated circuits mounted on a carrier tape |
-
1986
- 1986-07-22 IT IT83633/86A patent/IT1201837B/it active
-
1987
- 1987-07-15 DE DE8787830271T patent/DE3786203T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1987-07-15 US US07/073,654 patent/US4799021A/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-07-15 EP EP87830271A patent/EP0254691B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1987-07-21 JP JP62182109A patent/JP2615058B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1988
- 1988-10-17 US US07/258,962 patent/US4871963A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016157227A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 株式会社Jvcケンウッド | 不揮発性半導体記憶装置の評価システム、評価方法、及び評価プログラム |
| JP2016157228A (ja) * | 2015-02-24 | 2016-09-01 | 株式会社Jvcケンウッド | 不揮発性半導体記憶装置の評価方法、評価システム、及び評価プログラム |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| DE3786203T2 (de) | 1993-09-23 |
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