JPS6353721A - 酸化物薄膜の作製法 - Google Patents
酸化物薄膜の作製法Info
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- JPS6353721A JPS6353721A JP19566786A JP19566786A JPS6353721A JP S6353721 A JPS6353721 A JP S6353721A JP 19566786 A JP19566786 A JP 19566786A JP 19566786 A JP19566786 A JP 19566786A JP S6353721 A JPS6353721 A JP S6353721A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業トの利用分野〉
本発明は、高記録密度磁気記録装置の磁気記録薄膜媒体
として用いられる酸化物薄膜の作製法に関するものであ
り、例えば、オスミウム（すなわちＯｓ）を含任するマ
グヘマイト（すなわちγ−ＦＯ２０３）薄膜の製造方法
に関する。
として用いられる酸化物薄膜の作製法に関するものであ
り、例えば、オスミウム（すなわちＯｓ）を含任するマ
グヘマイト（すなわちγ−ＦＯ２０３）薄膜の製造方法
に関する。
〈従来の技術〉
マグヘマイト簿膜（γ−Ｆｅ２０３）は磁気ディスフ、
磁気テープ等の磁気記録媒体の記録層として利用されて
いる。特に、特願昭５９−５４２０５、特願昭５９−１
５５１４０で提案されている、Ｏ８を含有するγ−Ｆ
ｅ ２０３ｒＡは保磁力Ｈｃと角形（残留磁化Ｍ、、／
飽和磁化Ｍ、）が優れた酸化鉄磁性膜である。さらにＯ
ｓ含有γ−Ｆｅ２０３膜は特願昭５９−２７３５８．特
願昭５９−１５５１４０で示されているように、高密度
記録が可能な垂直磁気記録媒体としての利用も提案され
ている。
磁気テープ等の磁気記録媒体の記録層として利用されて
いる。特に、特願昭５９−５４２０５、特願昭５９−１
５５１４０で提案されている、Ｏ８を含有するγ−Ｆ
ｅ ２０３ｒＡは保磁力Ｈｃと角形（残留磁化Ｍ、、／
飽和磁化Ｍ、）が優れた酸化鉄磁性膜である。さらにＯ
ｓ含有γ−Ｆｅ２０３膜は特願昭５９−２７３５８．特
願昭５９−１５５１４０で示されているように、高密度
記録が可能な垂直磁気記録媒体としての利用も提案され
ている。
以上のＯｓ含有γ−Ｆｅ２０３薄膜を作製するには従来
衣のような製造方法が行なわれていた。
衣のような製造方法が行なわれていた。
すなわち
（１）基板上に先づＦｅとＯｓの合金ターゲット。
ＦｅとＯ８の焼結ターゲット、 Ｏｓベレットを配置し
たＦｅターゲット等の反応スパッタリングでＯ３を含有
したベマタイト（α−Ｆｅ２Ｄ３）を主成分とする薄膜
を形成し、得られた薄膜をＨ２等の還元性雰囲気中で加
熱し、マグネタイト（Ｆｃ３０４膜ラック分とする薄膜
に還元する。しかる後にＦｃ３０４膜を大気中で加熱す
ることによって、Ｏｓを含有するγ−Ｆｅ２０．膜を作
製する方法（特願昭５７−１６４１３４、５９−５４２
０５に関連）、（２） 基板−ヒに先ずＦｅとＯｓの
合金ターゲット。
たＦｅターゲット等の反応スパッタリングでＯ３を含有
したベマタイト（α−Ｆｅ２Ｄ３）を主成分とする薄膜
を形成し、得られた薄膜をＨ２等の還元性雰囲気中で加
熱し、マグネタイト（Ｆｃ３０４膜ラック分とする薄膜
に還元する。しかる後にＦｃ３０４膜を大気中で加熱す
ることによって、Ｏｓを含有するγ−Ｆｅ２０．膜を作
製する方法（特願昭５７−１６４１３４、５９−５４２
０５に関連）、（２） 基板−ヒに先ずＦｅとＯｓの
合金ターゲット。
ＦｅとＯｓの焼結ターゲット、 Ｏｓベレットを配置し
たＦｅターゲット等の反応スパッタリングあるいはＯｓ
を含有するＦｅ３Ｏ４ターゲット、Ｏｓベレットを配置
したＦｅ、０４ターゲツトのスパッタリングを用いてＯ
８を含有したマグネタイト薄膜を形成し、得られた薄膜
を大気中で加熱することによってＯ８を含有するγ−Ｆ
ｅ２Ｏ３膜を作製する方法の２つの方法である（特願昭
５９−１５５１４０関連）。
たＦｅターゲット等の反応スパッタリングあるいはＯｓ
を含有するＦｅ３Ｏ４ターゲット、Ｏｓベレットを配置
したＦｅ、０４ターゲツトのスパッタリングを用いてＯ
８を含有したマグネタイト薄膜を形成し、得られた薄膜
を大気中で加熱することによってＯ８を含有するγ−Ｆ
ｅ２Ｏ３膜を作製する方法の２つの方法である（特願昭
５９−１５５１４０関連）。
これら従来の作製法はともに、スパッタリングによる膜
形成の前段階すなわちターゲットにおけるＯｓ元素の組
成を制御して、ＦｅとＯ８あるいはＦｅ、０４とＯ８を
同一なスパッタ雰囲気中におき、スパッタリングを行な
い、酸化鉄中にＯ８を添加するものであった。
形成の前段階すなわちターゲットにおけるＯｓ元素の組
成を制御して、ＦｅとＯ８あるいはＦｅ、０４とＯ８を
同一なスパッタ雰囲気中におき、スパッタリングを行な
い、酸化鉄中にＯ８を添加するものであった。
〈発明が解決しようとする問題点〉
しかしながら添加元素であるＯｓは、（１）高融点で質
量あたりの価格が高い（１ｇ〜６０００円）。
量あたりの価格が高い（１ｇ〜６０００円）。
（２）原子量が大きい、（３）酸化雰囲気中で酸化しや
すく、しかもその酸化物０８０４の沸点が非常に低い等
の性質があるため、従来の作製法では次のような問題点
があった。
すく、しかもその酸化物０８０４の沸点が非常に低い等
の性質があるため、従来の作製法では次のような問題点
があった。
（イ） ターゲットとしてＯｓベレットを配置したＦｅ
（Ｆｅ３０．） 、あるいはＦｅとＯ８の焼結体を用い
ると組成の経時変化や割れが生じやすい。
（Ｆｅ３０．） 、あるいはＦｅとＯ８の焼結体を用い
ると組成の経時変化や割れが生じやすい。
これを防ぐために合金ターゲットを用いる方法かあるが
、Ｆｅと高融点のＯｓとの合金ターゲットを作製するた
めには粉末を焼結して電子ビームあるいはアーク溶解す
る必要がある。このため歩留りが悪く、加工費が高くな
り、実質的作製コストが上昇する。
、Ｆｅと高融点のＯｓとの合金ターゲットを作製するた
めには粉末を焼結して電子ビームあるいはアーク溶解す
る必要がある。このため歩留りが悪く、加工費が高くな
り、実質的作製コストが上昇する。
（ロ） Ｏｓ元素は反応スパッタリング中に酸化しや
すいため、Ｏｓ元素が酸化物として酸化鉄中の介在物と
なったり、あるいはスパッタ中に蒸発損失しやすく、磁
気特性の再現性が悪いつ （ハ）Ｏ８元素は原子量が大きいため、スパッタ粒子の
エネルギーが高く、主成分である酸化鉄膜が基板に形成
される段階で酸化鉄膜の結晶性を劣化させる。特に膜厚
の薄い領域での結晶性が悪く、飽和磁化、角形性の低下
を引きおこす。
すいため、Ｏｓ元素が酸化物として酸化鉄中の介在物と
なったり、あるいはスパッタ中に蒸発損失しやすく、磁
気特性の再現性が悪いつ （ハ）Ｏ８元素は原子量が大きいため、スパッタ粒子の
エネルギーが高く、主成分である酸化鉄膜が基板に形成
される段階で酸化鉄膜の結晶性を劣化させる。特に膜厚
の薄い領域での結晶性が悪く、飽和磁化、角形性の低下
を引きおこす。
本発明の目的は上記の欠点を解決し、酸化鉄薄膜の結晶
性をそこなわずに、低コストで酸化鉄薄膜中にＵｓを添
加でき、しかも高密度磁気記録が可能な磁気記録媒体の
作製法を提供することにある。
性をそこなわずに、低コストで酸化鉄薄膜中にＵｓを添
加でき、しかも高密度磁気記録が可能な磁気記録媒体の
作製法を提供することにある。
更に、本発明の他の目的は、成分の異なる複数のターゲ
ットを同一のスパッタリング装置内に配置してスパッタ
リングを行うに際し、一方のターゲットの元素を酸化さ
せつつ、他方のターゲットの元素を酸化反応に関与させ
ずに膜形成を行える方法を提供することにある。
ットを同一のスパッタリング装置内に配置してスパッタ
リングを行うに際し、一方のターゲットの元素を酸化さ
せつつ、他方のターゲットの元素を酸化反応に関与させ
ずに膜形成を行える方法を提供することにある。
〈問題点を解決するための手段〉
斯かる目的を達成する本発明の構成はスパッタ装置内に
成分の異なる主、副ターゲットを配置すると共に該主タ
ーゲットに対して酸化性ガスを流して酸化反応スパッタ
リングを行うことにより基板に酸化物薄膜を形成する一
方、前記副ターゲットに対して不活性ガスを流してスパ
ッタリングを行うと共に独立に投入電力を調整して上記
酸化物薄膜中に金属元素を添加することを特徴とする。
成分の異なる主、副ターゲットを配置すると共に該主タ
ーゲットに対して酸化性ガスを流して酸化反応スパッタ
リングを行うことにより基板に酸化物薄膜を形成する一
方、前記副ターゲットに対して不活性ガスを流してスパ
ッタリングを行うと共に独立に投入電力を調整して上記
酸化物薄膜中に金属元素を添加することを特徴とする。
く作 用〉
スパッタ装置内において主ターゲットに対して酸化性ガ
スを流してスパッタリングを行うと、基板上に主ターゲ
ットの元素が酸化物・薄膜を形成する。酸化反応スパッ
タリングである。また、副ターゲットに対して不活性ガ
スを流しながらスパッタリングを行うと、副ターゲット
の元素は酸化反応に関与せずに上記酸化物薄膜中に添加
されることとなる。ここで酸化物膜の形成は公知の反応
スパッタで良く、副ターゲットの表面状態は金属状態と
なっており、その添加量は投入電力によって制御される
。従って、副ターゲットの金属元素としてＯｓ元素を用
い、基板上に酸化物薄膜として酸化鉄薄膜を形成する場
合、所定の投入電力の制御によってＯｓ元素の濃度勾配
を付与することができるから、主成分である酸化鉄薄膜
の堆禎初期段階では、結晶性の劣化を防ぐためにＯ８を
添加せず、膜厚の増加とともにＯｓターゲットへの投入
電力を増加させ添加量を増加させると、結晶性良好な酸
化鉄となる。さらに利点となるのは、このようにして得
られた酸化鉄膜は薄膜の深さ方向に磁気特性の勾配かで
きる。すなわち膜の底部ではＨｃが低く、上層部でＨ，
は大きい構成の媒体ができる。記録する際のヘッドの磁
界は膜底部はど弱くなるため、媒体の底部でＩＩＣが小
さくなっていると、媒体全体に記録することが可能とな
り、重ね書き特性が向上するという効果がある。
スを流してスパッタリングを行うと、基板上に主ターゲ
ットの元素が酸化物・薄膜を形成する。酸化反応スパッ
タリングである。また、副ターゲットに対して不活性ガ
スを流しながらスパッタリングを行うと、副ターゲット
の元素は酸化反応に関与せずに上記酸化物薄膜中に添加
されることとなる。ここで酸化物膜の形成は公知の反応
スパッタで良く、副ターゲットの表面状態は金属状態と
なっており、その添加量は投入電力によって制御される
。従って、副ターゲットの金属元素としてＯｓ元素を用
い、基板上に酸化物薄膜として酸化鉄薄膜を形成する場
合、所定の投入電力の制御によってＯｓ元素の濃度勾配
を付与することができるから、主成分である酸化鉄薄膜
の堆禎初期段階では、結晶性の劣化を防ぐためにＯ８を
添加せず、膜厚の増加とともにＯｓターゲットへの投入
電力を増加させ添加量を増加させると、結晶性良好な酸
化鉄となる。さらに利点となるのは、このようにして得
られた酸化鉄膜は薄膜の深さ方向に磁気特性の勾配かで
きる。すなわち膜の底部ではＨｃが低く、上層部でＨ，
は大きい構成の媒体ができる。記録する際のヘッドの磁
界は膜底部はど弱くなるため、媒体の底部でＩＩＣが小
さくなっていると、媒体全体に記録することが可能とな
り、重ね書き特性が向上するという効果がある。
〈実施例１〉
第１図及び第２図は本発明の第１の実施例を説明する図
であって、１はベルジャ、２は基板、３は基板ホルダー
、４は主ターゲット、５は副ターゲット、６は主ターゲ
ットへのゲス導入管、７は副ターゲットへのガス導入管
、８は真空排気系、９．１０は高周波電源である。
であって、１はベルジャ、２は基板、３は基板ホルダー
、４は主ターゲット、５は副ターゲット、６は主ターゲ
ットへのゲス導入管、７は副ターゲットへのガス導入管
、８は真空排気系、９．１０は高周波電源である。
ベルジャ１の下側に主ターゲット（Ｆｅ、直径１２ｃｍ
）４および副ターゲット（Ｏ８，直径５ｃｎ＋）５を配
置し、基板２としては８インチのアルマイト被覆アルミ
合金ディスクをベルジャ上部にターゲツト面に平行に設
置されたホルダー３で保持した。主ターゲット近傍には
アルゴン（Ａｒ）と酸素（０□）が１＝１の混合ガス導
入管６を、副ターゲット近傍にはＡｒガス導入管７を、
それぞれターゲット４．５の上端より１ｃｍ上部に設置
した。Ａｒ−０２混合ガスは、１０ｃｃ／ｍｉｎ、 Ａ
ｒガスは２ｃｃ／ｍｉｎとし、ベルジャ内ガス圧を２
Ｘ １０’Ｔｏｒｒに保って、それぞれ高周波２極スパ
ツタ方式で主ターゲット４には １．５ｋｌｌ、副ター
ゲット５には０〜ｔｏｏｗの電力を変化させて没入し、
スパッタリングを行ない膜厚０，１２μｍのα−Ｆｅ２
０．を形成した。
）４および副ターゲット（Ｏ８，直径５ｃｎ＋）５を配
置し、基板２としては８インチのアルマイト被覆アルミ
合金ディスクをベルジャ上部にターゲツト面に平行に設
置されたホルダー３で保持した。主ターゲット近傍には
アルゴン（Ａｒ）と酸素（０□）が１＝１の混合ガス導
入管６を、副ターゲット近傍にはＡｒガス導入管７を、
それぞれターゲット４．５の上端より１ｃｍ上部に設置
した。Ａｒ−０２混合ガスは、１０ｃｃ／ｍｉｎ、 Ａ
ｒガスは２ｃｃ／ｍｉｎとし、ベルジャ内ガス圧を２
Ｘ １０’Ｔｏｒｒに保って、それぞれ高周波２極スパ
ツタ方式で主ターゲット４には １．５ｋｌｌ、副ター
ゲット５には０〜ｔｏｏｗの電力を変化させて没入し、
スパッタリングを行ない膜厚０，１２μｍのα−Ｆｅ２
０．を形成した。
Ｘ線回折では、α−Ｆｅ２０３構造で異相は認められず
、ＸＦＡによりＯｓの添加量を調べたところ、第３図に
示すようにＯ８元素の含有＠（金属元素のみの比率）は
゛、投入電力に比例して０〜２．２ａｔ９６まで変化し
た。これら薄膜について、加湿水素気流中で３１０℃に
３時間加熱し、マグネタイト （Ｆｅ３０４）膜を得、
さらに大気中で３００℃、３時間加熱酸化して、γ−Ｆ
ｅ ２０．膜とした。この際の＋１ｃを第４図に示す
。副ターゲットの没入電力によって、Ｈｃはほぼ比例し
て増加しており、Ｏｓの添加効果が明らかになりている
。本方法によるスパッタでは副ターゲット５の表面状態
には、酸化等の黒化は認められず、さらに磁気特性の再
現性も １００時間程度のスパッタでもほとんど変化は
なかった。また主ターゲット４の反応スパッタを行ない
ながら副ターゲット５のスパッタでＯｓを従来方法と同
様な効果で添加でき、しかも投入電力でＯｓ添加量を制
御できた。
、ＸＦＡによりＯｓの添加量を調べたところ、第３図に
示すようにＯ８元素の含有＠（金属元素のみの比率）は
゛、投入電力に比例して０〜２．２ａｔ９６まで変化し
た。これら薄膜について、加湿水素気流中で３１０℃に
３時間加熱し、マグネタイト （Ｆｅ３０４）膜を得、
さらに大気中で３００℃、３時間加熱酸化して、γ−Ｆ
ｅ ２０．膜とした。この際の＋１ｃを第４図に示す
。副ターゲットの没入電力によって、Ｈｃはほぼ比例し
て増加しており、Ｏｓの添加効果が明らかになりている
。本方法によるスパッタでは副ターゲット５の表面状態
には、酸化等の黒化は認められず、さらに磁気特性の再
現性も １００時間程度のスパッタでもほとんど変化は
なかった。また主ターゲット４の反応スパッタを行ない
ながら副ターゲット５のスパッタでＯｓを従来方法と同
様な効果で添加でき、しかも投入電力でＯｓ添加量を制
御できた。
く実 施 例 ２〉
次に実施例１と同様なベルジャ１により主ターゲット４
のスパッタを同様に１２０分行ない、副ターゲット５の
スパッタは主ターゲット４のスパッタ開始時では電力投
入せず（二１２０分の間にＩＷ／ｍｉｎで電力を徐々に
増加させて、膜厚方向でＯ８添加量を変化させたα−Ｆ
ｅ２０３薄膜を作製した。この薄膜は、ＸＦＡによる組
成分析では、薄膜全体として、約０．８３ａｔ、％のＯ
ｓを含有しているが、ＥＳＣＡによる深さ方向分布測定
では基板側から表面側にかけてＯｓ添加量が増加した薄
膜が形成されている。比較のために従来方法で膜厚方向
に均一にＯ３が分布し０．８５ａｔ％のＯｓを含有する
α−Ｆｅ２０３膜を作製した。この際には、主ターゲッ
ト４のスパッタ条件を同じにして、主ターゲット上のＯ
Ｓベレットの量を制御することで添加量を制御した。両
薄膜を実施例１と同様な熱処理を行なって、ギャップ長
（’２ｇ） ＝ ０．２７μｍ、コア幅＝５０μｍ、コ
イルターン数＝２０、のＭｎ−Ｚｎフェライトヘッドを
用い、周速２０ｍ／ｓ （浮上量的０．２μｍ）で重ね
書き特性を調べたところ、（２ｆ＝１０００ｂｐｍ、
Ｏ／Ｗ＝ Ｉｆ’／２ｆ）従来法による０７Ｗは一２０
ｄＢのところを、 Ｏｓの濃度勾配をつけた薄膜は一３
１ｄＢと１ｌｄＢも良好であることがわかった。このよ
うに、従来のようにターゲットのＯｓ組成で酸化鉄薄膜
中のＯ８含有量を制御する場合には、酸化鉄薄膜中のＯ
ｓ含有量の深さ方向分布を調節することは不可能であっ
たか、本発明の作製方法においては容易に変化させるこ
とができ、重ね書き特性が改善される。
のスパッタを同様に１２０分行ない、副ターゲット５の
スパッタは主ターゲット４のスパッタ開始時では電力投
入せず（二１２０分の間にＩＷ／ｍｉｎで電力を徐々に
増加させて、膜厚方向でＯ８添加量を変化させたα−Ｆ
ｅ２０３薄膜を作製した。この薄膜は、ＸＦＡによる組
成分析では、薄膜全体として、約０．８３ａｔ、％のＯ
ｓを含有しているが、ＥＳＣＡによる深さ方向分布測定
では基板側から表面側にかけてＯｓ添加量が増加した薄
膜が形成されている。比較のために従来方法で膜厚方向
に均一にＯ３が分布し０．８５ａｔ％のＯｓを含有する
α−Ｆｅ２０３膜を作製した。この際には、主ターゲッ
ト４のスパッタ条件を同じにして、主ターゲット上のＯ
Ｓベレットの量を制御することで添加量を制御した。両
薄膜を実施例１と同様な熱処理を行なって、ギャップ長
（’２ｇ） ＝ ０．２７μｍ、コア幅＝５０μｍ、コ
イルターン数＝２０、のＭｎ−Ｚｎフェライトヘッドを
用い、周速２０ｍ／ｓ （浮上量的０．２μｍ）で重ね
書き特性を調べたところ、（２ｆ＝１０００ｂｐｍ、
Ｏ／Ｗ＝ Ｉｆ’／２ｆ）従来法による０７Ｗは一２０
ｄＢのところを、 Ｏｓの濃度勾配をつけた薄膜は一３
１ｄＢと１ｌｄＢも良好であることがわかった。このよ
うに、従来のようにターゲットのＯｓ組成で酸化鉄薄膜
中のＯ８含有量を制御する場合には、酸化鉄薄膜中のＯ
ｓ含有量の深さ方向分布を調節することは不可能であっ
たか、本発明の作製方法においては容易に変化させるこ
とができ、重ね書き特性が改善される。
く実 施 例 ３〉
第５図〜第７図に示すように主ターゲット４、副ターゲ
ット５．そしてスパッタ中に基板２の円周方向に磁場を
印加することができる磁Ｖｉｌｌをベルジャ内に配置し
、アルゴンと酸素の比率８５：１５の混合ガスを導入し
、ガス圧を３．５Ｘ １Ｏ−２Ｔｏｒｒに保ち、以下の
２種類の薄膜０．１μｍの酸化鉄薄膜を形成した。
ット５．そしてスパッタ中に基板２の円周方向に磁場を
印加することができる磁Ｖｉｌｌをベルジャ内に配置し
、アルゴンと酸素の比率８５：１５の混合ガスを導入し
、ガス圧を３．５Ｘ １Ｏ−２Ｔｏｒｒに保ち、以下の
２種類の薄膜０．１μｍの酸化鉄薄膜を形成した。
（１）主ターゲット４のスパッタ電力を３ ｋＷ。
副ターゲット５の電力を１００Ｗで形成したＦｅ５０．
膜 ＋２） Ｔｌｌと同じスパッタ条件で、ベルジャ１内
の磁極１１を使用し、膜の堆積中にディスク円周方向に
約２ｋＯｅの磁場を印加して作製した Ｆｅ３Ｏ４膜 これら Ｆｅ３Ｏ４膜は約１．２ａｔ！ｌ、のＯｓｉ含
有していた。これら膜を３２０℃で３ｈｒ大気中酸化を
行ないγ−Ｆｅ２Ｏ３とした時の磁気特性を、従来の作
製法（Ｆｅ−１，２ａｔ！ｋｏｓ合金ターゲットを用い
、ガス圧４ Ｘ １Ｏ−２Ｔｏｒｒ、スパッタ電力２．
８ｋＷで得たＦｅ５０．膜を大気中で酸化した膜）によ
る１、２ａｔｌＯｓ含有膜の磁気特性と比較して表１に
示す。
膜 ＋２） Ｔｌｌと同じスパッタ条件で、ベルジャ１内
の磁極１１を使用し、膜の堆積中にディスク円周方向に
約２ｋＯｅの磁場を印加して作製した Ｆｅ３Ｏ４膜 これら Ｆｅ３Ｏ４膜は約１．２ａｔ！ｌ、のＯｓｉ含
有していた。これら膜を３２０℃で３ｈｒ大気中酸化を
行ないγ−Ｆｅ２Ｏ３とした時の磁気特性を、従来の作
製法（Ｆｅ−１，２ａｔ！ｋｏｓ合金ターゲットを用い
、ガス圧４ Ｘ １Ｏ−２Ｔｏｒｒ、スパッタ電力２．
８ｋＷで得たＦｅ５０．膜を大気中で酸化した膜）によ
る１、２ａｔｌＯｓ含有膜の磁気特性と比較して表１に
示す。
以下余白
表１
※ただし、薄膜（２）では、ディスクの円周方向に測定
した場合の値 表から明らかなように、本発明の作製法では、保磁力、
角形比、飽和磁化の値が従来方法よりも増加している。
した場合の値 表から明らかなように、本発明の作製法では、保磁力、
角形比、飽和磁化の値が従来方法よりも増加している。
さらに、ディスクの円周方向に磁場を印加しながら膜形
成を行なったγ−Ｆｅ２Ｏ３膜において、円周方向の角
形比と保磁力が向旧する。
成を行なったγ−Ｆｅ２Ｏ３膜において、円周方向の角
形比と保磁力が向旧する。
また、この磁場の印加方向を膜面垂直方向とすれば、垂
直磁気異方性膜の形成も可能である。
直磁気異方性膜の形成も可能である。
このように、Ｏ３を含有する酸化鉄薄膜の形成において
、ターゲットでＯｓ組成を制御するのではなく、主ター
ゲット４では酸化鉄形成反応を生じせしめ副ターゲット
５を使用して。
、ターゲットでＯｓ組成を制御するのではなく、主ター
ゲット４では酸化鉄形成反応を生じせしめ副ターゲット
５を使用して。
０ｓをメタル状態として酸化鉄中に添加することにより
、酸化鉄薄膜の結晶性をそこなわずにＯ８の添加が可能
となり、しかもＯｓ添加量の膜厚方向勾配を形成できる
ため重ね書き特性が向上する等の利点がある。
、酸化鉄薄膜の結晶性をそこなわずにＯ８の添加が可能
となり、しかもＯｓ添加量の膜厚方向勾配を形成できる
ため重ね書き特性が向上する等の利点がある。
〈発明の効果〉
以上、実施例に基づいて具体的に説明したように、本発
明はスパッタリングにより酸化物薄膜を形成するに際し
、主ターゲットの元素を酸化させつつ、副ターゲットの
元素を酸化反応に関与させずに膜形成を行うことができ
、更に副ターゲットの元素の添加量に膜厚方向の勾配を
もたせることができる。
明はスパッタリングにより酸化物薄膜を形成するに際し
、主ターゲットの元素を酸化させつつ、副ターゲットの
元素を酸化反応に関与させずに膜形成を行うことができ
、更に副ターゲットの元素の添加量に膜厚方向の勾配を
もたせることができる。
第１図は本発明の第１の実施例を説明する説明図、第２
図は第１図のｎ−ｎ線矢視図、第３図はＯｓターゲット
への投入電力と酸化鉄中のＯ３添加量の関係を示すグラ
フ、第４図はＯｓターゲットへの投入電力とγ−Ｆｅ２
０３薄膜の保持力との関係を示すグラフ、第５図は本発
明の他の実施例を説明する説明図、第６図は第５図中Ｖ
Ｉ−ＶＩ線矢視図、第７図はＭｉ極付近を示す拡大図で
ある。 図面中、 １はベルジャ、２は基板、３は基板ホルダー。 ４は主ターゲット、５は副ターゲット、６は主ターゲッ
トへのガス導入管、７は副ターゲットへのガス導入管、
８は真空排気系、９．１０は高周波電源、１１は磁極で
ある。
図は第１図のｎ−ｎ線矢視図、第３図はＯｓターゲット
への投入電力と酸化鉄中のＯ３添加量の関係を示すグラ
フ、第４図はＯｓターゲットへの投入電力とγ−Ｆｅ２
０３薄膜の保持力との関係を示すグラフ、第５図は本発
明の他の実施例を説明する説明図、第６図は第５図中Ｖ
Ｉ−ＶＩ線矢視図、第７図はＭｉ極付近を示す拡大図で
ある。 図面中、 １はベルジャ、２は基板、３は基板ホルダー。 ４は主ターゲット、５は副ターゲット、６は主ターゲッ
トへのガス導入管、７は副ターゲットへのガス導入管、
８は真空排気系、９．１０は高周波電源、１１は磁極で
ある。
Claims (4)
- （１）スパッタ装置内に成分の異なる主、副ターゲット
を配置すると共に該主ターゲットに対して酸化性ガスを
流して酸化反応スパッタリングを行うことにより基板に
酸化物薄膜を形成する一方、前記副ターゲットに対して
不活性ガスを流してスパッタリングを行うと共に独立に
投入電力を調整して上記酸化物薄膜中に金属元素を添加
することを特徴とする酸化物薄膜の作製法。 - （２）特許請求の範囲第１項において、前記主ターゲッ
トはＦｅを主成分とし、前記副ターゲットはＯｓを主成
分とすることを特徴とする酸化物薄膜の作製法。 - （３）特許請求の範囲第２項において、前記酸化物薄膜
は酸化鉄薄膜であり、該薄膜中に前記金属元素としてＯ
ｓ元素を添加することを特徴とする酸化物薄膜の作製法
。 - （４）特許請求の範囲第１項において、前記酸化性ガス
としてＡｒ−Ｏ＿２混合ガスを使用し、前記不活性ガス
としてＡｒガスを使用することを特徴とする酸化物薄膜
の作製法。（５）特許請求の範囲第１項において、前記
酸化物薄膜を形成中、前記基板に垂直あるいは平行方向
に磁界を印加することを特徴とする酸化物薄膜の作製法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19566786A JPS6353721A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 酸化物薄膜の作製法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19566786A JPS6353721A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 酸化物薄膜の作製法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6353721A true JPS6353721A (ja) | 1988-03-08 |
Family
ID=16344990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19566786A Pending JPS6353721A (ja) | 1986-08-22 | 1986-08-22 | 酸化物薄膜の作製法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6353721A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102115870A (zh) * | 2009-12-30 | 2011-07-06 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 溅镀装置 |
-
1986
- 1986-08-22 JP JP19566786A patent/JPS6353721A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102115870A (zh) * | 2009-12-30 | 2011-07-06 | 鸿富锦精密工业（深圳）有限公司 | 溅镀装置 |
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