JPS6354679B2 - - Google Patents
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- JPS6354679B2 JPS6354679B2 JP55013375A JP1337580A JPS6354679B2 JP S6354679 B2 JPS6354679 B2 JP S6354679B2 JP 55013375 A JP55013375 A JP 55013375A JP 1337580 A JP1337580 A JP 1337580A JP S6354679 B2 JPS6354679 B2 JP S6354679B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- melt
- seed
- crystal
- temperature
- seeds
- Prior art date
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はチヨクラルスキイ法による希土類アル
ミネイト単結晶の育成方法に関するものである。
イツトリウムアルミネイト（YAlO3）、ガドリニ
ウムアルミネイト（GdAlO3）等の希土類アルミ
ネイト結晶は常温で偽ペロブスカイト型の結晶構
造を有するが、これらの結晶は高温からの冷却過
程において結晶構造が変化する。例えばYAlO3
はY2O3−Al2O3二元系平衡状態図からも明らかな
ように高温安定型の結晶である。希土類アルミネ
イト結晶はこうした性質を有するため、単結晶育
成過程において双晶や割れを生じ易くまたかろう
じて結晶は育成されても内部歪が大きいため加工
時に結晶が割れてしまうことがしばしばあつた。
本発明者らは結晶育成条件とこうした双晶や割れ
の発生との関連について詳細な実験に基き検討し
た結果、結晶育成の初期段階で行うシーデング
（種子づけ操作）の状況がそれ以降に生ずる双晶
や割れに重大な関連があることを見出した。すな
わち、良質のシード（種子結晶）を用い、適切な
シーデイングを行えば、前述のような欠点のない
結晶が出来ることがわかつたのである。
ミネイト単結晶の育成方法に関するものである。
イツトリウムアルミネイト（YAlO3）、ガドリニ
ウムアルミネイト（GdAlO3）等の希土類アルミ
ネイト結晶は常温で偽ペロブスカイト型の結晶構
造を有するが、これらの結晶は高温からの冷却過
程において結晶構造が変化する。例えばYAlO3
はY2O3−Al2O3二元系平衡状態図からも明らかな
ように高温安定型の結晶である。希土類アルミネ
イト結晶はこうした性質を有するため、単結晶育
成過程において双晶や割れを生じ易くまたかろう
じて結晶は育成されても内部歪が大きいため加工
時に結晶が割れてしまうことがしばしばあつた。
本発明者らは結晶育成条件とこうした双晶や割れ
の発生との関連について詳細な実験に基き検討し
た結果、結晶育成の初期段階で行うシーデング
（種子づけ操作）の状況がそれ以降に生ずる双晶
や割れに重大な関連があることを見出した。すな
わち、良質のシード（種子結晶）を用い、適切な
シーデイングを行えば、前述のような欠点のない
結晶が出来ることがわかつたのである。
本発明はこの適切なシーデイングを極めて容易
に、かつ確実に行う方法を提供するものである。
に、かつ確実に行う方法を提供するものである。
以下、従来試みられてきたシーデング方法およ
び本発明による方法を具体的に説明する。
び本発明による方法を具体的に説明する。
第１図は一般的に使われている高周波加熱方式
のチヨクラルスキイ型単結晶引上装置の概略図
で、以下に説明するシーデング実験および本発明
を実施するために用いた装置の一例を示すもので
ある。しかし本発明においてはこの加熱方式を限
定する必要はない。第１図において、１は筐体、
２は雰囲気ガス流入口、３は同流出口、４は結晶
回転軸、５はアルミナ耐火物、６，７および８は
ジルコニア耐火物、９はジルコニア粉末、１０は
加熱用高周波コイル、１１はイリジウム製推堝、
１２はシード結晶、１３は育成結晶、１４は原料
融体、をそれぞれ示す。
のチヨクラルスキイ型単結晶引上装置の概略図
で、以下に説明するシーデング実験および本発明
を実施するために用いた装置の一例を示すもので
ある。しかし本発明においてはこの加熱方式を限
定する必要はない。第１図において、１は筐体、
２は雰囲気ガス流入口、３は同流出口、４は結晶
回転軸、５はアルミナ耐火物、６，７および８は
ジルコニア耐火物、９はジルコニア粉末、１０は
加熱用高周波コイル、１１はイリジウム製推堝、
１２はシード結晶、１３は育成結晶、１４は原料
融体、をそれぞれ示す。
第２図ないし第７図の各図は、上記装置により
２mmないし３mm角のシードを用いて希土類アルミ
ネイト単結晶育成を行う場合の、シーデング時の
シードと原料融体との状況を示す図である。
２mmないし３mm角のシードを用いて希土類アルミ
ネイト単結晶育成を行う場合の、シーデング時の
シードと原料融体との状況を示す図である。
第２図は原料融体およびその周辺の温度条件が
シーデングに適した温度よりかなり高すぎる場合
を示している。つまり温度が極端に高い場合には
シード２１を融体２２に近ずけただけでシード２
１の先端がとけてしまう。勿論このような状況で
は融体にシードを挿入すると急速に融解してしま
い、シーデングは不可能である。
シーデングに適した温度よりかなり高すぎる場合
を示している。つまり温度が極端に高い場合には
シード２１を融体２２に近ずけただけでシード２
１の先端がとけてしまう。勿論このような状況で
は融体にシードを挿入すると急速に融解してしま
い、シーデングは不可能である。
次に第３図に示すようにかなり低い温度でシー
ド３１を挿入すると融体３２のシード周辺は固化
し急速に周囲へ広がつてしまう。この様な状態か
ら育成した結晶にはほとんどのものに割れがみら
れた。
ド３１を挿入すると融体３２のシード周辺は固化
し急速に周囲へ広がつてしまう。この様な状態か
ら育成した結晶にはほとんどのものに割れがみら
れた。
第４図はY3Al5O12（イツトリウムアルミニウム
ガーネツト以後YAGと略記する）等々の通常の
結晶引上においては適当とされているシーデイン
グ状況を示したもので、これは第２図と第３図の
間の温度において実現されるものである。この条
件においては、シード４１を融体に接触させた瞬
間は第４図Ａのように融体４２がへこむが、やが
て同図Ｂのように融体となじんで液面が平にな
る。ここでシード４１を融体４２から引出して観
察してみると先が鋭くなつており、再び融体４２
中にシード４１を挿入して時間を置いてから再び
引上げてみてもこの形はあまり変わらない。従
来、このような状態あるいはこれよりわずかに高
温のところから結晶育成をはじめるのがYAGな
どの場合では通例であつた。ところが本発明の対
象である希土類アルミネイトの場合には、第４図
Ｂの状態から結晶引上を開始すると同図Ｄのよう
にどんどん径が増大して行き、こうした経過をた
どつて育成された結晶は引上速度等他の条件にか
かわらず割れや双晶を生じてしまう。Ｂの状態に
おいてわずかに温度を高くしてしばらく置きシー
ドと融体が熱平衡状態に達してから引上を開始す
るとＤの様に径は増大しないが逆に短時間のうち
に結晶が細くなつて行き融体から切れてしまう。
そこでＢの状態から引上を開始すると同時に適当
な比率で温度上昇を開始するという事が考えられ
るがこれは温度制御が極端に難かしくほとんどの
場合第４図Ｅの様な形となつてやはり結晶が融体
から切れてしまうことが多かつた。
ガーネツト以後YAGと略記する）等々の通常の
結晶引上においては適当とされているシーデイン
グ状況を示したもので、これは第２図と第３図の
間の温度において実現されるものである。この条
件においては、シード４１を融体に接触させた瞬
間は第４図Ａのように融体４２がへこむが、やが
て同図Ｂのように融体となじんで液面が平にな
る。ここでシード４１を融体４２から引出して観
察してみると先が鋭くなつており、再び融体４２
中にシード４１を挿入して時間を置いてから再び
引上げてみてもこの形はあまり変わらない。従
来、このような状態あるいはこれよりわずかに高
温のところから結晶育成をはじめるのがYAGな
どの場合では通例であつた。ところが本発明の対
象である希土類アルミネイトの場合には、第４図
Ｂの状態から結晶引上を開始すると同図Ｄのよう
にどんどん径が増大して行き、こうした経過をた
どつて育成された結晶は引上速度等他の条件にか
かわらず割れや双晶を生じてしまう。Ｂの状態に
おいてわずかに温度を高くしてしばらく置きシー
ドと融体が熱平衡状態に達してから引上を開始す
るとＤの様に径は増大しないが逆に短時間のうち
に結晶が細くなつて行き融体から切れてしまう。
そこでＢの状態から引上を開始すると同時に適当
な比率で温度上昇を開始するという事が考えられ
るがこれは温度制御が極端に難かしくほとんどの
場合第４図Ｅの様な形となつてやはり結晶が融体
から切れてしまうことが多かつた。
以上の如く従来のシーデイング方法すなわち
YAG結晶の場合等一般の結晶育成において良好
なシーデイングといわれる条件下で育成を始めて
もなお、育成させようとする単結晶が希土類アル
ミネイトであるときには双晶や割れの発生をまぬ
がれない場合があまりにも多く産業的規模で実施
することは余りにも困難であつた。
YAG結晶の場合等一般の結晶育成において良好
なシーデイングといわれる条件下で育成を始めて
もなお、育成させようとする単結晶が希土類アル
ミネイトであるときには双晶や割れの発生をまぬ
がれない場合があまりにも多く産業的規模で実施
することは余りにも困難であつた。
ところで本発明者らは希土類アルミネイト単結
晶の育成において、結晶径の極めて小さな領域た
とえば直径１mm以下、その長さ１mm以上程度の首
状の領域をつくることによりそれ以降の結晶につ
いては割れや双晶の発生が極端に少なくなること
を見出した。しかし、以上説明してきたように通
常のシーデイング方法によつてはシーデング直後
にこうした径の小さい領域をつくることはほとん
ど不可能に近く、したがつてシーデング直下から
割れや双晶を全く生じない良質単結晶を得ること
は極めて困難であつた。
晶の育成において、結晶径の極めて小さな領域た
とえば直径１mm以下、その長さ１mm以上程度の首
状の領域をつくることによりそれ以降の結晶につ
いては割れや双晶の発生が極端に少なくなること
を見出した。しかし、以上説明してきたように通
常のシーデイング方法によつてはシーデング直後
にこうした径の小さい領域をつくることはほとん
ど不可能に近く、したがつてシーデング直下から
割れや双晶を全く生じない良質単結晶を得ること
は極めて困難であつた。
本発明は特殊なシーデング方法をとることによ
り、前述の微小径領域を極めて容易にかつ確実に
しかも極めて良質の大きな単結晶を産業的規模で
製造し得るようにしたものである。以下その方法
を具体例に基いて詳細に説明する。
り、前述の微小径領域を極めて容易にかつ確実に
しかも極めて良質の大きな単結晶を産業的規模で
製造し得るようにしたものである。以下その方法
を具体例に基いて詳細に説明する。
本発明による方法を実施するにあたつては、ま
ず通常のシーデングを行う状態、すなわち第４図
ＢおよびＣで示した状態になるように温度を設定
しておく、この状態でシード５１を少し深く融体
５２中に５〜10秒間浸して引上げると、第５図Ａ
のような角ばつたシードでも第５図Ｂに示すよう
に先が細くとがつて出てくる。このような状態か
らごくわずか温度を上昇させ、第６図Ａに示すよ
うに例にシード６１を５mm〜７mmほど融体６２中
に浸してみる。このとき５分間ないし15分間ほど
で融体６２の液面下にあつた部分のシード結晶が
第６図Ｂに示すようにほとんどとけてしまいさら
に数分間ないし十数分間放置するとシードが融体
から完全に離れてしまう状態になるように温度を
再調整する。これを実現するにはごくわずか温度
を上昇させてはシードを時析出し入れして確認す
ればよく、実際に行なつてみれば容易にこの状態
の温度に設定することができこのような状態にな
つたらシード６１を改めて７〜10mmほど融体６２
中に挿入して約15秒単位くらいで引出しと挿入と
を２〜３回くりかえしシード６１の先端を第５図
Ｂのように細くとがるように整形する。次に整形
されたシードを５〜７mmほど融体６２に浸し、１
分ないし３分後に毎秒５mm以上の引上速度で一挙
にシードを持上げると第７図に示すように融体が
シード結晶に引張られて引上つてくる。このとき
引上速度が小さいと前述の形状、すなわち直径１
mm以下の領域を形成することが困難になるばかり
か、双晶や格子欠陥を発生し、本発明の目的を達
成できなくなることが多い。本発明の効果を充分
得るためには一挙に引上げる際の速度は毎秒５mm
以上が必要なことが多くの実験結果より明らかと
なつた。なお引上げる距離は、この持ち上つてき
た融体（第７図の斜交線でバツチングした部分）
が重力が落ちて離れてしまう直前で止めるのがよ
く、通常0.5mmないし１mmになる。この操作が極
めて重要であり以降の成否を左右するが、幸なこ
とに何回やり直しをしたとしても結果的にこの状
態さえ実現できれば最終結果に悪影響はない。こ
のようにして、第７図に示す状態が実現できたな
らば、温度設定を変化させずに５分間ほど放置す
るとシードについて引上つてきた融体（斜交線で
ハツチングを施した部分）が結晶化し少し光つて
みえてくる。この状態から以降は通常の結晶引上
操作を開始し、温度を制御して任意の形状に育成
することができる。
ず通常のシーデングを行う状態、すなわち第４図
ＢおよびＣで示した状態になるように温度を設定
しておく、この状態でシード５１を少し深く融体
５２中に５〜10秒間浸して引上げると、第５図Ａ
のような角ばつたシードでも第５図Ｂに示すよう
に先が細くとがつて出てくる。このような状態か
らごくわずか温度を上昇させ、第６図Ａに示すよ
うに例にシード６１を５mm〜７mmほど融体６２中
に浸してみる。このとき５分間ないし15分間ほど
で融体６２の液面下にあつた部分のシード結晶が
第６図Ｂに示すようにほとんどとけてしまいさら
に数分間ないし十数分間放置するとシードが融体
から完全に離れてしまう状態になるように温度を
再調整する。これを実現するにはごくわずか温度
を上昇させてはシードを時析出し入れして確認す
ればよく、実際に行なつてみれば容易にこの状態
の温度に設定することができこのような状態にな
つたらシード６１を改めて７〜10mmほど融体６２
中に挿入して約15秒単位くらいで引出しと挿入と
を２〜３回くりかえしシード６１の先端を第５図
Ｂのように細くとがるように整形する。次に整形
されたシードを５〜７mmほど融体６２に浸し、１
分ないし３分後に毎秒５mm以上の引上速度で一挙
にシードを持上げると第７図に示すように融体が
シード結晶に引張られて引上つてくる。このとき
引上速度が小さいと前述の形状、すなわち直径１
mm以下の領域を形成することが困難になるばかり
か、双晶や格子欠陥を発生し、本発明の目的を達
成できなくなることが多い。本発明の効果を充分
得るためには一挙に引上げる際の速度は毎秒５mm
以上が必要なことが多くの実験結果より明らかと
なつた。なお引上げる距離は、この持ち上つてき
た融体（第７図の斜交線でバツチングした部分）
が重力が落ちて離れてしまう直前で止めるのがよ
く、通常0.5mmないし１mmになる。この操作が極
めて重要であり以降の成否を左右するが、幸なこ
とに何回やり直しをしたとしても結果的にこの状
態さえ実現できれば最終結果に悪影響はない。こ
のようにして、第７図に示す状態が実現できたな
らば、温度設定を変化させずに５分間ほど放置す
るとシードについて引上つてきた融体（斜交線で
ハツチングを施した部分）が結晶化し少し光つて
みえてくる。この状態から以降は通常の結晶引上
操作を開始し、温度を制御して任意の形状に育成
することができる。
第８図Ａは従来の方法で育成した結晶の外観
図、第８図ＢおよびＣは本発明の方法によつて育
成した結晶の外観図である。
図、第８図ＢおよびＣは本発明の方法によつて育
成した結晶の外観図である。
第８図Ａの外観を呈する結晶はそもそも望みど
おりになかなか育成できないが、稀に育成できた
ものについて測定してみても、双晶や割れのない
結晶が得られる確率は30％以下であつた。しかし
第８図ＢおよびＣの外観を呈するものでは、まず
確実に大きな結晶が成長でき、しかも双晶や割れ
のないものが80％以上もあつた。なお本発明の方
法によるシーデングを行つた以降は、第８図Ｂの
ように径を徐々に増大させても、また第８図Ｃの
ように比較的急激に径を増大させた場合でも、い
ずれにおいても割れや、双晶のない結晶が充分に
満足すべき状態で得られた。
おりになかなか育成できないが、稀に育成できた
ものについて測定してみても、双晶や割れのない
結晶が得られる確率は30％以下であつた。しかし
第８図ＢおよびＣの外観を呈するものでは、まず
確実に大きな結晶が成長でき、しかも双晶や割れ
のないものが80％以上もあつた。なお本発明の方
法によるシーデングを行つた以降は、第８図Ｂの
ように径を徐々に増大させても、また第８図Ｃの
ように比較的急激に径を増大させた場合でも、い
ずれにおいても割れや、双晶のない結晶が充分に
満足すべき状態で得られた。
次に一実施例としてYAlO3単結晶を本発明に
よる方法で育成した場合を説明する。
よる方法で育成した場合を説明する。
第１図に示す引上装置を用い、直径50mm深さ50
mmのイリジウム製るつぼにAl2O3100グラム、
Y2O3221グラムよりなる混合粉体を溶かし込み、
方位〈010〉太さ３mmの角柱状のシードを用いて
シーデングを行つた。先に説明した如くにシーデ
イング温度を設定した後、シードを約７mm融液に
浸し、１分後手動で融液からシードが離れる寸前
まで毎秒５mmの速度で一挙に引上げて停止し、５
分間放置した後通常の育成を開始した。結晶の肩
が約20度の角度で広がるように温度を制御しなが
ら毎時2.5mmの速度で引上げ、直径が約20mmにな
つたところで定径となるようにし、全長約64mmで
育成を終了した。なお育成は窒素雰囲気内で行
い、シード回転数は毎分15回転とした。育成後結
晶をとり出してみたところシーデイング直後の結
晶径は約1.5mmでほぼこの径を保つている区間は
約2.0mmであつた。結晶には割れや双晶の発生は
みられず、この結晶を所定の形状にする加工時に
も割れが入るようなことはなかつた。なおシード
の方位、回転数、引上速度等を種々変化させても
本発明の方法は有効であつた。
mmのイリジウム製るつぼにAl2O3100グラム、
Y2O3221グラムよりなる混合粉体を溶かし込み、
方位〈010〉太さ３mmの角柱状のシードを用いて
シーデングを行つた。先に説明した如くにシーデ
イング温度を設定した後、シードを約７mm融液に
浸し、１分後手動で融液からシードが離れる寸前
まで毎秒５mmの速度で一挙に引上げて停止し、５
分間放置した後通常の育成を開始した。結晶の肩
が約20度の角度で広がるように温度を制御しなが
ら毎時2.5mmの速度で引上げ、直径が約20mmにな
つたところで定径となるようにし、全長約64mmで
育成を終了した。なお育成は窒素雰囲気内で行
い、シード回転数は毎分15回転とした。育成後結
晶をとり出してみたところシーデイング直後の結
晶径は約1.5mmでほぼこの径を保つている区間は
約2.0mmであつた。結晶には割れや双晶の発生は
みられず、この結晶を所定の形状にする加工時に
も割れが入るようなことはなかつた。なおシード
の方位、回転数、引上速度等を種々変化させても
本発明の方法は有効であつた。
以上本発明の方法および効果をYAlO3単結晶
育成の場合を例にとり説明してきたが、本発明の
育成方法はたとえばガドリニウムアルミネイト
（GdAlO3）等の他の希土類アルミネイト結晶
等々の類似の結晶の場合についても勿論有効であ
る。
育成の場合を例にとり説明してきたが、本発明の
育成方法はたとえばガドリニウムアルミネイト
（GdAlO3）等の他の希土類アルミネイト結晶
等々の類似の結晶の場合についても勿論有効であ
る。
以上本発明による方法、すなわちシーデイング
に際し通常の結晶引上の場合より高めの温度、具
体的には仮にシードを挿入した場合に数分ないし
十数分で挿入部分が融解するように温度を設定
し、しかる後シードを改めて挿入し一定時間経過
後毎秒５mm以上の速度で一挙にシードを引上げて
静止し、この際シードと共に引上つてきた融液が
固化するのを待つてから通常の育成操作に入る、
という極めて明確かつ容易なシーデイング方法を
実施することにより、割れや双晶の発生率を極め
て低く押えた状態で、従来育成が極めて困難とさ
れていた希土類アルミネイト単結晶の育成が可能
となつた。
に際し通常の結晶引上の場合より高めの温度、具
体的には仮にシードを挿入した場合に数分ないし
十数分で挿入部分が融解するように温度を設定
し、しかる後シードを改めて挿入し一定時間経過
後毎秒５mm以上の速度で一挙にシードを引上げて
静止し、この際シードと共に引上つてきた融液が
固化するのを待つてから通常の育成操作に入る、
という極めて明確かつ容易なシーデイング方法を
実施することにより、割れや双晶の発生率を極め
て低く押えた状態で、従来育成が極めて困難とさ
れていた希土類アルミネイト単結晶の育成が可能
となつた。
第１図は本発明を実施するために使用した一般
的な高周波加熱方式のチヨクラルスキイ型単結晶
引上装置の一例を示す概略図である。図中、１は
筐体、２は雰囲気ガス流入口、３は同流出口、４
は結晶回転軸、５はアルミナ耐火物、６，７およ
び８はジルコニア耐火物、９はジルコニア粉末、
１０は加熱用高周波コイル、１１はイリジウム製
坩堝、１２はシード結晶、１３は育成結晶、１４
は原料融体、をそれぞれ示す。第２図、第３図、
および第４図は従来のシーデイング方法を説明す
るための図である。第５図、第６図および第７図
は本発明によるシーデイング方法を説明するため
の図である。図中２１，３１，４１，５１，６
１，７１はシード結晶を、また２２，３２，４
２，５２，６２，７２は融体を示している。第８
図は育成結晶を示したもので、第８図Ａは従来の
方法によるもの、第８図ＢおよびＣは本発明の方
法によるものである。
的な高周波加熱方式のチヨクラルスキイ型単結晶
引上装置の一例を示す概略図である。図中、１は
筐体、２は雰囲気ガス流入口、３は同流出口、４
は結晶回転軸、５はアルミナ耐火物、６，７およ
び８はジルコニア耐火物、９はジルコニア粉末、
１０は加熱用高周波コイル、１１はイリジウム製
坩堝、１２はシード結晶、１３は育成結晶、１４
は原料融体、をそれぞれ示す。第２図、第３図、
および第４図は従来のシーデイング方法を説明す
るための図である。第５図、第６図および第７図
は本発明によるシーデイング方法を説明するため
の図である。図中２１，３１，４１，５１，６
１，７１はシード結晶を、また２２，３２，４
２，５２，６２，７２は融体を示している。第８
図は育成結晶を示したもので、第８図Ａは従来の
方法によるもの、第８図ＢおよびＣは本発明の方
法によるものである。
Claims (1)
- １ チヨクラルスキイ法を用いて希土類アルミネ
イト単結晶を育成するためのシーデイング（種子
づけ）操作を行なうに際し、まづ原料融体の温度
を仮に融体中に挿入したシード（種子結晶）の挿
入部分が数分ないし十数分間でほぼ融解しさらに
放置すればやがてはシードが融体から完全に離れ
てしまう様な温度に設定し、しかる後改めてシー
ドを原料融体中に挿入し１ないし数分経過後に毎
秒５mm以上の速度で一挙にシードを引上げるが、
その際シード先端になじみ界面張力と相俟つて引
上げられた融体がその重みで切離されてしまう寸
前の状態に止め、そのまま故意に温度を変化させ
ることなく放置し、引上つた融体が固化するのを
待つてから通常の結晶育成操作に移行することを
特徴とするチヨクラルスキイ法による希土類アル
ミネイト単結晶の育成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1337580A JPS56109900A (en) | 1980-02-06 | 1980-02-06 | Growing method for rare earth element aluminate single crystal |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1337580A JPS56109900A (en) | 1980-02-06 | 1980-02-06 | Growing method for rare earth element aluminate single crystal |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56109900A JPS56109900A (en) | 1981-08-31 |
| JPS6354679B2 true JPS6354679B2 (ja) | 1988-10-28 |
Family
ID=11831344
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1337580A Granted JPS56109900A (en) | 1980-02-06 | 1980-02-06 | Growing method for rare earth element aluminate single crystal |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56109900A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0237887U (ja) * | 1988-09-05 | 1990-03-13 | ||
| JPH0680690U (ja) * | 1993-04-26 | 1994-11-15 | 益弘 光山 | 展示具 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS50149590A (ja) * | 1974-05-24 | 1975-11-29 | ||
| JPS6050760B2 (ja) * | 1977-06-24 | 1985-11-09 | 株式会社東芝 | 酸化物単結晶引上げ方法 |
-
1980
- 1980-02-06 JP JP1337580A patent/JPS56109900A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0237887U (ja) * | 1988-09-05 | 1990-03-13 | ||
| JPH0680690U (ja) * | 1993-04-26 | 1994-11-15 | 益弘 光山 | 展示具 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56109900A (en) | 1981-08-31 |
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