JPS6354721A - 投影露光装置 - Google Patents
投影露光装置Info
- Publication number
- JPS6354721A JPS6354721A JP61197373A JP19737386A JPS6354721A JP S6354721 A JPS6354721 A JP S6354721A JP 61197373 A JP61197373 A JP 61197373A JP 19737386 A JP19737386 A JP 19737386A JP S6354721 A JPS6354721 A JP S6354721A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- alignment
- wafer
- lens
- reticle
- field lens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
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Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Control Of Position Or Direction (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野コ
本発明は、例えばマスク上のパターンを半導体ウェハ上
に投影露光する場合のマスクパターンと半導体ウェハと
の位置合わせを行う位置合わせ装置に関するものである
。
に投影露光する場合のマスクパターンと半導体ウェハと
の位置合わせを行う位置合わせ装置に関するものである
。
[従来の技術]
縮小投影型の露光装置は、集積回路等の製造におけるリ
ソグラフィ工程の中心的役割を担うようになってきてい
る。この装置の従来のものにおいては、レチクルと呼ば
れるマスクのパターンをつエバ上の決められた位置に合
わせる場合の最終位置合わせは、ウェハを載置したウェ
ハステージ又はレチクルを載置したレチクルステージを
8動させることによって行われている。
ソグラフィ工程の中心的役割を担うようになってきてい
る。この装置の従来のものにおいては、レチクルと呼ば
れるマスクのパターンをつエバ上の決められた位置に合
わせる場合の最終位置合わせは、ウェハを載置したウェ
ハステージ又はレチクルを載置したレチクルステージを
8動させることによって行われている。
ところで、集積回路は、近年増々集積度が向上しており
、パターン寸法の微細化が進んでいる。
、パターン寸法の微細化が進んでいる。
従って、マスクパターンと半導体ウェハとの位置合わせ
に対しても従来にない高い精度が要求されている。
に対しても従来にない高い精度が要求されている。
[発明9)解決しようとする問題点]
しかし、前者の方法によると、ウェハステージは−n9
に貿ユが大きいため、ウェハステージを例えば0.01
μmの精度で位置決めするには相当の時間を必要とする
。別言すれば、一定の時間の間では必要な位置決め精度
を得られないという不都合がある。
に貿ユが大きいため、ウェハステージを例えば0.01
μmの精度で位置決めするには相当の時間を必要とする
。別言すれば、一定の時間の間では必要な位置決め精度
を得られないという不都合がある。
これに対し後者の方法では、投影光学系によるマスクパ
ターンの投影倍率(例えば5倍)だけウェハの動きに対
して大きなスケールでの位置決めをレチクルに対して行
えばよく、レチクルステージのX量もウェハステージに
比へて小さいのて、高速で高精度のアライメントか可能
であるという長所がある。
ターンの投影倍率(例えば5倍)だけウェハの動きに対
して大きなスケールでの位置決めをレチクルに対して行
えばよく、レチクルステージのX量もウェハステージに
比へて小さいのて、高速で高精度のアライメントか可能
であるという長所がある。
しかしながらかかる方法では、レチクルステージにレチ
クルをローディングする場合の位置合わせ機構がX、Y
、θ方向の三つの自由度に対しであるため、これを各露
光前の位置決め毎に高速で駆動しようとすると、構造が
複雑になるという不都合がある。
クルをローディングする場合の位置合わせ機構がX、Y
、θ方向の三つの自由度に対しであるため、これを各露
光前の位置決め毎に高速で駆動しようとすると、構造が
複雑になるという不都合がある。
更に、サブミクロンオーダの最終位置決めにおいては、
X、Y方向の位置決めで十分であり、θ方向の位置決め
は不要であるが、レチクルステージはθ方向の駆動も可
能なために、他の方向の動ぎに干渉されてθ方向にもレ
チクルステージが動いてしまうという不都合がある。
X、Y方向の位置決めで十分であり、θ方向の位置決め
は不要であるが、レチクルステージはθ方向の駆動も可
能なために、他の方向の動ぎに干渉されてθ方向にもレ
チクルステージが動いてしまうという不都合がある。
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、マス
クパターンと半導体ウェハとのサブミクロンオーダ以下
の位置合わせを、高速に高精度で行うことかできる位置
決め装置を提f共することを、その目的とするものであ
る。
クパターンと半導体ウェハとのサブミクロンオーダ以下
の位置合わせを、高速に高精度で行うことかできる位置
決め装置を提f共することを、その目的とするものであ
る。
[問題点を解決するための手段と作用]本発明は、例え
ば、マスクパターンと半導体ウェハとの間の露光光軸上
に、フィールドレンズを含む没景三光学系を配置し、こ
のフィールドレンズを移動させることにより、マスクパ
ターンと半導体クエへとの光学的な相対位置合わせを行
うことを技術的要点とするものである。
ば、マスクパターンと半導体ウェハとの間の露光光軸上
に、フィールドレンズを含む没景三光学系を配置し、こ
のフィールドレンズを移動させることにより、マスクパ
ターンと半導体クエへとの光学的な相対位置合わせを行
うことを技術的要点とするものである。
[実施例]
以下、本発明の実施例を、添付図面を参照しながら詳細
に説明する。
に説明する。
第1図には、本発明の一実施例のブロック図が示されて
いる。この図において、レチクル10とウェハ12との
間には、投影レンズ本体14の他に、フィールドレンズ
16が配置されている。
いる。この図において、レチクル10とウェハ12との
間には、投影レンズ本体14の他に、フィールドレンズ
16が配置されている。
レチクル10には、干イ歩フィルり、シャッタ、フライ
アイレンズ、コンデンサレンズ等を含む照明光学系18
を介して照明光源20の照明光束REが入射するように
なっている。
アイレンズ、コンデンサレンズ等を含む照明光学系18
を介して照明光源20の照明光束REが入射するように
なっている。
また、投影レンズ本体14は、ウェハ12側がテレセン
トリック、レチクル10側が非テレセントリックとなる
ように光学的に構成されており、フィールドレンズ16
を設けることにより、全体としてレチクル10側もテレ
セントリックとなるように配慮されている。
トリック、レチクル10側が非テレセントリックとなる
ように光学的に構成されており、フィールドレンズ16
を設けることにより、全体としてレチクル10側もテレ
セントリックとなるように配慮されている。
従って、照明光束REによって照明されたレチクル10
の下面のパターンは、フィールドレンズ16、投影レン
ズ本体14の作用によりウェハ12上に像IRとして結
像される。
の下面のパターンは、フィールドレンズ16、投影レン
ズ本体14の作用によりウェハ12上に像IRとして結
像される。
次に、ウェハ12は、X、Y及び2方向に移動可能な移
動ステージ22上に載置され、ステップアントリピート
の露光時にはステージトライバ24によって駆動される
ようになっている。
動ステージ22上に載置され、ステップアントリピート
の露光時にはステージトライバ24によって駆動される
ようになっている。
次に、レチクル10の像IRとウェハ12上のパターン
との相対位置ずれを観察する手段について説明する。木
実bm例では、以下に述べるようなスルーザレンズアラ
イメント検出系が用いられる。
との相対位置ずれを観察する手段について説明する。木
実bm例では、以下に述べるようなスルーザレンズアラ
イメント検出系が用いられる。
第1図において、光ファイバ26によって導かれた図示
しない手段からのアライメント用の照明光RAは、コン
デンサレンズ28、ハーフミラー30、篤一対物レンズ
32、ミラー34を各々介してレチクル10のアライメ
ントマークM R部分に入射するようになっている。
しない手段からのアライメント用の照明光RAは、コン
デンサレンズ28、ハーフミラー30、篤一対物レンズ
32、ミラー34を各々介してレチクル10のアライメ
ントマークM R部分に入射するようになっている。
レチクル10のアライメントマークMR部分に入射した
照明光RAは、フィールドレンズ16及び投影レンズ本
体14を各々透過してウェハ12上に達し、ウェハ12
上のアライメントマークMW上に達するようになフてい
る。
照明光RAは、フィールドレンズ16及び投影レンズ本
体14を各々透過してウェハ12上に達し、ウェハ12
上のアライメントマークMW上に達するようになフてい
る。
照明光RAは、ウェハ12で反射され、反射光は再び投
影レンズ本体14及びフィールドレンズ16を各々透過
してレチクル10に入射し、更に、ミラー34、第一対
物レンズ32、ハーフミラ−30、第二対物レンズ36
を各々透過して工業用のテレビカメラ38に入射するよ
うになりている。すなわち、レチクル10上のアライメ
ントマークMRとウェハ12上のアライメントマークM
Wの光学的重ね合わせ像がテレビカメラ38によって観
測されるようになっている。
影レンズ本体14及びフィールドレンズ16を各々透過
してレチクル10に入射し、更に、ミラー34、第一対
物レンズ32、ハーフミラ−30、第二対物レンズ36
を各々透過して工業用のテレビカメラ38に入射するよ
うになりている。すなわち、レチクル10上のアライメ
ントマークMRとウェハ12上のアライメントマークM
Wの光学的重ね合わせ像がテレビカメラ38によって観
測されるようになっている。
そしてかかるアライメントマークMR,MWの光学的重
ね合わせ像から、マーク間の一次元又は二次元方向の相
対位置ずれが検出されるようになっている。
ね合わせ像から、マーク間の一次元又は二次元方向の相
対位置ずれが検出されるようになっている。
次に、テレビカメラ38は、上述したステージトライバ
24とともに制御処理用のCPU40に各々接続されて
いる。更に、このCPU40には、フィールドレンズ1
6を照明光束REの光軸に対して略垂直のx、7面内で
移動させるフィールドレンズドライバ(以下、rFLD
Jという)42が接続されている。このFLD42は、
フィールドレンズ16をX、Yの二次元方向に独立に駆
動する機能を有する。そして、フィールドレンズ16が
X、Y方向に移動すると、レチクル10上のパターンが
ウェハ12上でX、Y方向に移動するように構成されて
いる。
24とともに制御処理用のCPU40に各々接続されて
いる。更に、このCPU40には、フィールドレンズ1
6を照明光束REの光軸に対して略垂直のx、7面内で
移動させるフィールドレンズドライバ(以下、rFLD
Jという)42が接続されている。このFLD42は、
フィールドレンズ16をX、Yの二次元方向に独立に駆
動する機能を有する。そして、フィールドレンズ16が
X、Y方向に移動すると、レチクル10上のパターンが
ウェハ12上でX、Y方向に移動するように構成されて
いる。
以上のCPU40によって、テレビカメラ38からの人
力に基いた位置ずれ修正用の制御信号がステージドライ
バ24およびFLD42に出力されるようになっている
。
力に基いた位置ずれ修正用の制御信号がステージドライ
バ24およびFLD42に出力されるようになっている
。
次に、第2図を参照しながら、上記実施例の全体的動作
について説明する。第2図には、木実流側における位置
合わせのルーチンを示すフローチャートが示されている
。このフローチャートには、レチクル10がロードされ
て、更にウェハ全体としてのグローバルアライメントが
修了した以後の動作が示されている。
について説明する。第2図には、木実流側における位置
合わせのルーチンを示すフローチャートが示されている
。このフローチャートには、レチクル10がロードされ
て、更にウェハ全体としてのグローバルアライメントが
修了した以後の動作が示されている。
まず、ウェハ12の8動ステージ22のステップ指令が
出力される(第2図ステップSA参照)。次に、かかる
指令に従って、オートフォーカス系(図示せず)により
ウェハ12の表面の検出が行われ、ウェハ12のZ方向
のアライメント(合焦動作)が行われる(ステップSC
参照)。
出力される(第2図ステップSA参照)。次に、かかる
指令に従って、オートフォーカス系(図示せず)により
ウェハ12の表面の検出が行われ、ウェハ12のZ方向
のアライメント(合焦動作)が行われる(ステップSC
参照)。
次に、レチクル10とウェハ12とのX、Y方向のアラ
イメントが行われる。このアライメントは、第−及び第
二のステップから成っている。
イメントが行われる。このアライメントは、第−及び第
二のステップから成っている。
第一のステップは、レチクル10とウェハ12との位置
ずれ量が一定以上ある場合で、υ勅ステージ22をステ
ージドライバ24によりX。
ずれ量が一定以上ある場合で、υ勅ステージ22をステ
ージドライバ24によりX。
Yの必要方向、場合によってはθ方向にυ勤させて位置
合わせ誤差の低減が図られる。
合わせ誤差の低減が図られる。
第二のステップは、かかる位置ずれ量が一定以下の場合
で、FLD42によってフィールドレンズ16をX、Y
方向にわ動させ、レチクル10上のの像をウェハ12上
で移動させて相対的に位置合わせが行われる。
で、FLD42によってフィールドレンズ16をX、Y
方向にわ動させ、レチクル10上のの像をウェハ12上
で移動させて相対的に位置合わせが行われる。
具体的に説明すると、まず、移動ステージ22の移動に
よるX、Y方向のアライメントと同時に、テレビカメラ
38よって、レチクル10とウェハ12のアライメント
マークMR,MWが同時に重畳して観察され、両マーク
のずれ量からレチクル10とウェハ12のアライメント
誤差、すなわち位置すれ舒が求められ、CPU40に人
力される(ステップSC参照)。
よるX、Y方向のアライメントと同時に、テレビカメラ
38よって、レチクル10とウェハ12のアライメント
マークMR,MWが同時に重畳して観察され、両マーク
のずれ量からレチクル10とウェハ12のアライメント
誤差、すなわち位置すれ舒が求められ、CPU40に人
力される(ステップSC参照)。
次に、CPU40では、求められた位「ずれ量の大きさ
が判断される(ステップSC参照)。位置ずれ量か、X
、Y方向とも一定値、例えば1μm以上あるときは、ス
テージトライバ24に対し、B勤ステージ22の移動に
よるアライメントを続行するようCPU40から制御指
令が行われる。(ステップSD、SC参照) 他方、CPU40による判断の結果、位置ずれ三が1μ
m以下の場合には、8勤ステージ22によるアライメン
トが停止されるとともに(ステップSE参照)、FLD
42に対し、フィールドレンズ16のり動によるアライ
メントを行うようCPU40から制御指令が行われる(
ステップSF参照)。
が判断される(ステップSC参照)。位置ずれ量か、X
、Y方向とも一定値、例えば1μm以上あるときは、ス
テージトライバ24に対し、B勤ステージ22の移動に
よるアライメントを続行するようCPU40から制御指
令が行われる。(ステップSD、SC参照) 他方、CPU40による判断の結果、位置ずれ三が1μ
m以下の場合には、8勤ステージ22によるアライメン
トが停止されるとともに(ステップSE参照)、FLD
42に対し、フィールドレンズ16のり動によるアライ
メントを行うようCPU40から制御指令が行われる(
ステップSF参照)。
このフィールドレンズ16の移動による光軸の変化(像
シフト)を利用したアライメントは、位置ずれ量が所定
の許容値以下になるまで続行される(ステップSG参照
)。
シフト)を利用したアライメントは、位置ずれ量が所定
の許容値以下になるまで続行される(ステップSG参照
)。
次に、位置ずれ検出量が、例えば0505μm程度の許
容tになれは(ステップSG参照)、アライメントは終
了し、露光用のシャッタ(図示せず)か開かれてウェハ
12上にレチクル10のパターンの転写が行われる(ス
テップSH参照)。
容tになれは(ステップSG参照)、アライメントは終
了し、露光用のシャッタ(図示せず)か開かれてウェハ
12上にレチクル10のパターンの転写が行われる(ス
テップSH参照)。
露光が終了すると、位置ずれ検出系の動作が停止し、フ
ィールドレンズ16が移動中心位置に戻され(ステップ
ST参照)、露光すべき領域がウェハ12上に残されて
いないかが判定され(ステップSJ参照)、残されてい
なければこのウェハ12の露光は終了する。
ィールドレンズ16が移動中心位置に戻され(ステップ
ST参照)、露光すべき領域がウェハ12上に残されて
いないかが判定され(ステップSJ参照)、残されてい
なければこのウェハ12の露光は終了する。
なお、本発明は何ら上記実施例に限定されるものではな
く、例えはフィールドレンズの位置を検出できる位置検
出器(レーザ干渉計等)を設けると、最終位置決めの時
に、既に検出された位置ずれ量に基いて高速に位置合わ
せができるという利点がある。この場合、そのレーザ干
渉計とステージ22の位置検出用の干渉計との差動によ
ってフィールドレンズを移動させるとよい。
く、例えはフィールドレンズの位置を検出できる位置検
出器(レーザ干渉計等)を設けると、最終位置決めの時
に、既に検出された位置ずれ量に基いて高速に位置合わ
せができるという利点がある。この場合、そのレーザ干
渉計とステージ22の位置検出用の干渉計との差動によ
ってフィールドレンズを移動させるとよい。
フィールドレンズの位置も実施例に限定されるものでは
ない。このフィールドレンズを、パターン投影の歪が最
小となる位置を基準とし、所定の歪許容値の範囲内で8
肋させるようにすれば、没させるようにすれば、投影倍
率を変化させることができるし、傾斜させるようにすれ
ば投影位置による像の歪(ディストτジョン)を変化さ
せることもできる。
ない。このフィールドレンズを、パターン投影の歪が最
小となる位置を基準とし、所定の歪許容値の範囲内で8
肋させるようにすれば、没させるようにすれば、投影倍
率を変化させることができるし、傾斜させるようにすれ
ば投影位置による像の歪(ディストτジョン)を変化さ
せることもできる。
また、上述したようなレチクル上のパターンのウェハ上
に対する投影のみならず、他のもののパターンの投景三
等に対しても、本発明は適用されるものである。
に対する投影のみならず、他のもののパターンの投景三
等に対しても、本発明は適用されるものである。
[発明の効果コ
以上のように本発明によれば、投影光学系に含まれるレ
ンズ素子のうち、投影像の位置を可変できる素子、例え
ばフィールドレンズを穆勤させることによりレチクルと
ウェハとの最終の相対位置決めを行うこととしたので、
位置決めの精度がウェハ上の精度の投影倍率分だけ大き
い値でよく、容易に所要の位置合わせ精度が得られるの
みならず、XY方向の像の移動に回転方向の動きを伴う
恐れがないという利点もある。
ンズ素子のうち、投影像の位置を可変できる素子、例え
ばフィールドレンズを穆勤させることによりレチクルと
ウェハとの最終の相対位置決めを行うこととしたので、
位置決めの精度がウェハ上の精度の投影倍率分だけ大き
い値でよく、容易に所要の位置合わせ精度が得られるの
みならず、XY方向の像の移動に回転方向の動きを伴う
恐れがないという利点もある。
また、微小なアライメントをフィールドレンズの移動で
行うこととしているので、他の構成部分、例えばウェハ
ステージやレチクルステージの構成を簡略(ヒすること
ができ、サーボ系の制御も容易になるという効果もある
。
行うこととしているので、他の構成部分、例えばウェハ
ステージやレチクルステージの構成を簡略(ヒすること
ができ、サーボ系の制御も容易になるという効果もある
。
第1図は本発明の一実施例を示すブロック図、第2図は
位置決めシーケンスを示すフローチャートである。 10・・・レチクル、12・・・ウェハ、16・・・フ
ィールドレンズ、22・・・移動ステージ、24・・・
ステージドライバ、38・・・テレビカメラ、4o・・
・CPU、42・・・フィールドレンズドライバ。
位置決めシーケンスを示すフローチャートである。 10・・・レチクル、12・・・ウェハ、16・・・フ
ィールドレンズ、22・・・移動ステージ、24・・・
ステージドライバ、38・・・テレビカメラ、4o・・
・CPU、42・・・フィールドレンズドライバ。
Claims (2)
- (1)第一の対象物上のパターンを第二の対象物上の所
定位置に位置合わせする位置合わせ装置において、 前記第一の対象物と第二の対象物の間に配置されて、第
一の対象物のパターンを第二の対象物上に投影するとと
もに、複数のレンズ素子のうち、少なくとも一部の位置
が可変に構成されて、前記第二の対象物上における第一
の対象物のパターン投影像の位置を変化させる投影光学
系と、 前記第一の対象物のパターン投影像と前記第二の対象物
との相対位置ずれを検出する位置ずれ検出手段と、 前記投影光学系を構成する複数のレンズ素子のうち、パ
ターン投影像の位置変化に寄与するレンズ素子の位置を
変化させるレンズ駆動手段と、前記位置ずれ検出手段の
出力に基き、前記レンズ駆動手段を駆動し、第1の対象
物のパターン投影像を第2の対象物上の所定の位置に合
わせる制御手段とを具備したことを特徴とする位置合わ
せ装置。 - (2)前記パターン投影像の位置変化に寄与するレンズ
素子はフィールドレンズであり、前記レンズ駆動手段は
該フィールドレンズを投影光学系の光軸と略垂直な面内
で二次元移動させる特許請求の範囲第1項記載の位置合
わせ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61197373A JP2580572B2 (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | 投影露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61197373A JP2580572B2 (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | 投影露光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6354721A true JPS6354721A (ja) | 1988-03-09 |
| JP2580572B2 JP2580572B2 (ja) | 1997-02-12 |
Family
ID=16373421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61197373A Expired - Fee Related JP2580572B2 (ja) | 1986-08-25 | 1986-08-25 | 投影露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2580572B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8139219B2 (en) * | 2008-04-02 | 2012-03-20 | Suss Microtec Lithography, Gmbh | Apparatus and method for semiconductor wafer alignment |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59141226A (ja) * | 1983-02-02 | 1984-08-13 | Canon Inc | 観察装置 |
| JPS59214225A (ja) * | 1983-05-20 | 1984-12-04 | Hitachi Ltd | 投影露光装置 |
| JPS6021051A (ja) * | 1983-07-14 | 1985-02-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レンズ投影露光方法及び装置 |
| JPS618922A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-16 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学装置 |
| JPS6119129A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-28 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学装置 |
| JPS61168919A (ja) * | 1985-01-22 | 1986-07-30 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学装置 |
| JPS61177722A (ja) * | 1985-02-01 | 1986-08-09 | Canon Inc | 光路長可変光学装置 |
-
1986
- 1986-08-25 JP JP61197373A patent/JP2580572B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JPS6021051A (ja) * | 1983-07-14 | 1985-02-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | レンズ投影露光方法及び装置 |
| JPS618922A (ja) * | 1984-06-25 | 1986-01-16 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学装置 |
| JPS6119129A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-28 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 投影光学装置 |
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| JPS61177722A (ja) * | 1985-02-01 | 1986-08-09 | Canon Inc | 光路長可変光学装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2580572B2 (ja) | 1997-02-12 |
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