JPS6354777B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6354777B2 JPS6354777B2 JP18057583A JP18057583A JPS6354777B2 JP S6354777 B2 JPS6354777 B2 JP S6354777B2 JP 18057583 A JP18057583 A JP 18057583A JP 18057583 A JP18057583 A JP 18057583A JP S6354777 B2 JPS6354777 B2 JP S6354777B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- strip
- plating
- roll
- jet nozzle
- rolls
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
- Coating With Molten Metal (AREA)
Description
この発明は噴流ノズルから溶融金属を噴出させ
てストリツプ片面に連続的にメツキを行なうスト
リツプ片面連続メツキ装置の改良に関する。 近年、自動車メーカ、家電メーカ等において、
片面メツキ鋼板の需要が高まつてきており、その
製造技術も種々のものが開発されている。そのう
ち噴流ポンプ方式による片面メツキ装置は、既存
の溶融メツキライン（特に溶融亜鉛メツキライ
ン；Continuous Galvanizing Line以下CGLとい
う）にも適用でき、両面メツキとの兼用ラインと
することが可能であること、板幅変更等に対し無
調整で操業できる等操業性が良く、設備コストが
安価であること等から現在広範に使用されてい
る。 第１図は前記片面メツキ装置の概略を示すもの
であり、ストリツプ１を水平に走行させる２つの
デフレクタロール２と、ストリツプ１下方に設け
られ溶融金属が満たされたメツキ槽３と、メツキ
浴側に設けられ噴流ポンプ４によりメツキ金属を
ストリツプ１片面に噴出させる噴流ノズル５とこ
れらの設備を外気から遮断しN2雰囲気等をその
内部に満たすシールボツクス６とからなり、連続
焼鈍炉（図示なし）等で加熱処理されてきたスト
リツプ１片面に連続的にメツキ処理を行なう。し
かし、このようなメツキ前段に行なわれる連続焼
鈍炉等における加熱処理では加熱中あまりストリ
ツプ１に張力をかけられないので、炉出側でスト
リツプ１のバタツキや耳波、中伸及びＣ反り等の
形状不良が生じやすく、そのため、上記メツキ装
置のデフレクタロール２を通るストリツプ１にも
同様な影響がでて、噴流ノズル５から噴出された
メツキ金属の付着を不均一にし、更にバタツキに
よりスプラツシユが発生し、非メツキ面への返り
等を生じていた。 本発明は以上の問題を解決するためなされたも
ので、そのため本発明は噴流ノズル入側にストリ
ツプを上下から挾む一対のタツチロールを設ける
ことによりストリツプにメツキ金属を衝突付着さ
せる時点のストリツプ形状をフラツトにさせるよ
うにしたものである。 又、デフレクタロール２を通るストリツプ１と
メツキ浴面７との間隔は通常10mm前後と非常に狭
いため、上記のようにタツチロールを設けた場合
下タツチロールがメツキ浴８中に漬つてコーテイ
ングロールと同様な機能をはたし、上タツチロー
ルにメツキ金属がまわりこんで非メツキ面に付着
することとなる。この問題を解決するため、下タ
ツチロールはロール径の小さいものを用いること
も考えられるが、実働ラインではその耐久性が問
題となり、又メツキ浴面７表面は多少波立つてい
るためロール径を小さくしても上記と同様な問題
が生ずる。 そのため第２発明は下タツチロール下方に該下
タツチロールのメツキ浴浸漬を防ぐシールカバー
を設けることとし上記問題の解決を図ろうとする
ものである。 更に第１及び第２発明において、ストリツプ板
厚等の変更にも対応できるようにし、又ストリツ
プの形状度合いに応じて調整もできるようにする
ため、上下タツチロールを各々別々に昇降できる
ようにすると良い。 以下添付図面に基づいて本発明の具体的実施例
を説明する。 第２図はCGLの概略を示しており、本発明に
係る片面メツキ装置２２は、ペイオフリール２０
に巻戻されて出てくるストリツプ１を熱処理する
連続焼鈍炉２１の次に設けられ、ストリツプ１片
面に連続的にメツキ処理を行なつている。このス
トリツプ１は、その後空冷ゾーン２３、水冷ゾー
ン２４、酸洗槽２５、ブラシ２６を経て、調質圧
延機２７で調質圧延され、テンシヨンレベラ２
８、特殊処理ゾーン２９、出側ルーパ３０を通つ
てテンシヨンリール３１で巻き取られている。 又第３図は上記本発明に係る片面メツキ装置２
２の概略を示している。同図において本発明は、
ストリツプ１を水平に走行させる２つのデフレク
タロール２と、該ストリツプ１下方のメツキ浴側
に設けられた噴流ノズル５と、該噴流ノズル５入
側の一対のタツチロール９，１０とからなる。 前記噴流ノズル５は、噴出ポンプ（図示なし）
等によりメツキ金属を噴出させてストリツプ１片
面にメツキ処理するものであり、同図中ヘツダ５
０、Ｖ型スリツトノズル５１及びノーズプレート
５２から構成されている。このノズル５１、スリ
ツト５１′は平滑均一なメツキ面を得るためスト
リツプ１走行方向に向けられている。 更にタツチロール９，１０は前記噴流ノズル５
入側近傍に設けられ、ストリツプ１を上下から挾
むように配設されている。このタツチロール９，
１０は、連続メツキの際ストリツプ１の形状がで
きる限りフラツトになるようにするため、噴流ノ
ズル５入側に近いところに設けられるのである。
従つてこのタツチロール９，１０はなるべく噴流
ノズル５、スリツト５１′に近いところに設ける
方が効果的である。 尚、その他の構成は第１図と同じでありメツキ
浴を貯留するメツキ槽３、メツキ付着量を制御す
る気体絞りノズル３２、又以上の設備機器を外気
から遮断し、N2雰囲気ガス等を満たしてその中
でメツキ処理を行なうためのシールボツクス６を
有している。 更に上記本発明の構成のうちタツチロール９，
１０を夫々単独に昇降可能にすると、CGL等で
ストリツプ１の板厚が変更される場合にも使用で
きる。又第４図に示すようにストリツプ１をタツ
チロール９，１０に挾みながら、同時に矢印方向
にタツチロール９，１０を上昇させたり降下させ
たりすれば、ストリツプ１に多少テンシヨンが加
わり、ストリツプ１をタイトにしその形状を一段
とフラツトにすることが可能となる。 第５図は第２発明の一実施例を示しており、前
記第１発明と同様な構成は同番号が付されてい
る。この第２発明は第１発明と同じ構成を有する
ほか、下タツチロール９下方に、該タツチロール
９をメツキ浴の浸漬から防ぐシールカバー１１を
有している。 このシールカバー１１は上方が開放しており、
その内部空間に下タツチロール９がスツポリ納ま
る大きさのものが望ましく、そのためその幅は下
タツチロール９の径よりやや大きく、又長さはロ
ール９長さよりやや長い箱状又は円柱状のものが
好ましい。又ストリツプ１とメツキ浴面７との間
隔は通常10mm程度であり、下タツチロール９の径
が大きい場合は、ロール９径下端がメツキ浴面７
下にあることとなり、シールカバー１１は、その
外壁がメツキ浴中に漬つても尚下タツチロール９
がメツキ浴中に漬らないような十分な高さを有し
ており、しかもメツキ浴面７は前述のように多少
波立つているため、その高さを更に余計にとつ
て、シールカバー１１上方開口周縁部がメツキ浴
面７より高くなるようにしなければならない。 このシールカバー１１は施工上第５図に示すよ
うにその側壁又は底面を噴出ノズル５のヘツダ５
０脇に取付けると良い。これは前述のように連続
メツキ時のストリツプ１形状をできるだけフラツ
トにするため、タツチロール９，１０はなるべく
噴出ノズル５近くに設けるようにしたことに伴
い、下タツチロール９下方に設けられるシールカ
バー１１も必然的に噴出ノズル５のヘツダ５０近
くに設置されることになるからである。又メツキ
浴面７高さは、噴出ノズル５のスリツト５１′の
高さを基準に決定されるものであるから、上述の
ようにヘツダ５０にシールカバー１１を取付けて
おけば、メツキ浴面７はシールカバー１１のほぼ
決まつた高さに位置するようになり、該シールカ
バー１１内にメツキ浴が入り込むことがなくなる
からである。 更に上記第２発明の構成のうち、前述したよう
に、両タツチロール９，１０を夫々別個に昇降で
きるようにしても良い。その際、前述のようにシ
ールカバー１１が噴出ノズル５のヘツダ５０脇に
取付けられていれば、下タツチロール９はそのロ
ール径下端がシールカバー１１内底面に接しない
範囲で下降可能である。 次に、以上のような第１及び第２発明の各実施
例に係る装置を用いてCGLにてストリツプ１片
面に連続して溶融亜鉛メツキを行なつた結果、第
１表に示す結果を得た。第１表はストリツプ１幅
方向及び長さ方向のスプラツシユ発生量、エツジ
部へのメツキ返りを示している。なお、この時の
実施条件は次の通りである。 ※ 実施条件 ストリツプ板厚 0.8mm ストリツプ温度 460℃ ラインスピード 80mpm ノズルからの噴流速度 0.5ｍ／sec 溶融亜鉛温度 460℃ ワイピング圧力 0.60Kg／cm2 タツチロールの径 200mmφ
てストリツプ片面に連続的にメツキを行なうスト
リツプ片面連続メツキ装置の改良に関する。 近年、自動車メーカ、家電メーカ等において、
片面メツキ鋼板の需要が高まつてきており、その
製造技術も種々のものが開発されている。そのう
ち噴流ポンプ方式による片面メツキ装置は、既存
の溶融メツキライン（特に溶融亜鉛メツキライ
ン；Continuous Galvanizing Line以下CGLとい
う）にも適用でき、両面メツキとの兼用ラインと
することが可能であること、板幅変更等に対し無
調整で操業できる等操業性が良く、設備コストが
安価であること等から現在広範に使用されてい
る。 第１図は前記片面メツキ装置の概略を示すもの
であり、ストリツプ１を水平に走行させる２つの
デフレクタロール２と、ストリツプ１下方に設け
られ溶融金属が満たされたメツキ槽３と、メツキ
浴側に設けられ噴流ポンプ４によりメツキ金属を
ストリツプ１片面に噴出させる噴流ノズル５とこ
れらの設備を外気から遮断しN2雰囲気等をその
内部に満たすシールボツクス６とからなり、連続
焼鈍炉（図示なし）等で加熱処理されてきたスト
リツプ１片面に連続的にメツキ処理を行なう。し
かし、このようなメツキ前段に行なわれる連続焼
鈍炉等における加熱処理では加熱中あまりストリ
ツプ１に張力をかけられないので、炉出側でスト
リツプ１のバタツキや耳波、中伸及びＣ反り等の
形状不良が生じやすく、そのため、上記メツキ装
置のデフレクタロール２を通るストリツプ１にも
同様な影響がでて、噴流ノズル５から噴出された
メツキ金属の付着を不均一にし、更にバタツキに
よりスプラツシユが発生し、非メツキ面への返り
等を生じていた。 本発明は以上の問題を解決するためなされたも
ので、そのため本発明は噴流ノズル入側にストリ
ツプを上下から挾む一対のタツチロールを設ける
ことによりストリツプにメツキ金属を衝突付着さ
せる時点のストリツプ形状をフラツトにさせるよ
うにしたものである。 又、デフレクタロール２を通るストリツプ１と
メツキ浴面７との間隔は通常10mm前後と非常に狭
いため、上記のようにタツチロールを設けた場合
下タツチロールがメツキ浴８中に漬つてコーテイ
ングロールと同様な機能をはたし、上タツチロー
ルにメツキ金属がまわりこんで非メツキ面に付着
することとなる。この問題を解決するため、下タ
ツチロールはロール径の小さいものを用いること
も考えられるが、実働ラインではその耐久性が問
題となり、又メツキ浴面７表面は多少波立つてい
るためロール径を小さくしても上記と同様な問題
が生ずる。 そのため第２発明は下タツチロール下方に該下
タツチロールのメツキ浴浸漬を防ぐシールカバー
を設けることとし上記問題の解決を図ろうとする
ものである。 更に第１及び第２発明において、ストリツプ板
厚等の変更にも対応できるようにし、又ストリツ
プの形状度合いに応じて調整もできるようにする
ため、上下タツチロールを各々別々に昇降できる
ようにすると良い。 以下添付図面に基づいて本発明の具体的実施例
を説明する。 第２図はCGLの概略を示しており、本発明に
係る片面メツキ装置２２は、ペイオフリール２０
に巻戻されて出てくるストリツプ１を熱処理する
連続焼鈍炉２１の次に設けられ、ストリツプ１片
面に連続的にメツキ処理を行なつている。このス
トリツプ１は、その後空冷ゾーン２３、水冷ゾー
ン２４、酸洗槽２５、ブラシ２６を経て、調質圧
延機２７で調質圧延され、テンシヨンレベラ２
８、特殊処理ゾーン２９、出側ルーパ３０を通つ
てテンシヨンリール３１で巻き取られている。 又第３図は上記本発明に係る片面メツキ装置２
２の概略を示している。同図において本発明は、
ストリツプ１を水平に走行させる２つのデフレク
タロール２と、該ストリツプ１下方のメツキ浴側
に設けられた噴流ノズル５と、該噴流ノズル５入
側の一対のタツチロール９，１０とからなる。 前記噴流ノズル５は、噴出ポンプ（図示なし）
等によりメツキ金属を噴出させてストリツプ１片
面にメツキ処理するものであり、同図中ヘツダ５
０、Ｖ型スリツトノズル５１及びノーズプレート
５２から構成されている。このノズル５１、スリ
ツト５１′は平滑均一なメツキ面を得るためスト
リツプ１走行方向に向けられている。 更にタツチロール９，１０は前記噴流ノズル５
入側近傍に設けられ、ストリツプ１を上下から挾
むように配設されている。このタツチロール９，
１０は、連続メツキの際ストリツプ１の形状がで
きる限りフラツトになるようにするため、噴流ノ
ズル５入側に近いところに設けられるのである。
従つてこのタツチロール９，１０はなるべく噴流
ノズル５、スリツト５１′に近いところに設ける
方が効果的である。 尚、その他の構成は第１図と同じでありメツキ
浴を貯留するメツキ槽３、メツキ付着量を制御す
る気体絞りノズル３２、又以上の設備機器を外気
から遮断し、N2雰囲気ガス等を満たしてその中
でメツキ処理を行なうためのシールボツクス６を
有している。 更に上記本発明の構成のうちタツチロール９，
１０を夫々単独に昇降可能にすると、CGL等で
ストリツプ１の板厚が変更される場合にも使用で
きる。又第４図に示すようにストリツプ１をタツ
チロール９，１０に挾みながら、同時に矢印方向
にタツチロール９，１０を上昇させたり降下させ
たりすれば、ストリツプ１に多少テンシヨンが加
わり、ストリツプ１をタイトにしその形状を一段
とフラツトにすることが可能となる。 第５図は第２発明の一実施例を示しており、前
記第１発明と同様な構成は同番号が付されてい
る。この第２発明は第１発明と同じ構成を有する
ほか、下タツチロール９下方に、該タツチロール
９をメツキ浴の浸漬から防ぐシールカバー１１を
有している。 このシールカバー１１は上方が開放しており、
その内部空間に下タツチロール９がスツポリ納ま
る大きさのものが望ましく、そのためその幅は下
タツチロール９の径よりやや大きく、又長さはロ
ール９長さよりやや長い箱状又は円柱状のものが
好ましい。又ストリツプ１とメツキ浴面７との間
隔は通常10mm程度であり、下タツチロール９の径
が大きい場合は、ロール９径下端がメツキ浴面７
下にあることとなり、シールカバー１１は、その
外壁がメツキ浴中に漬つても尚下タツチロール９
がメツキ浴中に漬らないような十分な高さを有し
ており、しかもメツキ浴面７は前述のように多少
波立つているため、その高さを更に余計にとつ
て、シールカバー１１上方開口周縁部がメツキ浴
面７より高くなるようにしなければならない。 このシールカバー１１は施工上第５図に示すよ
うにその側壁又は底面を噴出ノズル５のヘツダ５
０脇に取付けると良い。これは前述のように連続
メツキ時のストリツプ１形状をできるだけフラツ
トにするため、タツチロール９，１０はなるべく
噴出ノズル５近くに設けるようにしたことに伴
い、下タツチロール９下方に設けられるシールカ
バー１１も必然的に噴出ノズル５のヘツダ５０近
くに設置されることになるからである。又メツキ
浴面７高さは、噴出ノズル５のスリツト５１′の
高さを基準に決定されるものであるから、上述の
ようにヘツダ５０にシールカバー１１を取付けて
おけば、メツキ浴面７はシールカバー１１のほぼ
決まつた高さに位置するようになり、該シールカ
バー１１内にメツキ浴が入り込むことがなくなる
からである。 更に上記第２発明の構成のうち、前述したよう
に、両タツチロール９，１０を夫々別個に昇降で
きるようにしても良い。その際、前述のようにシ
ールカバー１１が噴出ノズル５のヘツダ５０脇に
取付けられていれば、下タツチロール９はそのロ
ール径下端がシールカバー１１内底面に接しない
範囲で下降可能である。 次に、以上のような第１及び第２発明の各実施
例に係る装置を用いてCGLにてストリツプ１片
面に連続して溶融亜鉛メツキを行なつた結果、第
１表に示す結果を得た。第１表はストリツプ１幅
方向及び長さ方向のスプラツシユ発生量、エツジ
部へのメツキ返りを示している。なお、この時の
実施条件は次の通りである。 ※ 実施条件 ストリツプ板厚 0.8mm ストリツプ温度 460℃ ラインスピード 80mpm ノズルからの噴流速度 0.5ｍ／sec 溶融亜鉛温度 460℃ ワイピング圧力 0.60Kg／cm2 タツチロールの径 200mmφ
【表】
以上の結果から、第１発明によれば非メツキ側
へのスプラツシユがなく、メツキの返りもかなり
少なくなつており、更に第２発明では、非メツキ
側へのスプラツシユがなくなるだけでなく、メツ
キの返りも発生しなくなつつていることが明らか
である。。従つて適中歩留も従来法にくらべ第１
発明法は13％、第２発明法は22％向上している。 以上のような構成を有する本発明装置によれ
ば、タツチロールがメツキ付着直前のストリツプ
形状をフラツトにするので、ストリツプ幅方向の
メツキ付着量を均一化でき、且つ、ストリツプを
安定させバタツキを少なくしてスプラツシユ発生
を防止できるため、非メツキ面への返りを生ずる
ことが少なくなるという優れた効果を有してい
る。又、第２発明によれば、下タツチロールがメ
ツキ浴に触れることがなくなるため、メツキ浴が
上ロールにまわり込み、非メツキ面にメツキが付
着することが全くなくなるという効果も有してい
る。
へのスプラツシユがなく、メツキの返りもかなり
少なくなつており、更に第２発明では、非メツキ
側へのスプラツシユがなくなるだけでなく、メツ
キの返りも発生しなくなつつていることが明らか
である。。従つて適中歩留も従来法にくらべ第１
発明法は13％、第２発明法は22％向上している。 以上のような構成を有する本発明装置によれ
ば、タツチロールがメツキ付着直前のストリツプ
形状をフラツトにするので、ストリツプ幅方向の
メツキ付着量を均一化でき、且つ、ストリツプを
安定させバタツキを少なくしてスプラツシユ発生
を防止できるため、非メツキ面への返りを生ずる
ことが少なくなるという優れた効果を有してい
る。又、第２発明によれば、下タツチロールがメ
ツキ浴に触れることがなくなるため、メツキ浴が
上ロールにまわり込み、非メツキ面にメツキが付
着することが全くなくなるという効果も有してい
る。
第１図は従来の片面メツキ装置の説明図、第２
図は本発明装置が適用されるCGLのライン概略
図、第３図は第１発明装置の一実施例を示す説明
図、第４図は実施態様を示す説明図、第５図は第
２発明の一実施例を示す説明図である。 図中１はストリツプ、２はデフレクタロール、
３はメツキ槽、５は噴流ノズル、８はメツキ浴、
９，１０はタツチロール、１１はシールカバーを
各示す。
図は本発明装置が適用されるCGLのライン概略
図、第３図は第１発明装置の一実施例を示す説明
図、第４図は実施態様を示す説明図、第５図は第
２発明の一実施例を示す説明図である。 図中１はストリツプ、２はデフレクタロール、
３はメツキ槽、５は噴流ノズル、８はメツキ浴、
９，１０はタツチロール、１１はシールカバーを
各示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ ２つのデフレクタロール間でストリツプを水
平に走行させ、該ストリツプ下方のメツキ浴側に
ある噴流ノズルからメツキ金属を噴出させて前記
ストリツプ片面に連続的にメツキを行なうストリ
ツプ片面連続メツキ装置において、該噴流ノズル
入側にストリツプを上下から挾む一対のタツチロ
ールを設けることを特徴とするストリツプ片面連
続メツキ装置。 ２ ２つのデフレクタロール間でストリツプを水
平に走行させ、該ストリツプ下方のメツキ浴側に
ある噴流ノズルからメツキ金属を噴出させて前記
ストリツプ片面に連続的にメツキを行なうストリ
ツプ片面連続メツキ装置において、該噴流ノズル
入側にストリツプを上下から挾む一対のタツチロ
ールを設けると共に、下タツチロール下方に、該
下タツチロールのメツキ浴浸漬を防ぐシールカバ
ーを設けることを特徴とするストリツプ片面連続
メツキ装置。 ３ 上記ストリツプ片面連続メツキ装置におい
て、前記一対のタツチロールが夫々単独に昇降可
能に設けられていることを特徴とする特許請求の
範囲第１項及び第２項記載のストリツプ片面連続
メツキ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18057583A JPS6075598A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | ストリツプ片面連続メツキ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18057583A JPS6075598A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | ストリツプ片面連続メツキ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6075598A JPS6075598A (ja) | 1985-04-27 |
| JPS6354777B2 true JPS6354777B2 (ja) | 1988-10-31 |
Family
ID=16085670
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18057583A Granted JPS6075598A (ja) | 1983-09-30 | 1983-09-30 | ストリツプ片面連続メツキ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6075598A (ja) |
-
1983
- 1983-09-30 JP JP18057583A patent/JPS6075598A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6075598A (ja) | 1985-04-27 |
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