JPS6355526A - 液晶表示素子 - Google Patents
液晶表示素子Info
- Publication number
- JPS6355526A JPS6355526A JP19887386A JP19887386A JPS6355526A JP S6355526 A JPS6355526 A JP S6355526A JP 19887386 A JP19887386 A JP 19887386A JP 19887386 A JP19887386 A JP 19887386A JP S6355526 A JPS6355526 A JP S6355526A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid crystal
- film
- wiring
- films
- polyimide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13452—Conductors connecting driver circuitry and terminals of panels
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、液晶表示素子に係わり、特に液晶表示セルを
構成する基板の一方に液晶駆動用半導体チップを搭載し
た液晶表示素子に関する。
構成する基板の一方に液晶駆動用半導体チップを搭載し
た液晶表示素子に関する。
従来、液晶表示セルを構成する一方の基板上に金属膜配
線をパターン状に形成し、この金属膜配線上に液晶駆動
用半導体チップ（以下ＬＳＩチップと称す）をブリップ
チップ法により直接接続した液晶表示素子は、第２図に
示すような構造よりなる。ガラスからなる上基板２およ
び下基板３の内面には、透明電極４が形成され、これら
上、下基板２，３間には液晶６がサンドイッチされ、そ
の周囲をシール剤７で封止して液晶セル１１を形成して
いる。下基板３上には、この下基板３の材質であるガラ
スと密着性の良いＮ ｉ Ｃｒ膜の一部が透明導電膜４
に接続するように形成され、その上に半田とぬれ性の良
いＣｕ１ｌを形成し、ホトエツチングにより配線パター
ニングを行なって２層構造の配線用電極８を形成する０
次にこの配線用電極８の表面および側面全体をカバーす
るように５ｉ０ｚ、ＳｉＮ、Ａｌ１ｚＯａなどの無機膜
からなる配線保護膜１５を蒸着などの方法により形成し
、その後、ＬＳＩチップ９を接続するための半田１６が
接続される部分にスルーホールを設ける（特開昭６０−
２２０３１７号公報）０次いで上、下基板２，３の透明
電極４が形成されている側に。
線をパターン状に形成し、この金属膜配線上に液晶駆動
用半導体チップ（以下ＬＳＩチップと称す）をブリップ
チップ法により直接接続した液晶表示素子は、第２図に
示すような構造よりなる。ガラスからなる上基板２およ
び下基板３の内面には、透明電極４が形成され、これら
上、下基板２，３間には液晶６がサンドイッチされ、そ
の周囲をシール剤７で封止して液晶セル１１を形成して
いる。下基板３上には、この下基板３の材質であるガラ
スと密着性の良いＮ ｉ Ｃｒ膜の一部が透明導電膜４
に接続するように形成され、その上に半田とぬれ性の良
いＣｕ１ｌを形成し、ホトエツチングにより配線パター
ニングを行なって２層構造の配線用電極８を形成する０
次にこの配線用電極８の表面および側面全体をカバーす
るように５ｉ０ｚ、ＳｉＮ、Ａｌ１ｚＯａなどの無機膜
からなる配線保護膜１５を蒸着などの方法により形成し
、その後、ＬＳＩチップ９を接続するための半田１６が
接続される部分にスルーホールを設ける（特開昭６０−
２２０３１７号公報）０次いで上、下基板２，３の透明
電極４が形成されている側に。
液晶分子配向膜１７を、ポリイミド系樹脂膜を塗布、加
熱処理により形成する０次にシール剤７を介して上基板
２を下基板３上に固定し、上基板２と下基板３間に液晶
６を封入して液晶セルを組立てる。その後半田１６を介
してＬＳＩチップ９を前記２層膜配Ｉａ８に半田接続す
る。配線保護膜１５は半田１６が前記Ｃｕ膜中をぬれ広
がるのを防ぐ半田ダムとしての機能も有し、半田接続形
状を一定にする０次に半田接続されたＬＳＩチップ９を
保護するために、通常半導体素子のパッケージとして用
いられている樹脂コート２０を形成する。
熱処理により形成する０次にシール剤７を介して上基板
２を下基板３上に固定し、上基板２と下基板３間に液晶
６を封入して液晶セルを組立てる。その後半田１６を介
してＬＳＩチップ９を前記２層膜配Ｉａ８に半田接続す
る。配線保護膜１５は半田１６が前記Ｃｕ膜中をぬれ広
がるのを防ぐ半田ダムとしての機能も有し、半田接続形
状を一定にする０次に半田接続されたＬＳＩチップ９を
保護するために、通常半導体素子のパッケージとして用
いられている樹脂コート２０を形成する。
上記従来例では、配線保護膜１５および液晶分子配向膜
１７を別個に独立して形成する為、製造工程が複雑にな
り、工程時間が増大するという問題があった。
１７を別個に独立して形成する為、製造工程が複雑にな
り、工程時間が増大するという問題があった。
本発明は、製造工程を簡単にし、かつ製造工程時間を大
幅に短縮できる液晶表示素子を提供することを目的とす
る。
幅に短縮できる液晶表示素子を提供することを目的とす
る。
上記問題点は、配線保護膜と液晶分子配向膜とに、とも
に感光性ポリイミドを用いることにより解決される。
に感光性ポリイミドを用いることにより解決される。
配線保護膜および液晶分子配向膜に感光性ポリイミドを
使用することにより、双方の膜を一度の塗布工程により
塗布可能となり、かつ感光性ポリイミドを使用している
ため配線保護膜は所望の形状にエツチング加工すること
が容易に行える。
使用することにより、双方の膜を一度の塗布工程により
塗布可能となり、かつ感光性ポリイミドを使用している
ため配線保護膜は所望の形状にエツチング加工すること
が容易に行える。
以下図面を参照して、この発明の一実施例について説明
する。
する。
第１図は、本発明による液晶表示素子の一実施例の断面
図であり、第２図におけると同じまたは相当部分には同
一番号を付しである。
図であり、第２図におけると同じまたは相当部分には同
一番号を付しである。
先ず、ガラスからなる上基板２および下基板３の表面に
酸化インジウムなどを用いて１表示パターンの形状にそ
れぞれ透明電極４を形成する１次Ｃｒ膜、半田とのぬれ
性の良いＣｕ膜、さらにＣｕの酸化防止および半田のぬ
れ防止のためのＣｒ膜を重ねて蒸着することにより、多
層金属薄膜を形成する０次いで後の工程でＬＳＩチップ
９が搭載される下基板３上の位置と透明電極４との間を
電気的に接続する配線のパターン状に前記多層金属薄膜
をエツチングし、金属薄膜配線８を形成する。
酸化インジウムなどを用いて１表示パターンの形状にそ
れぞれ透明電極４を形成する１次Ｃｒ膜、半田とのぬれ
性の良いＣｕ膜、さらにＣｕの酸化防止および半田のぬ
れ防止のためのＣｒ膜を重ねて蒸着することにより、多
層金属薄膜を形成する０次いで後の工程でＬＳＩチップ
９が搭載される下基板３上の位置と透明電極４との間を
電気的に接続する配線のパターン状に前記多層金属薄膜
をエツチングし、金属薄膜配線８を形成する。
次に感光性ポリイミド系樹脂（例えば、日立化成製ＰＬ
−１０００又は東し製フォトニスＵＲ３１００若しくは
３６００）を上、下基板２，３上にポリイミド膜５とし
て形成する。
−１０００又は東し製フォトニスＵＲ３１００若しくは
３６００）を上、下基板２，３上にポリイミド膜５とし
て形成する。
次に下基板３については、ＬＳＩチップ９を搭載すべき
位置およびＬＳＩチップ９と金属薄膜配線８とをワイヤ
１０を介して電気的に接続を行う位置を、感光性を利用
し露光後エツチングすることによりスルーホールを設け
る０次に上基板２と下基板３とが対向する内面側をラビ
ング処理して液晶分子を配向する性質を付与する。
位置およびＬＳＩチップ９と金属薄膜配線８とをワイヤ
１０を介して電気的に接続を行う位置を、感光性を利用
し露光後エツチングすることによりスルーホールを設け
る０次に上基板２と下基板３とが対向する内面側をラビ
ング処理して液晶分子を配向する性質を付与する。
透明電極４の周辺に沿って、かつ液晶６注入のための注
入口（図示せず）を残して、シール剤７としてエポキシ
樹脂を塗布した後、上基板２と下基板３とを透明電極４
同志が５〜１０μの間隔を有して対向する様装置して前
記エポキシ樹脂７を１８０℃で硬化し、液晶セル１を形
成する。
入口（図示せず）を残して、シール剤７としてエポキシ
樹脂を塗布した後、上基板２と下基板３とを透明電極４
同志が５〜１０μの間隔を有して対向する様装置して前
記エポキシ樹脂７を１８０℃で硬化し、液晶セル１を形
成する。
次に液晶６を前記注入口を介して液晶セル１内に注入し
、注入口を接着剤で封止する。
、注入口を接着剤で封止する。
次にＬＳＩチップ９を、下基板３上の所定位置に固定後
、ワイヤ１０でＬＳＩチップ９と配線用電極８を電気的
に接続する。配線用電極８．ＬＳＩチップ９およびワイ
ヤ１０を樹脂コート２０で被覆する。
、ワイヤ１０でＬＳＩチップ９と配線用電極８を電気的
に接続する。配線用電極８．ＬＳＩチップ９およびワイ
ヤ１０を樹脂コート２０で被覆する。
なお、ＬＳＩチップ９と配線用電極８の接続はフェイス
ダウンボンディング又はＴＡＢ等にｉる接続でもかまわ
ない、ポリイミド膜５は配線電極保護のため数μｍの厚
さが必要である。
ダウンボンディング又はＴＡＢ等にｉる接続でもかまわ
ない、ポリイミド膜５は配線電極保護のため数μｍの厚
さが必要である。
本実施例によれば、配線電極保護膜と配向膜を同時に形
成でき、かつポリイミド膜５は数μｍと厚いため透明電
極４間に異物が付着してショートするのを防止する絶縁
膜も兼ねることが可能である。液晶分子配向膜と配線電
極保護膜を同時に形成出来るので製作工数を大幅に減ら
すことができる効果がある。
成でき、かつポリイミド膜５は数μｍと厚いため透明電
極４間に異物が付着してショートするのを防止する絶縁
膜も兼ねることが可能である。液晶分子配向膜と配線電
極保護膜を同時に形成出来るので製作工数を大幅に減ら
すことができる効果がある。
なお、感光性ポリイミドとしては、上記以外に光感応性
マレイミドプレポリマー等からなる光硬化性樹脂組成物
（特開昭５８−１３６３０号公轢）。
マレイミドプレポリマー等からなる光硬化性樹脂組成物
（特開昭５８−１３６３０号公轢）。
光開始剤等を含む放射線感受性ポリイミド前躯体組成物
（特開昭５８−１２０６３６号公報）、光感応基をもつ
ポリアミド酸の感光性ポリイミド前躯体（特開昭５９−
１０８０３１号公報）等が有効である。
（特開昭５８−１２０６３６号公報）、光感応基をもつ
ポリアミド酸の感光性ポリイミド前躯体（特開昭５９−
１０８０３１号公報）等が有効である。
本発明によれば、配線電極保護膜、液晶分子配向膜、絶
縁膜の形成が同時にできるので、製作工程を単純化し、
かつ製作工程を短縮化出来る。
縁膜の形成が同時にできるので、製作工程を単純化し、
かつ製作工程を短縮化出来る。
第１図は、本発明になる液晶表示素子の一実施例を示す
概略断面図、第２図は従来の液晶表示素子の概略断面図
である。 １・・・液晶セル、２・・・上基板、３・・・下基板、
４・・・透明電極、５・・・ポリイミド膜、６・・・液
晶、８・・・配線用電極、９・・・ＬＳＩチップ、１０
・・・ワイヤ。 代理人 弁理士 小 川 勝 男 −′＼・６パ１ １・・・液晶セル ２・・・上基板 ３・・・下基板 ４・・・透明電極 ５・・・メリイミド膜 ６・・・液晶 ７・・・シール剤 １０・・・ワイヤ ２０・・・９！脂コート ２・・・下基板 ３・・・下基板 ４・・・透明１！橿 ６・・・液晶 ７・・・シール剤 ８・・・配線用電極 ９・・・ＬＳＩチップ １１・・・液晶セル １５・・・配線保護膜 １６・・・半田 １７・・・液晶分子配向膜 ２０・−！！脂コート
概略断面図、第２図は従来の液晶表示素子の概略断面図
である。 １・・・液晶セル、２・・・上基板、３・・・下基板、
４・・・透明電極、５・・・ポリイミド膜、６・・・液
晶、８・・・配線用電極、９・・・ＬＳＩチップ、１０
・・・ワイヤ。 代理人 弁理士 小 川 勝 男 −′＼・６パ１ １・・・液晶セル ２・・・上基板 ３・・・下基板 ４・・・透明電極 ５・・・メリイミド膜 ６・・・液晶 ７・・・シール剤 １０・・・ワイヤ ２０・・・９！脂コート ２・・・下基板 ３・・・下基板 ４・・・透明１！橿 ６・・・液晶 ７・・・シール剤 ８・・・配線用電極 ９・・・ＬＳＩチップ １１・・・液晶セル １５・・・配線保護膜 １６・・・半田 １７・・・液晶分子配向膜 ２０・−！！脂コート
Claims (1)
- １、液晶セルを構成する基板の一方に液晶セル駆動用半
導体チップを搭載した液晶表示素子において、液晶セル
の透明電極と液晶セル駆動用半導体チップとを電気的に
接続するために基板上に形成された金属薄膜配線を保護
する配線保護膜と、液晶セル内に形成される液晶分子配
向膜とを感光性ポリイミド樹脂で形成したことを特徴と
する液晶表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19887386A JPS6355526A (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | 液晶表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19887386A JPS6355526A (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | 液晶表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6355526A true JPS6355526A (ja) | 1988-03-10 |
Family
ID=16398338
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19887386A Pending JPS6355526A (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | 液晶表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6355526A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0337775A3 (en) * | 1988-04-12 | 1990-09-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electronic apparatus |
| EP0500117A3 (en) * | 1991-02-22 | 1993-03-10 | Nec Corporation | Liquid crystal display device |
| JP2002258768A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-11 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、その製造方法および電子機器 |
-
1986
- 1986-08-27 JP JP19887386A patent/JPS6355526A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0337775A3 (en) * | 1988-04-12 | 1990-09-19 | Sharp Kabushiki Kaisha | Electronic apparatus |
| US5016986A (en) * | 1988-04-12 | 1991-05-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Display device having an improvement in insulating between conductors connected to electronic components |
| EP0500117A3 (en) * | 1991-02-22 | 1993-03-10 | Nec Corporation | Liquid crystal display device |
| US5287208A (en) * | 1991-02-22 | 1994-02-15 | Nec Corporation | Liquid crystal device with benzocyclobutene alignment layer and protective coating for electrodes |
| JP2002258768A (ja) * | 2001-03-02 | 2002-09-11 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、その製造方法および電子機器 |
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