JPH02187045A - フェイスダウンボンディング用パッドの形成方法 - Google Patents
フェイスダウンボンディング用パッドの形成方法Info
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- JPH02187045A JPH02187045A JP1006411A JP641189A JPH02187045A JP H02187045 A JPH02187045 A JP H02187045A JP 1006411 A JP1006411 A JP 1006411A JP 641189 A JP641189 A JP 641189A JP H02187045 A JPH02187045 A JP H02187045A
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- Japan
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- electrode
- bonding pad
- metal layer
- heat treatment
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
- H10W70/01—Manufacture or treatment
- H10W70/05—Manufacture or treatment of insulating or insulated package substrates, or of interposers, or of redistribution layers
- H10W70/093—Connecting or disconnecting other interconnections thereto or therefrom, e.g. connecting bond wires or bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing of the conductive pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistors electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3452—Solder masks
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/951—Materials of bond pads
- H10W72/952—Materials of bond pads comprising metals or metalloids, e.g. PbSn, Ag or Cu
-
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10W—GENERIC PACKAGES, INTERCONNECTIONS, CONNECTORS OR OTHER CONSTRUCTIONAL DETAILS OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
- H10W72/00—Interconnections or connectors in packages
- H10W72/90—Bond pads, in general
- H10W72/981—Auxiliary members, e.g. spacers
- H10W72/983—Reinforcing structures, e.g. collars
Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
この発明は、フェイスダウンボンディング法（ＩＣチッ
プのボンディングパッド部に形成されたハンダバンプと
基板上パッドを溶融接続する方法）によってＩＣチップ
のような電子部品を実装する基板にボンディング用パッ
ドを形成する方法に関する。
プのボンディングパッド部に形成されたハンダバンプと
基板上パッドを溶融接続する方法）によってＩＣチップ
のような電子部品を実装する基板にボンディング用パッ
ドを形成する方法に関する。
（ロ）従来の技術
第３図は従来のサーマルヘッド用の基板に駆動用ＩＣを
搭載する場合のボンディングパッドの構成方法を説明す
る上面図、第４図は第３図のＢ−Ｂ矢視断面図である。
搭載する場合のボンディングパッドの構成方法を説明す
る上面図、第４図は第３図のＢ−Ｂ矢視断面図である。
これらの図において、１１はセラミック基板、Ｉ２はセ
ラミック基板Ｉ！の上に積層されたグレーズ層であり、
グレーズ層１２の上に配線部１３ａ及びボンディングパ
ッド部１３ｂからなるニッケルリード電極１３が積層さ
れ、ΔＵからなるメツキ電極１４か形成された後、ボン
ディングパッド部１３ｂの周縁に、ハンダ流出防止壁、
すなわち、ハンダダムを形成するために感光性ポリイミ
ド樹脂膜１５をフォトリソグラフィ技術によって積層す
るようにしている。
ラミック基板Ｉ！の上に積層されたグレーズ層であり、
グレーズ層１２の上に配線部１３ａ及びボンディングパ
ッド部１３ｂからなるニッケルリード電極１３が積層さ
れ、ΔＵからなるメツキ電極１４か形成された後、ボン
ディングパッド部１３ｂの周縁に、ハンダ流出防止壁、
すなわち、ハンダダムを形成するために感光性ポリイミ
ド樹脂膜１５をフォトリソグラフィ技術によって積層す
るようにしている。
（ハ）発明が解決しようとする課題
しかしながら、このようなハンダダムを形成するために
ポリイミド樹脂を使用することは、材料コストが高くつ
くばかりでなく、ハンダダムを形成する工程が複雑にな
るという問題点があった。
ポリイミド樹脂を使用することは、材料コストが高くつ
くばかりでなく、ハンダダムを形成する工程が複雑にな
るという問題点があった。
この発明はこのような事情を考慮してなされたもので、
ハンダダムを安価に、また簡単な工程で製作することが
可能なフェイスダウンボンディング用パッドの形成方法
を提供するものである。
ハンダダムを安価に、また簡単な工程で製作することが
可能なフェイスダウンボンディング用パッドの形成方法
を提供するものである。
（ニ）課題を解決するための手段
この発明は、フェイスダウンボンディング法により電子
部品を実装する基板にボンディングパッドを形成する方
法において、基板上に第１金属層を積層して配線部及び
ボンディングパッド部を形成し、次に、そのボンディン
グパッド部のほぼ中央部に周縁を残して第２金属層を積
層し、その後、熱処理によって第１金属層の前記周縁に
酸化膜を形成することを特徴とするフェイスダウンボン
ディング用パッドの形成方法である。
部品を実装する基板にボンディングパッドを形成する方
法において、基板上に第１金属層を積層して配線部及び
ボンディングパッド部を形成し、次に、そのボンディン
グパッド部のほぼ中央部に周縁を残して第２金属層を積
層し、その後、熱処理によって第１金属層の前記周縁に
酸化膜を形成することを特徴とするフェイスダウンボン
ディング用パッドの形成方法である。
なお、配線部及びボンディングパッド部を形成する第１
金属層は、ニッケルや銅を使用したメツキあるいはスパ
ッタ法などによって積層される。
金属層は、ニッケルや銅を使用したメツキあるいはスパ
ッタ法などによって積層される。
また、第２金属層はＡｕを使用したメ゛ツキによって形
成される。また、上記熱処理を行う場合には、第１及び
第２金属膜が互いに拡散することを防止するため、第２
金属膜の膜厚と熱処理温度を選定する必要があり、第２
金属層をＡｕメツキによって厚さ０．３〜０．４μｍ程
度に形成した場合には、第１金１ｉｌｉＳ層にニッケル
の場合）の熱処理は１５０ないし３５０℃の温度範囲で
行うことが好ましい。
成される。また、上記熱処理を行う場合には、第１及び
第２金属膜が互いに拡散することを防止するため、第２
金属膜の膜厚と熱処理温度を選定する必要があり、第２
金属層をＡｕメツキによって厚さ０．３〜０．４μｍ程
度に形成した場合には、第１金１ｉｌｉＳ層にニッケル
の場合）の熱処理は１５０ないし３５０℃の温度範囲で
行うことが好ましい。
（ホ）作用
熱処理によって第１金属膜のボンディングパッド部の周
縁に酸化膜が形成されると、第２金属層が酸化膜によっ
て取り囲まれるが、その酸化膜は第２金属層よりもハン
ダのぬれ性が悪いため、ボンディングパッド部にハンダ
が供給された場合、表面張力によってハンダは第２金属
層の上にした乗らず、第２金属層に形成された酸化膜が
ハンダダムとしての働きをする。したがって、高価な材
料を使用したり複雑な工程を必要とすることなく熱処理
を行うだけで容易にハンダダムを形成することができる
。
縁に酸化膜が形成されると、第２金属層が酸化膜によっ
て取り囲まれるが、その酸化膜は第２金属層よりもハン
ダのぬれ性が悪いため、ボンディングパッド部にハンダ
が供給された場合、表面張力によってハンダは第２金属
層の上にした乗らず、第２金属層に形成された酸化膜が
ハンダダムとしての働きをする。したがって、高価な材
料を使用したり複雑な工程を必要とすることなく熱処理
を行うだけで容易にハンダダムを形成することができる
。
（へ）実施例
以下、図面に示す実施例に基づいて発明を詳述する。こ
れによって、この発明が限定されるものではない。
れによって、この発明が限定されるものではない。
第１図はサーマルヘッドの駆動用ＩＣを搭載する基板に
適用したこの発明の一実施例を示す上面図であり、第２
図は第１図のＡ−Ａ矢視断面図である。
適用したこの発明の一実施例を示す上面図であり、第２
図は第１図のＡ−Ａ矢視断面図である。
これらの図において、１はセラミック基板、２はセラミ
ック基板！上に積層されたグレーズ層である。まず、グ
レーズ層２の上面全体に配線部３ａ及びボンディングパ
ッド６１（３ｂからなるニッケルリード電極３をメツキ
法によって１〜３μｍの厚さで形成し、次に、ホトリソ
グラフィによって配線部２ａ及びボンディングパッド部
３ｂをパターン化して区画形成する。そして、Ａｕ電極
４を積層するため、バット部３ｂの中央部分以外をレジ
ストで覆った後、Ａｕメツキを施す。それによって、０
．３〜１゜０μｍの厚さのＡｕ電極４を形成する。次に
、そのレジストを剥離した後、１５０〜３５０℃の温度
で熱処理を行い、ニッケル電極３の表面にニッケルの酸
化膜５を形成する。これによって、ボンディングパッド
部３ｂ上のＡｕ電極４の周りはすべて酸化膜で囲まれる
ことになる。
ック基板！上に積層されたグレーズ層である。まず、グ
レーズ層２の上面全体に配線部３ａ及びボンディングパ
ッド６１（３ｂからなるニッケルリード電極３をメツキ
法によって１〜３μｍの厚さで形成し、次に、ホトリソ
グラフィによって配線部２ａ及びボンディングパッド部
３ｂをパターン化して区画形成する。そして、Ａｕ電極
４を積層するため、バット部３ｂの中央部分以外をレジ
ストで覆った後、Ａｕメツキを施す。それによって、０
．３〜１゜０μｍの厚さのＡｕ電極４を形成する。次に
、そのレジストを剥離した後、１５０〜３５０℃の温度
で熱処理を行い、ニッケル電極３の表面にニッケルの酸
化膜５を形成する。これによって、ボンディングパッド
部３ｂ上のＡｕ電極４の周りはすべて酸化膜で囲まれる
ことになる。
従って、バット部３ｂにハンダが供給されると、酸化膜
５のハンダのぬれ性が悪いため、ハンダはＡｕＴｒ＆極
４の上にとどまり、外部へ流出することがない。すなわ
ち、酸化膜５がハンダ流出防止壁（ハンダダム）として
働く。
５のハンダのぬれ性が悪いため、ハンダはＡｕＴｒ＆極
４の上にとどまり、外部へ流出することがない。すなわ
ち、酸化膜５がハンダ流出防止壁（ハンダダム）として
働く。
このようにして、熱処理を行うだけでハンダダムを形成
することができるので、従来のように高価な材料を使用
したり複雑な工程を要することがない。
することができるので、従来のように高価な材料を使用
したり複雑な工程を要することがない。
（ト）発明の効果
この発明によれば、高価な材料や複雑な工程を使用する
ことなくハンダ流出防止壁（ハンダダム）を安価にまた
容易に形成することが可能なフェイスダウンボンディン
グ用パッドの形成方法が提供される。
ことなくハンダ流出防止壁（ハンダダム）を安価にまた
容易に形成することが可能なフェイスダウンボンディン
グ用パッドの形成方法が提供される。
第１図はこの発明の一実施例を示す上面図、第２図は第
１図のＡ−Ａ矢視断面図、第３図は従来例の第１図対応
図、第４図は第３図のＢ−Ｂ矢視断面図である。 ｌ・・・・・・セラミック基板、 ２・・・・・・グレーズ層、 ３・・・・・・ニッケルリード電極、４・・・・・・Ａ
ｕ電極、５・・・・・・ニッケル酸化膜、 ３ａ・・
・・・・配線部、３ｂ・・・・・・ボンディングパッド
部。 ｂ
１図のＡ−Ａ矢視断面図、第３図は従来例の第１図対応
図、第４図は第３図のＢ−Ｂ矢視断面図である。 ｌ・・・・・・セラミック基板、 ２・・・・・・グレーズ層、 ３・・・・・・ニッケルリード電極、４・・・・・・Ａ
ｕ電極、５・・・・・・ニッケル酸化膜、 ３ａ・・
・・・・配線部、３ｂ・・・・・・ボンディングパッド
部。 ｂ
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、フェイスダウンボンディング法により電子部品を実
装する基板にボンディングパッドを形成する方法におい
て、 基板上に第１金属層を積層して配線部及びボンディング
パッド部を形成し、次に、そのボンディングパッド部の
ほぼ中央部に周縁を残して第２金属層を積層し、その後
、熱処理によって第１金属層の前記周縁に酸化膜を形成
することを特徴とするフェイスダウンボンディング用パ
ッドの形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1006411A JPH02187045A (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | フェイスダウンボンディング用パッドの形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1006411A JPH02187045A (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | フェイスダウンボンディング用パッドの形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02187045A true JPH02187045A (ja) | 1990-07-23 |
Family
ID=11637626
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1006411A Pending JPH02187045A (ja) | 1989-01-13 | 1989-01-13 | フェイスダウンボンディング用パッドの形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH02187045A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5281772A (en) * | 1991-10-28 | 1994-01-25 | Delco Electronics Corporation | Electrical connector having energy-formed solder stops and methods of making and using the same |
| US6300678B1 (en) * | 1997-10-03 | 2001-10-09 | Fujitsu Limited | I/O pin having solder dam for connecting substrates |
| USRE40819E1 (en) | 1995-12-21 | 2009-07-07 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor device with improved bond pads |
-
1989
- 1989-01-13 JP JP1006411A patent/JPH02187045A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5281772A (en) * | 1991-10-28 | 1994-01-25 | Delco Electronics Corporation | Electrical connector having energy-formed solder stops and methods of making and using the same |
| USRE40819E1 (en) | 1995-12-21 | 2009-07-07 | Micron Technology, Inc. | Semiconductor device with improved bond pads |
| US6300678B1 (en) * | 1997-10-03 | 2001-10-09 | Fujitsu Limited | I/O pin having solder dam for connecting substrates |
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