JPS6355844B2 - - Google Patents
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- JPS6355844B2 JPS6355844B2 JP57173708A JP17370882A JPS6355844B2 JP S6355844 B2 JPS6355844 B2 JP S6355844B2 JP 57173708 A JP57173708 A JP 57173708A JP 17370882 A JP17370882 A JP 17370882A JP S6355844 B2 JPS6355844 B2 JP S6355844B2
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- Japan
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- oxide
- glass
- tcr
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- resistance
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- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 23
- PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N neodymium(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Nd+3].[Nd+3] PLDDOISOJJCEMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 20
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[La+3].[La+3] MRELNEQAGSRDBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- MMKQUGHLEMYQSG-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);praseodymium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Pr+3].[Pr+3] MMKQUGHLEMYQSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910003447 praseodymium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229910001954 samarium oxide Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 229940075630 samarium oxide Drugs 0.000 claims description 11
- FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N samarium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Sm+3].[Sm+3] FKTOIHSPIPYAPE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims description 7
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 4
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical compound [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 description 3
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000075 oxide glass Substances 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N dibutyl phthalate Chemical compound CCCCOC(=O)C1=CC=CC=C1C(=O)OCCCC DOIRQSBPFJWKBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- 229910002706 AlOOH Inorganic materials 0.000 description 1
- ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N Ethyl cellulose Chemical compound CCOCC1OC(OC)C(OCC)C(OCC)C1OC1C(O)C(O)C(OC)C(CO)O1 ZZSNKZQZMQGXPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001856 Ethyl cellulose Substances 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N ZrO Inorganic materials [Zr]=O GEIAQOFPUVMAGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N alpha-terpineol Chemical compound CC1=CCC(C(C)(C)O)CC1 WUOACPNHFRMFPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N delta-terpineol Natural products CC(C)(O)C1CCC(=C)CC1 SQIFACVGCPWBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 235000019325 ethyl cellulose Nutrition 0.000 description 1
- 229920001249 ethyl cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000008240 homogeneous mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 1
- 229940116411 terpineol Drugs 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Paints Or Removers (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Description
本発明は、酸化ルテニウムとガラスよりなる酸
化ルテニウム系厚膜抵抗の高抵抗域における抵抗
値の温度係数(以下「TCR」という)を改良し、
併せてノイズ、抵抗値の電圧係数(以下「VCR」
という)などの抵抗特性を改善したものである。 絶縁基板上に酸化ルテニウムとガラスからなる
被膜を形成した厚膜抵抗体は、酸化ルテニウムと
ガラスの比が60:40〜5:95の範囲で抵抗値が数
Ω/□〜10MΩ/□にわたつて変化し、所望の抵
抗値が得られている。 抵抗体は使用時の周囲の温度によつてその抵抗
値が変わらないこと、即ちTCRが0であること
が望ましい。ところが抵抗値とTCRの関係は、
酸化ルテニウムの粒度、ガラスの組成や粒度によ
つても異なるが、中抵抗域でTCRが0となる領
域が存在するものの、これを境に低抵抗値になる
につれTCRは正に大きくなり、高抵抗値になる
につれTCRは負に大きくなり、抵抗値の殆んど
の範囲で周囲温度の影響を受け易い欠点を有して
いた。 TCRを改善する方法として、種々の添加剤を
配合することが知られている。例えばMnO2、
Al2O3、TiO2、ZrO2などはTCRを負の方向にシ
フトさせる効果を有しており、正に大きなTCR
を有する低抵抗域の抵抗体に有効である。しかし
高抵抗域の抵抗体の場合、例えば米国特許第
3324049号には酸化銅を添加したり、酸化銅を含
有するガラスを使用することが記載されている
が、酸化銅を配合するとTCRは0に近づくもの
の、同時に抵抗値が低くなり、かつVCRも悪化
する。又英国特許第1470497号にはコロイド状の
AlOOHを添加するとTCRが正方向に変化するこ
とが記載されているが、この場合もやはり抵抗値
が低下する。従つて結果的に、高抵抗域でTCR
が0に近いものを得ることができなかつた。他に
酸化ルテニウムとガラスそれぞれの粒度を粗くす
る方法があるが、この方法ではノイズが増加し、
抵抗値のバラツキも大きく実用に適さない。この
ように、従来の方法は高抵抗域でのTCRの改良
法として好ましいものとは言えなかつた。 本発明者らはこのような問題を解決すべく研究
し、高抵抗値を示す酸化ルテニウム−ガラス抵抗
にランタン酸化物及び/又はネオジム酸化物を添
加することによりTCR、ノイズ、VCRを改善し
得ることを見出し、先に特願昭56−210207号の出
願を行つた。そして更に研究を続けた結果、プラ
セオジム酸化物とサマリウム酸化物がいずれも優
れたTCR改善及びノイズ、VCR改善効果を示す
こと、又これらの酸化物とランタン酸化物、ネオ
ジム酸化物を併用しても同様の効果があることを
見出したものである。 本発明は、 (1) (a)酸ルテニウムと、(b)ガラスと、(c)プラセオ
ジム酸化物及び/又はサマリウム酸化物と、(d)
有機ベヒクルとからなる抵抗塗料、 (2) (a)酸化ルテニウムと、(b)ガラスと、(c)プラセ
オジム酸化物及び/又はサマリウム酸化物と、
(d)ランタン酸化物及び/又はネオジム酸化物
と、(e)有機ベヒクルとからなる抵抗塗料、 である。 プラセオジム酸化物とサマリウム酸化物を負の
TCRを有する酸化ルテニウム−ガラス抵抗体に
加えると、TCRを0に近づけるが、一方抵抗値
を大きくするという特殊な作用効果を奏する。こ
れは従来の添加剤が抵抗値を小さくする欠点を有
していることからみても、極めて特異な性能であ
る。従つて本発明によつて得られた抵抗体は
TCRが良好となるばかりでなく、同じ抵抗値を
有する従来の抵抗体に比較して多くの導電粒子を
含んでおり、ガラス量が少ないため、ノイズが減
少し、VCRも改善される効果も併せてもつので
ある。 このようにプラセオジム酸化物及びサマリウム
酸化物の添加は、従来技術から予想できない優れ
た効果を奏する。これらの酸化物は単独で使用し
ても、併用してもよい。又ランタン酸化物、ネオ
ジム酸化物を併用しても同等又はそれ以上の効果
を示す。 本発明の抵抗塗料に用いる酸化ルテニウム、ガ
ラス、有機ベヒクルは、通常抵抗塗料に使用され
ているものでよい。酸化ルテニウムは、予め処理
してガラス中に含有させた形で用いてもよい。 プラセオジム酸化物、サマリウム酸化物、ラン
タン酸化物及びネオジム酸化物の粒径については
特に制限はないが、好ましくは10μ以下、特に0.1
〜2μのものがよい。なおこれらの酸化物は予め
ガラスに含有させて使用してもよく、又同時に酸
化ルテニウムをガラスに含有させることもでき
る。プラセオジム酸化物、サマリウム酸化物、ラ
ンタン酸化物及びネオジム酸化物は、酸化ルテニ
ウムとガラスの合計100重量部に対して総計で
0.05〜7重量部使用される。0.05重量部より少な
いと添加した効果があまりみられず、7重量部を
超えて使用するとTCRが逆に負側にシフトする
ようになり、TCRの改良とならない。 本発明は酸化ルテニウムとガラスの重量比が
30:70〜5:95の高抵抗域の抵抗体を製造する場
合に、特に有効である。 以下実施例により本発明を説明するが、本発明
はこれに限定されるものではない。 表1に実施例1〜10、比較例1〜3を併せて示
す。比較しやすいように同じ抵抗値の実施例、比
較例をまとめて示した。実施例7〜10を除いた各
例は、それぞれ表1に示す各成分を混合した後ロ
ールミキシングを行ない、均一分散した抵抗塗料
とした。使用したガラスは重量でPbO52.0%、
B2O38.3%、SiO236.5%、Al2O33.3%の組成を有
する平均粒径3μのものであり、又酸化ルテニウ
ムは比表面積233m2/gのものを用いた。有機ベ
ヒクルは重量でエチルセルロース7.5部、テルピ
ネオール32.5部、ジブチルフタレート5.0部の均
一混合物である。 実施例8〜10は、ガラスと、プラセオジム酸化
物、サマリウム酸化物、ランタン酸化物、ネオジ
ム酸化物から選ばれた酸化物とを白金ルツボに入
れ、ガラスの溶融温度まで加熱した後急冷し、更
に微粉砕したものを、酸化ルテニウム及び有機ベ
ヒクルと混合して抵抗塗料とした。実施例7はガ
ラスとネオジム酸化物のみを同様に処理し、他成
分と混合した。 このようにして得た抵抗塗料を、Ag−Pd系厚
膜導体で端子を形成したアルミナ基板上に1mm×
1mmのパターンにスクリーン印刷した後、乾燥
し、次いでベルト炉によりピーク温度850℃で10
分間焼成した。 得られた抵抗体について抵抗値、TCR、ノイ
ズ、VCRを測定し、その結果も併せて表1に示
した。抵抗値はタケダ理研工業(株)製デジタルマル
チメーター(TR−6855)により測定し、12μ厚
のシート抵抗に換算したものである。TCRは−
25℃〜+125℃の温度範囲で測定した。ノイズは
Quan−Tech社のResistor−Noise Test
(MODEL−2136)により測定した。ノイズは値
の小さいほど好ましい。VCRはGeneral Radio
社のMegohm Bride(Model−1644A)により10
〜100Vの範囲で測定した。VCRはTCRと同様0
に近いほど好ましい。
化ルテニウム系厚膜抵抗の高抵抗域における抵抗
値の温度係数(以下「TCR」という)を改良し、
併せてノイズ、抵抗値の電圧係数(以下「VCR」
という)などの抵抗特性を改善したものである。 絶縁基板上に酸化ルテニウムとガラスからなる
被膜を形成した厚膜抵抗体は、酸化ルテニウムと
ガラスの比が60:40〜5:95の範囲で抵抗値が数
Ω/□〜10MΩ/□にわたつて変化し、所望の抵
抗値が得られている。 抵抗体は使用時の周囲の温度によつてその抵抗
値が変わらないこと、即ちTCRが0であること
が望ましい。ところが抵抗値とTCRの関係は、
酸化ルテニウムの粒度、ガラスの組成や粒度によ
つても異なるが、中抵抗域でTCRが0となる領
域が存在するものの、これを境に低抵抗値になる
につれTCRは正に大きくなり、高抵抗値になる
につれTCRは負に大きくなり、抵抗値の殆んど
の範囲で周囲温度の影響を受け易い欠点を有して
いた。 TCRを改善する方法として、種々の添加剤を
配合することが知られている。例えばMnO2、
Al2O3、TiO2、ZrO2などはTCRを負の方向にシ
フトさせる効果を有しており、正に大きなTCR
を有する低抵抗域の抵抗体に有効である。しかし
高抵抗域の抵抗体の場合、例えば米国特許第
3324049号には酸化銅を添加したり、酸化銅を含
有するガラスを使用することが記載されている
が、酸化銅を配合するとTCRは0に近づくもの
の、同時に抵抗値が低くなり、かつVCRも悪化
する。又英国特許第1470497号にはコロイド状の
AlOOHを添加するとTCRが正方向に変化するこ
とが記載されているが、この場合もやはり抵抗値
が低下する。従つて結果的に、高抵抗域でTCR
が0に近いものを得ることができなかつた。他に
酸化ルテニウムとガラスそれぞれの粒度を粗くす
る方法があるが、この方法ではノイズが増加し、
抵抗値のバラツキも大きく実用に適さない。この
ように、従来の方法は高抵抗域でのTCRの改良
法として好ましいものとは言えなかつた。 本発明者らはこのような問題を解決すべく研究
し、高抵抗値を示す酸化ルテニウム−ガラス抵抗
にランタン酸化物及び/又はネオジム酸化物を添
加することによりTCR、ノイズ、VCRを改善し
得ることを見出し、先に特願昭56−210207号の出
願を行つた。そして更に研究を続けた結果、プラ
セオジム酸化物とサマリウム酸化物がいずれも優
れたTCR改善及びノイズ、VCR改善効果を示す
こと、又これらの酸化物とランタン酸化物、ネオ
ジム酸化物を併用しても同様の効果があることを
見出したものである。 本発明は、 (1) (a)酸ルテニウムと、(b)ガラスと、(c)プラセオ
ジム酸化物及び/又はサマリウム酸化物と、(d)
有機ベヒクルとからなる抵抗塗料、 (2) (a)酸化ルテニウムと、(b)ガラスと、(c)プラセ
オジム酸化物及び/又はサマリウム酸化物と、
(d)ランタン酸化物及び/又はネオジム酸化物
と、(e)有機ベヒクルとからなる抵抗塗料、 である。 プラセオジム酸化物とサマリウム酸化物を負の
TCRを有する酸化ルテニウム−ガラス抵抗体に
加えると、TCRを0に近づけるが、一方抵抗値
を大きくするという特殊な作用効果を奏する。こ
れは従来の添加剤が抵抗値を小さくする欠点を有
していることからみても、極めて特異な性能であ
る。従つて本発明によつて得られた抵抗体は
TCRが良好となるばかりでなく、同じ抵抗値を
有する従来の抵抗体に比較して多くの導電粒子を
含んでおり、ガラス量が少ないため、ノイズが減
少し、VCRも改善される効果も併せてもつので
ある。 このようにプラセオジム酸化物及びサマリウム
酸化物の添加は、従来技術から予想できない優れ
た効果を奏する。これらの酸化物は単独で使用し
ても、併用してもよい。又ランタン酸化物、ネオ
ジム酸化物を併用しても同等又はそれ以上の効果
を示す。 本発明の抵抗塗料に用いる酸化ルテニウム、ガ
ラス、有機ベヒクルは、通常抵抗塗料に使用され
ているものでよい。酸化ルテニウムは、予め処理
してガラス中に含有させた形で用いてもよい。 プラセオジム酸化物、サマリウム酸化物、ラン
タン酸化物及びネオジム酸化物の粒径については
特に制限はないが、好ましくは10μ以下、特に0.1
〜2μのものがよい。なおこれらの酸化物は予め
ガラスに含有させて使用してもよく、又同時に酸
化ルテニウムをガラスに含有させることもでき
る。プラセオジム酸化物、サマリウム酸化物、ラ
ンタン酸化物及びネオジム酸化物は、酸化ルテニ
ウムとガラスの合計100重量部に対して総計で
0.05〜7重量部使用される。0.05重量部より少な
いと添加した効果があまりみられず、7重量部を
超えて使用するとTCRが逆に負側にシフトする
ようになり、TCRの改良とならない。 本発明は酸化ルテニウムとガラスの重量比が
30:70〜5:95の高抵抗域の抵抗体を製造する場
合に、特に有効である。 以下実施例により本発明を説明するが、本発明
はこれに限定されるものではない。 表1に実施例1〜10、比較例1〜3を併せて示
す。比較しやすいように同じ抵抗値の実施例、比
較例をまとめて示した。実施例7〜10を除いた各
例は、それぞれ表1に示す各成分を混合した後ロ
ールミキシングを行ない、均一分散した抵抗塗料
とした。使用したガラスは重量でPbO52.0%、
B2O38.3%、SiO236.5%、Al2O33.3%の組成を有
する平均粒径3μのものであり、又酸化ルテニウ
ムは比表面積233m2/gのものを用いた。有機ベ
ヒクルは重量でエチルセルロース7.5部、テルピ
ネオール32.5部、ジブチルフタレート5.0部の均
一混合物である。 実施例8〜10は、ガラスと、プラセオジム酸化
物、サマリウム酸化物、ランタン酸化物、ネオジ
ム酸化物から選ばれた酸化物とを白金ルツボに入
れ、ガラスの溶融温度まで加熱した後急冷し、更
に微粉砕したものを、酸化ルテニウム及び有機ベ
ヒクルと混合して抵抗塗料とした。実施例7はガ
ラスとネオジム酸化物のみを同様に処理し、他成
分と混合した。 このようにして得た抵抗塗料を、Ag−Pd系厚
膜導体で端子を形成したアルミナ基板上に1mm×
1mmのパターンにスクリーン印刷した後、乾燥
し、次いでベルト炉によりピーク温度850℃で10
分間焼成した。 得られた抵抗体について抵抗値、TCR、ノイ
ズ、VCRを測定し、その結果も併せて表1に示
した。抵抗値はタケダ理研工業(株)製デジタルマル
チメーター(TR−6855)により測定し、12μ厚
のシート抵抗に換算したものである。TCRは−
25℃〜+125℃の温度範囲で測定した。ノイズは
Quan−Tech社のResistor−Noise Test
(MODEL−2136)により測定した。ノイズは値
の小さいほど好ましい。VCRはGeneral Radio
社のMegohm Bride(Model−1644A)により10
〜100Vの範囲で測定した。VCRはTCRと同様0
に近いほど好ましい。
【表】
*はガラス中
実施例1、2と比較例1、実施例3、4と比較
例2、3をそれぞれ比較すると、本発明により得
られた抵抗体は、同じ抵抗値を有する従来の抵抗
体と比べてTCRが改善されていることがわかる。
更にノイズ、VCRについても優れたものとなつ
ている。又酸化ルテニウムとガラスの配合比率の
同じものどうしを比較すると、本発明の酸化物の
添加により、ノイズ、VCRが悪化することなく
抵抗値が増加していることがわかる。 このように、本発明はプラセオジム酸化物及
び/又はサマリウム酸化物、或いはこれらとラン
タン酸化物及び/又はネオジム酸化物を酸化ルテ
ニウム−ガラス抵抗体に添加することにより、高
抵抗域でのTCRを改善し0に近づけることがで
き、併せてノイズ、VCRも改善するもので、実
用上極めて優れたものである。
実施例1、2と比較例1、実施例3、4と比較
例2、3をそれぞれ比較すると、本発明により得
られた抵抗体は、同じ抵抗値を有する従来の抵抗
体と比べてTCRが改善されていることがわかる。
更にノイズ、VCRについても優れたものとなつ
ている。又酸化ルテニウムとガラスの配合比率の
同じものどうしを比較すると、本発明の酸化物の
添加により、ノイズ、VCRが悪化することなく
抵抗値が増加していることがわかる。 このように、本発明はプラセオジム酸化物及
び/又はサマリウム酸化物、或いはこれらとラン
タン酸化物及び/又はネオジム酸化物を酸化ルテ
ニウム−ガラス抵抗体に添加することにより、高
抵抗域でのTCRを改善し0に近づけることがで
き、併せてノイズ、VCRも改善するもので、実
用上極めて優れたものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1 (a)酸化ルテニウムと、(b)ガラスと、(c)プラセ
オジム酸化物及び/又はサマリウム酸化物と、(d)
有機ベヒクルとからなる抵抗塗料。 2 (a)酸化ルテニウムと、(b)ガラスと、(c)プラセ
オジム酸化物及び/又はサマリウム酸化物と、(d)
ランタン酸化物及び/又はネオジム酸化物と、(e)
有機ベヒクルとからなる抵抗塗料。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57173708A JPS5976401A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 抵抗塗料 |
| CA000416634A CA1191022A (en) | 1981-12-29 | 1982-11-30 | Resistor compositions and resistors produced therefrom |
| US06/446,084 US4439352A (en) | 1981-12-29 | 1982-12-01 | Resistor compositions and resistors produced therefrom |
| GB08234191A GB2112376B (en) | 1981-12-29 | 1982-12-01 | Resistor compositions and resistors produced therefrom |
| DE3247224A DE3247224C2 (de) | 1981-12-29 | 1982-12-21 | Widerstandspaste und daraus hergestellter elektrischer Widerstand |
| FR828222042A FR2519182B1 (fr) | 1981-12-29 | 1982-12-29 | Compositions pour resistances a couche epaisse produites a partir d'elles |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP57173708A JPS5976401A (ja) | 1982-10-01 | 1982-10-01 | 抵抗塗料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5976401A JPS5976401A (ja) | 1984-05-01 |
| JPS6355844B2 true JPS6355844B2 (ja) | 1988-11-04 |
Family
ID=15965656
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP57173708A Granted JPS5976401A (ja) | 1981-12-29 | 1982-10-01 | 抵抗塗料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5976401A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08219405A (ja) * | 1995-02-16 | 1996-08-30 | Kyushu Electric Power Co Inc | ボイラ設備の防食方法 |
-
1982
- 1982-10-01 JP JP57173708A patent/JPS5976401A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5976401A (ja) | 1984-05-01 |
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