JPS6356523A - 新規共重合体とその製造法 - Google Patents
新規共重合体とその製造法Info
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- JPS6356523A JPS6356523A JP19896786A JP19896786A JPS6356523A JP S6356523 A JPS6356523 A JP S6356523A JP 19896786 A JP19896786 A JP 19896786A JP 19896786 A JP19896786 A JP 19896786A JP S6356523 A JPS6356523 A JP S6356523A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、光学機器用素材、電気・電子機器用素材、そ
の他の一般成形材料等として用いられる光学的性質に優
れた新規なポリカーボネート系の共重合体とその製造法
に関する。
の他の一般成形材料等として用いられる光学的性質に優
れた新規なポリカーボネート系の共重合体とその製造法
に関する。
ポリカーボネート樹脂は、一般にビスフェノールＡ（２
，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン〕を原
料とし、これにホスゲンやジフェニルカーボネートなど
炭酸エステル形成性化合物を反応させて得たものが用い
られている。ところが、このようにして得られるポリカ
ーボネート樹脂は、透明性や耐熱性、機械的強度に優れ
ているので広汎な用途に用いられているが、射出成形な
どの成形品の応力光学歪みが大きく、複屈折が大きいた
め光学機器用の素材としては満足すべきものではなかっ
た。
，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン〕を原
料とし、これにホスゲンやジフェニルカーボネートなど
炭酸エステル形成性化合物を反応させて得たものが用い
られている。ところが、このようにして得られるポリカ
ーボネート樹脂は、透明性や耐熱性、機械的強度に優れ
ているので広汎な用途に用いられているが、射出成形な
どの成形品の応力光学歪みが大きく、複屈折が大きいた
め光学機器用の素材としては満足すべきものではなかっ
た。
本発明は、光学的性質に優れた、特に光弾性係数の小さ
いポリカーボネート系共重合体とその製造法を提供する
ことを目的とする。
いポリカーボネート系共重合体とその製造法を提供する
ことを目的とする。
本発明者らは、前記目的を達成するために鋭意研究を重
ねた結果、特定のビスフェノールを共重合させることに
より、その目的を達成することを見い出し、この知見に
基づいて本発明を完成するに至った。
ねた結果、特定のビスフェノールを共重合させることに
より、その目的を達成することを見い出し、この知見に
基づいて本発明を完成するに至った。
すなわち、本発明の共重合体は、
Ｘ＆
および
Ｙ＆
（式中、Ｘｌは水素、Ｃ，〜ＣＳのアルキル基、Ｃｂ
”’ Ｃ＋。のアリール基またはＣ１〜Ｃ１□のアラル
キル基でであり、ｎはＯまたは１〜５の整数であり、Ｙ
ｌ、Ｙ２はそれぞれ水素、Ｃ１〜Ｃ３のアルキル基、０
６〜ＣＩＯの了り−ル基またはＣ１〜Ｃ＋□のアラルキ
ル基で、ｘ２とは異なるものであり、Ｒ１，Ｒ２、Ｒ３
およびＲ４はそれぞれ水素、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ５
のアルキル基、フェニル基である）で表される繰り返し
単位からなり、塩化メチレンを溶媒とする０、５ｇ／
ｄ ｌｌ ｔｍ度の溶液の２０℃における還元粘度（η
ｓｐ／ｃ）が０．３ｄｌ／ｇ以上であることを特徴とす
る。 （１）および（ＩＩ）の共重合組成は任意の組
成とすることができるが、（ｎ）で示される繰り返し単
位の共重合体中のモル分率は０．０５〜０゜６の範囲が
望ましい。０．０５未満では光弾性係数の低下が十分で
なく、また０、６を超えると耐熱性の低下が大きくなる
。
”’ Ｃ＋。のアリール基またはＣ１〜Ｃ１□のアラル
キル基でであり、ｎはＯまたは１〜５の整数であり、Ｙ
ｌ、Ｙ２はそれぞれ水素、Ｃ１〜Ｃ３のアルキル基、０
６〜ＣＩＯの了り−ル基またはＣ１〜Ｃ＋□のアラルキ
ル基で、ｘ２とは異なるものであり、Ｒ１，Ｒ２、Ｒ３
およびＲ４はそれぞれ水素、ハロゲン原子、Ｃ１〜Ｃ５
のアルキル基、フェニル基である）で表される繰り返し
単位からなり、塩化メチレンを溶媒とする０、５ｇ／
ｄ ｌｌ ｔｍ度の溶液の２０℃における還元粘度（η
ｓｐ／ｃ）が０．３ｄｌ／ｇ以上であることを特徴とす
る。 （１）および（ＩＩ）の共重合組成は任意の組
成とすることができるが、（ｎ）で示される繰り返し単
位の共重合体中のモル分率は０．０５〜０゜６の範囲が
望ましい。０．０５未満では光弾性係数の低下が十分で
なく、また０、６を超えると耐熱性の低下が大きくなる
。
また、還元粘度が０．３ ｄ ｌ ／ ｇ未満だと機械
的強度が十分でない。
的強度が十分でない。
本発明の新規重合体は、例えば本発明の方法におよび
Ｙ′
（式中、ｘｌ、 ｘｉ、ｎ、 Ｙ’％ Ｙ”、Ｒ１，Ｒ
”、Ｒ３およびＲ４は前記と同じ意味を有する）で表さ
れる二価フェノールを、炭酸エステル形成性化合物と反
応させることにより製造することができる。
”、Ｒ３およびＲ４は前記と同じ意味を有する）で表さ
れる二価フェノールを、炭酸エステル形成性化合物と反
応させることにより製造することができる。
本発明に用いられる（ＩＩＩ）のビスフェノール類とし
ては、例えば、２．２−ビス（４−ヒドロキシフェニル
）−３−フェニルプロパン、２．２−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−１，３−ジフェニルプロパン、２．２
−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−１，
３−ジフェニルプロパン、１．１−ジフェニル−２，２
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１．１．
１−トリフェニル−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン、２．２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−４−フェニルブタン、２，２−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）−４−フェニルブタン、２
．２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−５−フェニル
ペンタン、２．２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシ
フェニル）−５−フェニルペンタン、２．２−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−６−フェニルヘキサン、２゜
２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−７−フェニルヘ
プタン、２．２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−７
−フェニルオクタンなどが挙げられる。
ては、例えば、２．２−ビス（４−ヒドロキシフェニル
）−３−フェニルプロパン、２．２−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−１，３−ジフェニルプロパン、２．２
−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−１，
３−ジフェニルプロパン、１．１−ジフェニル−２，２
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、１．１．
１−トリフェニル−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェ
ニル）プロパン、２．２−ビス（４−ヒドロキシフェニ
ル）−４−フェニルブタン、２，２−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）−４−フェニルブタン、２
．２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−５−フェニル
ペンタン、２．２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシ
フェニル）−５−フェニルペンタン、２．２−ビス（４
−ヒドロキシフェニル）−６−フェニルヘキサン、２゜
２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−７−フェニルヘ
プタン、２．２−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−７
−フェニルオクタンなどが挙げられる。
（ＩＶ）のビスフェノール類としては、例えば、ビス（
４−ヒドロキシフェニル）メタン、１．１−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）エタン、２゜２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２．２−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２．２−ビス（
４−ヒドロキシフェニル）ブタン、４．４−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）ペンタン、４．４−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）ヘキサン、４．４−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）へブタン、２，２−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）オクタン、２．２−（３，５，３’、５
’−テトラブロモ−４，４′−ジヒドロキシジフェニル
）プロパン、（３，３′−ジクロロ−４，４′−ジヒド
ロキシジフェニル）メタン、１．１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−１−フェニルエタン、１．１−ビス（
４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルメタン、１．
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−（４−エチ
ルフェニル）メタン、１．１−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）−ベンジル−メタンなどが挙げられる。
４−ヒドロキシフェニル）メタン、１．１−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）エタン、２゜２−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）プロパン、２．２−ビス（３−メチル
−４−ヒドロキシフェニル）プロパン、２．２−ビス（
４−ヒドロキシフェニル）ブタン、４．４−ビス（４−
ヒドロキシフェニル）ペンタン、４．４−ビス（４−ヒ
ドロキシフェニル）ヘキサン、４．４−ビス（４−ヒド
ロキシフェニル）へブタン、２，２−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）オクタン、２．２−（３，５，３’、５
’−テトラブロモ−４，４′−ジヒドロキシジフェニル
）プロパン、（３，３′−ジクロロ−４，４′−ジヒド
ロキシジフェニル）メタン、１．１−ビス（４−ヒドロ
キシフェニル）−１−フェニルエタン、１．１−ビス（
４−ヒドロキシフェニル）−１−フェニルメタン、１．
１−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１−（４−エチ
ルフェニル）メタン、１．１−ビス（４−ヒドロキシフ
ェニル）−ベンジル−メタンなどが挙げられる。
炭酸エステル形成性化合物としては、例えば、ジフェニ
ルカーボネート、ジ−ｐ−＋−ツルカーボネート、フェ
ニル−ｐ−トリルカーボネート、ジ−ｐ−クロロフェニ
ルカーボネート、ジナフチルカーボネートなどのジアリ
ールカーボネート、ホスゲン、ブロムホスゲンなどの炭
酸のハロゲン化物などが挙げられる。これらのうちジフ
ェニルカーボネート、ホスゲンが好ましい。
ルカーボネート、ジ−ｐ−＋−ツルカーボネート、フェ
ニル−ｐ−トリルカーボネート、ジ−ｐ−クロロフェニ
ルカーボネート、ジナフチルカーボネートなどのジアリ
ールカーボネート、ホスゲン、ブロムホスゲンなどの炭
酸のハロゲン化物などが挙げられる。これらのうちジフ
ェニルカーボネート、ホスゲンが好ましい。
本発明共重合体の製造法としては、ビスフェノール八か
らポリカーボネートを製造する際に用いられている公知
の方法、例えば二価フェノールとホスゲンとの直接反応
、あるいは二価フェノールとビスアリールカーボネート
とのエステル交換反応などの方法を採用することができ
る。
らポリカーボネートを製造する際に用いられている公知
の方法、例えば二価フェノールとホスゲンとの直接反応
、あるいは二価フェノールとビスアリールカーボネート
とのエステル交換反応などの方法を採用することができ
る。
前者の二価フェノールとホスゲンとの直接反応法におい
ては、通常酸結合剤および溶媒の存在下において、前記
一般式（Ｉ［［）および（ＩＶ）で表される二価フェノ
ールとホスゲンとを反応させる。
ては、通常酸結合剤および溶媒の存在下において、前記
一般式（Ｉ［［）および（ＩＶ）で表される二価フェノ
ールとホスゲンとを反応させる。
酸結合剤としては、例えばピリジンや、水酸化ナトリウ
ム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属の水酸化物など
が用いられ、また溶媒としては、例えば塩化メチレン、
クロロベンゼン、キシレンなどが用いられる。さらに、
縮重合反応を促進するために、トリエチルアミンのよう
な第三級アミンまたは第四級アンモニウム塩などの触媒
を、また、重合度を調製するために、フェノール、フェ
ニルフェノール、クミルフェノール、ｐ−ｔ−ブチルフ
ェノールなどの分子量調節剤を添加して反応を行うこと
が望ましい。また、所望に応じ亜硫酸ナトリウム、ハイ
ドロサルファイドナトリウムなどの酸化防止剤を少量添
加してもよい。
ム、水酸化カリウムなどのアルカリ金属の水酸化物など
が用いられ、また溶媒としては、例えば塩化メチレン、
クロロベンゼン、キシレンなどが用いられる。さらに、
縮重合反応を促進するために、トリエチルアミンのよう
な第三級アミンまたは第四級アンモニウム塩などの触媒
を、また、重合度を調製するために、フェノール、フェ
ニルフェノール、クミルフェノール、ｐ−ｔ−ブチルフ
ェノールなどの分子量調節剤を添加して反応を行うこと
が望ましい。また、所望に応じ亜硫酸ナトリウム、ハイ
ドロサルファイドナトリウムなどの酸化防止剤を少量添
加してもよい。
二価フェノールの（Ｉ［Ｉ）と（ＩＶ）の配合割合は任
意であり、共重合体として光弾性係数の小さいものを得
たい場合には、（Ｉ［Ｉ）の化合物の使用割合を増やせ
ばよい。
意であり、共重合体として光弾性係数の小さいものを得
たい場合には、（Ｉ［Ｉ）の化合物の使用割合を増やせ
ばよい。
反応は通常０〜１５０℃、好ましくは５〜４０℃の範囲
の温度で行われる。反応時間は反応温度によって左右さ
れるが、通常１分〜５時間、好ましくは５分〜３時間で
ある。また、反応中は、反応系のｐＨを１０以上に保持
することが望ましい。
の温度で行われる。反応時間は反応温度によって左右さ
れるが、通常１分〜５時間、好ましくは５分〜３時間で
ある。また、反応中は、反応系のｐＨを１０以上に保持
することが望ましい。
一方後者のエステル交換法においては、前記−般式（Ｉ
ＩＩ）および（ＩＶ）で表される二価フェノールとビス
アリールカーボネートとを混合し、減圧下で高温におい
て反応させる。反応は通常１００〜３５０℃、好ましく
は２００〜３００℃の範囲の温度において行われ、また
減圧度は最終で好ましくは１龍Ｈｇ以下にして、エステ
ル交換反応により生成した該ビスアリールカーボネート
から由来するフェノール類を系外へ留去させる。反応時
間は反応温度や減圧度などによって左右されるが、通常
１〜４時間程度である。反応は窒素やアルゴンなどの不
活性ガス雰囲気下で行うことが好ましく、また、所望に
応じ、前記の分子量調節剤や酸化防止剤などを添加して
、反応を行って冬よい。
ＩＩ）および（ＩＶ）で表される二価フェノールとビス
アリールカーボネートとを混合し、減圧下で高温におい
て反応させる。反応は通常１００〜３５０℃、好ましく
は２００〜３００℃の範囲の温度において行われ、また
減圧度は最終で好ましくは１龍Ｈｇ以下にして、エステ
ル交換反応により生成した該ビスアリールカーボネート
から由来するフェノール類を系外へ留去させる。反応時
間は反応温度や減圧度などによって左右されるが、通常
１〜４時間程度である。反応は窒素やアルゴンなどの不
活性ガス雰囲気下で行うことが好ましく、また、所望に
応じ、前記の分子量調節剤や酸化防止剤などを添加して
、反応を行って冬よい。
また、あらかじめ式（ＩＩＩ）で表されるビスフェノー
ルとホスゲンを重縮合させたり、ビスフェノールと炭酸
ジフェニルを重縮合させてオリゴマーを得、このオリゴ
マーと式（ＩＶ）で表される二価フェノールを反応させ
てもよいし、逆に、あらかじめ式（■）で表される二価
フェノールとホスゲンあるいは炭酸ジフェニルを重縮合
させておき、その後ビスフェノール（ＩＩＩ）を反応さ
せてもよい。
ルとホスゲンを重縮合させたり、ビスフェノールと炭酸
ジフェニルを重縮合させてオリゴマーを得、このオリゴ
マーと式（ＩＶ）で表される二価フェノールを反応させ
てもよいし、逆に、あらかじめ式（■）で表される二価
フェノールとホスゲンあるいは炭酸ジフェニルを重縮合
させておき、その後ビスフェノール（ＩＩＩ）を反応さ
せてもよい。
このようにして得られた本発明の共重合体は、前記一般
式（１）および（ＩＩ）で表される繰り返し単位からな
る新規なポリカーボネート系共重合体であり、塩化メチ
レンを溶媒とする０、 ５ ｇ ／ ｄＩ！濃度の溶液
の温度２０℃における還元粘度〔ηｓｐ／ｃ〕が０．３
ｄ ｌｌ ／ ｇ以上である。この還元粘度が０．３
ｄ ｌ ／ ｇ未満のものは、重合度が低すぎて本発
明の目的を十分に発揮することができない。
式（１）および（ＩＩ）で表される繰り返し単位からな
る新規なポリカーボネート系共重合体であり、塩化メチ
レンを溶媒とする０、 ５ ｇ ／ ｄＩ！濃度の溶液
の温度２０℃における還元粘度〔ηｓｐ／ｃ〕が０．３
ｄ ｌｌ ／ ｇ以上である。この還元粘度が０．３
ｄ ｌ ／ ｇ未満のものは、重合度が低すぎて本発
明の目的を十分に発揮することができない。
本発明共重合体の成形法としては、通常ポリカーボネー
ト樹脂の成形に用いられている方法、例えば射出成形法
、圧縮成形法、射出成形と圧縮成形の折衷法であるロー
リンクス法やマイクロモールディングなどの中から任意
の方法を使用することができる。
ト樹脂の成形に用いられている方法、例えば射出成形法
、圧縮成形法、射出成形と圧縮成形の折衷法であるロー
リンクス法やマイクロモールディングなどの中から任意
の方法を使用することができる。
前記成形法においては、本発明共重合体をそのまま成形
してもよいが、所望に応じ、該共重合体に各種の成分、
例えば着色や透明性の劣化を防止するための亜リン酸エ
ステル類、メルトインデックス値を増大させるための可
塑剤などを配合して成形してもよいし、また、本発明の
共重合体の特性を損なわない範囲で、他の樹脂を配合し
て成形してもよい。
してもよいが、所望に応じ、該共重合体に各種の成分、
例えば着色や透明性の劣化を防止するための亜リン酸エ
ステル類、メルトインデックス値を増大させるための可
塑剤などを配合して成形してもよいし、また、本発明の
共重合体の特性を損なわない範囲で、他の樹脂を配合し
て成形してもよい。
この際使用される亜リン酸エステル類としては、例えば
トリブチルホスファイト、トリス（２−エチルヘキシル
）ホスファイト、トリデシルホスファイト、トリスステ
アリルホスファイト、トリフェニルホスファイト、トリ
クレジルホスファイト、トリス（ノニルフェニル）ホス
ファイト、２−エチルへキシルジフェニルホスファイト
、デシルジフヱニルホスファイト、フェニル−ジー２−
エチルへキシルホスファイト、フェニルジデシルホスフ
ァイト、トリシクロヘキシルホスファイト、ジステアリ
ルペンタエリスリチルジホスファイト、ジフェニルペン
タニルスリチルジホスファイトなどが挙げられる。
トリブチルホスファイト、トリス（２−エチルヘキシル
）ホスファイト、トリデシルホスファイト、トリスステ
アリルホスファイト、トリフェニルホスファイト、トリ
クレジルホスファイト、トリス（ノニルフェニル）ホス
ファイト、２−エチルへキシルジフェニルホスファイト
、デシルジフヱニルホスファイト、フェニル−ジー２−
エチルへキシルホスファイト、フェニルジデシルホスフ
ァイト、トリシクロヘキシルホスファイト、ジステアリ
ルペンタエリスリチルジホスファイト、ジフェニルペン
タニルスリチルジホスファイトなどが挙げられる。
また、可塑剤としては、例えば２−エチルへキシルフタ
レート、ｎ−ブチルフタレート、イソデカニルフタレー
ト、トリデカニルフタレート、ヘプチルフタレート、ノ
ニルフタレートなどのアルキルフタレート類、２−エチ
ルへキシルアジペート、２−エチルヘキシルセバケート
などの二塩基酸のアルキルエステル類、リン酸トリブチ
ル、リン酸トリオクチル、リン酸トリクレジル、リン酸
トリフェニルなどのリン酸アルキルエステル類、エポキ
シ化オレイン酸オクチル、エポキシ化オレイン酸ブチル
などのエポキシ化脂肪酸エステル類、あるいはポリエス
テル系可塑剤、塩素化脂肪酸エステル類などが挙げられ
る。
レート、ｎ−ブチルフタレート、イソデカニルフタレー
ト、トリデカニルフタレート、ヘプチルフタレート、ノ
ニルフタレートなどのアルキルフタレート類、２−エチ
ルへキシルアジペート、２−エチルヘキシルセバケート
などの二塩基酸のアルキルエステル類、リン酸トリブチ
ル、リン酸トリオクチル、リン酸トリクレジル、リン酸
トリフェニルなどのリン酸アルキルエステル類、エポキ
シ化オレイン酸オクチル、エポキシ化オレイン酸ブチル
などのエポキシ化脂肪酸エステル類、あるいはポリエス
テル系可塑剤、塩素化脂肪酸エステル類などが挙げられ
る。
本発明で得られた共重合体には、その他に、例えば紫外
線吸収剤、着色剤、螢光増白剤、難燃剤、帯電防止剤、
充填剤、補強剤などを必要に応じ添加配合してもよい。
線吸収剤、着色剤、螢光増白剤、難燃剤、帯電防止剤、
充填剤、補強剤などを必要に応じ添加配合してもよい。
以下、本発明を実施例に基づいて詳細に説明するが、本
発明はこれに限定されるものではない。
発明はこれに限定されるものではない。
実施例１
式（ＩＩＩ）で表される二価フェノールとして、２゜２
−ビス（４−ヒドロキフェニル）４−フェニルブタン４
７．４ｇ（０，１５モル）を用い、式（ＩＶ）で表され
る二価フェノールとして、２．２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）プロパン３４．２ ｇ（０，１５モル）を
用い、これらを８重量％濃度の水酸化ナトリウム水溶液
６００ｎｊ！中に溶解させた溶液に、塩化メチレン３０
０ｍｌと分子Ｗｋ調節剤としてｐ−ｔ−ブチルフェノー
ル３．０ｇ、ならびに触媒としてトリエチルアミンのｌ
Ｑｗｔ％濃度の水溶液１ｍＪｔを加えた。これらを邪
魔板付き反応器内で激しく攪拌しながら、この中にホス
ゲンガスを２０分間吹き込んだ。
−ビス（４−ヒドロキフェニル）４−フェニルブタン４
７．４ｇ（０，１５モル）を用い、式（ＩＶ）で表され
る二価フェノールとして、２．２−ビス（４−ヒドロキ
シフェニル）プロパン３４．２ ｇ（０，１５モル）を
用い、これらを８重量％濃度の水酸化ナトリウム水溶液
６００ｎｊ！中に溶解させた溶液に、塩化メチレン３０
０ｍｌと分子Ｗｋ調節剤としてｐ−ｔ−ブチルフェノー
ル３．０ｇ、ならびに触媒としてトリエチルアミンのｌ
Ｑｗｔ％濃度の水溶液１ｍＪｔを加えた。これらを邪
魔板付き反応器内で激しく攪拌しながら、この中にホス
ゲンガスを２０分間吹き込んだ。
次に、得られた生成物を塩化メチレンＩＪを用いて希釈
し、次いで水１１．０．０１規定濃度の水酸化ナトリウ
ム水溶液５００ｍｌ、水５００ｍｌ、０．０１規定の塩
酸５００ｍＪ、水５００ｎｊ！の順に洗浄した。得られ
た共重合体の塩化メチレン溶液をメタノール３１中に注
入して共重合体を析出させ、白色粉末状の共重合体８５
ｇを得た。
し、次いで水１１．０．０１規定濃度の水酸化ナトリウ
ム水溶液５００ｍｌ、水５００ｍｌ、０．０１規定の塩
酸５００ｍＪ、水５００ｎｊ！の順に洗浄した。得られ
た共重合体の塩化メチレン溶液をメタノール３１中に注
入して共重合体を析出させ、白色粉末状の共重合体８５
ｇを得た。
ここで、得られた共重合体は、塩化メチレンを溶゛媒と
する０、５ｇ／ｄｌ濃度の溶液の２０℃における還元粘
度（ｙｙ ｓｐ／ｃ）は０．４３ｄＩ！／ｇであった。
する０、５ｇ／ｄｌ濃度の溶液の２０℃における還元粘
度（ｙｙ ｓｐ／ｃ）は０．４３ｄＩ！／ｇであった。
また、この共重合体の赤外線吸収スペクトルには、１６
５０ｃｍ−’の位置にカルボニル基による吸収がみられ
、１２４０ｃｍ−’の位置にエーテル結合による吸収が
みられ、カーボネート結合を有することが認められた。
５０ｃｍ−’の位置にカルボニル基による吸収がみられ
、１２４０ｃｍ−’の位置にエーテル結合による吸収が
みられ、カーボネート結合を有することが認められた。
さらに、ＮＭＲスペクトル分析により、２．２−ビス（
４−ヒドロキシフェニル）−４−フェニルブタン成分の
含有量が４９モル％と算出された。これらのことから、
この共重合体は下記の繰り返し単位を有するものである
ことが判明した。
４−ヒドロキシフェニル）−４−フェニルブタン成分の
含有量が４９モル％と算出された。これらのことから、
この共重合体は下記の繰り返し単位を有するものである
ことが判明した。
また、この共重合体のガラス転移温度は１４３℃であり
、光弾性係数は５３．６Ｘ１０−” ｄｙｎｅ／ｃｄで
あった。
、光弾性係数は５３．６Ｘ１０−” ｄｙｎｅ／ｃｄで
あった。
実施例２
式（ＩＩＩ）で表される二価フェノールとして、２゜２
−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−
フェニルブタン５１．９ ｇ （０，１５モル）を用い
たほかは、実施例１と同様にして、次の繰り返し単位か
らなる共重合体９４ｇを得た。
−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）−４−
フェニルブタン５１．９ ｇ （０，１５モル）を用い
たほかは、実施例１と同様にして、次の繰り返し単位か
らなる共重合体９４ｇを得た。
ＩＲスペクトルは実施例１と同じであった。
また、この共重合体は、還元粘度（実施例１と同条件で
測定、以下同様）が０．４６ｄｊｌ！／ｇであり、ガラ
ス転移温度１３９℃、光弾性係数４６．３ Ｘ １０−
” ｄ ｙ ｎ ｅ ／ｃｓｉであった。
測定、以下同様）が０．４６ｄｊｌ！／ｇであり、ガラ
ス転移温度１３９℃、光弾性係数４６．３ Ｘ １０−
” ｄ ｙ ｎ ｅ ／ｃｓｉであった。
実施例３
式（ＩＩＩ）で表される二価フェノールとして、２゜２
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，３−ジフェニ
ルプロパン６１．２ ｇ （０，１５モル）を用いたほ
かは、実施例１と同様にして、次の繰り返し単位を有す
る共重合体１０２ｇを得た。
−ビス（４−ヒドロキシフェニル）−１，３−ジフェニ
ルプロパン６１．２ ｇ （０，１５モル）を用いたほ
かは、実施例１と同様にして、次の繰り返し単位を有す
る共重合体１０２ｇを得た。
また、この共重合体は、還元粘度が０．４９ｄｌ／ｇで
あり、ガラス転移温度１４７℃、光弾性係数５１ＸＩ
Ｏ−” ｄｙｎｅ／ｃＩｌ！であった。
あり、ガラス転移温度１４７℃、光弾性係数５１ＸＩ
Ｏ−” ｄｙｎｅ／ｃＩｌ！であった。
実施例４
式（ＩＩＩ）で表される二価フェノールとして、１．１
−ジフェニル−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル
）プロパンを６１．２ ｇ （０，１５モル）用いたほ
かは、実施例１と同様にして、次の繰り返し単位を有す
る共重合体１０１ｇを得た。
−ジフェニル−２，２−ビス（４−ヒドロキシフェニル
）プロパンを６１．２ ｇ （０，１５モル）用いたほ
かは、実施例１と同様にして、次の繰り返し単位を有す
る共重合体１０１ｇを得た。
また、この共重合体の還元粘度〔ηｓｐ／ｃ）は０．４
２ ｄ １７ｇであり、ガラス転移温度は１７２℃、光
弾性係数は３９Ｘ１０−” ｄｙｎｅ／ｃｆｆｌであっ
た。
２ ｄ １７ｇであり、ガラス転移温度は１７２℃、光
弾性係数は３９Ｘ１０−” ｄｙｎｅ／ｃｆｆｌであっ
た。
実施例５
式（ＩＶ）で表される二価フェノールとして、２゜２−
ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンに代え、２．
２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロ
パンを３８．４ｇ（０，１５モル）用いたほかは、実施
例１と同様にして、次の繰り返し単位を有する共重合体
８７ｇを得た。
ビス（４−ヒドロキシフェニル）プロパンに代え、２．
２−ビス（３−メチル−４−ヒドロキシフェニル）プロ
パンを３８．４ｇ（０，１５モル）用いたほかは、実施
例１と同様にして、次の繰り返し単位を有する共重合体
８７ｇを得た。
また、この共重合体の還元粘度〔ηｓｐ／ｃ）は０．４
１ ｄ ｌ！ ／ ｇであり、ガラス転移温度は１３２
℃、光弾性係数は４４Ｘ１０−” ｄｙｎｅ／ｃＪであ
った。
１ ｄ ｌ！ ／ ｇであり、ガラス転移温度は１３２
℃、光弾性係数は４４Ｘ１０−” ｄｙｎｅ／ｃＪであ
った。
本発明のポリカーボネート系共重合体は新規なものであ
って、光弾性係数が小さく、光学的に優れた特性を有す
るエンジニアリングプラスチックであり、デジタルオー
ディオディスクや光メモリ−ディスク等の光学機器用素
材、電気・電子機器用素材としてその工業的価値は極め
て大である。
って、光弾性係数が小さく、光学的に優れた特性を有す
るエンジニアリングプラスチックであり、デジタルオー
ディオディスクや光メモリ−ディスク等の光学機器用素
材、電気・電子機器用素材としてその工業的価値は極め
て大である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、式 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 および 式 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 式中、Ｘ＾１は水素、Ｃ＿１〜Ｃ＿５のアルキル基、Ｃ
＿６〜Ｃ＿１＿０のアリール基またはＣ＿７〜Ｃ＿１＿
２のアラルキル基であり、Ｘ＾２は▲数式、化学式、表
等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
式、表等があります▼ であり、ｎは０または１〜５の整数であり、Ｙ＾１、Ｙ
＾２はそれぞれ水素、Ｃ＿１〜Ｃ＿５のアルキル基Ｃ＿
６〜Ｃ＿１＿０のアリール基またはＣ＿７〜Ｃ＿１＿２
のアラルキル基で、Ｘ＾２とは異なるものであり、Ｒ＾
１、Ｒ＾２、Ｒ＾３およびＲ＾４はそれぞれ水素、ハロ
ゲン原子、Ｃ＿１〜Ｃ＿５のアルキル基、フェニル基で
ある）で表される繰り返し単位からなり、塩化メチレン
を溶媒とする０．５ｇ／ｄｌ濃度の溶液の２０℃におけ
る還元粘度〔ηｓｐ／ｃ）が０．３ｄｌ／ｇ以上である
ことを特徴とする新規共重合体。 ２、式 ▲数式、化学式、表等があります▼〔III〕 および 式 ▲数式、化学式、表等があります▼〔IV〕 （式中、Ｘ＾１は水素、Ｃ＿１〜Ｃ＿５のアルキル基、
Ｃ＿６〜Ｃ＿１＿０のアリール基またはＣ＿７〜Ｃ＿１
＿２のアラルキル基であり、Ｘ＾２は▲数式、化学式、
表等があります▼、 ▲数式、化学式、表等があります▼または▲数式、化学
式、表等があります▼ であり、ｎは０または１〜５の整数であり、Ｙ＾１、Ｙ
＾２はそれぞれ水素、Ｃ＿１〜Ｃ＿５のアルキル基Ｃ＿
６〜Ｃ＿１＿０のアリール基またはＣ＿７〜Ｃ＿１＿２
のアラルキル基で、Ｘ＾２とは異なるものであり、Ｒ＾
１、Ｒ＾２、Ｒ＾３およびＲ＾４はそれぞれ水素、ハロ
ゲン原子、Ｃ＿１〜Ｃ＿５のアルキル基、フェニル基で
ある）で表される二価フェノールを、炭酸エステル形成
性化合物と反応させることを特徴とする式 ▲数式、化学式、表等があります▼〔 I 〕 および 式 ▲数式、化学式、表等があります▼〔II〕 （式中、Ｘ＾１、Ｘ＾２、ｎ、Ｙ＾１、Ｙ＾２、Ｒ＾１
、Ｒ＾２、Ｒ＾３およびＲ＾４は前記と同じ意味を有す
る）で表される繰り返し単位からなり、塩化メチレンを
溶媒とする０．５ｇ／ｄｌ濃度の溶液の２０℃における
還元粘度〔ηｓｐ／ｃ〕が０．３ｄｌ／ｇ以上である新
規共重合体の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61198967A JP2505166B2 (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | 新規共重合体とその製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61198967A JP2505166B2 (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | 新規共重合体とその製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6356523A true JPS6356523A (ja) | 1988-03-11 |
| JP2505166B2 JP2505166B2 (ja) | 1996-06-05 |
Family
ID=16399904
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61198967A Expired - Lifetime JP2505166B2 (ja) | 1986-08-27 | 1986-08-27 | 新規共重合体とその製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2505166B2 (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6245623A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-02-27 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光ディスク基板の製造方法 |
-
1986
- 1986-08-27 JP JP61198967A patent/JP2505166B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6245623A (ja) * | 1985-08-26 | 1987-02-27 | Mitsubishi Chem Ind Ltd | 光ディスク基板の製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2505166B2 (ja) | 1996-06-05 |
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