JPS635799Y2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS635799Y2 JPS635799Y2 JP1982011457U JP1145782U JPS635799Y2 JP S635799 Y2 JPS635799 Y2 JP S635799Y2 JP 1982011457 U JP1982011457 U JP 1982011457U JP 1145782 U JP1145782 U JP 1145782U JP S635799 Y2 JPS635799 Y2 JP S635799Y2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- thermal spraying
- blasting
- spraying
- thermal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案はすぐれた溶射膜を効率よく得るための
溶射装置に関するものである。
溶射装置に関するものである。
溶射の施行における前処理条件の設定は良好な
溶射膜を得るための重要なポイントである。前処
理した被溶射材は直ちに溶射することが望ましい
が、一般には前処理装置と溶射装置はそれぞれ独
立していること、および作業段取り等の理由で前
処理から溶射までは数時間放置される。
溶射膜を得るための重要なポイントである。前処
理した被溶射材は直ちに溶射することが望ましい
が、一般には前処理装置と溶射装置はそれぞれ独
立していること、および作業段取り等の理由で前
処理から溶射までは数時間放置される。
前処理としてブラスト法を採用する場合、第１
図のブラスト後の放置時間と溶射膜の密着性 （密着性指数＝１／a1／θ1＋a2／θ2＋a3／θ3… θ＝テストの曲げ角度、ａ＝皮膜の割れ発生状
況のランク）との関係を示すグラフから判るよう
に、室温程度の低温度環境の場合、数時間以内で
あれば膜の密着性等にはあまり影響はない。しか
しながら溶射施行の信頼性を高めるためには放置
時間をより短縮する措置が望まれている。
図のブラスト後の放置時間と溶射膜の密着性 （密着性指数＝１／a1／θ1＋a2／θ2＋a3／θ3… θ＝テストの曲げ角度、ａ＝皮膜の割れ発生状
況のランク）との関係を示すグラフから判るよう
に、室温程度の低温度環境の場合、数時間以内で
あれば膜の密着性等にはあまり影響はない。しか
しながら溶射施行の信頼性を高めるためには放置
時間をより短縮する措置が望まれている。
本考案は上記観点から為されたもので、グリツ
トブラスト法による前処理装置と溶射装置とを一
体化したもので、この一体化により 前処理及び溶射が一つのチヤンバー内で実施
でき溶射膜の品質が高められる。
トブラスト法による前処理装置と溶射装置とを一
体化したもので、この一体化により 前処理及び溶射が一つのチヤンバー内で実施
でき溶射膜の品質が高められる。
平板及び円筒形等の実際構造物に適用でき
る。
る。
部屋全体を空調しないですむ。
周囲が高湿でも作業ができる。
施行場所がクリーンである。
等の効果が奏せられる。
本考案における溶射機構としては、後記具体例
に示すプラズマ溶射の外、アーク溶射、ガス粉末
式、ガス爆裂式等を採用することができ、特に限
定はされない。
に示すプラズマ溶射の外、アーク溶射、ガス粉末
式、ガス爆裂式等を採用することができ、特に限
定はされない。
本考案装置の一例の概略図を第２図の断面図に
示した。
示した。
本装置は一つのチヤンバー１内にグリツトブラ
スト室２と溶射室３の２つがあり、これらは遮蔽
板４で仕切られている。チヤンバー１は上部チヤ
ンバー１′と下部チヤンバー１″の２つから成り、
被処理材Ｍの形状（平板、円筒等）に合わせて下
部チヤンバー１″のみを取替える。被処理材Ｍと
下部チヤンバー１″のシールは真空チヤンバーの
様に厳密にする必要はなく、むしろシール材Ｓ等
により多少のガスが逃げられる程度のシール状態
とする。
スト室２と溶射室３の２つがあり、これらは遮蔽
板４で仕切られている。チヤンバー１は上部チヤ
ンバー１′と下部チヤンバー１″の２つから成り、
被処理材Ｍの形状（平板、円筒等）に合わせて下
部チヤンバー１″のみを取替える。被処理材Ｍと
下部チヤンバー１″のシールは真空チヤンバーの
様に厳密にする必要はなく、むしろシール材Ｓ等
により多少のガスが逃げられる程度のシール状態
とする。
グリツトブラスト室２には、グリツトGrおよ
びガスGa供給機構とブラストノズル６からなる
ブラスト装置５が設けられている。溶射室３には
ガスGa供給管、粉末Ｐ供給管およびプラズマ電
源Ｅ、プラズマ溶射ガン８からなる溶射装置７が
設けられている。ブラストノズル６および溶射ガ
ン８は自在継手９で各室に固定し、所定の処理範
囲を確保できるようにし、これらの動作は手動お
よび自動操作可能とする。
びガスGa供給機構とブラストノズル６からなる
ブラスト装置５が設けられている。溶射室３には
ガスGa供給管、粉末Ｐ供給管およびプラズマ電
源Ｅ、プラズマ溶射ガン８からなる溶射装置７が
設けられている。ブラストノズル６および溶射ガ
ン８は自在継手９で各室に固定し、所定の処理範
囲を確保できるようにし、これらの動作は手動お
よび自動操作可能とする。
次に本装置を用いての円筒形構造物外面への溶
射施行法を説明する。
射施行法を説明する。
まず被処理材Ｍを旋盤等に設置する。
本装置を第２図に示すように被処理材Ｍに設
置する。
置する。
被処理材表面の汚れがひどい場合は、上記
実施例に予備的にブラスト処理を施しておく。
実施例に予備的にブラスト処理を施しておく。
被処理材Ｍを矢印のように回転させる。回転
速度はブラストおよび溶射の処理能力に同調さ
せる。
速度はブラストおよび溶射の処理能力に同調さ
せる。
次にブラスト装置５を稼動させ、グリツト
Grおよび不活性ガスや圧縮エアのようなガス
Gaをブラストノズル６から吹き込んで処理面
のブラストを行う。この際のグリツトGrは排
気管１０およびグリツト排出管１１から回収し
再利用する。
Grおよび不活性ガスや圧縮エアのようなガス
Gaをブラストノズル６から吹き込んで処理面
のブラストを行う。この際のグリツトGrは排
気管１０およびグリツト排出管１１から回収し
再利用する。
ブラスト処理面はゆつくりと溶射室３へ移動
し引続き溶射が開始される。ブラスト処理と溶
射は連続的に実施される。
し引続き溶射が開始される。ブラスト処理と溶
射は連続的に実施される。
母材SS材にWC溶射を行う場合を例にとると、
Ａ2O3グリツト30〜40メツシユ、５Kg／cm2圧で
ブラスト、湿度コントロール50％とした後、溶射
ガン3MB／7MB、ガス（Ar7Kg／cm2、H23.5Kg／
cm2）、溶射材としてWC粉末を用い、電流400A、
電圧50〜55V、溶射距離76cm程度で溶射が行なわ
れる。
Ａ2O3グリツト30〜40メツシユ、５Kg／cm2圧で
ブラスト、湿度コントロール50％とした後、溶射
ガン3MB／7MB、ガス（Ar7Kg／cm2、H23.5Kg／
cm2）、溶射材としてWC粉末を用い、電流400A、
電圧50〜55V、溶射距離76cm程度で溶射が行なわ
れる。
第２図の装置の場合、ブラスト時の粉塵等が処
理面に残つたり、また遮蔽板の隙間から溶射室へ
の流入性も考えられるため、これらの弊害を除き
たい場合は第３図、第４図に示すようなブラスト
面の清掃機構を取付けることとする。
理面に残つたり、また遮蔽板の隙間から溶射室へ
の流入性も考えられるため、これらの弊害を除き
たい場合は第３図、第４図に示すようなブラスト
面の清掃機構を取付けることとする。
第３図に示す清掃法は回転する被処理材Ｍ表面
に、新たに設けた排気管１２先端に取付けたブラ
シ１３を押付けながら、粉塵PD等を排気管１２
で吸引し、チヤンバー１外へ排出するものであ
る。
に、新たに設けた排気管１２先端に取付けたブラ
シ１３を押付けながら、粉塵PD等を排気管１２
で吸引し、チヤンバー１外へ排出するものであ
る。
第４図は、溶射室３とブラスト室２の中間に設
けられた、遮蔽板の機能をも有する中間室１４に
取付けられた回転ブラシ１５により、粉塵PDを
排気管１６より排出するものである。
けられた、遮蔽板の機能をも有する中間室１４に
取付けられた回転ブラシ１５により、粉塵PDを
排気管１６より排出するものである。
第１図は被処理面ブラスト後の放置時間と溶射
膜密着性の関係を示すグラフであり、第２図は本
考案の溶射装置の一例を示す断面図であり、第３
図および第４図は第２図の装置に更に取付け可能
なブラスト面清掃機構を示す断面図である。 第２〜４図において、１はチヤンバー、２はブ
ラスト室、６はブラストノズル、３は溶射室、８
はプラズマ溶射ガン、第２，３図において４は遮
蔽板、第３図の１２は排気管、１３はブラシ、第
４図において１４は遮蔽板の機能を有す中間室、
１５は回転ブラシである。
膜密着性の関係を示すグラフであり、第２図は本
考案の溶射装置の一例を示す断面図であり、第３
図および第４図は第２図の装置に更に取付け可能
なブラスト面清掃機構を示す断面図である。 第２〜４図において、１はチヤンバー、２はブ
ラスト室、６はブラストノズル、３は溶射室、８
はプラズマ溶射ガン、第２，３図において４は遮
蔽板、第３図の１２は排気管、１３はブラシ、第
４図において１４は遮蔽板の機能を有す中間室、
１５は回転ブラシである。
Claims (1)
- １つのチヤンバーを遮蔽板で仕切り、ブラスト
機構を備えたブラスト室と、溶射機構を備えた溶
射室とを一体化した形で設けたことを特徴とする
溶射装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1145782U JPS58116066U (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | 溶射装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1145782U JPS58116066U (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | 溶射装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS58116066U JPS58116066U (ja) | 1983-08-08 |
| JPS635799Y2 true JPS635799Y2 (ja) | 1988-02-17 |
Family
ID=30024065
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1145782U Granted JPS58116066U (ja) | 1982-02-01 | 1982-02-01 | 溶射装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58116066U (ja) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60227856A (ja) * | 1984-04-27 | 1985-11-13 | Kawasaki Heavy Ind Ltd | 低圧溶射装置 |
| JPH0522288Y2 (ja) * | 1986-02-21 | 1993-06-08 | ||
| JPH0532213Y2 (ja) * | 1987-10-05 | 1993-08-18 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5845788Y2 (ja) * | 1979-12-29 | 1983-10-18 | 新日本製鐵株式会社 | 耐火物粉末溶射器 |
-
1982
- 1982-02-01 JP JP1145782U patent/JPS58116066U/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS58116066U (ja) | 1983-08-08 |
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