JPS6358220B2 - - Google Patents

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JPS6358220B2
JPS6358220B2 JP55001869A JP186980A JPS6358220B2 JP S6358220 B2 JPS6358220 B2 JP S6358220B2 JP 55001869 A JP55001869 A JP 55001869A JP 186980 A JP186980 A JP 186980A JP S6358220 B2 JPS6358220 B2 JP S6358220B2
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JP
Japan
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processing
less
temperature
treatment
cracking resistance
Prior art date
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Expired
Application number
JP55001869A
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English (en)
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JPS5698464A (en
Inventor
Toshio Yonezawa
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Heavy Industries Ltd
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Heavy Industries Ltd filed Critical Mitsubishi Heavy Industries Ltd
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Publication of JPS5698464A publication Critical patent/JPS5698464A/ja
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  • Heat Treatment Of Nonferrous Metals Or Alloys (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕 本発明は、JIS G 4901又はJIS G 4902の
NCF 750(通称インコネルX−750)Ni基合金の
耐応力腐食割れ性を向上する処理方法に関する。 〔従来の技術〕 NCF 750は、従来、伝燃管支持ピン等軽水炉
炉内構造材に高温高圧水中で用いられている。軽
水炉での支持ピンは、高温高圧水中で応力が加え
られるものであり、また、軽水炉内での部品交換
の手間や部品の破損の及ぼす影響の重大性から、
耐応力腐食割れ性に優れたものであることが要求
される。そこで本発明者は、先にNi基合金の耐
応力腐食割れ性を向上させる処理方法として、
800〜1000℃の温度でかつ10%以上の加工率で加
工処理を施し、その後800〜1000℃で溶体化処理
を施す処理方法を提案した。(特開昭55−141553
号) 〔発明が解決しようとする問題点〕 ところが、Ni基合金の再結晶温度が比較的高
いために、加工処理条件によつては、溶体化処理
による再結晶が不完全となり、応力腐食割れを起
すことがわかつた。一方再結晶を完全にするため
に、溶体化処理温度を従来実施されている1135〜
1165℃と高めると結晶粒が粗大化して強度低下を
きたす不具合があつた。 そこで、本発明は、強度低下を防ぐため結晶粒
が粗大化せず、しかも応力腐舎割れ性にすぐれた
Ni基合金の処理方法を提供することを目的とす
る。 〔問題点を解決するための手段〕 すなわち本発明は、Ni70%以上、Cr14〜17%、
C0.08%以下、Mn1%以下、Si0.5%以下、S0.015
%以下、Co1%以下、Nb0.7〜1.2%、Ti2.25〜
2.75%、Al0.4〜1%、Fe5〜9%、Cu0.5%以下
を含有するNi基合金を1150℃以上の温度でかつ
1h以上の時間で加熱処理し、1100〜850℃の温度
領域にかかる温度範囲で、かつ30%以上の加工率
で加工処理を行い、溶体化処理及び時効処理を施
すことを特徴とするNi基合金の耐応力腐食割れ
性向上処理方法とした。 〔作用〕 本発明は、JIS G 4901又はJIS G 4902の
NCF 750材の処理方法の改良であり、本発明の
目的として少なくともNCF 750材の高温強度、
延性、耐食性等の基本的特性を備える必要があ
る。従つて、本発明の原料は、JISに規定される
NCF 750材の組成範囲のものに限定する。尚、
JISには、Coが適宜含まれて良い旨記載されてあ
つて、特に、組成範囲は規定されていないが、
NCF 750に相当する市販のINCONEL X−750
(Huntington Alloys社商標)には、Coが1%を
上限として含有されていることが明示されている
ので、本発明の原料組成もそれに従つてCo1%以
下とした。 熱間加工前の加熱処理は、原料の軟化を進めて
次工程以後の加工の加工率を高めることができる
ようにするためのものであるが、1150℃未満では
この加熱が不充分となり、また、時間も1h未満
では不充分となるので所期の目的を達成できな
い。従つて、加熱処理は、1150℃以上の温度でか
つ1h以上の時間とした。 加工処理は、高い加工率でも加工割れが発生し
ないよう1100〜850℃の温度領域にかかる温度範
囲で結晶粒を十分微細化できるよう30%以上の加
工率とした。溶体化処理は、Ni基合金の延性を
高め、時効処理は析出強化をはかるものである
が、本発明では、特にこの工程で再結晶を完成さ
せる意義を有するので、必要であれば、溶体化処
理温度を高めに設定して再結晶を促進させる。 上記一連の工程を経て行う本発明によれば、加
工処理前の加熱処理によつて加工処理における加
工割れを防止しながら加工率を高めて結晶粒を微
細化し、溶体化処理温度を高めて再結晶を完全に
し結晶粒が粗大化しないようにできる。そしてこ
の完全な再結晶と結晶粒の微細化とにより、耐応
力腐食割れ性を高めるとともに強度の向上をはか
ることができる。 尚、ここで加工率は第1図をもとに次のように
定義する 加工率(%)=a×b−a′×b′/a×b×100 〔実施例〕 以下に実施例によつて本発明を具体的に説明す
る。第1表に示す化学成分を有するNCF 750材
に第2表のNo.1〜No.4の方法を施こして試験片を
作製した。なお、第2表の時効処理の欄における
破線によつて分割したものは二段時効を示すもの
で、816℃×2h+704℃×20hである。これらにつ
いて耐応力腐食割れ性を調べるため、軽水炉中の
内部構造材料の使用環境である高温高圧純水環境
を模擬しその条件を厳しくして試験時間を加速す
ると考えられている350℃の非脱気NaOH中にて
試験片に応力を加えながら浸漬する試験を行つた
ところ第2表に示す結果が得られた。 この結果より、本実施例である加熱処理を1150
℃にて1h施こしたNo.1、No.2のものは、加熱温
度が1050℃と低いNo.4や、加熱時間が1/12hと短
いNo.3と比較して耐応力腐食割れ性に優れている
ことがわかる。また加工処理の加工条件は、加工
率が高い程耐応力腐食割れ性に優れる。例えば、
加工率60%のNo.2は加工率33%のNo.1にくらべて
耐応力腐食割れ性に優れる。 以上の本実施例によれば、加工処理前の加熱処
理を1150℃以上の温度で、かつ1時間以上の時間
で行い1100〜850℃の温度領域で30%以上の加工
率で加工処理を施すことにより耐応力腐食割れ性
にすぐれることがわかる。 尚、溶体化処理が1065℃1時間、時効処理が
719℃16時間のものは、特に耐応力腐食割れ性に
すぐれている。この場合、溶体化処理温度が高
く、加工処理後の再結晶が促進され、機械的な強
靭性も特にすぐれるものと考えられる。
【表】
〔発明の効果〕
以上のとおり、本発明法によれば、NCF 750
材の機械的特性を保つたまますぐれた耐応力腐食
割れ性のあるNi基合金を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は、加工率を説明するための
説明図であつて、第1図は加工処理前の被加工材
の形状を示し、第2図は加工処理後の被加工材の
形状を示す。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 Ni70%以上、Cr14〜17%、C0.08%以下、
    Mn1%以下、Si0.5%以下、S0.015%以下、Co1%
    以下、Nb0.7〜1.2%、Ti2.25〜2.75%、Al0.4〜
    1%、Fe5〜9%、Cu0.5%以下を含有するNi基
    合金を、1150℃以上の温度でかつ1h以上の時間
    で加熱処理し、1100 850℃の温度領域にかかる温
    度範囲でかつ30%以上の加工率で加工処理を行
    い、溶体化処理及び時効処理を施すことを特徴と
    するNi基合金の耐応力腐食割れ性向上処理法。
JP186980A 1980-01-11 1980-01-11 Treating method for improving resistance to stress and corrosion cracking of ni-based alloy Granted JPS5698464A (en)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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