JPS6360102A - 高純度窒化アルミニウム粉末の製造法 - Google Patents
高純度窒化アルミニウム粉末の製造法Info
- Publication number
- JPS6360102A JPS6360102A JP20346386A JP20346386A JPS6360102A JP S6360102 A JPS6360102 A JP S6360102A JP 20346386 A JP20346386 A JP 20346386A JP 20346386 A JP20346386 A JP 20346386A JP S6360102 A JPS6360102 A JP S6360102A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- aluminum nitride
- gaseous
- purity
- gas
- nitride powder
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 title claims abstract description 36
- 239000000843 powder Substances 0.000 title claims abstract description 28
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 28
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 19
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- 238000010574 gas phase reaction Methods 0.000 claims description 6
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 3
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 2
- 229910000096 monohydride Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 9
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 abstract description 8
- MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N triisobutylaluminium Chemical compound CC(C)C[Al](CC(C)C)CC(C)C MCULRUJILOGHCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- -1 dimethylaluminum halide Chemical class 0.000 abstract description 5
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 abstract description 2
- 239000007792 gaseous phase Substances 0.000 abstract 2
- 239000008246 gaseous mixture Substances 0.000 abstract 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 16
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 4
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012159 carrier gas Substances 0.000 description 3
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K aluminium trichloride Chemical compound Cl[Al](Cl)Cl VSCWAEJMTAWNJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 2
- 125000002091 cationic group Chemical group 0.000 description 2
- 238000000921 elemental analysis Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 2
- JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N trimethylaluminium Chemical compound C[Al](C)C JLTRXTDYQLMHGR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004215 Carbon black (E152) Substances 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIPUZPBQZHNSDW-UHFFFAOYSA-N bis(2-methylpropyl)aluminum Chemical compound CC(C)C[Al]CC(C)C SIPUZPBQZHNSDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- HJXBDPDUCXORKZ-UHFFFAOYSA-N diethylalumane Chemical compound CC[AlH]CC HJXBDPDUCXORKZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUTOKIOKAWTABR-UHFFFAOYSA-N dimethylalumane Chemical compound C[AlH]C TUTOKIOKAWTABR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001873 dinitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 150000004678 hydrides Chemical class 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 239000012433 hydrogen halide Substances 0.000 description 1
- 229910000039 hydrogen halide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 238000012844 infrared spectroscopy analysis Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- PUGUQINMNYINPK-UHFFFAOYSA-N tert-butyl 4-(2-chloroacetyl)piperazine-1-carboxylate Chemical compound CC(C)(C)OC(=O)N1CCN(C(=O)CCl)CC1 PUGUQINMNYINPK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N triethylaluminium Chemical compound CC[Al](CC)CC VOITXYVAKOUIBA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B21/00—Nitrogen; Compounds thereof
- C01B21/06—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron
- C01B21/072—Binary compounds of nitrogen with metals, with silicon, or with boron, or with carbon, i.e. nitrides; Compounds of nitrogen with more than one metal, silicon or boron with aluminium
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Products (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は高純度窒化アルミニウム粉末の製造法に関する
ものである。窒化アルミニウムは高熱伝導性、高絶縁性
等を有し、各種産業用及び民生用の機械1機器材料酸い
は電子は器材材用セラミックとして注目されているもの
であるが、熱的特性がカチオン不純物や酸素により大き
く影響を受けることから高純度窒化アルミニウムの開発
が望まれている。
ものである。窒化アルミニウムは高熱伝導性、高絶縁性
等を有し、各種産業用及び民生用の機械1機器材料酸い
は電子は器材材用セラミックとして注目されているもの
であるが、熱的特性がカチオン不純物や酸素により大き
く影響を受けることから高純度窒化アルミニウムの開発
が望まれている。
本発明は気相反応によるカチオン不純物や酸素を含まな
い高純度窒化アルミニウム粉末の製造法に関するもので
ある。
い高純度窒化アルミニウム粉末の製造法に関するもので
ある。
窒化アルミニウム粉末の製造法には下記の方法がある。
(1)金属アルミニウム粉、末に窒素またはアンモニア
を直接反応させ、後焼成する方法。(特開昭50−16
0199 ’) (2)アルミナとカーボンとの混合粉末を窒素雰囲気中
で加熱する方法。(特開昭60−180906 )(3
)有機アルミニウム化合物をアンモニアまた° は−綴
あるいは二級アミン類と反応させ窒化アルミニウム前駆
体を調製した後、不活性ガス、真空下或いはアンモニア
気流中400°C以上で加熱する方法。(特開昭53−
68700)(4)塩化アルミニウムもしくは臭化アル
ミニウムガスのいずれか或い・は両者の混合ガスとアン
モニアガスを気相反応させる方法。(特開昭61−91
008> 上記のうち(1)、(2)は原料に起因するカチオン不
純物及び酸素が混在しく2L (3)の方法ではカーボ
ン分を除去することは出来ない。
を直接反応させ、後焼成する方法。(特開昭50−16
0199 ’) (2)アルミナとカーボンとの混合粉末を窒素雰囲気中
で加熱する方法。(特開昭60−180906 )(3
)有機アルミニウム化合物をアンモニアまた° は−綴
あるいは二級アミン類と反応させ窒化アルミニウム前駆
体を調製した後、不活性ガス、真空下或いはアンモニア
気流中400°C以上で加熱する方法。(特開昭53−
68700)(4)塩化アルミニウムもしくは臭化アル
ミニウムガスのいずれか或い・は両者の混合ガスとアン
モニアガスを気相反応させる方法。(特開昭61−91
008> 上記のうち(1)、(2)は原料に起因するカチオン不
純物及び酸素が混在しく2L (3)の方法ではカーボ
ン分を除去することは出来ない。
また(4)の方法ではカーボン分のない窒化アルミニウ
ム粉末は得られるが、副生ずるハロゲン化水素ガスのた
め装置の腐食、廃ガス処理等の問題が残されている。
ム粉末は得られるが、副生ずるハロゲン化水素ガスのた
め装置の腐食、廃ガス処理等の問題が残されている。
以上の公知技術の他に有機アルミニウム化合物ガスとア
ンモニアガスとの気相反応による窒化アルミニウムの合
成法が知られている。例えばHanasev r tら
はJournal of the Electro−c
hemical 5ociety VOl、118 N
o、111864〜1868ページ(1971)でトリ
メチルアルミニウムとアンモニアとを気相反応させ基板
上に窒化アルミニウムの結晶を成長させることを報告し
ている。
ンモニアガスとの気相反応による窒化アルミニウムの合
成法が知られている。例えばHanasev r tら
はJournal of the Electro−c
hemical 5ociety VOl、118 N
o、111864〜1868ページ(1971)でトリ
メチルアルミニウムとアンモニアとを気相反応させ基板
上に窒化アルミニウムの結晶を成長させることを報告し
ている。
また特開昭61−113771号公報には前例と同一原
料を使用し、光化学反応を用いた気相法により基板上に
窒化アルミニウムの薄膜を形成させる方法が開示されて
いる。しかしこの方法で1qられた窒化アルミニウムの
カーボン含有量は1%と高く高純度とは言い難い。
料を使用し、光化学反応を用いた気相法により基板上に
窒化アルミニウムの薄膜を形成させる方法が開示されて
いる。しかしこの方法で1qられた窒化アルミニウムの
カーボン含有量は1%と高く高純度とは言い難い。
以上述べた如くいずれも塞板−ヒへの蒸着が目的であり
窒化アルミニウム粉末が製造された例はない。
窒化アルミニウム粉末が製造された例はない。
(発明が解決すべき問題点〕
そこで本発明者は、高純度有はアルミニウムガスとアン
モニアガスとを気相反応により作用せしめ高lll1度
窒化アルミニウム扮末を製造する方法について種々検討
した結果、新規な製造法を見い出し本発明に至ったもの
である。
モニアガスとを気相反応により作用せしめ高lll1度
窒化アルミニウム扮末を製造する方法について種々検討
した結果、新規な製造法を見い出し本発明に至ったもの
である。
本発明は気相反応により高純度有機アルミニウムガスと
アンモニアガスとを作用せしめ収率良く高純度窒化アル
ミニウム粉末を製造する方法であり、その要旨とする所
は高純度有機アルミニウム化合物ガスとアンモニアガス
を気相反応させ窒化アルミニウム粉末を製造する方法に
おいて、アンモニアガスの流量対有機アルミニウム化合
物ガスの流量のモル比が5以上で、しかも200℃以下
で混合したのら、600〜1300℃で気相反応させる
ことを特徴とする高純度窒化アルミニウム粉末の製造法
に存する。
アンモニアガスとを作用せしめ収率良く高純度窒化アル
ミニウム粉末を製造する方法であり、その要旨とする所
は高純度有機アルミニウム化合物ガスとアンモニアガス
を気相反応させ窒化アルミニウム粉末を製造する方法に
おいて、アンモニアガスの流量対有機アルミニウム化合
物ガスの流量のモル比が5以上で、しかも200℃以下
で混合したのら、600〜1300℃で気相反応させる
ことを特徴とする高純度窒化アルミニウム粉末の製造法
に存する。
以下詳しく説明すると有機アルミニウム化合物としては
トリアルキルアルミニウムおよびジアルキルアルミニウ
ムモノハイドライド(但し炭素数1〜10のアルキル基
をいう)であり具体的にはトリメチルアルミニウム、ト
リエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、
ジメチルアルミニウムハイドライド、ジエチルアルミニ
ウムハイドライド、ジイソブチルアルミニウムハイドラ
イド等であるが経済面からしてトリイソブチルアルミニ
ウムの使用が有利である。
トリアルキルアルミニウムおよびジアルキルアルミニウ
ムモノハイドライド(但し炭素数1〜10のアルキル基
をいう)であり具体的にはトリメチルアルミニウム、ト
リエチルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、
ジメチルアルミニウムハイドライド、ジエチルアルミニ
ウムハイドライド、ジイソブチルアルミニウムハイドラ
イド等であるが経済面からしてトリイソブチルアルミニ
ウムの使用が有利である。
上記の有機アルミニウム化合物にはN2 。
Ar、He、Hz等の非酸化性ガスもしくはこれらの混
合ガスがキャリアーガスとして装入されるが、カーボン
分の汚染をなくすためにはH2ガスが望ましい。キャリ
アーガスとしてH2以外のガスを使用する場合は外部か
ら適当最のHzガスを反応系に導入することも可能であ
る。
合ガスがキャリアーガスとして装入されるが、カーボン
分の汚染をなくすためにはH2ガスが望ましい。キャリ
アーガスとしてH2以外のガスを使用する場合は外部か
ら適当最のHzガスを反応系に導入することも可能であ
る。
有機アルミニウム化合物ガスの流催対キャリアーガスの
流量のモル比は生成する窒化アルミニウムの粒径等の粉
末特性を考慮すると、使用する有機アルミニウム化合物
の種類にもよるが通常1xlO−2以上が望ましい。更
にアンモニアガスの流量対有機アルミニウム化合物ガス
の流量のモル比は5以上であることが必要であり、これ
以下のモル比では窒化アルミニ「クムが安定に生成しな
いばかりかカーボン分の混入を抑制することが困難であ
る。
流量のモル比は生成する窒化アルミニウムの粒径等の粉
末特性を考慮すると、使用する有機アルミニウム化合物
の種類にもよるが通常1xlO−2以上が望ましい。更
にアンモニアガスの流量対有機アルミニウム化合物ガス
の流量のモル比は5以上であることが必要であり、これ
以下のモル比では窒化アルミニ「クムが安定に生成しな
いばかりかカーボン分の混入を抑制することが困難であ
る。
混合温度及び反応温度であるが先に述べたアンモニアガ
スの流星対有機アルミニウム化合物ガスの流量のモル比
が5以上において混合温度は200′C以下、また反応
温度は600〜1300’Cであることが必要である。
スの流星対有機アルミニウム化合物ガスの流量のモル比
が5以上において混合温度は200′C以下、また反応
温度は600〜1300’Cであることが必要である。
混合温度が200℃以上では有機アルミニウム化合物が
熱分解し、窒化アルミニウムの収率の低下を招き10°
C以下では本質的な問題はないものの冷却設備等が必要
になることから経済上得策ではない。
熱分解し、窒化アルミニウムの収率の低下を招き10°
C以下では本質的な問題はないものの冷却設備等が必要
になることから経済上得策ではない。
また反応温度は600℃以下では未分解のアルキル塁が
残存し、1300℃以上では副生する炭化水素ガスが熱
分解するためいずれもカーボン分の汚染の原因となる。
残存し、1300℃以上では副生する炭化水素ガスが熱
分解するためいずれもカーボン分の汚染の原因となる。
上記のごとくして得られる窒化アルミニウムは非晶質又
は殆ど非晶質に近い粉末であり、これを更に高温度例え
ば1400℃以上で焼成することにより結晶化させるこ
とができる。
は殆ど非晶質に近い粉末であり、これを更に高温度例え
ば1400℃以上で焼成することにより結晶化させるこ
とができる。
(実施例及び発明の効果〕
次に実施例を示して具体的に説明するが、これに限定さ
れるものではない。
れるものではない。
実施例1
第1図は反応装置の概略を示したものである。
60℃に加熱した混合帯(1)及び1100’Cに加熱
した反応帯(2)に純度99.999%のアンモニアカ
スを導入口(8)を通して反応管(3)へ導入した。
した反応帯(2)に純度99.999%のアンモニアカ
スを導入口(8)を通して反応管(3)へ導入した。
一方、容器(5)中のトリイソブチルアルミニウム(A
i純度99.999%)を60°Cに加熱すると共に純
度99.9999%の1−12ガスを980d/分の速
度で容器(5)中に吹き込み、このトリイソブチルアル
ミニウムガスを導入口(9)を通して反応管(3)へ装
入した。アンモニアカスとトリイソブチルアルミニウム
ガスとのセル比は10で実施した。(4)は窒化アルミ
ニウム粉末補集器、(6)は流量調節t4、(7)は熱
電対である。
i純度99.999%)を60°Cに加熱すると共に純
度99.9999%の1−12ガスを980d/分の速
度で容器(5)中に吹き込み、このトリイソブチルアル
ミニウムガスを導入口(9)を通して反応管(3)へ装
入した。アンモニアカスとトリイソブチルアルミニウム
ガスとのセル比は10で実施した。(4)は窒化アルミ
ニウム粉末補集器、(6)は流量調節t4、(7)は熱
電対である。
反応終了後回収した粉は白色の微粉末で、X線回折の結
果非晶質であったが、元素分析11@Ai=65.8%
、’N=34.1%であり、赤外分光分析の結果が窒化
アルミニウムと一致することから窒化アルミニウムと同
定された。更にこのものをグラファイト製ボートにとり
純度99.9999%以上の窒素ガス気流下400℃/
時の速度で1400℃まで加熱し、結晶化の高い窒化ア
ルミニウムを得た。この粉末は白色で元素分析を行った
結果C= <O,i%、N=33゜5%、Q=0.6%
。
果非晶質であったが、元素分析11@Ai=65.8%
、’N=34.1%であり、赤外分光分析の結果が窒化
アルミニウムと一致することから窒化アルミニウムと同
定された。更にこのものをグラファイト製ボートにとり
純度99.9999%以上の窒素ガス気流下400℃/
時の速度で1400℃まで加熱し、結晶化の高い窒化ア
ルミニウムを得た。この粉末は白色で元素分析を行った
結果C= <O,i%、N=33゜5%、Q=0.6%
。
s r =51)l)Ill 、 Fe未検出で平均粒
径は0.05μ汎であり高純度かつ微細な窒化アルミニ
ウム粉末であった。このように平均粒径0.05μmと
超微粉のため焼結にとって有利でおった。
径は0.05μ汎であり高純度かつ微細な窒化アルミニ
ウム粉末であった。このように平均粒径0.05μmと
超微粉のため焼結にとって有利でおった。
実施例2〜5
反応温度とアンモニアガスの流は対トリイソブチルアル
ミニウムの流量のモル比を変化させて、実施例1になら
い窒化アルミニウム粉末を製造した。その結果を表1に
示す。
ミニウムの流量のモル比を変化させて、実施例1になら
い窒化アルミニウム粉末を製造した。その結果を表1に
示す。
実施例6〜9
混合温j宴を変化ざV窒化アルミニウム粉末を製造した
。その結果を表2に示す。
。その結果を表2に示す。
実施例10〜11
有機アルミニウム化合物をトリイソブチルアルミニウム
からジメヂルアルミニウムハイドライドに変え窒化アル
ミニウム粉末を製造した。その結果を表3に示す。
からジメヂルアルミニウムハイドライドに変え窒化アル
ミニウム粉末を製造した。その結果を表3に示す。
第1図は本発明の製)告法を実施するための反応装置の
概略を示したものである。 1・・・混合帯 2・・・反応帯 3・・・反応管 4・・・窒化アルミニウム粉末補集器 5・・・有機アルミニウム化合物容器 6・・・流最調節計 7・・・熱電対 8・・・アンモニアガス導入管 9・・・有機アルミニウム化合物導入管第1図
概略を示したものである。 1・・・混合帯 2・・・反応帯 3・・・反応管 4・・・窒化アルミニウム粉末補集器 5・・・有機アルミニウム化合物容器 6・・・流最調節計 7・・・熱電対 8・・・アンモニアガス導入管 9・・・有機アルミニウム化合物導入管第1図
Claims (2)
- (1)高純度有機アルミニウム化合物ガスとアンモニア
ガスを気相反応させ窒化アルミニウム粉末を製造する方
法において、アンモニアガスの流量対有機アルミニウム
化合物ガスの流量のモル比が5以上で、しかも200℃
以下で混合したのち、600〜1300℃で気相反応さ
せることを特徴とする高純度窒化アルミニウム粉末の製
造法。 - (2)高純度有機アルミニウム化合物がトリアルキルア
ルミニウムおよびジアルキルアルミニウムモノハイドラ
イド(但し炭素数1〜10のアルキル基をいう)である
特許請求の範囲第1項記載の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20346386A JPS6360102A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 高純度窒化アルミニウム粉末の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20346386A JPS6360102A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 高純度窒化アルミニウム粉末の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6360102A true JPS6360102A (ja) | 1988-03-16 |
| JPH048364B2 JPH048364B2 (ja) | 1992-02-14 |
Family
ID=16474544
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20346386A Granted JPS6360102A (ja) | 1986-08-29 | 1986-08-29 | 高純度窒化アルミニウム粉末の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6360102A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02217311A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-08-30 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 窒化アルミニウム粉末の製造方法 |
| US7267808B2 (en) | 2004-07-08 | 2007-09-11 | Mitsui Chemicals, Inc. | Aluminum nitride powder, method for producing the same and use thereof |
-
1986
- 1986-08-29 JP JP20346386A patent/JPS6360102A/ja active Granted
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02217311A (ja) * | 1989-02-16 | 1990-08-30 | Mitsui Toatsu Chem Inc | 窒化アルミニウム粉末の製造方法 |
| US7267808B2 (en) | 2004-07-08 | 2007-09-11 | Mitsui Chemicals, Inc. | Aluminum nitride powder, method for producing the same and use thereof |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH048364B2 (ja) | 1992-02-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2010180066A (ja) | 窒化ホウ素球状ナノ粒子とその製造方法 | |
| JPS6112844B2 (ja) | ||
| US4865830A (en) | Gas phase preparation of aluminum nitride | |
| US20120063983A1 (en) | Method for Synthesis of Boron Nitride Nanopowder | |
| EP0282037A2 (en) | Process for preparing high purity polycrystalline silicon | |
| US4552740A (en) | Process for producing amorphous and crystalline silicon nitride | |
| JPS6360102A (ja) | 高純度窒化アルミニウム粉末の製造法 | |
| JPH0535084B2 (ja) | ||
| JP2670331B2 (ja) | 窒化アルミニウム粉末の製造方法 | |
| JP3325344B2 (ja) | 窒化アルミニウム粉末の製造方法 | |
| Kalyoncu | BN powder synthesis at low temperatures | |
| JPS58150427A (ja) | 金属化合物の微粉末の製造方法 | |
| CN111187183A (zh) | 一种气相沉积合成碳二亚胺锌的方法 | |
| JP2831411B2 (ja) | 窒化アルミニウム粉末の製造方法 | |
| EP0225412B1 (en) | Production of silicon imides and of silicon nitride thereof | |
| JP2726703B2 (ja) | 窒化アルミニウム粉末の製造方法 | |
| JPS6191008A (ja) | 窒化アルミニウム粉末の合成方法 | |
| JP2619888B2 (ja) | 窒化アルミニウムの製造方法 | |
| JPS5891018A (ja) | 窒化物微粉末の製造方法 | |
| JPS5973412A (ja) | 窒化けい素粉体の製造方法 | |
| JPH03218917A (ja) | 三塩化ホウ素の製造方法 | |
| JPH06219730A (ja) | ホウ素、炭素、窒素を主成分とする固体材料の製造法 | |
| JPH08245206A (ja) | 炭窒化ホウ素化合物およびその合成法 | |
| JPS63176302A (ja) | 高純度窒化アルミニウム微粉末の製造法 | |
| JP2812473B2 (ja) | 窒化アルミニウム粉末の製造方法 |