JPS6360951A - 光学活性な液晶性化合物およびそれを含む液晶組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ｍ血豆で 本発明は新規な液晶性化合物、それを含有する液晶組成
物および該液晶組成物を使用する液晶素子に関するもの
である。

１２且ｌ 従来の液晶素子としては１例えばエム・シャット（Ｍ、
５ｃｈａｄｔ　）とダブリュー・ヘルフリヒ（智、Ｈｅ
　ｌ　ｆ　ｒ　１ｃｈ）著、”アプライド、フィズイク
ス、レターズ１８巻４号（Ａｐｐｌｉｅｃｆ　Ｐｈｙｓ
ｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ　”　、　Ｖｏｌ、１８．　　Ｎ
ｏ、４　）　（１９？１．２．１５）　、　Ｐ。

１２７〜！２８の「捩れネマチック液晶の電圧依存光学
挙動」　（″　Ｖｏｌｔａｇｅ　−Ｄｅｐｅｎｄｅｎｔ
　　０ｐｔｉｃａｌＡｃｔｉｖｉｔ７　ｏｆ　ａ　Ｔｗ
ｉｓｔｅｄ　Ｎｅ５ａｔｉｃ　Ｌｉｑｕｉｄ　Ｃｒ７ｓ
ｔａｌ”）に記・成されたＴＮ（ツィステッド・ネマチ
ック）液晶を用いたものが知られている。しかしながら
、このＴＮ液晶は、画素糸瓜を高くしたマトリクス電極
構造を用いた時分割駆動の時、クロストークを発生する
問題点があるため１画素数が制限されていた。また、電
界応答が遅く視野角特性が悪いためにディスプレイとし
ての用途は限定されていた。

更に、各画素にＦＩ膜トランジスタによるスイッチング
素子を接続し、各画素毎をスイッチングする方式の表示
素子が知られているが、基板上に薄膜トランジスタを形
成する工程が極めて煩雑な上、大面積の表示素子を作成
することが難しい問題点がある。

このような従来型の液晶素子の欠点を改善するものとし
て、双安定性を有する液晶素子の使用が、クラーク（Ｃ
１ａｒｋ）およびラガウエル（Ｌａｇｅｒ賛ａ１１）に
より提案されている（特開昭５６−１０７２１８号公報
、米国特許第４３８７９２４号明細害等）、双安定性を
有する液晶としては、一般に、カイラルスメクティック
Ｃ相（ＳｍＣ”）又はＨ相（ＳｍＨ”）を有する強誘電
性液晶が用いられる。

この強誘電性液晶は自発分極を有するために非常に速い
応答速度を有する上にメモリー性のある双安定状態を発
現させることができさらに視野角特性もすぐれているこ
とから大容量大画面のディスプレイとして適している。

ｉ且二ユ擢 未発１月は上記の点に鑑みなされたものである。

本発明は液晶状態の制御に有用な液晶性化合物およびこ
れを含む液晶組成物ならびに該液晶組成物を使用する液
晶素子を提供することを目的とする。

＆ｊＬΩ」Ｌ要 すなわち、本発明は、一般式（Ｉ） （ただし、Ｒは炭素数１〜１８のアルキル基を示し　（
１は不斉炭素原子を示す　ｌ（ｌは炭素数４〜１８のア
ルキル基もしくはアルコキシフ、（を示す、Ｘは−ＣＨ
２−ＣＨ，−もしくは−ＣＨ＝ＣＨ−を示し、Ｚは一〇
−もしくは−Ｓ−を示す、ｎはＯまたはｌを示し、交は
Ｏまたは１、ｍは１〜８を示す、） で表わされる光学活性な液晶性化合物を提供するもので
ある。

また本発明は上記光学活性な液晶性化合物を少なくとも
１種類配合成分として含有する液晶組成物ならびに該液
晶組成物を使用する液晶素子をも提供する。

ｆ　　　　１、？ｆ 本発明にしたがい、前記式（Ｉ）の液晶性化合物を製造
する方法を説明する。

まず出発原料として、下記一般式（【【）（ここで、Ｒ
は炭素数１−１８のアルキルノＳを示し、Ｃ″は不斉炭
素原子を示す０ｍは１〜８．　ｆＬは０または１を示す
、） で表わされる光学活性アルコールを用いる。この式（！
Ｉ）で示される光学活性アルコールは、一般式（ｍ） （ここでＲｏは低級アルキル基、Ｃ８は不斉炭素原子を
示し、見、ｋは０または１を示し、文が０の時、ｋは０
またはｌであり、文が１の時にはＯである。） で表わされる化合物、具体的には２−ヒドロキシプロピ
オン酸アルキルエステル、３−ヒドロキシ醋酸アルキル
エステルおよび３−ヒドロキシ−２＝メチルプロピオン
酸アルキルエステルより、下記反応工程式（１）および
（２）に従っであるいは工程式（２）を繰り返すことに
よって容易に合成することができる。

！」！−Ω工 Ｈｓ ＣＨ。

ＣＨ。

木ｑ　−ヤ　　　木倒　−一−シ　　　木姻　　　　　
　　　木畑上記反応式におけるＲＩは炭素数の広い範囲
にわたって選択することが可能であり、具体的にはヨー
ドブタン、ヨードペンタン、ヨードヘキサン、ヨードへ
ブタン、ヨードオクタン、ヨードノナン、ヨードデカン
、ヨードウンデカン、ヨードドデカン、ヨードトリデカ
ン、ヨードテトラデカン、ヨードペンタデカン、ヨード
ヘキサデカン。

ヨードヘプタデカン、ヨードオクタデカン、ヨードノナ
デカン、ヨードエイコサン等の直鎖状飽和炭化水素ヨウ
化物；２−ヨードブタン、■−ヨードー２−メチルプロ
パン、ｌ−ヨード−３−メチルブタン等の分岐状飽和度
化水素ヨウ化物；ヨードベンジル、ヨードフェナシル、
３−ヨード−１−シクロヘキセン等の環状不飽和ＩＲ化
水素ヨウ化物：ヨードシクロペンタン、ヨードシクロヘ
キサン、１−ヨード−３−メチルシクロヘキサン。

ヨードシクロへブタン、ヨードシクロオクタン等の環状
飽和炭化水素ヨウ化物がある。

式（’＋１　）で示される光学活性アルコールの代表的
な合成例を以下に示す。

Ｌ ２−ブトキシプロパノールの合成（交＝０、ｍ＝　１．
Ｒ＝　ｎ−Ｃ４Ｈｅ　−） ｒ−＝（＋）−乳酸エチル３１．５ｇと、ｌ−ヨードブ
タン１０７．３ｇを四ツ目フラスコへ混合し、新しく合
成したＡｇｚＯを２時間で加える。

室温にて１５時間放置後２００＋Ｊｊのエーテルにて６
釈し、′ｆｉ過したのちエーテルを留去する。残分を５
２６ＫＯＨ水溶液ｔｏｏ　　ｍ文にて洗浄後、無水Ｎａ
２５Ｏ，にて乾燥して減圧蒸留、１１０℃／　５４　ｍ
ｍＨｇの留分を集めると２３ｇの（＝）−エチル−２−
ブトキシプロピオネートが得られる。旋２４’ 光度［α枯　−−７３゜ ＬｉＡ交Ｈ，２，０ｇをｌｏｏｍＱのエーテルに加え３
時間攪拌したものへ（−）−エチル−２−ブトキシプロ
ピオネ−）１２．７ｇを滴下する。

滴下終了後１５分纜拌をつづける。その後木５０ｍ交お
よび１０り６Ｈ２ＳＯ４水溶液５０　■立を加える。エ
ーテル層を分離しＭ　ｇ　Ｓ　Ｏ４にて乾燥する。’ｔ
”ｉＡしてエーテルを留去する。収量７．４鉱ヱ ３−ペンチルオキシブタノールの合成（文＝０、ｍ＝２
、Ｒ＝ｎ−Ｃ５Ｈ１１−） （Ｒ）　−（−）　−３−ヒドロキシ醋酸メチル９２゜
１ｇとヨウ化ペンチル３８９ｇをフラスコへ加え、Ｎ２
気流下で混合した。新しく合成したＡｇ２Ｏ２７１ｇを
加え、６０〜６５℃で２６時間攪拌し、ざらにＡｇ２Ｏ
５４，２ｇを加え、６０〜６５°で５８時間撹拌した。

−ｆｉ過後、濾過物をエーテルでよく洗い、ｐ液のエー
テルを留去した後、減圧蒸留し、１１２〜１３１″Ｃ１
５９層■Ｈｇの留分を集めると、６４．６ｇのメチル３
−ペンチルオキシブチレートが得られた。

次にＬｉＡ交Ｈ，９，４ｇを３１ＯＩ１１愛のエーテル
に加え、メチル３−ペンチルオキシブチレー）６３．６
ｇのエーテル６１ｍＭ溶液を１０°Ｃ以下で２時間かけ
て滴下した０滴下終了後２０〜２５℃で２，５時間攪拌
後、１５時間放置した。

その後、塩酸水溶液にて、酸性としくｐ）１１）、エー
テル抽出した。エーテル層を水、５％ＮａＨＣｏ、水溶
液、水のＩ水溶液沈水１Ｍｇ５Ｏ，にて乾燥した。ｐ過
して減圧１Ｎ留し、１２７〜ｂ／　５０　ｍｍＨｇの１
Ｗ分を集めると、３４．２ｇの３−ペンチルオキシブタ
ノールが得られた。

Ｉ　Ｒ（ｃｍ”　）　　： ３３６０．２９７０〜２８７０．１３７０゜１０９０゜ 鮭」 ３−エチルオキシ−２−メチルプロパツールの合成（２
＝１、ｍ＝　１．Ｒ＝Ｃ２Ｈｓ　　）（Ｒ）　−（−）
　−３−ヒドロキシ−２−メチルプロピオン酸メチル１
００ｇとヨウ化エチル３３１ｇをフラスコへ加え、Ｎ２
気流下で混合した。新しく合成したＡｇｚ０２９４ｇを
加え、６０〜６５°Ｃで２０時間攪拌した。濾過後、濾
過物をエーテルで洗い、ｐ液のエーテルを留去した後、
減Ｉｆ：ノに留し、ｔｏｏ−１１０°Ｃ／　１５０ｍｍ
Ｈｇの留分として、８７ｇの３−エチルオキシ−２−メ
チルプロピオン酸メチルが得られた。

次にＬｉＡ見Ｈ４１８，５ｇを６１０　　ｍ文のエーテ
ルに加え、３−エチルオキシ−２−メチルプロピオン酸
メチル８７ｇのエーテル１２２ｍＱ溶液を１０″Ｃ以下
で６時間かけて滴下した０滴下後２０〜２５°Ｃで２．
５時間攪拌した後、１５時間室温で放置した。その後、
５％塩酸水溶液にて。

酸性とし、エーテル抽出した。エーテル層を、水、５％
Ｎａ　ＨＣＯ３水溶液、水の順に洗い、Ｍ　ｇ　Ｓ　Ｏ
ａにて乾燥した。エーテル留去後、減圧蒸留し、１１０
〜ｂ して、３９ｇの３−エチルオキシ−２−メチルプロパツ
ールが得られた。

’ＩＲ（ｃｍ−１）： ３３８０．２９８０〜２８７０．１３８０、ｔｔｔｏ、
１０４０゜ 鮭」 ４−ｎ−オクチルオキシペンタノール（交＝０、ｍ＝３
、Ｒ＝　ｎ　　ＣＢ　Ｈ１７）Ｌ　−（＋）−乳酸エチ
ル９８ｇ、ヨウ化才クチル３８０ｇおよび酸化銀２４５
ｇを加え、６０℃で１６時間攪拌した。不溶物を濾過後
減圧蒸留し。

ｉｔｏ〜１３０℃／　３　ｍｍＨｇの留分として２−オ
クチルオキシプロピオン酸エチルルア７ｇを得た。

次に、ジエチルエーテル２５０　■文に、ＬｉＡ１Ｈ４
７，５ｇを加え、しばらく攪拌後、上記エステル体５６
ｇのジエチルエーテル５ＯＩＩ文溶液を５℃以下で２時
間かけて滴下し、滴下後室部で２時間攪拌し、さらに１
５時間放置した０反応終了後５％塩酸３０ｓ文を加え、
さらに６Ｎ塩酸で塩酸酸性（ｐＨ〜１）とし、エーテル
抽出した。

水洗後、乾煙し、溶媒留去した。減圧ノに！７１１／　
＋１０７℃／　３　ｍ１１１ｇの留分として、２−才ク
チルオキシプロパツール３９．５ｇを得た。

次に上記アルコール体７０ｇにピリジン２３０ｍＱを加
え、攪拌下、トシルクロライド８５ｇを１０℃以下で３
０分かけて加えた。この温度で１５分攪拌後、昇温して
２０〜２４℃で３．５時間攪拌した。冷水に注入後、ベ
ンゼン抽出し、５％用酸、水の順で洗浄し、乾燥した。

ベンゼを留去し、（２−オクチルオキシプロピル）ｐ−
トルエンスルホネート１２７ｇを得た。

エタノール２２０　　腸文中に、９５％ナトリウムエト
キシド２６．７ｇを加え、攪拌下で９８％マーロン酸ジ
エチル７３．１ｇを３６〜３８°で５０分かけて滴下し
た。さらに３０分攪拌後、上記トシレート体１２７ｇを
、３６〜３８℃で、１時間かけて滴下した。さらに１５
分攪拌後昇温し。

１８時間還流した０反応後水木を注入し、ベンゼン抽出
し、水洗後乾燥した。

溶媒留去して、１４９ｇの４−才クチルオキシ−２−エ
トキシカルボニル吉草酸エチルを得た。

次いで、８５％ＫＯＨ８８、５ｇを水９０ｍ１に溶かし
、上記エステル体１４９ｇを２０〜２５℃で５０分かけ
て滴下し、３０分攪拌後、２時間還浣した。冷却後、１
５℃以下に保ち、濃硫酸１５３ｇを水１９６ａＭに溶か
し、これを１時間かけて滴下した。３０分攪拌後、３時
間ぶ流した。室温まで冷却した後、ベンゼン油出した。

ベンゼン層を５　’３６　Ｎ　ａ　ＯＨ水溶液で洗い、
水層に加えた。水層を６Ｎｌ！！酸で酸性（ｐ）Ｉ’ｌ
）とし、ベンゼン抽出し、水洗し、無水Ｍｇ　Ｓｏ、で
乾燥した。溶媒留去して４−オクチルオキシ吉草酸５４
ｇを得た。

乾燥エーテル２１０ｍｕ中にＬｉＡ交Ｈ１１０ｇを加え
、攪拌下、上記カルボン１％１５４ｇのエーテル７０ｍ
文溶液を、２〜６℃に保ちながら７０分かけて滴下した
０滴下後、２３℃まで昇温し、３時間攪拌した。１２時
間放ご後、５％１′！！酸を１５°Ｃ以下に保ちながら
加え、塩酸酸性とした後エーテル抽出し、水、５％Ｎａ
ＯＨ水溶液、水の順に洗い無水Ｍｇ５Ｏ，で乾燥した。

溶媒留去し、ついで減圧蒸留し、１５０℃７５　ｍｍ）
Ｉｇの留分として（Ｓ）−４−オクチルオキシペンタノ
ール１０ｇを得た。

Ｉ　Ｒ（ｃｍ−’　） ３３６０．２９７０〜２８６０．１４６０．１３７０．
１３４０．１０８０゜ 前記一般式（■）に示される光学活性アルコールを用い
、次に示す反応工程式により、一般式（Ｉ）で示される
光学活性な液晶性化合物を得ることができる。

本発明の液晶組成物は、上記一般式（１）で表わされる
。光学活性な液晶性化合物を少なくとも１種類配合成分
として含有するものである。

上記組成物のうち下式（１）〜（１３）に代表して示さ
れるような強誘電性液晶を配合成分とするものは、自発
分極を増大させることが可能でありさらに粘度を低下さ
せる効果とあいまって応答速度を改善することができ好
ましい、このような場合には一般式（Ｉ）で示される本
発明の光学活性な液晶性化合物を、得られる液晶組成物
の０゜１〜９９重量％、特に１〜９０重量％となる割合
で使用することが好ましい。

フェニルエステル フェニルエステル Ｃｒｙｓｔ、　−一→　ＳｍＡ　　−一→　Ｉｓｏ。

１６へＳａＣｆ、／４３．５ （３）　　　　　　　　　　　　　　　　ＣＦ（。

Ｃ１゜Ｈ２Ｎ　０　＋ＣＯＯ（濾ＯＣＨ＝　ＣＨＣｔ　
Ｈｓ４−デシルレオキシ安想、香酸　４′−（２−メチ
ルブチルオキシ）フェニルエステル ４４　　　　　　５０　　　　　　　　ｆｌｉ５Ｃｒｙ
ｓｔ、　−〉Ｓ！ｆＪ”　−一→　ＳｍＡ−−ラＩｓｏ
。

（４）　　　　　　　　　　　　　　　　　　ＣＨ。

フェニルエステル ４９．５　　　　　　６３ Ｃ「マｓｔ、　−一→　５ＩＩＩＡ　　−シ　Ｌｓｏ。

ＳｍＣ”　／４８ フェニルエステル 一メチルブチルシンナメート（ＤＯＢＡＭＢＣ）ＣＨ。

■ ＣＯＯＣＨ２ＣＨＣ２Ｈｓ ４．４′−７ゾキシシンナミツクアシツドービス（２−
メチルブチル）エステルオクチルオキシビフェニル−４
−カルホキシレーｉ・ビフェニル−４′−カルホキシレ
ートビフェニル− また下式ｌ）〜５）で示されるような、それ自体はカイ
ラルでないスメクチ７り液晶に配合することにより強誘
電性液晶として使用可能な組成物が得られる。

この場合，一般式（Ｉ）で示される本発明の光学活性な
液晶性化合物を得られる液晶組成物の０、１〜９９重４
１％，特に１．０〜９０爪ｈ１％で使用することが好ま
しい。

’　ｃｓ　Ｈｔｙｏｉｃｏｏ−＠−ｏｃｓ　Ｈ，。

４．４′−７’ンルオキシアンキシヘンゼンＣｒｙｓＬ
・７７”Ｃ、ＳｍＣケ回Ｊ−Ｎ　４１ｓｏ・Ｃ６ＨｕＯ
（て層）００ＣｓＨ。

（）呪 ＣＱ　ＨＩ７　　　　　　　　Ｃ９Ｈ＋５２−（４’−
オクチルオキシフェニル）−５−ノニルピリミジンＣｒ
ｙｐｔ、　　３３”ＣＳｍＣＧＯ”Ｃ霜Ａ　　７５”Ｃ
！ｓｏ。

４′−ペンチルオキシフェニル−４−オクチルオｔンへ
ンゾエートＣｒｙｓｔ、　　５８℃　　ＳｍＣ８４℃　
　Ｓａ＋Ａ　　６Ｇ℃　　Ｎ　　８５℃　　Ｉｓｏ。

−一一一−１り　　　　　−−−−−−〉−−り　　　
−一一一一＝シここで、記号は、それぞれ以下の相を示
す。

Ｃｒｙｓｔ、　　：結晶相、　　　　　　ＳｍＡ　　：
スメクチックＡ相。

ＳｍＢ　　：スメクチックＢ相、　ＳｍＣ：スメクチッ
クＣ相、Ｎ　：ネマチ７り相、　　　　［ｓｏ、　：等
方相。

また、上記一般式（Ｉ）の光学活性な液晶性化合物は３
ネマチツク液晶に添加することにより。

ＴＮ型セルにおけるリバースドメインの発生を防ｌ卜す
ることに有効である。

この場合１式（Ｉ）の光学活性な液晶性化合物をネマチ
ック液晶に添加することにより得られる液晶組成物の０
．０１〜５０爪量％の割合で式（Ｉ）の光学活性な液晶
性化合物を使用することが好ましい。

また不マチ−，り液晶もしくはカイラルネマチック液晶
に添加することにより、カイラルネマチック液晶として
、相転移型液晶素子やホワイト・ティラー形ゲスト・ホ
スト型液晶素子に液晶組成物として使用することが可能
である。

第１図は、強誘電性液晶の動作説明のために。

セルの例を模式的に描いたものである。１１ａと、ｌｌ
ｂは、それぞれＩ　ｎ２０３．３　ｎ０２あるいはＩ　
Ｔ　Ｏ（Ｉｎｄｉｕｍ　−Ｔｉｎ　０ｘｉｄｅ）等の薄
膜からなる透明電極で被覆された基板（ガラス板）であ
り、その間に液晶分子層１２がガラス面に垂直になるよ
う配向したＳｍｃ”相又はＳｍＨ”相の液晶が１１人さ
れている。太線で示した線Ｌ３が液晶分子を表わしてお
り、この液晶分子１３はその分子に直交した方向に双極
子モーメン）　（Ｐよ）１４を右している。ノ、（板２
１とｌｌｂ上の電極間に一定の閾値以上の１せ圧を印加
すると、液晶分子１３のらせん構造がほどけ、双極子モ
ーメント（Ｐ工）１４がすべて電界方向に向くよう、液
晶分子１３は配向方向を変えることができる。液晶分子
１３は、細長い形状を有しており、その長袖方向と短軸
方向で屈折率異方性を示し、従って例えばガラス面の上
下に互いにクロスニコルの偏光子を置けば、電圧印加極
性によって光学特性が変わる液晶光学変調素子となるこ
とは、容易に理解される。

本発明の光学変調素子で好ましく用いられる液晶セルは
、その厚さを充分に薄く（例えばｌｏト以下）すること
ができる、このように液晶層が薄くなるにしたがい、第
２図に示すように電界を印加していない状態でも液晶分
子のらせん構造がほどけ、その双極子モーメン）Ｐａま
たはＰｂは」二向さく２４　ａ）又は下向き（２４ｂ）
のどちらかの状態をとる。このようなセルに、第２図に
示す如く一定の閾値以上の極性の異る電界Ｅａ又はＥｂ
を電圧印加手段２１ａと２１ｂにより付与すると、双極
子モーメントは、電界Ｅａ又はＥｂの電界ベクトルに対
応して上向き２４ａ又は下向き２４ｂと向きを変え、そ
れに応じて液晶分子は、第１の安定状、ｇ　２３　ａか
あるいは第２の安定状態２３ｂの何れか１方に配向する
。

このような強誘電性を光学変調素子として用いることの
利点は、先にも述べたが２つある。

その：Ｊ′Ｓｌは、応答速度が極めて速いことであり、
第２は液晶分子の配向が双安定性を有することであるａ
　：ｆＳ２の点を１例えば第２図によって更に説明する
と、電界Ｅａを印加すると液晶分子は第１の安定状９９
２３　＆に配向するが、この状態は電界を切っても安定
である。又、逆向きの電界Ｅｂを印加すると、液晶分子
は第２の安定状態２３ｂに配向してその分子の向きを変
えるが、やはり電界をνＪってもこの状態に留っている
。又、与える電界ＥａあるいはＥｂが一定の閾値を越え
ない限り、それぞれ前の配向状態にやはり維持されてい
る。このような応答速度の速さと、双安定性が有効に実
現されるにはセルとしては出来るだけｒ’ｒＪい方が好
ましく、一般的には０，５終〜２０ル、特に１弘〜５ｗ
が適している。

次に強誘電性液晶の駆動法の具体例を、第３図〜第５Ｉ
Ａを用いて説明する。

第３図は、中間に強誘電性液晶化合物（図示せず）が挾
まれたマトリクス電極構造を有するセル３１の模式図で
ある。３２は、走査電極群であり、３３は信号電極群で
ある。最初に走査電極Ｓ、が選択された場合について述
べる。　’Ａ　４　ＩＮ（ａ）とｉ４図（ｂ）は走査信
号であって、それぞれ選択された走査電極ＳＬに印加さ
れる電気信号とそれ以外の走査電極（選択されない走査
電極）ｓ、、Ｓｓ、Ｓｌ　・・・に印加される電気信号
を示している。第４図（Ｃ）と第４図（ｄ）は、情報信
号であってそれぞれ選択された信号電極Ｉ１．Ｉ３．Ｉ
ｓと選択されない信号電極Ｉｆ、Ｉ４に与えられる電気
信号を示している。

第４図および第５図においては、それぞれ横軸が時間を
、縦軸が電圧を表す０例えば、動画を表示するような場
合には、走査電極群３２は逐次。

周期的に選択される。今、所定の゛重圧印加時間Ｌ１ま
たはｔ２に対して双安定性を有する液晶セルの、第１の
安定状態を与えるための閾値電圧を−ｖ　ｔｈ、とじ、
２の安定状態を与えるためのＩ２１値電圧を＋ｖｔｈ２
とすると、選択された走査電極３２（Ｓｌ）に与えられ
る電極信号は、第４図（ａ）に示される如く位相（時間
）１１では、２Ｖを、位相（時間）ｔ２では、−２Ｖと
なるような交番する電圧である。このように選択された
走査電極に互いに電圧の異なる複数の位相間隔を有する
電気信号を印加すると、光学的「暗」あるいは「明」状
態に相当する液晶の第１あるいは第２の安定状態間での
状態変化を、速やかに起こさせることができるという重
要な効果が得られる。

一方、それ以外の走査電極Ｓ２〜Ｓ、・・・は、第４図
（ｂ）に示す如くアース状態となっており、電気信号Ｏ
である。また、選択された信号型ＪｆｆｌＩ＋　、　　
Ｉ３　、　　Ｉ５に与えられる電気信号は、第４図（Ｃ
）に示される如くｖであり、また選択されない信号電極
Ｉ２．１．にｉｐえられる電気信号は、第４図（ｄ）に
示される如＜−Ｖである。

以上に於て各々の゛・［田植は、以下の関係を満足する
所望のイ１１′ｉに設定される。

ｖ＜ｖｔｈ２＜３ｖ −３ｖ（−ｖｔｈ、　＜−Ｖ この様な電気信号が与えられたときの各画素のうち、例
えば第３図中の画素ＡとＢにそれぞれ印加される電圧波
形を第５図（Ｌ）と（ｂ）に示す、すなわち、第５図（
ａ）と（ｂ）より明らかな如く、選択された走査線上に
ある画素Ａでは、位相ｔ２に於て、闇値ｖ　ｔｈ２を越
える電圧３ｖが印加される。また、同一走査線上に存在
する画素Ｂでは位相１．に於て田植−ｖ　ｔｈ、を越え
る電圧−３Ｖが印加される。従って、Ｉ：！！択された
走査電極線上に於て、信号電極が選択されたか否かに応
じて、選択された場合には、液晶分子は第１の安定状態
に配向を揃え１選択されない場合には第２の安定状態に
配向を揃える。

一方、第５図（Ｃ）と（ｄ）に示される如く、選択され
ない走査線−ヒでは、すべての画素に印加される電圧は
Ｖまたは一■であって、いずれも悶（＋Ｑ主電圧越えな
い、従って、選択された走査線上以外の各画素における
液晶分子は、配向状態を変えることなく前回走査された
ときの信１）状態に対応した配向を、そのまま保持して
いる。即ち、走査電極が選択されたときにそのｌライフ
分の信号の古き込みが行われ、１フレームが終了して次
回選択されるまでの間は、その信号状態を保持し得るわ
けである。従って、走査電極数が増えても。

実質的なデユーティ比はかわらず、コントラストの低下
は全く生じない。

次に、ディスプレイ装置として駆動を行った場合の実際
に生じ得る問題点について考えてみる。

第３図に於て、走査電極５ｔ−Ｓ、・・・と信号電極Ｉ
、〜Ｉ、・・・の交点で形成する画素のうち、斜線部の
画素は「明」状態に、白地で示した画素は、「暗」状態
に対応するものとする。今、第３図中の信号電極工、上
の表示に注目すると。

走査電極ＳＩに対応する画素（Ａ）では「明」状態であ
り、それ以外の画素（Ｂ）はすべて「暗」状！＆である
。この場合の駆動法の一例として、走査信号と信号電極
Ｉ、に与えられる情報信号及び画素Ａに印加される゛電
圧を時系列的に表したものが第６図である。

例えば第６図のようにして、駆動した場合、走査信号Ｓ
、が走査されたとき１時間【２に於て画素Ａには、Ｉ！
１値Ｖ　ｔｈ、を越える電圧３ｖが印加されるため、前
歴に関係なく１画素Ａは一方向の安定状態、即ち「明」
状態に転移（スイー２チ）する、その後は、Ｓ２〜Ｓ、
嗜・会が走査される間は第６図に示される如＜−Ｖの電
圧が印加され続けるが、これは閾値−ｖｔｈｌを越えな
いため、画素Ａは「明」状態を保ち得るはずであるが、
実際にはこのように１つの信号電極上で一方の信号（今
の場合「暗」に対応）が与えられ続けるような情報の表
示を行う場合には、走査線数が極めて多く、しかも高速
駆動が求められるときには反転現象を生じるが、前述し
た特定の液晶化合物またはそれを含有した液晶組成物を
用いることによって、この様な反転現象は完全に防止さ
れる。

さらに、本発明では、前述の反転現象を防止する上で液
晶セルを構成している対向電極のうち少なくとも一方の
電極に絶縁物質により形成した絶縁膜を設けることが好
ましい。

この際に使用する絶縁物質としては、特に制限されるも
のではないが、シリコン窒化物、水素を含有するシリコ
ン窒化物、シリコン炭化物、水素を含有するシリコン炭
化物、シリコン酸化物１ｍ素窒化物、水素を含有する硼
素窒化物、セリウム酸化物、アルミニウム酸化物、ジル
コニウム酸化物、チタン酸化物やフッ化マグネシウムな
どの無機絶縁物質、あるいはポリビニルアルコール、ポ
リイミド、ポリアミドイミド、ポリエステルイミド、ポ
リバラキシレン、ポリエステル、ポリカーボネート、ポ
リビニルアセタール、ポリ塩化ビニル、ポリ酢醜ビニル
、ポリアミド、ポリスチレン、セルロース樹脂、メラミ
ン樹脂、ユリャ樹脂、アクリル樹脂やフォトレジスト樹
脂などの有機絶縁物質が絶縁膜として使用される。これ
らのＩＴ！！、縁膜の膜厚は５０００Å以下、好ましく
は１００人〜ｔｏｏｏ人、特に５００人〜３０００人が
適している。

以下、実施例により本発明を更に具体的に説明する。

実ＪＬＩＬユ ４−ｎ−デシルオキシケイ皮酸−４’−（２−エトキシ
プロポキシ）フェニルエステルの合成（工程１）　　４
−（２−エトキシプロポキシ）フェノール 乾燥ピリジン１４０＋ｔｕ、２−エトキシプロパノール
２４ｇをフラスコに加え、水冷下撹拌しながら、Ｐ−ト
ルエンスルホニルクロリド５２．８ｇを少量ずつ加えた
。添加後２５℃で５時間攪拌し、−夜装置した０反応後
冷水中に注ぎ、ベンゼン抽出した。水洗後乾燥し、溶媒
留去し、油状の（２−エトキシプロピル）ｐ−トルエン
スルホネート５５．５ｇを得た。

次にハイドロキノン３５．５ｇ、８５％ＫＯＨ１４，８
ｇ、メタノール６０ｍＭ、エタノール３１０ｍ１を加え
、攪拌した。そこへ」−記スルホネー）５５．５ｇを５
０℃で１時間かけて滴下した。ついで昇温し、６５°Ｃ
で２時間、還流下８時間攪拌した。室温まで冷却し、冷
水中にそそいだ、ヘキサン抽出し水洗、乾燥後、ヘキサ
ンを留去して粗生成物２６．５ｇを得た。これをヘキサ
ンから再結晶して４−（２−エトキシプロポキシ）フェ
ノール１３．７［を得た。

ＩＲ（ｃ譜−１） ３３５０．２９６０〜２８７０，１５１０．１４５０．
１２３０．１１００゜ （工程２）４−ｎ−デシルオキシケイ皮Ｍ　−４’−（
２−エトキシプロポキシ）フェニルエステル４−ｎ−デ
シルオキシケイ皮酸２．Ｏｇと塩化チオニル１０ｍ１を
３．５時間加熱還流し、過剰の塩化チオニルを減圧留去
し、トルエンｌＯａＭを加えて溶液とした。４−　（２
−エトキシプロポキシ）フェノール１．３ｇをピリジン
５　謬見に溶解し１反応温度０〜２℃で上記で調製した
４−ｎ−デシルオキシケイ皮酸酸塩化物のトルエン溶液
を２５分間で滴下し、さらに室温で一夜攪拌した。

反応混合物を氷水中へ注入して、酢酸エチルより抽出し
、有機層を６ＮＩ！！酸、水、２Ｎ水酸化ナトリウム水
溶液、水で順次法ｆｉ＋を行った。無水硫酸ナトリウム
で乾燥した後、溶媒留去し、得られた油状物をシリカゲ
ル力ラムクロマトクラフ法（展開溶媒：ｎ−ヘキサン／
酢酸エチル１０／２）により精製した。さらにエタノー
ルで再結晶し、活性炭処理を行い、４−ｎ−デシルオキ
シケイ皮Ｓ−４’−（２−エトキシプロポキシ）フェニ
ルエステル２８８１ｇを得た。

生成物について以下のＩＲデータおよび相転移温度を得
た。

ＩＲ（ｃ層−１）： ３４５０．２９２５．２８５０．　１７３０゜１６３８
．１６０８．１５０８．１３１８．１２６０．１１４４
、　２３８゜ （Ｓｍ３　：　ＳｍＣ”、ＳｍＡ以外のスメクチック相
（未同定）） 同様にして下記の化合物が合成される。

４−ｎ−へキシルオキシケイ皮酸−４’−（２−プロポ
キシプロポキシ）フェニルエステル、４−ｎ−へブチル
オキシケイ皮／ｌ−４’−（２−ブトキシプロポキシ）
フェニルエステル、４−ｎ−才クチルオキシケイ皮酸−
４’−（２−ペンチルオキシプロポキシ）フェニルエス
テル、４−ｎ−７ニルオキシケイ皮酸−４’−（２−プ
ロポキシプロポキシ）フェニルエステル、４−ｎ−ドデ
シルオキシケイ皮酸−４’−（２−エチルオキシプロポ
キシ）フェニルエステル、４−ｎ−テトラデシルオキシ
ケイ皮酸−４−（２−ヘキシルオキシプロポキシ）フェ
ニルエステル、４−ｎ−オクチルケイ皮酸−４’−（２
−オクチルオキシプロポキシ）フェニルエステル、４−
ｎ−へキシルケイ皮Ｍ−４’−（２−ペンチルオキシプ
ロポキシ）フェニルエステル、４−ｎ−オクチルオキシ
ケイ皮酸−４′−（３−エチルオキシ−２−メチルプロ
ピルオキシイ皮Ｍ−４’−（３−ペンチルオキシ−２−
メチルプロピルオキシ）フェニルエステル、４−ｎ−へ
キシルオキシケイ皮酸−４’−（４−エチルオキシペン
チルオキシ）フェニルエステル、４−ｎ−オクチルオキ
シケイ皮酸−４’−（４−プロピルオキシペンチルオキ
シ）フェニルエステル、４−ｎ−デシルオキシケイ皮酸
−４’−（４−ペンチルオキシペンチルオキシ）フェニ
ルエステル。

見ＭＪＢＵ ４−ｎ−７’シルオキシケイ皮ｓ４’−（ｚ−エトキシ
ブロポキシ力ルポニル）フェニルエステルの合成。

（工程１）ｐ−ハイドロキシ安，９，香酸（２−エトキ
シ）プロピルエステル。

８００文，１６５ｇにＰ−７セチルオキジ安息香酩５０
ｇを加え６０℃で４０分加熱した．冷却後、溶媒を留去
して，ＣＨ，Ｃｏｏ−＠ーＣＯＣ交６４、５ｇを得た。

２−エトキシプロパノール（　Ｃ　２　Ｈ　ｓ　Ｏ　Ｃ
　”　ＨＣＣＨｓ　）ＣＨ２　０Ｈ）ｌ　Ｏ　ｇとＮ，
Ｎ−ジメチルアニリンｔ１．６ｇを，エーテル２０ｍｌ
に溶かし、撹拌下、上記で得たＣＨ３ＣＯＯ−＠−Ｃ０
Ｃ文２２．３ｇを４５分で滴下した。その後加熱コ流し
、１時間３０分攪拌した。

水を加えエーテル層を分離し、精製してｐ−７セチルオ
キシ安息Ｗ　Ｍ　（２−エトキシ）プロピルエステルを
得た。それにメタノールを入れた後。

メタノール・２８％アンモニア水＝ｌ：ｌの混合液を加
え撹拌し加水分解した。

エーテル４００ｍ１で抽出し、水洗、乾燥（Ｎａ２ＳＯ
４）Ｌ、溶媒を留去して粗生成物１１．５ｇｆｔ得た。

シリカゲル１Ｋｇでカラム精製（移動相：イソプロピル
エーテル：ｎ−ヘキサン＝ｌ：ｌ）ｌ、て、ｐ−ハイド
ロキシ安息香ｍ（２−エトキシ）プロピルエステル６．
４ｇをｆＧだ。

生成物について、以下のＩＲデータを得た。

Ｉ　Ｒ（ｃＩＩ＋−’　）　　： Ｐ−アセチルオキシ安、９．香酸（２−エトキシ）プロ
ピルエステル ２９８０．２８８０．１７７０．１７２０゜１６１０　
　、１５０５　、１３７５、１２７５．１２００　、１
　ｌ　６０、　ｌ　１２０、１１００゜ｐ−ハイドロキ
シ安、９．香酸（２−エトキシ）プロピルエステル ３３１０．２９９０．２９００．１７２０゜１７００．
１６２０，１６００．１５２０．１４５０．１３９０．
１２８０．１１７０．１１００゜ （工程２）４−ｎ−デシルオキシケイ皮ＭＦ　−４’（
２−二トキシプロボキシ力ルポニル）フェニルエステル
。

４−ｎ−デシルオキシケイ皮酸２．Ｏｇと塩化チオニル
ＧｖＡ文を、３０〜４０℃で４時間攪拌し、過剰の塩化
チオニルを減圧留去し、ベンゼンで洗浄して黄色油状物
を得た。これに、トルエン１１！ＩＪＩを加えて溶液と
した。

４−　（２−エトキンプロポキシカルボニル）フェノー
ル１．５ｇを、ピリジン６１−　トルエン８ｍｇ、に溶
かし、冷却した。これに、上記でＡ製した４−ｎ−デシ
ルオキシケイ皮酸酸塩化物のトルエン溶液を１反応混度
−２〜１℃で、４０分間かけて滴下した後、室温で一夜
撹拌した０反応混合物を氷水８０１１文中へ注入し、酢
酸エチル（５０ｍｕＸ３回）で抽出した。さらに６Ｎ塩
酸、木、６％炭酸水素ナトリウム水溶液、水で順次、洗
浄を行った。無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、溶媒
留去し、得られた黄色固体をシリカゲルカラムクロマト
グラフ法（展開溶奴：ｎ−ヘキサン／酢酸エチル＝　ｌ
　Ｏ／３）により精製した。得られた黄色粘稠物をエタ
ノール、さらにメタノールにより再結晶を行い、４−ｎ
−デシルオキシケイ皮％−４′−（２−エトキシプロボ
キシ力ルポニル）フェニルエステル３９０ＩＩ１ｇを７
１１だ。

生成物について以下のＩＲデータを得た。

Ｉ　Ｒ（ｃｍ−’　）　　： ３４５０．２９３０．２８５０．１７２２．１６３９．
１６１７．１２７８．１２１８．１１５０．１１２０．
　　９９５．　８４３゜同様にして下記の化合物が合成
される。

４−ｎ−へキシルオキシケイ皮酸−４’−（２−プチル
オキシプロポキシ力ルポニル）フェニルエステル、４−
ｎ−ペンチルオキシケイ皮酸−４−（２−７’ロヒルプ
ロボキシ力ルポニル）フェニルエステル、４−ｎ−オク
チルオキシケイ皮酸−４’−（２−メチルオキシプロポ
キシカルポニル）フェニルエステル、４−ｎ−ノニルオ
キシケイ皮酸−４’−（２−へキシルオキシプロポキシ
カルボニル）フェニルエステル、４−ｎ−デシルオキシ
ケイ皮酸−４−（２−オクチルオキシプロポキシカルボ
ニル）フェニルエステル、４−ｎ−へブチルオキシケイ
皮酸−４′−（２−ペンチルオキシブロボキシ力ルポニ
ル）フェニルエステル、４−ｎ−才クチルケイ皮酸−４
′−（２−プチルオキシプロボキシ力ルポニル）フェニ
ルエステル、４−ｎ−才クチルオキシケイ皮酸−４’−
（４−エチルオキシペンチルレオキシ力ルポニル）フェ
ニルエステル、４−ｎ−デシルオキシケイ皮酸−４′−
（４−ブチルオキシペンチルオキシカルボニル）フェニ
ルエステル、４−ｎ−へキシルオキシケイ皮酸−４−（
４−オクチルオキシペンチルオキシカルボニル）フェニ
ルエステル、４−ｎ−へブチルケイ皮酸−４′−（４−
ブチルオキシペンチルオキシカルボニル）フェニルエス
テル。

凡立遣」 ３−（ｐ−ｎ−デシルオキシフェニル）プロピオンＭ４
’（２−エトキシプロポキシ）フェニルの合成。

３−（ｐ−ｎ−デシルオキシフェニル）プロピオンＩｖ
２　、４　ｇニ、１ｉ３化チオニル７Ｉ１９．ヲ加え、
４時間還流した。減圧下で過剰の塩化チオニルを留去し
て酸１８化物を得た。

次に４−（２−エトキシプロポキシ）フェノール１．５
ｇのピリジン８ｍ文溶液中に、上記酸塩化物のトルエン
１０＋ａｉ溶液を５℃以下で滴下しｔ：０滴下後、室温
で１９時間攪拌し、氷水中にあけた。有機層を分離し、
水層を酢酸エチル抽出し、有機層とあわせ、６Ｎｊ！！
酸、水、２ＮＮａ０Ｈ水溶液、水の順で洗浄し、無水Ｍ
ｇ５Ｏ，で乾燥した。溶媒留去し、シリカゲルカラムク
ロマトグラフィ（ｎ−へキサン：酢酸エチル＝ｌＯ：ｌ
）で精製し、２．３ｇの結晶を得た。これをエタノール
溶媒中で活性炭処理し、３−（ｐ−ｎ−デシルオキシフ
ェニル）プロピオン酸４’−（２−エトキシプロポキシ
）フェニル１．Ｏｇを得た。

ＩＲ（ｃ履−１）： ２９７０〜２８６０．１７５０．１５１０．１２５０．
１２１０．１１５０．　　８４０゜相転移温度： 同様にして下記の化合物が合成される。

３−（ｐ−ｎ−へキシルオキシフェニル）プロピオン酸
−４’−（２−プロピルオキシプロポキシ）フェニル、
３−（ｐ−ｎ−オクチルレオキシフェニル）プロピオン
Ｍ−４”−（２−メチルオキシプロポキシ）フェニル、
３−（ｐ−ｎ−／ニルオキシフェニル）プロピオン酸−
４’−（２−オクチルオキシプロポキシ）フェニル、３
−（ｐ−ｎ−デシルオキシフェニル）プロピオン酸−４
’−（２−ペンチルオキシプロポキシ）フェニル、３−
（ｐ−ｎ−ドデシルオキシフェニル）フロピオンＭ−４
’−（２−ヘキシルオキシプロポキシ）フェニル、３−
（ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニル）プロピオン酸−４
’−（４−エチルオキシペンチルオキシ）フェニル、３
−（ｐ−ｎ−デシルオキシフェニル）プロピオン酸−４
−（４−ブチルオキシペンチルオキシ）フェニル、３−
（ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニル）プロピオン酸−４
’−（３−ペンチルオキシ−２−メチルプロピルオキシ
）フェニル、３−（ｐ−ｎ−デシルオキシフェニル）プ
ロピオンＭ−４′−（２−エトキシプロビルオキシ力ル
ポニル）フェニル、３−（ｐ−ｎ−オクチルオキシフェ
ニル）プロピオン酸−４′−（２−ブチルオキシプロピ
ルオキシ力ルポニル）フェニル、３−（ｐ−ｎ−デシル
オキシフェニル）プロピオンＡ６−４’−（４−プロピ
ルオキシペンチルオキンカルポニル）フェニル、３−（
ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニル）フロピオンＭｅ−４
’−（４−ペンチルオキシペンチルオキシカルボニル）
フェニル、３−（ｐ−ｎ−オクチルフェニル）フロピオ
ン酸−４’−（２−ブチルオキシプロポキシ）フェニル
。

史ＪＪＬ４ ３−（ｐ−ｎ−デシルオキシフェニル）チオプロピオン
酸−３−４’−（２−エトキシプロポキシ）フェニルの
合成 （工程１）２−エトキシプロピルオキシベンゼン乾燥ピ
リジン２４０＋ａＪ１と２−二トキシプロパツール４５
ｇをフラスコへ加え撹拌しつつ水冷しタモのへ、７３ｇ
のＰ−）ルエンスルホン酸クロライドを少ｉ４づつ加え
、２時間反応させた後。

室温までもどしさらに４時間反応させた。氷冷した６％
ＨＣ見ａｑへ反応物を加えて撹拌したのちベンゼンにて
抽出し無水Ｎａ２ｓＯ＊にて乾燥した。ベンゼンを留去
して油状の（２′−エトキシプロピル）ｐ−）ルエンス
ルホネート９６ｇを得た。

フェノール３８．６ｇと８５％ＫＯＨ２３ｇをメタノ−
セフ３ｍ見、エタノール４４６　ｍ文とともに加え侵拌
した。これに、上記で得た（２′−エトキシプロプル）
−ｐ−トルエンスルホネート９１ｇを加え、６０〜７０
℃で２時間攪拌した後、加熱還流で７時間反応させたの
ちエタノールを留去した。残分に１５００ｍＡの水を加
え、エーテルで抽出後、抽出液からエーテルを留去した
残液を、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶は液
としてヘキサン：クロロホルム＝５＝１混合液を使用）
により精製して２−エトキシプロピルオキシベンゼン４
９．３ｇを得た。そのＩＲ（赤外吸収）データは以下の
通りである。

Ｉ　Ｒ（ｃｍ−’　）　　： ３０７０〜３０４０．２９７０〜２９８０゜１６００−
１５８２．１４９５．１２４３゜（工程２）４−　（２
’−エトキシプロピルオキシ）ベンゼンチオール 上記工程１で得ら°れた２−エトキシプロプルオキシベ
ンゼン４９ｇを、クロロホルム１３０ｍＪ１に溶かし水
浴にて一１０℃に冷却した。その中にＣｌ５Ｏ，Ｈ６３
，５ｇを徐々に滴下した。その後水浴を取り除き、５時
間攪拌し反応させた後、氷上に注入し、ＮａＯＨ水溶液
にて中和した。更に溶媒を除去して４（２′−エトキシ
プロピルオキシ）ベンゼンスルホンａ　ｌ　ｌ　６　ｇ
　ヲ得た。

上記で得た４（２′−エトキシプロピルオキシ）ベンゼ
ンスルホン酸１１６ｇと乾燥ベンゼン５００　層文の混
合物の中にＰＣｌ５６２．４ｇを室温にて徐々に加えた
。その後、６０℃に加熱し６時間反応させた０反応後、
氷上へ注入し、有機層を水洗、乾燥後、溶媒を除去して
油状液体を得た。これをシリカゲルカラムクロマトグラ
フィー（ｎ−ヘキサン：イソプロピルエーテル＝３：ｌ
）にて精製して４（２′−エトキシプロピルオキシ）ベ
ンゼンスルホン酸クロライド１５ｇを得た。

次に氷１１０ｇ、濃硫酸３６ｇの混合物を水浴にて一５
℃に冷却し、その中に上記４（２′−エトキシプロピル
オキシ）ベンゼンスルホン酸クロライド１５ｇを徐々に
滴下した。その後、Ｚｎ２８．６ｇを添加した。そのま
ま２時間攪拌した後。

水浴を取り除５、徐々に温度上昇させ５５℃とした。さ
らに同温度で２時間攪拌した後、冷却し反応溶液をイソ
プロピルエーテルにて抽出した。抽出液を水洗、乾燥後
溶媒を除去して無色液体を得た。これをシリカゲルカラ
ム（ｎ−へキサン：酢酸エチル＝５：１）により精製し
、４（２′−エトキシプロピルオキシ）ベンゼンチオー
ル８ｇを得た。

Ｉ　Ｒ（ｃｍ−’　）　　： ２９７０〜２８８０，２５５０．１６００゜１５００．
１２８５．１２４５．１１０５゜（工程３） ３−（ｐ−ｎ−７”シルオキシフェニル）チオプロピオ
ン酸Ｓ−４’−（２−エトキシプロポキシ）フェニルエ
ステル。

３−（ｐ−ｎ−７’シルオキシフエニル）プロピオン酸
２．０ｇに、Ｉｉ！化チオニル５　ｔａｎを加え、４時
間還流した。減圧下に過剰の塩化千オニルを留去して酸
塩化物を得た０次に４−（２−エトキシプロポキシ）フ
ェニルチオール１．３９ｇをピリジン８　履見に溶解し
、この溶液中に、上記酸塩化物のトルエン１０　　ＩＩ
＋ｕ溶液を５℃以下で滴下した０滴下後室温で２００時
間攪拌、氷水中にあけた。有ａ居を分離し、水層を、酢
酸エチルで抽出し、前記有機層とあわせ、５％１１Ｘ酸
水溶液で２回、水で１回、５％ＮａＯＨ水溶液で１回、
木で２回の順で洗浄し、芒硝で乾燥した。溶媒留去し、
シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ｎ−ヘキサン：
酢酸エチル＝ｌＯ：３）で精製し、２．２ｇの結晶を得
た。これをエタノール溶媒中で活性炭処理し、３−（ｐ
−ｎ−デシルオキシフェニル）チオプロピオン酸Ｓ−４
’−（２−エトキシプロポキシ）フェニル１．１５ｇを
ず！ｔた。

Ｉ　Ｒ（ｃｍ−’）　　： ２９７０〜２８６０．１７２０．１５３０゜１２８０〜
１２６０．１０５０．８４０゜相転移温度（℃） 同様にして下記の化合物が合成される。

３−（ｐ−ｎ−オクチルオキシフェニル）チオプロピオ
ン酸−３−４’−（２−ブチルオキシプロポキシ）フェ
ニル、３−（ｐ−ｎ−へブチルオキシフェニル）チオプ
ロピオン酸−５−４’−（２−ペンチルオキシプロポキ
シ）フェニル、３−（ｐ−ｎ−デシルオキシフェニル）
チオプロピオン酸−５−４’−（２−オクチルオキシプ
ロポキシ）フェニル、３−（ｐ−ｎ−オクチルオキシフ
ェニル）チオプロピオン酸−５−４’−（２−オクチル
オキシプロポキシ）フェニＪＬ／、３−（Ｐ−ｎ−デシ
ルオキシフェニル）チオプロピオン酸−５−４’−（２
−エチルオキシプロポキシ）フェニル、３−（ｐ−ｎ−
オクチルオキシフェニル）チオプロピオン酸−５−４’
−（４−エチルオキシペンチルオキシ）フェニル、３−
（ｐ−ｎ−デシルオキシフェニル）チオプロピオン１１
−３−４”−（ペンチルオキシペンチルオキシ）フェニ
ル、４−ｎ−デシルオキシチオケイ皮酸−３−４’−（
２−エチルオキシプロピルオキシ）フェニル、４−ｎ−
オクチルオキシチオケイ皮酸−５−４’−（４−プチル
オキシペンチルオ竿シ）フェニル。

几五旦」 リクンンＧＲ−６３（チッソ製ビフェニル液晶混合物）
９９重量部に３−（ｐ−ｎ−デシルオキシフェニル）プ
ロピオン酸−４’−（２−エトキシプロポキシ）フェニ
ルを１重量部を加えた液晶混合物を使用したＴＮセルは
、この光学活性な３−（ｐ−ｎ−デシルオキシフェニル
）プロピオン酸−４”−（２−エトキシプロポキシ）フ
ェニルを添加しないで製造したＴＮセルに比較してリバ
ースドメインが大幅に減少していることがｒ５１　Ｋ（
された。

実」日ｙ 交差した帯状のＩＴＯで形成した対向マトリクス電極の
それぞれに１０００人の膜厚を有するポリイミド膜（ピ
ロメリット酸無水物と４．４′−ジアミノジフェニルエ
ーテルとの結合物からなるポリアミック酸樹脂の５重量
％Ｎ−メチルピロリドン溶液を塗布し、２５０°Ｃの温
度で加熱閉環反応により形成した）を設け、このポリイ
ミド膜の表面を互いに平行になる様にラビングし、セル
厚を１７Ｌにしたセルを作成した。

次いで、下記組成物Ａを等１相下で前述のセル中に真空
注入法によって注入し、封口した。しかる後に、徐冷（
１’ｃ／時間）によってＳｍｃ”の液晶セルを作成した
。

液晶組成物Δユ ５重量％ １５玉量％ ５玉量％ この液晶セルの両側にクロスニコルの偏光子と検光子を
配置し、対向マトリクス電極間に第４図及び第５図に示
す波形の信号を印加した。この際、走査信号は第４図（
＆）に示す＋８ボルトと一８ボルトの交番波形とし、書
込み情報は、それぞれ＋４ボルトと一４ボルトとした。

また、ｌフレー　ｔ、　ｌｌｌ１間を３０ｍａｓｅｃと
した。

この結果、この液晶素子は前述のメモリー駆動型時分１
１．ｌＩ駆動を行なっても、書込み状態は、何ら反転す
ることなく正常な動画表示が得られた。

皿紋狙」 実施例６の液晶素子を作成する際に用いた液晶組成物中
の、前述の一般式（Ｉ）で示される光学活性な液晶性化
合物を省略した下記の比較用液晶Ｂを：Ａ製し、比較用
液晶を用いて液晶−に子を作成した。これらの液晶素子
を１ｉｔ述と同様の方法で駆２９ｊさせたが、反転現象
を生じているために、正常な動１ｉｊＩｉが表示されな
かった。

止り■配置」

【図面の簡単な説明】

第１図および第２図は１本発明で用いる時分割駆動用液
晶素子を模式的に表わす斜視図、第３図は、本発明で用
いるマトリクス電極構造の平面図、第４図（ａ）〜（ｄ
）は、マトリクス電極に印加する電気信号を表わす説明
図、第５図（ａ）〜（ｄ）は、マトリクス電極間に付与
された電圧の波形を表わす説明図、第６図は、本発明の
液晶素子に印加する電気信号を表わしたタイムチャート
の説明図である。 １１ａ、１ｌｂ＝＝基板。 １２・・・液晶分子層、 １３・・・液晶分子。 １４・・・双極子モーメント（Ｐよ）。 ２３ａ・・・第１の安定状態、 ２３ｂ・・・第２の安定状態、 ２４ａ・・・上向き双極子モーメント。 ２４ｂ・・・下向き双極子モーメント、３１・・・セル
、 ３２・・・（ｓ、、Ｓ２．３３．　　・・・）・・・走
査電極群、 ３３・・・（Ｉｌ、Ｉ２．ｒ３、・・・）・・・信号電
極群。 某　ｆ　図 第　２　図 ３３ａ号電極群 ＩＩ　　１２　１３　１４　１５　−−−−渠　３　図 品　４　図 （灼　　　　第　５　図

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、Ｒは炭素数１〜１８のアルキル基を示し、Ｃ
   ＾＊は不斉炭素原子を示す、Ｒ＾１は炭素数４〜１８の
   アルキル基もしくはアルコキシ基を示す、Ｘは−ＣＨ＿
   ２−ＣＨ＿２−もしくは−ＣＨ＝ＣＨ−を示し、Ｚは−
   Ｏ−もしくは−Ｓ−を示す。ｎは０または１を示し、ｌ
   は０または１、ｍは１〜８を示す。） で表わされる光学活性な液晶性化合物。 ２、下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、Ｒは炭素数１〜１８のアルキル基を示し、Ｃ
   ＾＊は不斉炭素原子を示す、Ｒ＾１は炭素数４〜１８の
   アルキル基もしくはアルコキシ基を示す。Ｘは−ＣＨ＿
   ２−ＣＨ＿２−もしくは−ＣＨ＝ＣＨ−を示し、Ｚは−
   Ｏ−もしくは−Ｓ−を示す。ｎは０または１を示し、ｌ
   は０または１、ｍは１〜８を示す。） で表わされる光学活性な液晶性化合物を少なくとも１種
   類含有することを特徴とする液晶組成物。 ３、下記一般式（ I ） ▲数式、化学式、表等があります▼（ I ） （ただし、Ｒは炭素数１〜１８のアルキル基を示し、Ｃ
   ＾＊は不斉炭素原子を示す、Ｒ＾１は炭素数４〜１８の
   アルキル基もしくはアルコキシ基を示す。Ｘは−ＣＨ＿
   ２−ＣＨ＿２−もしくは−ＣＨ＝ＣＨ−を示し、Ｚは−
   Ｏ−もしくは−Ｓ−を示す。ｎは０または１を示し、ｌ
   は０または１、ｍは１〜８を示す。） で表わされる光学活性な液晶性化合物を少なくとも１種
   類含有する液晶組成物を使用することを特徴とする液晶
   素子。