JPS6361121U - - Google Patents

Description

【図面の簡単な説明】

第１図はこの考案の半導体製造装置の一実施例
に用いられるシリンダの斜視図、第２図は上記シ
リンダを用いてのメルト注入工程を示す断面図、
第３図は従来の半導体製造装置の外観斜視図、第
４図は従来の装置による結晶成長を示す各工程毎
の断面図である。 ３……スライダ、５……成長槽、８……ピスト
ン、９……メルト、２１……シリンダ、２２……
突部、２３……メルト注入口。

Claims (1)

1. 【実用新案登録請求の範囲】 半導体基板をセツトしたスライダ上に定位置の
   成長槽内に収容してシリンダを配置し、このシリ
   ンダ内に結晶成長用のメルトを収容し、その上に
   ピストンを配置し、このピストンを押えたまま前
   記シリンダを上昇させることにより、該シリンダ
   の底部中心のメルト注入口からシリンダとスライ
   ダ間にメルトを注入し、その後、シリンダを下降
   させることによりシリンダの底部でメルトをスラ
   イダに押し付け、その状態でスライダをスライド
   させ、半導体基板をメルトに接触させることによ
   り該半導体基板に対する結晶成長を行うようにし
   た半導体製造装置において、 前記シリンダは底部内面中央部に突部を有し、
   その突部の中心に底部下面に貫通する前記メルト
   注入口を有することを特徴とする半導体製造装置
   。