JPS6362833B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6362833B2 JPS6362833B2 JP56179698A JP17969881A JPS6362833B2 JP S6362833 B2 JPS6362833 B2 JP S6362833B2 JP 56179698 A JP56179698 A JP 56179698A JP 17969881 A JP17969881 A JP 17969881A JP S6362833 B2 JPS6362833 B2 JP S6362833B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic bubble
- magnetic
- transfer
- basic
- transfer element
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0808—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
- G11C19/0816—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using a rotating or alternating coplanar magnetic field
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は磁気バブルメモリ素子に係わり、特に
高密度形磁気バブルメモリ素子に好適な基本転送
素子の改良に関するものである。
高密度形磁気バブルメモリ素子に好適な基本転送
素子の改良に関するものである。
従来より磁気バブルメモリ素子に採用されてい
る磁気バブル転送用基本転送素子は、数Mbに高
度化された磁気バブルメモリ素子において、単に
比例縮小して用いただけでは基本転送素子の表面
積が小さくなりすぎ、充分な磁気バブル駆動力を
得ることができず、したがつて磁気バブルが基本
転送素子上を充分に転送できないという問題があ
つた。
る磁気バブル転送用基本転送素子は、数Mbに高
度化された磁気バブルメモリ素子において、単に
比例縮小して用いただけでは基本転送素子の表面
積が小さくなりすぎ、充分な磁気バブル駆動力を
得ることができず、したがつて磁気バブルが基本
転送素子上を充分に転送できないという問題があ
つた。
第１図ａ，ｂは従来より採用されている非対称
シエブロン形、ハーフデイスク形基本転送素子を
高密度化した磁気バブルメモリ素子用として単に
比例縮小した平面図である。これらの図におい
て、１はパーマロイ等の磁性金属薄膜パターンで
形成された基本転送素子であり、これらの基本転
送素子１は図示しない磁気バブルの転送方向の長
さＬおよび転送方向と直角方向の長さＨを有する
単位面積内に脚部１ａ，１ｂおよび胴部１ｃとか
らなるパターンで形成され、そして磁気バブルの
平均直径をＤとしたとき、脚部１ａの幅ＡはＡ≦
Ｄ／２、脚部１ｂの幅ＢはＢ≧Ｄ／２を有し、ま
た、脚部１ａ，１ｂおよび胴部１ｃで囲まれた間
隙部Ｅの直角方向の長さＩはＩ≧Ｄ／２、胴部１
ｃの直角方向のパターンの長さＷはＷ≦Ｄの寸法
を有してそれぞれ形成されている。この場合、上
記磁気バブルの平均直径Ｄは、第２図に示すよう
に基本転送素子１の温度が約30℃のとき、磁気バ
ブルがランアウトする直前の磁気バブル径D1と
消滅する直前のバブル径D2との平均値（D1＋
D2）／２とした場合である。
シエブロン形、ハーフデイスク形基本転送素子を
高密度化した磁気バブルメモリ素子用として単に
比例縮小した平面図である。これらの図におい
て、１はパーマロイ等の磁性金属薄膜パターンで
形成された基本転送素子であり、これらの基本転
送素子１は図示しない磁気バブルの転送方向の長
さＬおよび転送方向と直角方向の長さＨを有する
単位面積内に脚部１ａ，１ｂおよび胴部１ｃとか
らなるパターンで形成され、そして磁気バブルの
平均直径をＤとしたとき、脚部１ａの幅ＡはＡ≦
Ｄ／２、脚部１ｂの幅ＢはＢ≧Ｄ／２を有し、ま
た、脚部１ａ，１ｂおよび胴部１ｃで囲まれた間
隙部Ｅの直角方向の長さＩはＩ≧Ｄ／２、胴部１
ｃの直角方向のパターンの長さＷはＷ≦Ｄの寸法
を有してそれぞれ形成されている。この場合、上
記磁気バブルの平均直径Ｄは、第２図に示すよう
に基本転送素子１の温度が約30℃のとき、磁気バ
ブルがランアウトする直前の磁気バブル径D1と
消滅する直前のバブル径D2との平均値（D1＋
D2）／２とした場合である。
このように構成された基本転送素子１は、図示
しない面内回転磁界の作用により、磁気バブルが
脚部１ｂ、胴部１ｃ、脚部１ａの順に回転し、所
定の間隔Ｇで配列された各基本転送素子１間を順
次転送される。
しない面内回転磁界の作用により、磁気バブルが
脚部１ｂ、胴部１ｃ、脚部１ａの順に回転し、所
定の間隔Ｇで配列された各基本転送素子１間を順
次転送される。
しかしながら、上記構成による基本転送素子
は、磁気バブルメモリ素子の数Mbの高密度化に
対して基本転送素子１の形状が極めて小さくなる
とともに、表面積も小さくなり、すなわち容量が
小さくなるため、定格の回転磁界を与えても実用
上充分な磁気バブル吸引力が得られず、したがつ
て、基本転送素子１上に磁気バブルが転送しにく
くなつて、転送誤動作を発生させ、磁気バブル転
送特性を低下させるという欠点があつた。
は、磁気バブルメモリ素子の数Mbの高密度化に
対して基本転送素子１の形状が極めて小さくなる
とともに、表面積も小さくなり、すなわち容量が
小さくなるため、定格の回転磁界を与えても実用
上充分な磁気バブル吸引力が得られず、したがつ
て、基本転送素子１上に磁気バブルが転送しにく
くなつて、転送誤動作を発生させ、磁気バブル転
送特性を低下させるという欠点があつた。
したがつて本発明は上記従来の欠点に鑑みてな
されたものであり、その目的とするところは、磁
気バブルメモリ素子を高密度化しても磁気バブル
を安定に転送可能にした基本転送素子を有する磁
気バブルメモリ素子を提供することにある。
されたものであり、その目的とするところは、磁
気バブルメモリ素子を高密度化しても磁気バブル
を安定に転送可能にした基本転送素子を有する磁
気バブルメモリ素子を提供することにある。
以下図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明
する。
する。
本発明は、本発明者らが種々の実験、検討を操
り返し行なつた結果、上記転送誤動作は、主に磁
気バブルが基本転送素子１相互間の間隔Ｇ（第１
図参照）を渡るときにこの間隔Ｇ部を正常に渡る
ことができずに消滅する場合と、基本転送素子１
の胴部背高部１c′（第１図参照）で磁気バブルが
消滅する場合との２つ現象の発生に起因している
ことを見い出し、これに着目して、これらいずれ
の場合においても、基本転送素子１の磁気バブル
転送方向と直角方向の長さＨおよび胴部１ｃの直
角方向の長さＷを大きくすることによつて、基本
転送素子１の配列相互間の間隔Ｇおよび基本転送
素子１の胴部背高部１c′に生ずる磁気バブル吸引
力を増大させ、磁気バブルを常に転送可能にした
ものである。
り返し行なつた結果、上記転送誤動作は、主に磁
気バブルが基本転送素子１相互間の間隔Ｇ（第１
図参照）を渡るときにこの間隔Ｇ部を正常に渡る
ことができずに消滅する場合と、基本転送素子１
の胴部背高部１c′（第１図参照）で磁気バブルが
消滅する場合との２つ現象の発生に起因している
ことを見い出し、これに着目して、これらいずれ
の場合においても、基本転送素子１の磁気バブル
転送方向と直角方向の長さＨおよび胴部１ｃの直
角方向の長さＷを大きくすることによつて、基本
転送素子１の配列相互間の間隔Ｇおよび基本転送
素子１の胴部背高部１c′に生ずる磁気バブル吸引
力を増大させ、磁気バブルを常に転送可能にした
ものである。
以下図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明
する。
する。
第３図および第４図は本発明による磁気バブル
メモリ素子の一例を説明するための基本転送素子
を示す平面図であり、第３図は非対称シエブロン
パターン、第４図はハーフデイスクパターンをそ
れぞれ用いた例を示したものである。これらの図
において、磁気バブル転送方向の長さをＬ、磁気
バブル転送方向と直角方向の長さをＨ、同様にほ
ぼ中央胴部のパターン長をＷとしたき、Ｌを一定
とし、同図ａ，ｂ，ｃの順序にしたがつて上記各
長さを順次大きくして基本転送素子を形成したも
のである。すなわち、第３図ａ，第４図ａに示し
た従来の基本転送素子１の各パターン長をＨ＝
H1，Ｗ＝W1として、ＨはH1＜H2＜H3，ＷはW1
＜W2＜W3となるようにＬを一定としたパターン
形状の大きい基本転送素子１′，１″を形成したも
のである。この場合、このＨとＷを各種変化させ
て磁気バブル転送特性を実験的に求めた結果、第
５図に示すようなデータが得られた。すなわち、
同図において横軸にＨ／Ｌ、縦軸にバイアス磁界
マージンΔHBをとり、Ｗをパラメータとして各
種のマージンを測定した。同図から明らかなよう
に、ＨおよびＷを増大させるのに伴ない基本転送
素子１′，１″（第３図，第４図参照）のパターン
表面積が増加するので、磁気バブル駆動力が大き
くなり、したがつてバイアス磁界マージンΔHB
が増大することがわかる。そして、従来の基本転
送素子１は、同図に斜線部で示すようにＨ
0.75L，Wa0.35Lの範囲内の領域Ｐであるため、
磁気バブル駆動力が小さく、したがつて磁気バブ
ル転送マージンΔHBが約16ｅ以下と小さくな
つている。また、同図において、Ｈ＞1.1×Ｌと
なると、バイアス磁界マージンΔHBが急激に減
少するが、これは隣接するループ間との距離が近
接しすぎて磁気バブル間の相互作用および隣接す
る基本転送素子１間の磁気的干渉が大きくなるこ
とに起因している。通常、この隣接する転送路の
基本転送素子１の間隔Ｍは第６図に示すように４
Ｄ〜８Ｄの範囲に選定され、この例ではＭ＝５Ｄ
に設定して測定したものである。また、Wb＝
0.55×Ｌとなると、Ｈ0.75×Ｌでは、バイアス
磁界マージンΔHBは零（ΔHB＝０）となり、さ
らにWc＝0.65×Ｌとなると、Ｈ0.85×Ｌで同
様にバイアス磁界ΔHBが零（ΔHB＝０）となる。
これは基本転送素子１′，１″に形成された間隙部
Ｅ（第３図，第４図参照）の直角方向の長さI2，
I3が小さくなりすぎ、磁気バブルが転送中にこの
間隙部Ｅ内に誤つて侵入するために生じたもので
ある。以上説明したことから、本発明に係わる基
本転送素子の形状の領域としては、第５図にドツ
トで示した領域Ｑの範囲、すなわちＨを0.75×Ｌ
Ｈ1.1×Ｌ，Ｗを0.35×ＬＷ0.65×Ｌの範
囲に設定することによつて、所要のバイアス磁界
マージンΔHBを有する磁気バブル基本転送素子
を得ることができる。
メモリ素子の一例を説明するための基本転送素子
を示す平面図であり、第３図は非対称シエブロン
パターン、第４図はハーフデイスクパターンをそ
れぞれ用いた例を示したものである。これらの図
において、磁気バブル転送方向の長さをＬ、磁気
バブル転送方向と直角方向の長さをＨ、同様にほ
ぼ中央胴部のパターン長をＷとしたき、Ｌを一定
とし、同図ａ，ｂ，ｃの順序にしたがつて上記各
長さを順次大きくして基本転送素子を形成したも
のである。すなわち、第３図ａ，第４図ａに示し
た従来の基本転送素子１の各パターン長をＨ＝
H1，Ｗ＝W1として、ＨはH1＜H2＜H3，ＷはW1
＜W2＜W3となるようにＬを一定としたパターン
形状の大きい基本転送素子１′，１″を形成したも
のである。この場合、このＨとＷを各種変化させ
て磁気バブル転送特性を実験的に求めた結果、第
５図に示すようなデータが得られた。すなわち、
同図において横軸にＨ／Ｌ、縦軸にバイアス磁界
マージンΔHBをとり、Ｗをパラメータとして各
種のマージンを測定した。同図から明らかなよう
に、ＨおよびＷを増大させるのに伴ない基本転送
素子１′，１″（第３図，第４図参照）のパターン
表面積が増加するので、磁気バブル駆動力が大き
くなり、したがつてバイアス磁界マージンΔHB
が増大することがわかる。そして、従来の基本転
送素子１は、同図に斜線部で示すようにＨ
0.75L，Wa0.35Lの範囲内の領域Ｐであるため、
磁気バブル駆動力が小さく、したがつて磁気バブ
ル転送マージンΔHBが約16ｅ以下と小さくな
つている。また、同図において、Ｈ＞1.1×Ｌと
なると、バイアス磁界マージンΔHBが急激に減
少するが、これは隣接するループ間との距離が近
接しすぎて磁気バブル間の相互作用および隣接す
る基本転送素子１間の磁気的干渉が大きくなるこ
とに起因している。通常、この隣接する転送路の
基本転送素子１の間隔Ｍは第６図に示すように４
Ｄ〜８Ｄの範囲に選定され、この例ではＭ＝５Ｄ
に設定して測定したものである。また、Wb＝
0.55×Ｌとなると、Ｈ0.75×Ｌでは、バイアス
磁界マージンΔHBは零（ΔHB＝０）となり、さ
らにWc＝0.65×Ｌとなると、Ｈ0.85×Ｌで同
様にバイアス磁界ΔHBが零（ΔHB＝０）となる。
これは基本転送素子１′，１″に形成された間隙部
Ｅ（第３図，第４図参照）の直角方向の長さI2，
I3が小さくなりすぎ、磁気バブルが転送中にこの
間隙部Ｅ内に誤つて侵入するために生じたもので
ある。以上説明したことから、本発明に係わる基
本転送素子の形状の領域としては、第５図にドツ
トで示した領域Ｑの範囲、すなわちＨを0.75×Ｌ
Ｈ1.1×Ｌ，Ｗを0.35×ＬＷ0.65×Ｌの範
囲に設定することによつて、所要のバイアス磁界
マージンΔHBを有する磁気バブル基本転送素子
を得ることができる。
具体例として、磁気バブルメモリ素子に必要な
転送マージンΔHBを約36ｅと仮定すると、基
本転送素子１″相互間の間隔Ｇ＝1μm、平均バブ
ル径Ｄ＝2μmとした場合、Ｌ＝5μm，Ａ＝1μm，
Ｂ＝1.2μm，Ｗ＝2.3μm，Ｈ＝4.8μmの非対称シ
エブロンパターンからなる磁気バブル転送路を形
成すると良いことがわかつた。この場合、このパ
ターン形状は第３図Ｃに示す基本転送素子１″に
相当し、さらに第５図に示す領域Ｑ内のＸ点に対
応している。
転送マージンΔHBを約36ｅと仮定すると、基
本転送素子１″相互間の間隔Ｇ＝1μm、平均バブ
ル径Ｄ＝2μmとした場合、Ｌ＝5μm，Ａ＝1μm，
Ｂ＝1.2μm，Ｗ＝2.3μm，Ｈ＝4.8μmの非対称シ
エブロンパターンからなる磁気バブル転送路を形
成すると良いことがわかつた。この場合、このパ
ターン形状は第３図Ｃに示す基本転送素子１″に
相当し、さらに第５図に示す領域Ｑ内のＸ点に対
応している。
なお、上記実施例において、基本転送素子は第
７図ａ，ｂに示したような非対称シエブロンパタ
ーン、ハーフデイスクパターンを用いた場合につ
いて説明したが、本発明はこれらのパターン形状
に限定されるものではなく、同図Ｃに示す対称ハ
ーフデイスクパターン、同図ｄに示す変形非対称
シエブロンパターンを用いても前述と全く同様の
効果が得られることは勿論である。
７図ａ，ｂに示したような非対称シエブロンパタ
ーン、ハーフデイスクパターンを用いた場合につ
いて説明したが、本発明はこれらのパターン形状
に限定されるものではなく、同図Ｃに示す対称ハ
ーフデイスクパターン、同図ｄに示す変形非対称
シエブロンパターンを用いても前述と全く同様の
効果が得られることは勿論である。
以上説明したように本発明による磁気バブルの
基本転送素子によれば、磁気バブルメモリ素子の
高密度化に対して実用上充分な磁気バブル駆動力
が得られるので、磁気バブルを安定して転送する
ことができ、充分な転送マージンを有する磁気バ
ブルメモリ素子が得られるという極めて優れた効
果を有する。
基本転送素子によれば、磁気バブルメモリ素子の
高密度化に対して実用上充分な磁気バブル駆動力
が得られるので、磁気バブルを安定して転送する
ことができ、充分な転送マージンを有する磁気バ
ブルメモリ素子が得られるという極めて優れた効
果を有する。
第１図ａ，ｂは非対称シエブロン形、ハーフデ
イスク形基本転送素子の一例を示す平面図、第２
図は平均バブル径Ｄを説明する図、第３図、第４
図は非対称シエブロン形、ハーフデイスク形基本
転送素子のパターン形状を変化させる方法を示す
平面図、第５図は基本転送素子の磁気バブル転送
方向と直角方向の長さＨ，Ｗを各種変化させて磁
気バブル転送マージンを測定した一例を示す特性
図、第６図は基本転送素子を用いた転送路の一例
を示す図、第７図ａ〜ｄは基本転送素子の他の実
施例を示す平面図である。 １，１′，１″…基本転送素子。
イスク形基本転送素子の一例を示す平面図、第２
図は平均バブル径Ｄを説明する図、第３図、第４
図は非対称シエブロン形、ハーフデイスク形基本
転送素子のパターン形状を変化させる方法を示す
平面図、第５図は基本転送素子の磁気バブル転送
方向と直角方向の長さＨ，Ｗを各種変化させて磁
気バブル転送マージンを測定した一例を示す特性
図、第６図は基本転送素子を用いた転送路の一例
を示す図、第７図ａ〜ｄは基本転送素子の他の実
施例を示す平面図である。 １，１′，１″…基本転送素子。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 磁気バブルの平均直径をＤとし、前記磁気バ
ブルの転送方向の長さＬを3.5D以下とした磁気
バブル基本転送素子を具備してなる磁気バブルメ
モリ素子において、前記基本転送素子の磁気バブ
ル転送方向と直角方向の長さＨを、0.75×ＬＨ
1.1×Ｌの範囲となるように形成したことを特
徴とする磁気バブルメモリ素子。 ２ 該基本転送素子のほぼ中央部で磁気バブル転
送方向と直角方向のパターン長Ｗを、0.35×Ｌ
Ｗ0.65×Ｌの範囲としたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の磁気バブルメモリ素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56179698A JPS5883385A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 磁気バブルメモリ素子 |
| US06/439,807 US4470132A (en) | 1981-11-11 | 1982-11-08 | Magnetic bubble memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56179698A JPS5883385A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5883385A JPS5883385A (ja) | 1983-05-19 |
| JPS6362833B2 true JPS6362833B2 (ja) | 1988-12-05 |
Family
ID=16070304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56179698A Granted JPS5883385A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4470132A (ja) |
| JP (1) | JPS5883385A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60258790A (ja) * | 1984-06-06 | 1985-12-20 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5870478A (ja) * | 1981-10-21 | 1983-04-26 | Hitachi Ltd | 磁気バルブメモリ素子 |
-
1981
- 1981-11-11 JP JP56179698A patent/JPS5883385A/ja active Granted
-
1982
- 1982-11-08 US US06/439,807 patent/US4470132A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5883385A (ja) | 1983-05-19 |
| US4470132A (en) | 1984-09-04 |
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