JPS5883385A - 磁気バブルメモリ素子 - Google Patents
磁気バブルメモリ素子Info
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- JPS5883385A JPS5883385A JP56179698A JP17969881A JPS5883385A JP S5883385 A JPS5883385 A JP S5883385A JP 56179698 A JP56179698 A JP 56179698A JP 17969881 A JP17969881 A JP 17969881A JP S5883385 A JPS5883385 A JP S5883385A
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- magnetic
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- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0808—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation
- G11C19/0816—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure using magnetic domain propagation using a rotating or alternating coplanar magnetic field
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明拡磁気バブルメモリ、素子に係わル、特に高密度
形磁気バブルメモリ素子に好適な基本転送素子の改良に
関するものであ、る。
形磁気バブルメモリ素子に好適な基本転送素子の改良に
関するものであ、る。
従来より磁気バブルメモリ、素子に採用されている磁気
バブル転送用基本転送素子は、数Ｍｂに高密度化された
磁気パズルメモリ素子において、単に比例縮小して用い
ただけでは基本転送素子の表面積が小さくな〕すぎ、充
分な磁気パズル駆動力を得るととができず、したがって
磁気パズルが基本転送素子上を充分に転送できないとい
う問題があった。
バブル転送用基本転送素子は、数Ｍｂに高密度化された
磁気パズルメモリ素子において、単に比例縮小して用い
ただけでは基本転送素子の表面積が小さくな〕すぎ、充
分な磁気パズル駆動力を得るととができず、したがって
磁気パズルが基本転送素子上を充分に転送できないとい
う問題があった。
第１図（、） 、 ｈ’）は従来より採用されている非
対称シエブ胃ン形、へ−７デイスク形基本転送素子を高
密度化した磁気パズルメモリ素子用として単に比例縮小
した平面図である０これらの図において、１はパーマ胃
イ等の磁性金属薄膜バター／で形成された基本転送素子
であシ、これらの基本転送素子１拡図示しない磁気バブ
ルの転送方向の長さＬおよび転送方向と直角方向の長屯
旦を有する単位面積内に脚部１ａ＊ １におよび胴部１
０とからなるパターンで形成され、そして磁気パズルの
平均直径をＤとしたとき、脚部１ａの幅ＡはＡ ＜ Ｄ
／２、脚部１１１０幅１１ＦｉＢ＞Ｄ／２を有し、また
、脚部１ｍ 、１ｂＴｈよび胴部１Ｃで囲まれた間隙部
Ｅの直角方向の長さ工はＩ≧Ｄ／２ 、胴部１Ｃの直角
方向のパターンの長さＷはＷ＜Ｄの寸法を有してそれぞ
れ形成されている０この場合、上記磁気バブルの平均直
１１Ｄは、第２図に示すように基本転送素子１の温度が
約３０℃のと亀、磁気バブルが２′ンアウトする直前の
磁気バブル径Ｄ１と消滅する直前のパズル径Ｄ！との平
均値ＣＤＩ ＋ＤＩ ）／２とした場合であるＯ このように構成された基本転送素子１は、図示しない面
内回転磁界の作用によシ、磁気バブルが脚部１ｂ を胴
部１ｃ、脚部１ａの順に回転し、所定の間隔Ｇで配列さ
れた各基本転送素子１間を順次転送される０ しかしながら、上記構成による基本転送素子は、磁気バ
ブルメモリ素子の数Ｍｂの高密度化に対して基本転送素
子丁、の形状が極めて小さくなるとともに、表面積も小
さくまり、すなわち容量が小さくなるため、定格の回転
磁界を与えても実用上充分な磁気バブル吸引力が得られ
ず、したがって、基本転送素子１上に磁気バブルが転送
しにくくなって、転送誤動作を発生させ、磁気バブル転
送特性を低下させるという欠点があった。
対称シエブ胃ン形、へ−７デイスク形基本転送素子を高
密度化した磁気パズルメモリ素子用として単に比例縮小
した平面図である０これらの図において、１はパーマ胃
イ等の磁性金属薄膜バター／で形成された基本転送素子
であシ、これらの基本転送素子１拡図示しない磁気バブ
ルの転送方向の長さＬおよび転送方向と直角方向の長屯
旦を有する単位面積内に脚部１ａ＊ １におよび胴部１
０とからなるパターンで形成され、そして磁気パズルの
平均直径をＤとしたとき、脚部１ａの幅ＡはＡ ＜ Ｄ
／２、脚部１１１０幅１１ＦｉＢ＞Ｄ／２を有し、また
、脚部１ｍ 、１ｂＴｈよび胴部１Ｃで囲まれた間隙部
Ｅの直角方向の長さ工はＩ≧Ｄ／２ 、胴部１Ｃの直角
方向のパターンの長さＷはＷ＜Ｄの寸法を有してそれぞ
れ形成されている０この場合、上記磁気バブルの平均直
１１Ｄは、第２図に示すように基本転送素子１の温度が
約３０℃のと亀、磁気バブルが２′ンアウトする直前の
磁気バブル径Ｄ１と消滅する直前のパズル径Ｄ！との平
均値ＣＤＩ ＋ＤＩ ）／２とした場合であるＯ このように構成された基本転送素子１は、図示しない面
内回転磁界の作用によシ、磁気バブルが脚部１ｂ を胴
部１ｃ、脚部１ａの順に回転し、所定の間隔Ｇで配列さ
れた各基本転送素子１間を順次転送される０ しかしながら、上記構成による基本転送素子は、磁気バ
ブルメモリ素子の数Ｍｂの高密度化に対して基本転送素
子丁、の形状が極めて小さくなるとともに、表面積も小
さくまり、すなわち容量が小さくなるため、定格の回転
磁界を与えても実用上充分な磁気バブル吸引力が得られ
ず、したがって、基本転送素子１上に磁気バブルが転送
しにくくなって、転送誤動作を発生させ、磁気バブル転
送特性を低下させるという欠点があった。
したがって本発明は上記従来の欠点に鑑みてなされたも
のであ夛、その目的とするところは、磁気パプルメ篭り
素子を高密度化しても磁気バブルを安定に転送可能ＫＬ
九基本転送素子を有する磁気パプルメ毫す素子を提供す
ることにある０以下図面を用いて本発明の実施例を詳細
に説明する◇ 本発明は、本発明者らが種々の実験、検討を繰）返し行
なった結果、上記転送誤動作は、主Ｋａ気バブルが基本
転送素子１相互間の間隔Ｇ（第１図参照］を渡るときＫ
との間隔Ｇ部を正常に渡ることができずに消滅する場合
と、基本転送素子１０胴郁背織部１＠′（第′１図参照
〕で磁気パズルが消滅する″場合との２つ現象の発生に
起因していること管見Ｖ％出し、これに着目して、これ
らいずれの場合にシーても、基本転送素子１の磁気バブ
ル転送方向と直角方向の長さＨおよび胴部１Ｃの直角方
向Ｏ長１１１ｗを大ＩＩ＋・すゐととによって、基本転
送素子１の配列相互間の間隔Ｇおよび基本転送素子１の
胴部背高部１Ｃ′に生ずる磁気ノ（プル吸引力を増大さ
せ、磁気パズルを正常に転送可能くしたものである０ 以下図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する０ 第３図および第４図は本発明による磁気）（プルメモリ
素子の一例を説明するための基本転送素子を示す平面図
であり、第３図は非対称シエブｐンパターン、第４図は
ハーフディスクＩ（ターンをそれぞれ用いた例を示した
ものである０これらの図において、磁気パズル転送方向
の長さをり、１！１気バブル転送方向と直角方向の長さ
をＨ２同様に―ぼ中央胴部のパターン長をＷとしたとき
、Ｌを一定とし、同図（１） Ｉ （ｂ） ｔ （ａ）
の順序にしたがって上記各長さを順次大きくして基本転
送素子を形成し九ものである０すなわち、第３図（１）
、第４図（畠）に示した従来の基本転送素子１の各パタ
ーン長をＨ−Ｈｌ 、Ｗ窮Ｗｓ として、ＨＦ１ｌｔ
＜Ｈｚ ＜ｕｓ ＊ＷはＷｓ ＜Ｗｓ ＜Ｗｓ と
なるようＫＬを一定としたパターン形状の大暑い基本転
送素子［１，１１１を形成したものである。この場合、
とのＨとＷを各種変化させて磁気バブル転送特性を実験
的に求めた結果、第５図に示すようなデータが得られた
。
のであ夛、その目的とするところは、磁気パプルメ篭り
素子を高密度化しても磁気バブルを安定に転送可能ＫＬ
九基本転送素子を有する磁気パプルメ毫す素子を提供す
ることにある０以下図面を用いて本発明の実施例を詳細
に説明する◇ 本発明は、本発明者らが種々の実験、検討を繰）返し行
なった結果、上記転送誤動作は、主Ｋａ気バブルが基本
転送素子１相互間の間隔Ｇ（第１図参照］を渡るときＫ
との間隔Ｇ部を正常に渡ることができずに消滅する場合
と、基本転送素子１０胴郁背織部１＠′（第′１図参照
〕で磁気パズルが消滅する″場合との２つ現象の発生に
起因していること管見Ｖ％出し、これに着目して、これ
らいずれの場合にシーても、基本転送素子１の磁気バブ
ル転送方向と直角方向の長さＨおよび胴部１Ｃの直角方
向Ｏ長１１１ｗを大ＩＩ＋・すゐととによって、基本転
送素子１の配列相互間の間隔Ｇおよび基本転送素子１の
胴部背高部１Ｃ′に生ずる磁気ノ（プル吸引力を増大さ
せ、磁気パズルを正常に転送可能くしたものである０ 以下図面を用いて本発明の実施例を詳細に説明する０ 第３図および第４図は本発明による磁気）（プルメモリ
素子の一例を説明するための基本転送素子を示す平面図
であり、第３図は非対称シエブｐンパターン、第４図は
ハーフディスクＩ（ターンをそれぞれ用いた例を示した
ものである０これらの図において、磁気パズル転送方向
の長さをり、１！１気バブル転送方向と直角方向の長さ
をＨ２同様に―ぼ中央胴部のパターン長をＷとしたとき
、Ｌを一定とし、同図（１） Ｉ （ｂ） ｔ （ａ）
の順序にしたがって上記各長さを順次大きくして基本転
送素子を形成し九ものである０すなわち、第３図（１）
、第４図（畠）に示した従来の基本転送素子１の各パタ
ーン長をＨ−Ｈｌ 、Ｗ窮Ｗｓ として、ＨＦ１ｌｔ
＜Ｈｚ ＜ｕｓ ＊ＷはＷｓ ＜Ｗｓ ＜Ｗｓ と
なるようＫＬを一定としたパターン形状の大暑い基本転
送素子［１，１１１を形成したものである。この場合、
とのＨとＷを各種変化させて磁気バブル転送特性を実験
的に求めた結果、第５図に示すようなデータが得られた
。
すなわち、同図において横軸ＫＨ／Ｌ 、縦軸にバイア
ス磁界！−ジンノＭｌをとシ、Ｗをパラメータとして各
種のマージンを測定した。同図から明らかなように、Ｈ
およびＷを増大させるのに伴ない基本転送素子１’、１
”（第３図、第４図参照〕のパターン表面積が増加する
ので、磁気バブル駆動力が大きくなり、シたがってバイ
アス磁界！−ジンノＥｌが増大することがわかる。そし
て、従来０基本転送素子・１は、同図に斜線部で示すよ
うＫＨ＜０．７ Ｓ Ｉａ 、Ｗａ ＜０．３ Ｓ Ｌ
の範囲内の領域Ｐであるため、磁気パズル駆動力が小さ
く、シたがって磁気バブル転送マージンノＨＢ が約１
６００．−以下と小さ４〈なっている。また、同図にお
いて、Ｈ）１．ＩＸＬとなゐと、バイアス磁界マージン
ノＨａ が急激に減少するが、これは隣接するループ
間との距離が近接しすぎて磁気パズル関の相互作用およ
び隣接する基本転送素子１間の磁気的干渉が大きくなる
ことに起因している。通常、この隣接する転送路の基本
転送素子１の間隔Ｍは第６図に示すように４Ｄ〜８Ｄの
範囲に選定され、この例゛ではＭ＝５ＤＫ設定して測定
したものである。
ス磁界！−ジンノＭｌをとシ、Ｗをパラメータとして各
種のマージンを測定した。同図から明らかなように、Ｈ
およびＷを増大させるのに伴ない基本転送素子１’、１
”（第３図、第４図参照〕のパターン表面積が増加する
ので、磁気バブル駆動力が大きくなり、シたがってバイ
アス磁界！−ジンノＥｌが増大することがわかる。そし
て、従来０基本転送素子・１は、同図に斜線部で示すよ
うＫＨ＜０．７ Ｓ Ｉａ 、Ｗａ ＜０．３ Ｓ Ｌ
の範囲内の領域Ｐであるため、磁気パズル駆動力が小さ
く、シたがって磁気バブル転送マージンノＨＢ が約１
６００．−以下と小さ４〈なっている。また、同図にお
いて、Ｈ）１．ＩＸＬとなゐと、バイアス磁界マージン
ノＨａ が急激に減少するが、これは隣接するループ
間との距離が近接しすぎて磁気パズル関の相互作用およ
び隣接する基本転送素子１間の磁気的干渉が大きくなる
ことに起因している。通常、この隣接する転送路の基本
転送素子１の間隔Ｍは第６図に示すように４Ｄ〜８Ｄの
範囲に選定され、この例゛ではＭ＝５ＤＫ設定して測定
したものである。
また、Ｗｂ＝０．５５ＸＬとなると、Ｈ＜０．７ ｓ
ｘＬでは、バイアス磁界マージンｌＨ３は零（ｌ１ｌｓ
セ０）となり、さらにＷ＠冨０．６５ＸＬとなると、Ｈ
＜０．８５ＸＬで同様にバイアス磁界ｊＨ１が零（ΔＨ
１冨０）となる。これは基本転送素子１′。
ｘＬでは、バイアス磁界マージンｌＨ３は零（ｌ１ｌｓ
セ０）となり、さらにＷ＠冨０．６５ＸＬとなると、Ｈ
＜０．８５ＸＬで同様にバイアス磁界ｊＨ１が零（ΔＨ
１冨０）となる。これは基本転送素子１′。
１″に形成された間隙部Ｅ（第３図、第４図参照ンの直
角方向の長さｌ５−Ｉｓが小さくなシすぎ、磁気パズル
が転送中にこの間隙部Ｅ内に誤って侵入するために生じ
たものである。以上説明したことから、本発明に係わる
基本転送素子の形状の領域としては、第５図にドツトで
示した領域Ｑの範囲、すなわちＨを０．７５ ＸＬ＜Ｈ
＜１．Ｉ ＸＬ 、Ｗ〒 ″ を０．３５ ＸＬ＜Ｗ＜０．６５ ＸＬの範囲に設定す
るととＫよって、所要のバイアス磁界マージンノＭｌを
有する磁気バブル基本転送重子を得ることができる。
角方向の長さｌ５−Ｉｓが小さくなシすぎ、磁気パズル
が転送中にこの間隙部Ｅ内に誤って侵入するために生じ
たものである。以上説明したことから、本発明に係わる
基本転送素子の形状の領域としては、第５図にドツトで
示した領域Ｑの範囲、すなわちＨを０．７５ ＸＬ＜Ｈ
＜１．Ｉ ＸＬ 、Ｗ〒 ″ を０．３５ ＸＬ＜Ｗ＜０．６５ ＸＬの範囲に設定す
るととＫよって、所要のバイアス磁界マージンノＭｌを
有する磁気バブル基本転送重子を得ることができる。
具体例として、磁気バブルメモリ素子に必要な転送！−
ジン７Ｈ１を約３６０＠ と仮定すると、基本転送素子
１″相互間の間隔Ｑ Ｗ Ｉ Ｆ ＠ 、平均バブル１
１Ｄ＝２Ｊ１ｍとした場合、Ｌ−５μｍ、Ａｍ ｌ １
ｌｙ１ 、 Ｂｚ １．２声ｗｚ 、 Ｗｚ ２．
３ Ｆｍ 、 Ｈ＝ ４．８１１１ｍＯ非対称シエプ胃
ンパターンからなる磁気バブル転送路を形成すると良い
ことがわかった。こＯ場合、ζＯパターン形状線第３図
（０に示す基本転送素子１″に和尚し、さらに第５図に
示す領域Ｑ内０ＸＡＫ対応している。
ジン７Ｈ１を約３６０＠ と仮定すると、基本転送素子
１″相互間の間隔Ｑ Ｗ Ｉ Ｆ ＠ 、平均バブル１
１Ｄ＝２Ｊ１ｍとした場合、Ｌ−５μｍ、Ａｍ ｌ １
ｌｙ１ 、 Ｂｚ １．２声ｗｚ 、 Ｗｚ ２．
３ Ｆｍ 、 Ｈ＝ ４．８１１１ｍＯ非対称シエプ胃
ンパターンからなる磁気バブル転送路を形成すると良い
ことがわかった。こＯ場合、ζＯパターン形状線第３図
（０に示す基本転送素子１″に和尚し、さらに第５図に
示す領域Ｑ内０ＸＡＫ対応している。
′＆訃、上記実施例Ｋかいて、基本転送素子は第７図（
ａ） 、 （ｍ）Ｋ示したような非対称シエプ四ンパタ
ーン、バー７デイスクパターンを用いた場合について説
明したが、本発明はこれらのパターン形状ニブｍｙパタ
＾ンを用いても前述と全く同様の効果が得られる仁と唸
勿論である。
ａ） 、 （ｍ）Ｋ示したような非対称シエプ四ンパタ
ーン、バー７デイスクパターンを用いた場合について説
明したが、本発明はこれらのパターン形状ニブｍｙパタ
＾ンを用いても前述と全く同様の効果が得られる仁と唸
勿論である。
以上説明したように本発明による磁気バブルの基本転送
素子によれば、磁気バブルメモリ素子の高密度化に対し
て実用上充分な磁気バブル駆動力が得られるので、磁気
バブルを安定して転送することができ、充分な転送マー
ジンを有する磁気バブルメモリ素子が得られるという極
めて優れ九効果を有する。
素子によれば、磁気バブルメモリ素子の高密度化に対し
て実用上充分な磁気バブル駆動力が得られるので、磁気
バブルを安定して転送することができ、充分な転送マー
ジンを有する磁気バブルメモリ素子が得られるという極
めて優れ九効果を有する。
【図面の簡単な説明】
第１図（ａ） ｔ （ｂ）は非対称シェブロン形、ハー
フディスク形基本転送素子の一例を示す平面図、第２−
は平均バブル径りを説明する図、第３図、第４図社非対
称シェブロン形、ハーフディスク形基本転送素子のパタ
ーン形状を変化させる方法を示す平面図、第５図社基本
転送素子の磁気パズル転送方向と直角方向の長さＨ，Ｗ
を各種変化させて磁気パズル転送マージンを測定した一
例を示す特性図、第６図は基本転送素子を用いた転送路
の一例を示す図、第７図（１）〜（ｄ）Ｆ１基本転送素
子の他の実施例を示す平面図である。 １ 、１’ 、 １” ・・・・基本転送素子。 代理人 弁理士 町 １）利 幸 ６芹１１、第１図 第３図 第４図 （ａ） （ａ） （Ｃ） （ｃ） 第５図 腎 第６図 第７図
フディスク形基本転送素子の一例を示す平面図、第２−
は平均バブル径りを説明する図、第３図、第４図社非対
称シェブロン形、ハーフディスク形基本転送素子のパタ
ーン形状を変化させる方法を示す平面図、第５図社基本
転送素子の磁気パズル転送方向と直角方向の長さＨ，Ｗ
を各種変化させて磁気パズル転送マージンを測定した一
例を示す特性図、第６図は基本転送素子を用いた転送路
の一例を示す図、第７図（１）〜（ｄ）Ｆ１基本転送素
子の他の実施例を示す平面図である。 １ 、１’ 、 １” ・・・・基本転送素子。 代理人 弁理士 町 １）利 幸 ６芹１１、第１図 第３図 第４図 （ａ） （ａ） （Ｃ） （ｃ） 第５図 腎 第６図 第７図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、磁気バブルの平均直径をＤとし、前記磁気パズルの
転送方向の長さＬを３．５Ｄ以下とし九磁気バブル基本
転送素子を具備してなる磁気バブル〕そり素子において
、前記基本転送素子の磁気パズル転送方向と直角方向の
長さ■を、０．７５ＸＬ＜Ｈ≦１．ＩＸＬの範囲となる
ようく形成したことを特徴とする磁気パズルメモリ素子
。 λ 該基本転送素子のほぼ中央部で磁気バブル転送方向
と直角方向のパターン長Ｗを、０．３５ＸＬ＜Ｗ＜０．
６＄ＸＬの範囲としたことを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の磁気パプルメモダ素子０
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56179698A JPS5883385A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 磁気バブルメモリ素子 |
| US06/439,807 US4470132A (en) | 1981-11-11 | 1982-11-08 | Magnetic bubble memory device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56179698A JPS5883385A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 磁気バブルメモリ素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5883385A true JPS5883385A (ja) | 1983-05-19 |
| JPS6362833B2 JPS6362833B2 (ja) | 1988-12-05 |
Family
ID=16070304
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56179698A Granted JPS5883385A (ja) | 1981-11-11 | 1981-11-11 | 磁気バブルメモリ素子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4470132A (ja) |
| JP (1) | JPS5883385A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60258790A (ja) * | 1984-06-06 | 1985-12-20 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5870478A (ja) * | 1981-10-21 | 1983-04-26 | Hitachi Ltd | 磁気バルブメモリ素子 |
-
1981
- 1981-11-11 JP JP56179698A patent/JPS5883385A/ja active Granted
-
1982
- 1982-11-08 US US06/439,807 patent/US4470132A/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5870478A (ja) * | 1981-10-21 | 1983-04-26 | Hitachi Ltd | 磁気バルブメモリ素子 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60258790A (ja) * | 1984-06-06 | 1985-12-20 | Hitachi Ltd | 磁気バブルメモリ素子 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US4470132A (en) | 1984-09-04 |
| JPS6362833B2 (ja) | 1988-12-05 |
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