JPS6363997B2 - - Google Patents

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JPS6363997B2
JPS6363997B2 JP6963184A JP6963184A JPS6363997B2 JP S6363997 B2 JPS6363997 B2 JP S6363997B2 JP 6963184 A JP6963184 A JP 6963184A JP 6963184 A JP6963184 A JP 6963184A JP S6363997 B2 JPS6363997 B2 JP S6363997B2
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JP
Japan
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magnetic disk
lubricant
film
magnetic
glass layer
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JP6963184A
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English (en)
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JPS60212881A (ja
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  • Supporting Of Heads In Record-Carrier Devices (AREA)
  • Holding Or Fastening Of Disk On Rotational Shaft (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 (a) 発明の技術分野 この発明は、密封型磁気デイスク装置に係り、
さらに詳細には磁気デイスク表面の潤滑膜を常に
安定に維持し得る装置構造に関するものである。
(b) 技術の背景 近年、磁気デイスク装置においては、記録の高
密度・大容量化、およびメインテナンス・フリー
のための防塵構造の要求に沿つて密封型磁気デイ
スク装置が主流になつつある。一方、装置内に組
み込まれる磁気デイスクは、磁性膜をメツキやス
パツタ法で形成した、いわゆるメツキデイスクや
スパツタデイスクが多用され、これらデイスクで
は磁気ヘツドとの接触による破壊を防ぐための表
面潤滑膜が不可欠構成として設けられている。こ
の潤滑膜材料には、高級脂肪酸、脂肪酸のエステ
ル化物、高級アルコール、エーテル化合物、およ
びそれらのフツ素化物など潤滑性に優れた固体ま
たは液体の潤滑剤が用いられている。
(c) 従来技術と問題点 ところが、上記密封型磁気デイスク装置におい
ては、磁気デイスクの高速回転に伴つて生ずる空
気摩擦(風損)によつて装置内の温度が50〜60
℃、設置条件によつては70℃程度にまで上昇する
ことがある。一方、高記録密度を達成するには、
磁気ヘツドの浮上量を小さくすることが不可欠で
あるが、40000BIPとか50000BIPにまで高密度化
すると磁気デイスクの表面潤滑膜の膜厚の影響が
無視できなくなり、100Å前後の極めて薄い潤滑
膜であることが要求される。しかし、この薄い潤
滑膜では、これに使用する前述の潤滑剤がいずれ
も温度上昇によつて蒸発・飛散する性質を有する
ものであることに起因して短時間(短期間)で蒸
発・飛散してしまう。従つて、装置内の温度が上
昇するようなことがあれば、デイスク表面は潤滑
性を失い、磁気ヘツドと接触した際には摩耗、破
壊が容易に生じることになつて記録情報が消失す
るという欠点があつた。
(d) 発明の目的 この発明は、以上のような従来の状況から密封
型磁気デイスク装置を対象にして、装置内の温度
が上昇しても磁気デイスク表面の潤滑性を持続で
きるようにした新しい装置構造の提供を目的とす
るものである。
(e) 発明の構成 簡単に述べると本発明の磁気デイスク装置は、
表面に潤滑膜を被覆してなる磁気デイスクを気密
収容容器内に回転可能に収容した構成において、
該収容容器の内壁面に、容器内部の温度上昇によ
つて蒸発する潤滑剤を含浸させた多孔質ガラス層
を設けたことを特徴とするものである。要する
に、前記多孔質ガラス層からの潤滑剤蒸気によ
り、前記磁気デイスクの温度上昇に伴なう当該磁
気デイスク表面上の潤滑膜の蒸発消失を抑制しよ
うとするものである。
(f) 発明の実施例 以下、この発明の一実施例につき図面を参照し
て詳細に説明する。
図はかかる実施例を概念的に示す要部断面図で
あり、磁気デイスク1の表面には例えば高級脂肪
酸の一種であるミリスチン酸からなる潤滑膜が約
80Åの厚さで被覆されている。この磁気デイスク
1は、基板2上に回転自在に支持された回転機構
3の回転軸4に固着したハブ機構5に複数枚を組
にして固定され、このハブ機構とともに回転駆動
される。このハブ機構5は中空体より成り、外体
面には中心通気穴となる空間部51と連通して前
記各磁気デイスク相互間に循環雰囲気を構成する
複数の通気小穴52が、空間部壁面には前記各通
気小穴52を覆うようにフイルタ6がそれぞれ設
けられている。しかして、基板2には回転自在の
磁気デイスク群を密封するための気密収容蓋体7
が設けられている。
ここまでの構成は従来の磁気デイスク装置と何
ら変わらないが、本発明では前記気密収容蓋体7
の内側側壁面において前記デイスク表面の潤滑膜
と同材料のミリスチン酸を吸蔵した多孔質ガラス
層8を設けている。この多孔質ガラス層8の具体
例を述べると、これはオーエンス・イリノイ社製
のガラスレジン#150を用いて前記蓋体内壁面に
厚さ2μmのガラスレジン膜を塗布および熱処理す
ることにより形成できる。このガラスレジン膜は
多孔質であるので、潤滑剤はその孔内に容易に貯
蔵される。すなわち、前記ミリスチン酸はキシレ
ンで希釈してからガラスレジン膜に塗布すると、
その膜内に簡単に吸蔵できることが実験で判明し
た。
さて、このように装置内壁面に潤滑剤を含浸さ
せた多孔質ガラス層8を設けた磁気デイスク装置
では、磁気デイスク1の高速回転に伴つて生じる
熱気流が図中矢印で示すように気密収容蓋体7の
内壁面に沿つて循環し、当該壁面上の多孔質ガラ
ス層8を加熱する。これよつて、多孔質ガラス層
内の潤滑剤(ミリスチン酸)は蒸発・飛散する。
この潤滑剤蒸気は、前記熱気流とともにハブ機構
5の中心通気穴51内に上下方向より流入し、フ
イルタ6を通つて潤滑剤などの粉塵や潤滑剤蒸気
の大粒子を排除された後、ハブ機構5の通気小穴
52を通つて各磁気デイスク1の対向空間に流出
する経路で装置内を循環する。この時、装置内の
温度は60〜70℃になつている。
このようなことから各磁気デイスク表面の潤滑
膜が前述した風損による温度上昇により蒸発・飛
散する際の当該潤滑剤の蒸気圧と、同磁気デイス
ク表面の潤滑膜を取り巻く前記循環潤滑剤蒸気の
蒸気圧とが略平衡状態となり、言い換えると装置
内の潤滑剤蒸気が飽和蒸気圧で保たれることにな
る。なお、70℃におけるミリスチン酸蒸気の飽和
蒸気圧は1×10-4mmHg程度である。このため、
磁気デイスク表面上の潤滑膜は蒸発・飛散が抑制
されて潤滑性が維持され、その結果磁気ヘツドと
接触した際のデイスク記録面の摩耗、破壊が防止
される。
別表は、上述したミリスチン酸、ミリスチン酸
のエステル化物(ミリスチン)、あるいはステア
リン酸のエステル化物(ステアリン)を吸蔵させ
たガラスレジン膜を気密収容蓋体内壁面に設けた
本発明装置(A)と、このような潤滑剤蒸発源を具備
しない従来装置(B)とにおける70℃の耐熱性試験結
果に基づくデイスク表面潤滑膜の摩擦係数を比較
して示したものである。この表で明らかなよう
に、例えば試験前に0.22の摩擦係数を有したミリ
スチン酸の潤滑膜の場合、従来装置(B−1)で
は8時間後に摩擦係数が0.4以上となり潤滑性が
不良となつたが、本発明装置(A−1)では100
時間経過後も0.21の摩擦係数を有して試験前と全
く変わりない良好な潤滑性を持続していることが
判る。その他の潤滑剤もこれと同様の潤滑性を持
続している。
なお、本発明では上記潤滑剤の他、ベヘン酸、
高級アルコール、それらのフツ素化物などの高温
時に蒸発する固体または液体の潤滑剤が適用可能
である。
(g) 発明の効果 以上の説明から明らかなように、この発明の密
封型磁気デイスク装置によれば、簡単な機構改良
により密封容器内おいて回転駆動される磁気デイ
スク表面の潤滑膜の蒸発・飛散が抑制され、磁気
デイスクの表面潤滑性が持続できるので、磁気ヘ
ツドとの接触時における磁気デイスク表面の摩
耗、破壊が防止できる効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
図面はこの発明による磁気デイスク装置の一実
施例を概念的に示す要部断面図である。 1:磁気デイスク、2:基板、3:回転機構、
4:回転軸、5:ハブ機構、6:フイルタ、7:
気密収容蓋体、8:多孔質ガラス層、51:中心
通気穴、52:通気子穴。
【表】

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1 表面に潤滑膜を被覆してなる磁気デイスクを
    気密収容容器内に回転可能に収容して成る装置構
    成において、該収容容器の内壁面に、容器内部の
    温度上昇によつて蒸発する潤滑剤を含浸させた多
    孔質ガラス層を設けて成ることを特徴とする磁気
    デイスク装置。
JP6963184A 1984-04-06 1984-04-06 磁気デイスク装置 Granted JPS60212881A (ja)

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JP6963184A JPS60212881A (ja) 1984-04-06 1984-04-06 磁気デイスク装置

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JP6963184A JPS60212881A (ja) 1984-04-06 1984-04-06 磁気デイスク装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPS60212881A JPS60212881A (ja) 1985-10-25
JPS6363997B2 true JPS6363997B2 (ja) 1988-12-09

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ID=13408396

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JP6963184A Granted JPS60212881A (ja) 1984-04-06 1984-04-06 磁気デイスク装置

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JP (1) JPS60212881A (ja)

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JPS60212881A (ja) 1985-10-25

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