JPS636639B2 - - Google Patents
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- JPS636639B2 JPS636639B2 JP1466281A JP1466281A JPS636639B2 JP S636639 B2 JPS636639 B2 JP S636639B2 JP 1466281 A JP1466281 A JP 1466281A JP 1466281 A JP1466281 A JP 1466281A JP S636639 B2 JPS636639 B2 JP S636639B2
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Description
この発明は、電解コンデンサ電極用アルミニウ
ム合金箔の製造方法に関する。 電解コンデンサ用のアルミニウム電極箔は、そ
の実効表面積を拡大して単位体積当りの静電容量
を増大するため、一般に電気的或いは化学的エツ
チング処理が施されている。そして、この拡面率
をあげるために、従来からエツチング孔をなるべ
く多くする研究が種々なされてきた。ところが、
従来の電解エツチング技術では、一般的にエツチ
ング孔を多くしようとすると、箔の表面の溶解も
同時に進行して腐食減量が増大し、機械的強度が
損われるという問題があつた。このため、拡面率
はエツチング後の機械的強度に制限されて、これ
を顕著に拡大せしめることが困難であつた。 この発明は、かかる問題点を解決し、拡面率を
増大して静電容量を大幅に向上し、しかも機械的
強度はこれを損うことのないコンデンサ電極用ア
ルミニウム合金箔の製造方法を提供しようとする
ものである。 而して、この発明はアルミニウム純度が99.9％
以上であり、かつリンおよびヒ素の少なくともい
ずれか一方の元素を0.5〜100wt−ppm含有するア
ルミニウム合金箔を用い、該アルミニウム合金箔
を、塩素イオン２〜15％と、アノード分極により
多孔質の酸化膜を生成する酸１〜35％とを含む50
〜100℃の水溶液中で、電流密度５〜40A／ｄm2
の直流を用いて前段エツチング処理した後、次い
でこれを、塩素イオン２〜15％と酸化性酸0.03〜
３％とを含む50〜100℃の水溶液中で、電流密度
0.5〜7A／ｄm2の直流を用いて後段エツチング処
理することを特徴とするものである。 以下、これを更に詳しく説明する。 〔アルミニウム合金箔組成〕 この発明に用いるアルミニウム合金箔に含有さ
れるリンおよびヒ素は、箔の静電容量を増大させ
る点において均等物であり、これらの一方または
両者がアルミニウムに添加される。しかしその箔
中の両者の合計含有量またはいずれか一方の元素
の含有量が0.5wt−ppm（0.00005wt％）未満では
静電容量を増大する効果が少なく、100wt−ppm
（0.03wt％）を超えると、腐食減量が大となり箔
の強度保持の点で好ましくない。従つて、この含
有量は0.5〜100wt−ppmの範囲内で選ぶべきであ
るが、特に1.0〜30ppmの範囲が好ましい。この
ようなリンおよび／またはヒ素の含有が箔の静電
容量を増大させるのは、次の理由によるものと考
えられる。即ち、エツチング液に対するアルミニ
ウムとリンおよびヒ素との電気的ポテンシヤルの
差がエツチングの駆動力となつて、エツチング孔
の数を顕著に増大せしめると共に、リンおよびヒ
素は加熱することによつて材料中で拡散し易いか
ら、箔の製造過程での熱履歴により材料表面中に
均等に分散し、その際他の含有元素も伴つて分散
するため、エツチング孔を均一に分散せしめるこ
とによるものと推測される。しかしながら、それ
らの含有量が100wt−ppmを超えると、エツチン
グ孔の密度が大になる反面、箔の表面も溶解する
ので、結果的には静電容量が低下し、強度が弱く
なるものと考えられる。 一方、コンデンサ電極用アルミニウム箔とし
て、アルミニウムの純度が99.9％以上要求される
ことは周知のとおりであり、いうまでもなく純度
99.99％以上のものの方が好ましい。 従つて、この発明に用いるアルミニウム合金箔
は、リンおよび／またはヒ素の含有のほかに、不
可避不純物としての他の諸元素を含むことは当然
許容される。また、従来この種のコンデンサ電極
用アルミニウム合金箔として、単位面積当りのエ
ツチング孔の数を増大せしめるために、積極的に
他の微量元素を添加含有せしめることも行われて
いるが、この発明は、リン、ヒ素の含有のほか
に、斯る強制添加元素を付加的に含む場合もその
範囲に包含される。斯る元素としては、例えば
銅、ストロンチウム、バナジウム、チタン、マン
ガン、マグネシウム、亜鉛、インジウム、錫、
鉛、ビスマス、ホウ素、銀、ガリウム、カドミウ
ム、ジルコニウム、トリウム、鉄、ケイ素等が挙
げられ、その含有量は一般的に0.1〜5000wt−
ppmの範囲内である。リンおよびヒ素のほかにこ
れらの元素を含有する場合には、効果として、リ
ンおよびヒ素と他の元素とのそれぞれのもつ効果
が単に総和的にあらわれる場合のほか、それ以上
の相乗的効果が期待される場合も予測されるが、
この発明はそのいずれの場合も、リンおよび／ま
たはヒ素の含有による効果が実現されている以
上、その範囲に包含されるものである。 〔前段エツチング工程〕 前段エツチング工程に於けるエツチング液中の
塩素イオン濃度は、これが２％未満であると所期
するエツチング効果が得られず、15％を超えると
アルミニウム箔表面の全面的な溶解が進行する。
従つて、上記範囲内で、特に好ましくは５〜８％
程度とするのが良い。 塩素イオンを含む水溶液に添加する酸は、可及
的多孔質の酸化皮膜を生成しうるものを選択使用
すべきであり、例えば硫酸、蓚酸、リン酸、クロ
ム酸等を好適に用いうる。なかでも、特に硫酸
は、単位面積当りに多数個のエツチング孔を緻密
に形成しうる点で好ましい。上記酸の添加量は酸
の種類によつて異るが、１％未満の場合にはエツ
チング核となる多孔質酸化皮膜の生成が充分でな
く、反対に35％を超える場合には全面溶解が起こ
る。従つて、１〜35％の範囲内とすべきであり、
特に好ましくは10〜20％の範囲が良い。このよう
な範囲での上記酸の添加により好結果が得られる
のは、該酸を含む液中でアルミニウム箔をアノー
ド分極させることにより、箔表面に１mm2当り１憶
個以上もの孔をもつたいわゆる多孔質酸化皮膜を
生成し、その孔を塩素イオンが侵食し、孔以外の
部分は酸化皮膜で覆われているために表面の溶解
が抑制され、結果として塩素イオンのみによるエ
ツチングに比べて、エツチング孔が非常に多くな
り、かつ深くなるためと考えられる。 前段エツチングでのエツチング液の温度も効果
に重要な影響を及ぼす。これが50℃未満の場合は
エツチング効果が少なく、100℃を超えると表面
の全面溶解が起こる。従つて50〜100℃の範囲内
で、特に好適には70〜90℃の範囲で処理するのが
良い。 一方、電流密度は、これが5A／ｄm2未満の場
合にはやはりエツチング効果に乏しく、反対に
40A／ｄm2を超えると全面溶解が起こる。従つて
この範囲内で、特に好ましくは10〜25A／ｄm2と
すべきである。 また、前段エツチングの電気量は、500〜3000
クーロン／ｄm2の範囲が良好であり、特に1500〜
2000クーロン／ｄm2の範囲が最適である。即ち、
500クーロン／ｄm2未満の場合はエツチング効果
が少なく、3000クーロン／ｄm2を超えると全面溶
解が進行する。 前段エツチング工程は、上記のようにエツチン
グ液への酸化性酸の比較的高濃度の添加、高液
温、高電流密度の条件下において行うものであ
る。従つてかかるエツチングは非常に苛酷なもの
であり、このためエツチングが進行するにつれて
エツチング孔内は発生ガスや溶解したアルミニウ
ムイオンなどによつて電気抵抗が高くなり、エツ
チング孔内でのエツチングが停止してしまい、表
面の溶解が進行する。従つて、この発明は、エツ
チング孔内でのエツチングが停止した時点で前段
エツチングを終了し、次に後段エツチングによ
り、表面溶解を抑制しながら、エツチング孔を更
に深く、太くすることにより所期する目的を達成
するものである。 〔後段エツチング工程〕 後段エツチング工程におけるエツチング液中の
塩素イオン濃度は、前段エツチングの場合と同様
の理由から２〜15％の範囲が良好であり、特に５
〜８％の範囲が最適である。 この塩素イオンを含む水溶液に添加する酸化性
酸は、アノード分極によりアルミニウム表面に陽
極酸化皮膜を生成して該表面の溶解を抑制するも
のであり、具体的には蓚酸、リン酸、クロム酸、
ホウ酸、酒石酸、コハク酸、マレイン酸等を好適
に用いることができる。後段エツチングは、アル
ミニウム箔表面の溶解を抑制しながら、エツチン
グ孔内でのエツチングを進めるものであるから、
上記の酸の高濃度の添加は好ましくない。同様に
溶解性の強い硫酸の添加も、化学的な表面溶解を
併発して拡面率を低下せしめるため不適である。
好適性を有する上記の酸もその好適な添加量は酸
の種類によつて異るが0.03〜３％の低濃度の範囲
に限定され、最も好ましくは0.1〜１％の範囲で
ある。この添加量が0.03％未満であると、アルミ
ニウム表面の溶解を抑制する効果が少なく、逆に
３％を超えるとアルミニウム箔表面の全面溶解が
起こる。 後段エツチングにおけるエツチング液の温度
は、これが低すぎると、前段エツチングで形成し
たエツチング孔を太くする効果に乏しく、逆に高
すぎる場合は全面溶解が起こる。従つて好適な温
度範囲は50〜100℃であり、特に60〜70℃の範囲
が最適である。 電流密度について一般的にいえることは、後段
エツチングは、発生ガスなどによりエツチング孔
内でのエツチングが停止しないようにする必要が
あるため、相対的に低い電流密度でエツチングし
なければならない。しかし電流密度が0.5A／ｄ
m2未満と低すぎる場合は、電気化学反応の中に占
める化学反応の割合が高くなりすぎ、エツチング
孔を深くする効果に乏しく全面溶解につながる。
逆に7A／ｄm2を超える高い電流密度とした場合
にも、アルミニウム箔の全面溶解が起こり、好ま
しくない。従つて、0.5〜7A／ｄm2の範囲で処理
すべきであり、特に２〜5A／ｄm2の範囲が最適
である。 一方、後段エツチングの電気量の範囲は、1000
クーロン／ｄm2未満ではエツチング孔を深く太く
する効果が少なく、4000クーロン／ｄm2を超える
と全面溶解が起こるため、このような範囲内で、
特に好ましくは2000〜3000クーロン／ｄm2の範囲
で処理するのが良い。 尚、上記の前段および後段の各エツチングは必
ずしも単一工程で実施する場合のみに限らず、そ
の個々を２段階で実施する場合、即ち全体として
エツチング処理を３段階以上で実施する場合もこ
の発明の範囲に包含される。 この発明は上述のように、リンおよびヒ素の少
なくともいずれかを含有する高純度アルミニウム
箔を用いて、これを先ず、前段エツチングによつ
て表面に専ら多数個のエツチング孔を高密度にし
かも比較的深く形成し、次いで後段エツチングに
より該エツチング孔内を集中的に更に太くかつ深
くするものであり、結果において拡面率を顕著に
増大して静電容量を大幅に向上せしめることがで
き、電解コンデンサの一層の小型化、軽量化を可
能にするのはもとより、拡面率の増大によつて機
械的強度が損われる欠点がなく、エツチング、化
成、組込みなどの一連の工程においてアルミニウ
ム箔の切断等の危険性が少なく、その生産性の向
上をはかることができる。 以下、この発明の実施例を比較例とともに示
す。 供試料 Ａ：アルミニウム純度99.99％、厚さ0.1mmの焼鈍
アルミニウム箔 Ｂ：アルミニウム純度99.99％、リン含有量
3ppm、厚さ0.1mmの焼鈍アルミニウム合金箔 Ｃ：アルミニウム純度99.99％、リン含有量
20ppm、厚さ0.1mmの焼鈍アルミニウム合金
箔 Ｄ：アルミニウム純度99.99％、ヒ素含有量
5ppm、厚さ0.1mmの焼鈍アルミニウム合金箔 Ｅ：アルミニウム純度99.99％、リンおよびヒ素
の合計含有量4.0ppm（リン1.5ppm、ヒ素
2.5ppm）、厚さ0.1mmの焼鈍アルミニウム合
金箔 上記各種の箔を供試料とし、これを先ず表−１
に示す各種電解条件で前段エツチング処理し、次
いで更に表−２に示す各種電解条件でそれぞれ後
段エツチング処理を施した。
ム合金箔の製造方法に関する。 電解コンデンサ用のアルミニウム電極箔は、そ
の実効表面積を拡大して単位体積当りの静電容量
を増大するため、一般に電気的或いは化学的エツ
チング処理が施されている。そして、この拡面率
をあげるために、従来からエツチング孔をなるべ
く多くする研究が種々なされてきた。ところが、
従来の電解エツチング技術では、一般的にエツチ
ング孔を多くしようとすると、箔の表面の溶解も
同時に進行して腐食減量が増大し、機械的強度が
損われるという問題があつた。このため、拡面率
はエツチング後の機械的強度に制限されて、これ
を顕著に拡大せしめることが困難であつた。 この発明は、かかる問題点を解決し、拡面率を
増大して静電容量を大幅に向上し、しかも機械的
強度はこれを損うことのないコンデンサ電極用ア
ルミニウム合金箔の製造方法を提供しようとする
ものである。 而して、この発明はアルミニウム純度が99.9％
以上であり、かつリンおよびヒ素の少なくともい
ずれか一方の元素を0.5〜100wt−ppm含有するア
ルミニウム合金箔を用い、該アルミニウム合金箔
を、塩素イオン２〜15％と、アノード分極により
多孔質の酸化膜を生成する酸１〜35％とを含む50
〜100℃の水溶液中で、電流密度５〜40A／ｄm2
の直流を用いて前段エツチング処理した後、次い
でこれを、塩素イオン２〜15％と酸化性酸0.03〜
３％とを含む50〜100℃の水溶液中で、電流密度
0.5〜7A／ｄm2の直流を用いて後段エツチング処
理することを特徴とするものである。 以下、これを更に詳しく説明する。 〔アルミニウム合金箔組成〕 この発明に用いるアルミニウム合金箔に含有さ
れるリンおよびヒ素は、箔の静電容量を増大させ
る点において均等物であり、これらの一方または
両者がアルミニウムに添加される。しかしその箔
中の両者の合計含有量またはいずれか一方の元素
の含有量が0.5wt−ppm（0.00005wt％）未満では
静電容量を増大する効果が少なく、100wt−ppm
（0.03wt％）を超えると、腐食減量が大となり箔
の強度保持の点で好ましくない。従つて、この含
有量は0.5〜100wt−ppmの範囲内で選ぶべきであ
るが、特に1.0〜30ppmの範囲が好ましい。この
ようなリンおよび／またはヒ素の含有が箔の静電
容量を増大させるのは、次の理由によるものと考
えられる。即ち、エツチング液に対するアルミニ
ウムとリンおよびヒ素との電気的ポテンシヤルの
差がエツチングの駆動力となつて、エツチング孔
の数を顕著に増大せしめると共に、リンおよびヒ
素は加熱することによつて材料中で拡散し易いか
ら、箔の製造過程での熱履歴により材料表面中に
均等に分散し、その際他の含有元素も伴つて分散
するため、エツチング孔を均一に分散せしめるこ
とによるものと推測される。しかしながら、それ
らの含有量が100wt−ppmを超えると、エツチン
グ孔の密度が大になる反面、箔の表面も溶解する
ので、結果的には静電容量が低下し、強度が弱く
なるものと考えられる。 一方、コンデンサ電極用アルミニウム箔とし
て、アルミニウムの純度が99.9％以上要求される
ことは周知のとおりであり、いうまでもなく純度
99.99％以上のものの方が好ましい。 従つて、この発明に用いるアルミニウム合金箔
は、リンおよび／またはヒ素の含有のほかに、不
可避不純物としての他の諸元素を含むことは当然
許容される。また、従来この種のコンデンサ電極
用アルミニウム合金箔として、単位面積当りのエ
ツチング孔の数を増大せしめるために、積極的に
他の微量元素を添加含有せしめることも行われて
いるが、この発明は、リン、ヒ素の含有のほか
に、斯る強制添加元素を付加的に含む場合もその
範囲に包含される。斯る元素としては、例えば
銅、ストロンチウム、バナジウム、チタン、マン
ガン、マグネシウム、亜鉛、インジウム、錫、
鉛、ビスマス、ホウ素、銀、ガリウム、カドミウ
ム、ジルコニウム、トリウム、鉄、ケイ素等が挙
げられ、その含有量は一般的に0.1〜5000wt−
ppmの範囲内である。リンおよびヒ素のほかにこ
れらの元素を含有する場合には、効果として、リ
ンおよびヒ素と他の元素とのそれぞれのもつ効果
が単に総和的にあらわれる場合のほか、それ以上
の相乗的効果が期待される場合も予測されるが、
この発明はそのいずれの場合も、リンおよび／ま
たはヒ素の含有による効果が実現されている以
上、その範囲に包含されるものである。 〔前段エツチング工程〕 前段エツチング工程に於けるエツチング液中の
塩素イオン濃度は、これが２％未満であると所期
するエツチング効果が得られず、15％を超えると
アルミニウム箔表面の全面的な溶解が進行する。
従つて、上記範囲内で、特に好ましくは５〜８％
程度とするのが良い。 塩素イオンを含む水溶液に添加する酸は、可及
的多孔質の酸化皮膜を生成しうるものを選択使用
すべきであり、例えば硫酸、蓚酸、リン酸、クロ
ム酸等を好適に用いうる。なかでも、特に硫酸
は、単位面積当りに多数個のエツチング孔を緻密
に形成しうる点で好ましい。上記酸の添加量は酸
の種類によつて異るが、１％未満の場合にはエツ
チング核となる多孔質酸化皮膜の生成が充分でな
く、反対に35％を超える場合には全面溶解が起こ
る。従つて、１〜35％の範囲内とすべきであり、
特に好ましくは10〜20％の範囲が良い。このよう
な範囲での上記酸の添加により好結果が得られる
のは、該酸を含む液中でアルミニウム箔をアノー
ド分極させることにより、箔表面に１mm2当り１憶
個以上もの孔をもつたいわゆる多孔質酸化皮膜を
生成し、その孔を塩素イオンが侵食し、孔以外の
部分は酸化皮膜で覆われているために表面の溶解
が抑制され、結果として塩素イオンのみによるエ
ツチングに比べて、エツチング孔が非常に多くな
り、かつ深くなるためと考えられる。 前段エツチングでのエツチング液の温度も効果
に重要な影響を及ぼす。これが50℃未満の場合は
エツチング効果が少なく、100℃を超えると表面
の全面溶解が起こる。従つて50〜100℃の範囲内
で、特に好適には70〜90℃の範囲で処理するのが
良い。 一方、電流密度は、これが5A／ｄm2未満の場
合にはやはりエツチング効果に乏しく、反対に
40A／ｄm2を超えると全面溶解が起こる。従つて
この範囲内で、特に好ましくは10〜25A／ｄm2と
すべきである。 また、前段エツチングの電気量は、500〜3000
クーロン／ｄm2の範囲が良好であり、特に1500〜
2000クーロン／ｄm2の範囲が最適である。即ち、
500クーロン／ｄm2未満の場合はエツチング効果
が少なく、3000クーロン／ｄm2を超えると全面溶
解が進行する。 前段エツチング工程は、上記のようにエツチン
グ液への酸化性酸の比較的高濃度の添加、高液
温、高電流密度の条件下において行うものであ
る。従つてかかるエツチングは非常に苛酷なもの
であり、このためエツチングが進行するにつれて
エツチング孔内は発生ガスや溶解したアルミニウ
ムイオンなどによつて電気抵抗が高くなり、エツ
チング孔内でのエツチングが停止してしまい、表
面の溶解が進行する。従つて、この発明は、エツ
チング孔内でのエツチングが停止した時点で前段
エツチングを終了し、次に後段エツチングによ
り、表面溶解を抑制しながら、エツチング孔を更
に深く、太くすることにより所期する目的を達成
するものである。 〔後段エツチング工程〕 後段エツチング工程におけるエツチング液中の
塩素イオン濃度は、前段エツチングの場合と同様
の理由から２〜15％の範囲が良好であり、特に５
〜８％の範囲が最適である。 この塩素イオンを含む水溶液に添加する酸化性
酸は、アノード分極によりアルミニウム表面に陽
極酸化皮膜を生成して該表面の溶解を抑制するも
のであり、具体的には蓚酸、リン酸、クロム酸、
ホウ酸、酒石酸、コハク酸、マレイン酸等を好適
に用いることができる。後段エツチングは、アル
ミニウム箔表面の溶解を抑制しながら、エツチン
グ孔内でのエツチングを進めるものであるから、
上記の酸の高濃度の添加は好ましくない。同様に
溶解性の強い硫酸の添加も、化学的な表面溶解を
併発して拡面率を低下せしめるため不適である。
好適性を有する上記の酸もその好適な添加量は酸
の種類によつて異るが0.03〜３％の低濃度の範囲
に限定され、最も好ましくは0.1〜１％の範囲で
ある。この添加量が0.03％未満であると、アルミ
ニウム表面の溶解を抑制する効果が少なく、逆に
３％を超えるとアルミニウム箔表面の全面溶解が
起こる。 後段エツチングにおけるエツチング液の温度
は、これが低すぎると、前段エツチングで形成し
たエツチング孔を太くする効果に乏しく、逆に高
すぎる場合は全面溶解が起こる。従つて好適な温
度範囲は50〜100℃であり、特に60〜70℃の範囲
が最適である。 電流密度について一般的にいえることは、後段
エツチングは、発生ガスなどによりエツチング孔
内でのエツチングが停止しないようにする必要が
あるため、相対的に低い電流密度でエツチングし
なければならない。しかし電流密度が0.5A／ｄ
m2未満と低すぎる場合は、電気化学反応の中に占
める化学反応の割合が高くなりすぎ、エツチング
孔を深くする効果に乏しく全面溶解につながる。
逆に7A／ｄm2を超える高い電流密度とした場合
にも、アルミニウム箔の全面溶解が起こり、好ま
しくない。従つて、0.5〜7A／ｄm2の範囲で処理
すべきであり、特に２〜5A／ｄm2の範囲が最適
である。 一方、後段エツチングの電気量の範囲は、1000
クーロン／ｄm2未満ではエツチング孔を深く太く
する効果が少なく、4000クーロン／ｄm2を超える
と全面溶解が起こるため、このような範囲内で、
特に好ましくは2000〜3000クーロン／ｄm2の範囲
で処理するのが良い。 尚、上記の前段および後段の各エツチングは必
ずしも単一工程で実施する場合のみに限らず、そ
の個々を２段階で実施する場合、即ち全体として
エツチング処理を３段階以上で実施する場合もこ
の発明の範囲に包含される。 この発明は上述のように、リンおよびヒ素の少
なくともいずれかを含有する高純度アルミニウム
箔を用いて、これを先ず、前段エツチングによつ
て表面に専ら多数個のエツチング孔を高密度にし
かも比較的深く形成し、次いで後段エツチングに
より該エツチング孔内を集中的に更に太くかつ深
くするものであり、結果において拡面率を顕著に
増大して静電容量を大幅に向上せしめることがで
き、電解コンデンサの一層の小型化、軽量化を可
能にするのはもとより、拡面率の増大によつて機
械的強度が損われる欠点がなく、エツチング、化
成、組込みなどの一連の工程においてアルミニウ
ム箔の切断等の危険性が少なく、その生産性の向
上をはかることができる。 以下、この発明の実施例を比較例とともに示
す。 供試料 Ａ：アルミニウム純度99.99％、厚さ0.1mmの焼鈍
アルミニウム箔 Ｂ：アルミニウム純度99.99％、リン含有量
3ppm、厚さ0.1mmの焼鈍アルミニウム合金箔 Ｃ：アルミニウム純度99.99％、リン含有量
20ppm、厚さ0.1mmの焼鈍アルミニウム合金
箔 Ｄ：アルミニウム純度99.99％、ヒ素含有量
5ppm、厚さ0.1mmの焼鈍アルミニウム合金箔 Ｅ：アルミニウム純度99.99％、リンおよびヒ素
の合計含有量4.0ppm（リン1.5ppm、ヒ素
2.5ppm）、厚さ0.1mmの焼鈍アルミニウム合
金箔 上記各種の箔を供試料とし、これを先ず表−１
に示す各種電解条件で前段エツチング処理し、次
いで更に表−２に示す各種電解条件でそれぞれ後
段エツチング処理を施した。
【表】
【表】
【表】
【表】
上記により得られた各エツチング箔を、硼酸溶
液中で380Vに化成したのち、各試料について静
電容量、引張り強さを測定した。その結果を表−
３に示す。
液中で380Vに化成したのち、各試料について静
電容量、引張り強さを測定した。その結果を表−
３に示す。
【表】
【表】
【表】
表−３に示した結果からも明らかなように、こ
の発明によれば極めて高い拡面率を得て静電容量
の大幅な増大をはかりつつ、機械的強度、特に引
張り強度においても優れたアルミニウム電極箔を
得ることができる。
の発明によれば極めて高い拡面率を得て静電容量
の大幅な増大をはかりつつ、機械的強度、特に引
張り強度においても優れたアルミニウム電極箔を
得ることができる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ アルミニウム純度が99.9％以上であり、かつ
リンおよびヒ素の少なくともいずれか一方の元素
を0.5〜100wt−ppm含有するアルミニウム合金箔
を用い、該アルミニウム合金箔を、塩素イオン２
〜15％と、アノード分極により多孔質の酸化皮膜
を生成する酸１〜35％とを含む50〜100℃の水溶
液中で、電流密度５〜40A／ｄm2の直流を用いて
前段エツチング処理したのち、次いでこれを、塩
素イオン２〜15％と酸化性酸0.03〜３％とを含む
50〜100℃の水溶液中で、電流密度0.5〜7A／ｄ
m2の直流を用いて後段エツチング処理することを
特徴とする電解コンデンサ電極用アルミニウム合
金箔の製造方法。 ２ 前段エツチングのエツチング液として、塩酸
および硫酸を含む水溶液を用い、後段エツチング
のエツチング液として、塩酸および蓚酸を含む水
溶液を用いる特許請求の範囲第１項記載の電解コ
ンデンサ電極用アルミニウム合金箔の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1466281A JPS57131399A (en) | 1981-02-02 | 1981-02-02 | Manufacture of aluminum alloy foil for electrode of electrolytic capacitor |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1466281A JPS57131399A (en) | 1981-02-02 | 1981-02-02 | Manufacture of aluminum alloy foil for electrode of electrolytic capacitor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57131399A JPS57131399A (en) | 1982-08-14 |
| JPS636639B2 true JPS636639B2 (ja) | 1988-02-10 |
Family
ID=11867420
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1466281A Granted JPS57131399A (en) | 1981-02-02 | 1981-02-02 | Manufacture of aluminum alloy foil for electrode of electrolytic capacitor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57131399A (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2692108B2 (ja) * | 1988-02-19 | 1997-12-17 | 松下電器産業株式会社 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
| JP2692107B2 (ja) * | 1988-02-19 | 1997-12-17 | 松下電器産業株式会社 | アルミ電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
| JPH03108711A (ja) * | 1989-05-17 | 1991-05-08 | Elna Co Ltd | 電解コンデンサ用アルミニウム箔のエッチング方法 |
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-
1981
- 1981-02-02 JP JP1466281A patent/JPS57131399A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57131399A (en) | 1982-08-14 |
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