JPH07211593A - 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔及びそのエッチング方法 - Google Patents
電解コンデンサ電極用アルミニウム箔及びそのエッチング方法Info
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- JPH07211593A JPH07211593A JP526294A JP526294A JPH07211593A JP H07211593 A JPH07211593 A JP H07211593A JP 526294 A JP526294 A JP 526294A JP 526294 A JP526294 A JP 526294A JP H07211593 A JPH07211593 A JP H07211593A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】静電容量を増大し得る電解コンデンサ電極用ア
ルミニウム箔及びそのエッチング方法を提供する。 【構成】電解コンデンサ電極用アルミニウム箔は、アル
ミニウム純度９９．９％以上で、Ｍｇ量５００〜３００
０ｐｐｍを含有する。エッチング方法は、該箔をＨＣ
ｌ：３〜１０％、Ｈ2 ＳＯ4 ：１５〜４０％を含む水溶
液中で、液温：７０〜９０℃、電流密度：１０〜４０Ａ
／ｄｍ2 の条件にて一次の電解エッチングを実施する。
その後、ＨＣｌ：３〜１０％あるいはさらにＨ2 Ｃ2 Ｏ
4 ：１％以下を含む水溶液中で、液温：７０〜９５℃、
電流密度：０〜１０Ａ／ｄｍ2 の条件にて、二次の電解
エッチングまたは化学エッチングを実施する。
ルミニウム箔及びそのエッチング方法を提供する。 【構成】電解コンデンサ電極用アルミニウム箔は、アル
ミニウム純度９９．９％以上で、Ｍｇ量５００〜３００
０ｐｐｍを含有する。エッチング方法は、該箔をＨＣ
ｌ：３〜１０％、Ｈ2 ＳＯ4 ：１５〜４０％を含む水溶
液中で、液温：７０〜９０℃、電流密度：１０〜４０Ａ
／ｄｍ2 の条件にて一次の電解エッチングを実施する。
その後、ＨＣｌ：３〜１０％あるいはさらにＨ2 Ｃ2 Ｏ
4 ：１％以下を含む水溶液中で、液温：７０〜９５℃、
電流密度：０〜１０Ａ／ｄｍ2 の条件にて、二次の電解
エッチングまたは化学エッチングを実施する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、電解コンデンサ電極
用アルミニウム箔及びそのエッチング方法に関する。
用アルミニウム箔及びそのエッチング方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び解決しようとする課題】アルミニウム
電解コンデンサ用電極材として一般に用いられるＡｌ箔
には、その実効面積を拡大して単位面積当たりの静電容
量を増大するため、通常、電気化学的あるいは化学的エ
ッチング処理が施される。
電解コンデンサ用電極材として一般に用いられるＡｌ箔
には、その実効面積を拡大して単位面積当たりの静電容
量を増大するため、通常、電気化学的あるいは化学的エ
ッチング処理が施される。
【０００３】しかし、箔を単にエッチング処理するのみ
では十分な静電容量が得られない。このため、一般的に
は箔圧延後の最終焼鈍工程において、立方体方位を多く
有する集合組織にして箔のエッチング特性を向上させる
べく、４５０℃程度以上の高温加熱処理が施されている
が、昨今の電解コンデンサの高静電容量化の要求に対し
て十分な満足を得るものではなかった。
では十分な静電容量が得られない。このため、一般的に
は箔圧延後の最終焼鈍工程において、立方体方位を多く
有する集合組織にして箔のエッチング特性を向上させる
べく、４５０℃程度以上の高温加熱処理が施されている
が、昨今の電解コンデンサの高静電容量化の要求に対し
て十分な満足を得るものではなかった。
【０００４】この発明は、かかる技術的背景に鑑みてな
されたものであって、静電容量を増大し得る電解コンデ
ンサ電極用アルミニウム箔及び該箔のエッチング方法の
提供を目的とする。
されたものであって、静電容量を増大し得る電解コンデ
ンサ電極用アルミニウム箔及び該箔のエッチング方法の
提供を目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、発明者は鋭意研究の結果、Ｍｇを微量添加すること
で、立方体方位粒の体積率を低下させずに材料強度を上
げ、これによりエッチングピットを長くできひいては高
静電容量箔が得られることを見出した。
に、発明者は鋭意研究の結果、Ｍｇを微量添加すること
で、立方体方位粒の体積率を低下させずに材料強度を上
げ、これによりエッチングピットを長くできひいては高
静電容量箔が得られることを見出した。
【０００６】この発明は、かかる知見に基いてなされた
ものであって、その１つは、アルミニウム純度９９．９
％以上で、Ｍｇ量５００〜３０００ｐｐｍを含有する電
解コンデンサ電極用アルミニウム箔を要旨とする。ま
た、他の１つは上記アルミニウム箔を、ＨＣｌ（塩
酸）：３〜１０％、Ｈ2 ＳＯ4 （硫酸）：１５〜４０％
を含む水溶液中で、液温：７０〜９０℃、電流密度：１
０〜４０Ａ／ｄｍ2 の条件にて一次の電解エッチングを
実施した後、ＨＣｌ：３〜１０wt％あるいはさらにＨ2
Ｃ2 Ｏ4 （蓚酸）：１wt％以下を含む水溶液中で、液
温：７０〜９５℃、電流密度：０〜１０Ａ／ｄｍ2 の条
件にて、二次の電解エッチングまたは化学エッチングを
実施することを特徴とする電解コンデンサ電極用アルミ
ニウム箔のエッチング方法を要旨とする。
ものであって、その１つは、アルミニウム純度９９．９
％以上で、Ｍｇ量５００〜３０００ｐｐｍを含有する電
解コンデンサ電極用アルミニウム箔を要旨とする。ま
た、他の１つは上記アルミニウム箔を、ＨＣｌ（塩
酸）：３〜１０％、Ｈ2 ＳＯ4 （硫酸）：１５〜４０％
を含む水溶液中で、液温：７０〜９０℃、電流密度：１
０〜４０Ａ／ｄｍ2 の条件にて一次の電解エッチングを
実施した後、ＨＣｌ：３〜１０wt％あるいはさらにＨ2
Ｃ2 Ｏ4 （蓚酸）：１wt％以下を含む水溶液中で、液
温：７０〜９５℃、電流密度：０〜１０Ａ／ｄｍ2 の条
件にて、二次の電解エッチングまたは化学エッチングを
実施することを特徴とする電解コンデンサ電極用アルミ
ニウム箔のエッチング方法を要旨とする。
【０００７】この発明に係るアルミニウム箔のアルミニ
ウム純度に９９．９％以上を必要とするのは、９９．９
％未満の純度では、エッチング時にエッチングピットの
成長が多くの不純物の存在によって阻害され、本発明範
囲のＭｇの含有によってもなお均一な深いトンネル状の
エッチングピットを形成できず、従って静電容量の高い
アルミニウム箔を得ることができないからである。好ま
しくはアルミニウム純度を９９．９８％以上とするのが
良い。
ウム純度に９９．９％以上を必要とするのは、９９．９
％未満の純度では、エッチング時にエッチングピットの
成長が多くの不純物の存在によって阻害され、本発明範
囲のＭｇの含有によってもなお均一な深いトンネル状の
エッチングピットを形成できず、従って静電容量の高い
アルミニウム箔を得ることができないからである。好ま
しくはアルミニウム純度を９９．９８％以上とするのが
良い。
【０００８】アルミニウム箔中のＭｇは、エッチング時
に長さの長いピットを得るために必要な元素である。即
ち、図１に示されるように、厚さ方向の中央芯部（２）
を残して両面がエッチングされた一般に芯残しタイプと
呼ばれるエッチング箔（１）は、箔厚中央の芯部（２）
の強度が一定の値以下になると電解箔をコイル状に巻取
る際に切断してしまう。従って、エッチングピット
（３）の長さ（足の長さ）（Ｌ）は同じ箔厚であれば芯
部（２）の強度によって決定され、芯部の強度が高いほ
ど芯部の厚さ（ｔ）を薄くでき、従ってエッチングピッ
ト（３）の長さ（Ｌ）を長くできることになる。この目
的から、Ａｌに強化元素を添加することが考えられる。
しかるに、電解コンデンサ用Ａｌ箔は、エッチングピッ
ト密度を高くするために立方体方位粒の体積率を上げる
必要があるため、最終焼鈍時にこの方位の成長を妨げる
元素を添加することはできない。発明者は、この点につ
いて鋭意研究の結果、Ｍｇの添加により立方体方位粒の
体積率を低下させずに材料強度をあげ、これによりエッ
チングピット（３）の長さを長くできひいては高静電容
量箔が得られることを見出した。このような効果を得る
ために、Ｍｇ量は５００ｐｐｍ以上必要であるが、３０
００ｐｐｍを越えると最終焼鈍で立方体方位粒の体積率
が低下するため、高静電容量箔を得ることができない。
そこで、Ｍｇ量の含有範囲は５００〜３０００ｐｐｍと
する必要がある。特に好ましくは８００〜１５００ｐｐ
ｍとするのが良い。
に長さの長いピットを得るために必要な元素である。即
ち、図１に示されるように、厚さ方向の中央芯部（２）
を残して両面がエッチングされた一般に芯残しタイプと
呼ばれるエッチング箔（１）は、箔厚中央の芯部（２）
の強度が一定の値以下になると電解箔をコイル状に巻取
る際に切断してしまう。従って、エッチングピット
（３）の長さ（足の長さ）（Ｌ）は同じ箔厚であれば芯
部（２）の強度によって決定され、芯部の強度が高いほ
ど芯部の厚さ（ｔ）を薄くでき、従ってエッチングピッ
ト（３）の長さ（Ｌ）を長くできることになる。この目
的から、Ａｌに強化元素を添加することが考えられる。
しかるに、電解コンデンサ用Ａｌ箔は、エッチングピッ
ト密度を高くするために立方体方位粒の体積率を上げる
必要があるため、最終焼鈍時にこの方位の成長を妨げる
元素を添加することはできない。発明者は、この点につ
いて鋭意研究の結果、Ｍｇの添加により立方体方位粒の
体積率を低下させずに材料強度をあげ、これによりエッ
チングピット（３）の長さを長くできひいては高静電容
量箔が得られることを見出した。このような効果を得る
ために、Ｍｇ量は５００ｐｐｍ以上必要であるが、３０
００ｐｐｍを越えると最終焼鈍で立方体方位粒の体積率
が低下するため、高静電容量箔を得ることができない。
そこで、Ｍｇ量の含有範囲は５００〜３０００ｐｐｍと
する必要がある。特に好ましくは８００〜１５００ｐｐ
ｍとするのが良い。
【０００９】かかるアルミニウム箔の製造は、常法に従
って行えば良い。即ち、アルミニウム地金を溶解する段
階で所要量のＭｇを添加し、鋳造後、常法に従って熱間
圧延、冷間圧延、箔圧延、要すればその間に更に中間焼
鈍を行って製箔し、その後要すれば高温最終焼鈍を行え
ば良い。
って行えば良い。即ち、アルミニウム地金を溶解する段
階で所要量のＭｇを添加し、鋳造後、常法に従って熱間
圧延、冷間圧延、箔圧延、要すればその間に更に中間焼
鈍を行って製箔し、その後要すれば高温最終焼鈍を行え
ば良い。
【００１０】上記アルミニウム箔は、これをエッチング
処理して電解コンデンサ電極材とする。エッチングの条
件は特に限定されることはないが、好ましくは本発明に
従うエッチング方法を適用するのが良い。
処理して電解コンデンサ電極材とする。エッチングの条
件は特に限定されることはないが、好ましくは本発明に
従うエッチング方法を適用するのが良い。
【００１１】このエッチング方法は２段の処理からな
り、一次エッチングはＨＣｌ＋Ｈ2 ＳＯ4 系の電解液を
用いて実施するものであるが、発明者は、一次エッチン
グ時のＨ2 ＳＯ4 濃度を適当な範囲に設定することで表
面溶解量を抑制し、芯部強度のみを高められることを見
出した。即ち、ＨＣｌ＋Ｈ2 ＳＯ4 系の液組成におい
て、Ｈ2 ＳＯ4 濃度が１５％未満ではＭｇ添加による表
面溶解量が大きいため十分な高静電容量箔が得られず、
またＨ2 ＳＯ4 濃度が４０％を越えるとエッチングピッ
ト密度が高くなり過ぎ部分的なエッチングピットの結合
が生じて静電容量は低下する。従って、一次エッチング
処理において、Ｈ2 ＳＯ4 濃度は１５〜４０％とする。
特に望ましくは２５〜３５％である。この時、他の一次
エッチングの条件は化成処理後に十分な表面積が得られ
るだけのエッチングピット密度、径、ピット長さを確保
するためにＨＣｌ濃度：３〜１０％、液温：７０〜９０
℃、直流電流密度：１０〜４０Ａ／ｄｍ2 の範囲とす
る。
り、一次エッチングはＨＣｌ＋Ｈ2 ＳＯ4 系の電解液を
用いて実施するものであるが、発明者は、一次エッチン
グ時のＨ2 ＳＯ4 濃度を適当な範囲に設定することで表
面溶解量を抑制し、芯部強度のみを高められることを見
出した。即ち、ＨＣｌ＋Ｈ2 ＳＯ4 系の液組成におい
て、Ｈ2 ＳＯ4 濃度が１５％未満ではＭｇ添加による表
面溶解量が大きいため十分な高静電容量箔が得られず、
またＨ2 ＳＯ4 濃度が４０％を越えるとエッチングピッ
ト密度が高くなり過ぎ部分的なエッチングピットの結合
が生じて静電容量は低下する。従って、一次エッチング
処理において、Ｈ2 ＳＯ4 濃度は１５〜４０％とする。
特に望ましくは２５〜３５％である。この時、他の一次
エッチングの条件は化成処理後に十分な表面積が得られ
るだけのエッチングピット密度、径、ピット長さを確保
するためにＨＣｌ濃度：３〜１０％、液温：７０〜９０
℃、直流電流密度：１０〜４０Ａ／ｄｍ2 の範囲とす
る。
【００１２】一次エッチングに引き続いて、エッチング
ピット径を拡げる目的で、二次エッチングを行う。処理
液は、ＨＣｌ濃度：３〜１０％の塩酸水溶液を基本とす
るが、濃度１％以下のＨ2 Ｃ2 Ｏ4 を混合しても良いし
混合しなくても良い。また、液温は７０〜９５℃とし、
電流の通電を伴わない化学エッチングでもよいし、直流
電流密度１０Ａ／ｄｍ2 以下の電解エッチングでも良
い。二次電解処理における上記処理条件を逸脱する場合
は、いずれもエッチングピット径の拡大効果に不十分と
なる。
ピット径を拡げる目的で、二次エッチングを行う。処理
液は、ＨＣｌ濃度：３〜１０％の塩酸水溶液を基本とす
るが、濃度１％以下のＨ2 Ｃ2 Ｏ4 を混合しても良いし
混合しなくても良い。また、液温は７０〜９５℃とし、
電流の通電を伴わない化学エッチングでもよいし、直流
電流密度１０Ａ／ｄｍ2 以下の電解エッチングでも良
い。二次電解処理における上記処理条件を逸脱する場合
は、いずれもエッチングピット径の拡大効果に不十分と
なる。
【００１３】このような一次エッチング及び二次エッチ
ングにより、従来法よりも、芯部強度が同じでも静電容
量の高いＡｌ箔を得ることが可能となる。
ングにより、従来法よりも、芯部強度が同じでも静電容
量の高いＡｌ箔を得ることが可能となる。
【００１４】
【作用】箔中のＭｇが、立方体方位粒の体積率を低下さ
せることなく材料強度の向上に寄与するから、エッチン
グ後の箔の芯部厚さを薄く従ってエッチングピットの長
さを長くできる。
せることなく材料強度の向上に寄与するから、エッチン
グ後の箔の芯部厚さを薄く従ってエッチングピットの長
さを長くできる。
【００１５】また、一次エッチング処理により表面溶解
量を抑制しつつエッチングピットが適度に分散され、二
次エッチングにより孔径が拡大し、拡面率が増大する。
量を抑制しつつエッチングピットが適度に分散され、二
次エッチングにより孔径が拡大し、拡面率が増大する。
【００１６】
（実施例１）表１に示す各種組成のアルミニウム鋳塊
に、面削、熱間圧延、冷間圧延（中間焼鈍を含む）、最
終焼鈍を順次的に実施してアルミニウム箔を製作した。
なお、試料Ａ、Ｂの箔については、中間焼鈍を２５０℃
×６時間、最終焼鈍を５００℃×１０時間の条件で行っ
た。また、試料Ｃ〜Ｈの箔については、中間焼鈍を３０
０℃×６時間、最終焼鈍を５５０℃×１０時間の条件で
行った。
に、面削、熱間圧延、冷間圧延（中間焼鈍を含む）、最
終焼鈍を順次的に実施してアルミニウム箔を製作した。
なお、試料Ａ、Ｂの箔については、中間焼鈍を２５０℃
×６時間、最終焼鈍を５００℃×１０時間の条件で行っ
た。また、試料Ｃ〜Ｈの箔については、中間焼鈍を３０
０℃×６時間、最終焼鈍を５５０℃×１０時間の条件で
行った。
【００１７】そして、得られた各アルミニウム箔の最高
引張強度を測定するとともに、立方体方位の占有率を調
べた。その結果を表１に示す。
引張強度を測定するとともに、立方体方位の占有率を調
べた。その結果を表１に示す。
【００１８】次に、以下の条件でエッチングを実施した
のち、得られたアルミニウム箔を５％ホウ酸浴中で２５
０Ｖに化成したときの静電容量を測定した。その結果
を、Ｍｇを添加しない試料Ｂの静電容量を１００％とし
たときの相対比較にて、表１に示す。
のち、得られたアルミニウム箔を５％ホウ酸浴中で２５
０Ｖに化成したときの静電容量を測定した。その結果
を、Ｍｇを添加しない試料Ｂの静電容量を１００％とし
たときの相対比較にて、表１に示す。
【００１９】［エッチング条件］ 前処理：なし 一次エッチング 液組成：５％ＨＣｌ＋２０％Ｈ2 ＳＯ
4 、液温：８０℃、電流密度：直流２０Ａ／ｄｍ2 、時
間：８０〜１８０秒 二次エッチング 液組成：５％ＨＣｌ＋０．１％Ｈ2 Ｃ
2 Ｏ4 、液温：８０℃、 電流密度：
直流５Ａ／ｄｍ2 、時間：１０分
4 、液温：８０℃、電流密度：直流２０Ａ／ｄｍ2 、時
間：８０〜１８０秒 二次エッチング 液組成：５％ＨＣｌ＋０．１％Ｈ2 Ｃ
2 Ｏ4 、液温：８０℃、 電流密度：
直流５Ａ／ｄｍ2 、時間：１０分
【表１】 上記表１の結果からわかるように、Ｍｇを本発明範囲に
含有する本発明実施品は、範囲を逸脱する比較品に較べ
て静電容量を増大し得ることを確認し得た。
含有する本発明実施品は、範囲を逸脱する比較品に較べ
て静電容量を増大し得ることを確認し得た。
【００２０】（実施例２）前記表１の試料Ａ及びＥに示
したアルミニウム箔に対して、表２に示すエッチング条
件にて、二次エッチング後の芯部の強度が１．８ｋｇｆ
／ｃｍ幅になる一次エッチング時間までエッチングを実
施し、得られたアルミニウム箔の静電容量を測定した。
その結果を、実施例１と同じく表１の試料Ｂの静電容量
を１００％としたときの相対比較にて示す。
したアルミニウム箔に対して、表２に示すエッチング条
件にて、二次エッチング後の芯部の強度が１．８ｋｇｆ
／ｃｍ幅になる一次エッチング時間までエッチングを実
施し、得られたアルミニウム箔の静電容量を測定した。
その結果を、実施例１と同じく表１の試料Ｂの静電容量
を１００％としたときの相対比較にて示す。
【００２１】
【表２】 上記表２の結果からわかるように、本発明に係るエッチ
ング方法の条件を満足する実施品は、条件を逸脱する比
較品に較べて静電容量を増大し得ることを確認し得た。
ング方法の条件を満足する実施品は、条件を逸脱する比
較品に較べて静電容量を増大し得ることを確認し得た。
【００２２】
【発明の効果】この発明に係る電解コンデンサ電極用ア
ルミニウム箔は、アルミニウム純度９９．９％以上で、
Ｍｇ量５００〜３０００ｐｐｍを含有するものであるか
ら、エッチング性に優れ、エッチング処理により極めて
大きな拡面率を得ることができる。従って、大きな静電
容量を有し電気的特性に優れた電解コンデンサ電極用ア
ルミニウム箔となしうる。
ルミニウム箔は、アルミニウム純度９９．９％以上で、
Ｍｇ量５００〜３０００ｐｐｍを含有するものであるか
ら、エッチング性に優れ、エッチング処理により極めて
大きな拡面率を得ることができる。従って、大きな静電
容量を有し電気的特性に優れた電解コンデンサ電極用ア
ルミニウム箔となしうる。
【００２３】また、この発明に係るエッチング方法によ
れば、上記のアルミニウム箔に、ＨＣｌ：３〜１０％、
Ｈ2 ＳＯ4 ：１５〜４０％を含む水溶液中で、液温：７
０〜９０℃、電流密度：１０〜４０Ａ／ｄｍ2 の条件に
て一次の電解エッチングを実施した後、ＨＣｌ：３〜１
０wt％あるいはさらにＨ2 Ｃ2 Ｏ4 ：１wt％以下を含む
水溶液中で、液温：７０〜９５℃、電流密度：０〜１０
Ａ／ｄｍ2 の条件にて、二次の電解エッチングまたは化
学エッチングを実施するから、表面溶解量を抑制しつつ
エッチングピットを適度に分散させることができるとと
もに、孔径を拡大でき、益々拡面率が大きく静電容量の
大きい電解コンデンサ電極箔を提供できる。
れば、上記のアルミニウム箔に、ＨＣｌ：３〜１０％、
Ｈ2 ＳＯ4 ：１５〜４０％を含む水溶液中で、液温：７
０〜９０℃、電流密度：１０〜４０Ａ／ｄｍ2 の条件に
て一次の電解エッチングを実施した後、ＨＣｌ：３〜１
０wt％あるいはさらにＨ2 Ｃ2 Ｏ4 ：１wt％以下を含む
水溶液中で、液温：７０〜９５℃、電流密度：０〜１０
Ａ／ｄｍ2 の条件にて、二次の電解エッチングまたは化
学エッチングを実施するから、表面溶解量を抑制しつつ
エッチングピットを適度に分散させることができるとと
もに、孔径を拡大でき、益々拡面率が大きく静電容量の
大きい電解コンデンサ電極箔を提供できる。
【図１】エッチング後のアルミニウム箔の模式的断面図
である。
である。
１…アルミニウム箔 ２…芯部 ３…エッチングピット
フロントページの続き (72)発明者 礒山 永三 堺市海山町６丁224番地 昭和アルミニウ ム株式会社内 (72)発明者 遠藤 茂 堺市海山町６丁224番地 昭和アルミニウ ム株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 アルミニウム純度９９．９％以上で、Ｍ
ｇ量５００〜３０００ｐｐｍを含有する電解コンデンサ
電極用アルミニウム箔。 - 【請求項２】 アルミニウム純度９９．９％以上で、Ｍ
ｇ量５００〜３０００ｐｐｍを含有する電解コンデンサ
電極用アルミニウム箔を、ＨＣｌ：３〜１０％、Ｈ2 Ｓ
Ｏ4 ：１５〜４０％を含む水溶液中で、液温：７０〜９
０℃、電流密度：１０〜４０Ａ／ｄｍ2 の条件にて一次
の電解エッチングを実施した後、ＨＣｌ：３〜１０wt％
あるいはさらにＨ2 Ｃ2 Ｏ4 ：１wt％以下を含む水溶液
中で、液温：７０〜９５℃、電流密度：０〜１０Ａ／ｄ
ｍ2 の条件にて、二次の電解エッチングまたは化学エッ
チングを実施することを特徴とする電解コンデンサ電極
用アルミニウム箔のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP526294A JPH07211593A (ja) | 1994-01-21 | 1994-01-21 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔及びそのエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP526294A JPH07211593A (ja) | 1994-01-21 | 1994-01-21 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔及びそのエッチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07211593A true JPH07211593A (ja) | 1995-08-11 |
Family
ID=11606321
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP526294A Pending JPH07211593A (ja) | 1994-01-21 | 1994-01-21 | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔及びそのエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07211593A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07235457A (ja) * | 1993-12-29 | 1995-09-05 | Showa Alum Corp | 電解コンデンサ電極用アルミニウム箔及びそのエッチング方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57131399A (en) * | 1981-02-02 | 1982-08-14 | Showa Alum Corp | Manufacture of aluminum alloy foil for electrode of electrolytic capacitor |
| JPH01212733A (ja) * | 1988-02-19 | 1989-08-25 | Toyo Alum Kk | 電解コンデンサ陰極用アルミニウム合金箔 |
| JPH0521288A (ja) * | 1991-07-09 | 1993-01-29 | Showa Alum Corp | 電解コンデンサ陰極箔用アルミニウム合金 |
-
1994
- 1994-01-21 JP JP526294A patent/JPH07211593A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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