JPS6366728A - 垂直磁気記録媒体の製造方法 - Google Patents
垂直磁気記録媒体の製造方法Info
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- JPS6366728A JPS6366728A JP21059186A JP21059186A JPS6366728A JP S6366728 A JPS6366728 A JP S6366728A JP 21059186 A JP21059186 A JP 21059186A JP 21059186 A JP21059186 A JP 21059186A JP S6366728 A JPS6366728 A JP S6366728A
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- Japan
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- magnetic
- recording medium
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- magnetic recording
- alloy
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- Pending
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- Thin Magnetic Films (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「産業上の利用分野」
本発明は１グネトロン・スパッタリング法によシＣｏ−
Ｃｒ系合金から成る垂直磁気記録媒体を製造する方法に
関するものである。
Ｃｒ系合金から成る垂直磁気記録媒体を製造する方法に
関するものである。
「従来の技術」
マグネトロン・スパッタリング法ハスノぐツタリング法
においてスパッタ・ターゲットの裏側に磁石を設置し、
それによる磁界によってターゲット上のプラズマ密度を
高めて膜形成速度を大きくするものである。この方法に
より通常金属の薄膜を高速で形成することが可能となる
。
においてスパッタ・ターゲットの裏側に磁石を設置し、
それによる磁界によってターゲット上のプラズマ密度を
高めて膜形成速度を大きくするものである。この方法に
より通常金属の薄膜を高速で形成することが可能となる
。
しかし、垂直磁気記録媒体として用いられるＣｏ−Ｃｒ
系合金のような磁性薄膜を形成する場合、ターゲットと
して用いるＣｏ−Ｃｒ系合金の磁性のためターゲット裏
側におい′ｆｃＶＢ石からの磁束がターゲット内に吸収
されるという現象が生じる。このためターゲツト面上の
磁束密度は著るしく減少し、その結果薄膜形成の速度を
あげることが困難になる。
系合金のような磁性薄膜を形成する場合、ターゲットと
して用いるＣｏ−Ｃｒ系合金の磁性のためターゲット裏
側におい′ｆｃＶＢ石からの磁束がターゲット内に吸収
されるという現象が生じる。このためターゲツト面上の
磁束密度は著るしく減少し、その結果薄膜形成の速度を
あげることが困難になる。
「発明が解決しようとする問題点」
本発明者等は、上記問題点に鑑み種々検討の結果、マグ
ネトロンスノ臂ツタリングターゲットのＣｏ−Ｃｒ系材
料を非磁性ｔ′！′ｃは極めて弱い磁性の合金とするこ
とにより薄膜形成速度を上げ得ること。
ネトロンスノ臂ツタリングターゲットのＣｏ−Ｃｒ系材
料を非磁性ｔ′！′ｃは極めて弱い磁性の合金とするこ
とにより薄膜形成速度を上げ得ること。
しかもかようにして得られるスパッタリング薄膜が強い
磁性を帯びるに至ることを見出し１本発明に至った。
磁性を帯びるに至ることを見出し１本発明に至った。
「問題点を解決するための手段」
すなわち、本発明はマグネトロンスノ譬ツタリング法に
よるＣｏ−Ｃｒ系垂直磁気記録媒体の製造において、ス
パッタリングターゲットがｓ Ｃｏ＋Ｃｒを主成分とす
る非磁性または磁性の弱いＣｏ−Ｃｒ系合金であること
を特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法である。
よるＣｏ−Ｃｒ系垂直磁気記録媒体の製造において、ス
パッタリングターゲットがｓ Ｃｏ＋Ｃｒを主成分とす
る非磁性または磁性の弱いＣｏ−Ｃｒ系合金であること
を特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法である。
以下１本発明の詳細な説明する。
本発明においては、スノやツタリングターゲットとして
Ｃｏ＋Ｃｒを主成分とする非磁性もしくは磁性の弱いＣ
ｏ−Ｃｒ系合金を用いる。Ｃｏ−Ｃｒ系合金においては
、Ｃｒ含有量の増加と共に磁化はほぼ直線的に減少し、
Ｃｒ含有量が２３ ｗｔ％を超えると非磁性または磁
性の弱い合金となる。
Ｃｏ＋Ｃｒを主成分とする非磁性もしくは磁性の弱いＣ
ｏ−Ｃｒ系合金を用いる。Ｃｏ−Ｃｒ系合金においては
、Ｃｒ含有量の増加と共に磁化はほぼ直線的に減少し、
Ｃｒ含有量が２３ ｗｔ％を超えると非磁性または磁
性の弱い合金となる。
本発明において用いられる非磁性または磁性の弱いＣｏ
−Ｃｒ系合金としては１例えばＣｏ含有量が４０〜７１
重ｉ％、Ｃｒ含有量が、２３〜３２重量％。
−Ｃｒ系合金としては１例えばＣｏ含有量が４０〜７１
重ｉ％、Ｃｒ含有量が、２３〜３２重量％。
Ｗ含有量が４〜２５％、Ｃ含有量が０．１〜３％の合金
が挙げられる。この合金は機械材料分野でステライト合
金の名称で知られ次合金に相応する。
が挙げられる。この合金は機械材料分野でステライト合
金の名称で知られ次合金に相応する。
このステライト合金は耐摩耗性、耐食性、高温における
硬さに優れ、従来から機械材料として用いられてきた。
硬さに優れ、従来から機械材料として用いられてきた。
ステライト合金の磁性は一般に非磁性であるＯ本発明に
おいて、マグネトロンスノ？ツタリングによる薄膜形成
速度がターゲットの磁性による影９を排し得るのは、飽
和磁化が好ましくは５０ｍｍｕ／−以下の範囲である。
おいて、マグネトロンスノ？ツタリングによる薄膜形成
速度がターゲットの磁性による影９を排し得るのは、飽
和磁化が好ましくは５０ｍｍｕ／−以下の範囲である。
上記範囲をはずれるとターゲットの磁性の増加と共に磁
気シールド効果によシ、マグネトロンスノやツタリング
効果は次第に減少し、それに伴って製膜速度も次第に遅
くなる。、 「実施例」 以下、実施例によｐ本発明を更に具体的に説明する。
気シールド効果によシ、マグネトロンスノやツタリング
効果は次第に減少し、それに伴って製膜速度も次第に遅
くなる。、 「実施例」 以下、実施例によｐ本発明を更に具体的に説明する。
実施例１
Ｃｏ−Ｃｒ−Ｗ−Ｃ’ （重量比６８：２６：５：１）
から成る合金ターゲット（飽和磁化３５ ｅｍｕ／ｃ１
ｎ” ）を用いマグネトロン・スパッタリング法により
薄膜を作成した。ターゲットは直径６インチ、厚さ５簡
のものを用いた。ターゲット裏板にはステンレス類のも
のをゲンディングせずに用いた。スパッタリング装置は
マグネトロン式高周波二極スノ！ツタリング装装置を用
いた。基板にはノ辛イレックスガラスを用い、基板−タ
ーグツト間距離は５０ｍとしｔ−Ｏ 真空槽内はスパッタリング前にＩ Ｘ １０−’Ｐａ以
下に排気し次のち、純度９９．９９９５チのＡｒガスを
導入して系内金０．５Ｐａとし、。スパッタリングを行
りた。
から成る合金ターゲット（飽和磁化３５ ｅｍｕ／ｃ１
ｎ” ）を用いマグネトロン・スパッタリング法により
薄膜を作成した。ターゲットは直径６インチ、厚さ５簡
のものを用いた。ターゲット裏板にはステンレス類のも
のをゲンディングせずに用いた。スパッタリング装置は
マグネトロン式高周波二極スノ！ツタリング装装置を用
いた。基板にはノ辛イレックスガラスを用い、基板−タ
ーグツト間距離は５０ｍとしｔ−Ｏ 真空槽内はスパッタリング前にＩ Ｘ １０−’Ｐａ以
下に排気し次のち、純度９９．９９９５チのＡｒガスを
導入して系内金０．５Ｐａとし、。スパッタリングを行
りた。
ヌノや゛ツタリングは、最初基板上をシャッター板テ覆
った状態で十分グリスバッタを行りたのちシャッター板
を取シ除いて基板上にスノ母ツタリングを行った。
った状態で十分グリスバッタを行りたのちシャッター板
を取シ除いて基板上にスノ母ツタリングを行った。
スパッタリング電圧１．５ ｋＶで２０分スノ譬ツタを
行い、厚さ０．３μｍの薄膜を作製した。膜生成速度は
１５ ｎＸｖ／ｍｉｎである。
行い、厚さ０．３μｍの薄膜を作製した。膜生成速度は
１５ ｎＸｖ／ｍｉｎである。
比較例ｌ
Ｃｏ−Ｃｒ （重量比８０：２０）の合金ターゲット（
飽和磁化約２００ ｅｍｕ／ｃｒｎりを用い、実施例１
と同様にしてスノ母ツタリングを行った。ターゲットサ
イズは実施例１と同じく直径６インチ、厚さ５籠である
。
飽和磁化約２００ ｅｍｕ／ｃｒｎりを用い、実施例１
と同様にしてスノ母ツタリングを行った。ターゲットサ
イズは実施例１と同じく直径６インチ、厚さ５籠である
。
スパッタリング電圧１．５ ｋＶで６０分スパッタヲ行
い、厚さ０．３μの薄膜を作製した。膜生成速度は５
ｎＶｍｉｎである。
い、厚さ０．３μの薄膜を作製した。膜生成速度は５
ｎＶｍｉｎである。
実施例１で作製した膜のＸ線回折図を第１図に示す。Ｃ
ｏＣｒ系垂直磁化膜に特有な（００２）回折が４４．３
°に現われておυ、結晶が膜面に垂直に配向しているこ
とがわかる。２θ＝４４．３°におけるロッキング曲線
を第２図に示す。半価中Δθ５０＝２．６゜であシ、極
めて配向性に優れていることがわかる。
ｏＣｒ系垂直磁化膜に特有な（００２）回折が４４．３
°に現われておυ、結晶が膜面に垂直に配向しているこ
とがわかる。２θ＝４４．３°におけるロッキング曲線
を第２図に示す。半価中Δθ５０＝２．６゜であシ、極
めて配向性に優れていることがわかる。
揚動試料型磁力計によシ膜の磁気特性を測定した結果を
第３図に示す。／は膜面に平行、上は岳亘方向の磁気特
性を示す。極めて垂直特性に優れていることがわかる。
第３図に示す。／は膜面に平行、上は岳亘方向の磁気特
性を示す。極めて垂直特性に優れていることがわかる。
「発明の効果」
以上から明らかな如く、本発明によれば、マグネ）ロン
スノ々ツタリングにおいて非磁性または鐵性の弱いＣｏ
−Ｃｒ合金ターゲットを用いることにより薄膜形成速度
を挙げることができ、且つ強磁性のＣｏ−Ｃｒ系磁性膜
を得ることができる。
スノ々ツタリングにおいて非磁性または鐵性の弱いＣｏ
−Ｃｒ合金ターゲットを用いることにより薄膜形成速度
を挙げることができ、且つ強磁性のＣｏ−Ｃｒ系磁性膜
を得ることができる。
第１図は本発明の方法により得られた薄膜のＸ線回折図
を示すグラフ図であり、第２図はロッキング曲線を示す
グラフ図であり、第３図は振動試料型磁力計により測定
された薄膜の磁気特性を示すグラフ図である。 第２図
を示すグラフ図であり、第２図はロッキング曲線を示す
グラフ図であり、第３図は振動試料型磁力計により測定
された薄膜の磁気特性を示すグラフ図である。 第２図
Claims (2)
- （１）マグネトロンスパッタリング法によるＣｏ−Ｃｒ
系垂直磁気記録媒体の製造において、スパッタリングタ
ーゲットが、Ｃｏ、Ｃｒを主成分とする非磁性または磁
性の弱いＣｏ−Ｃｒ系合金であることを特徴とする垂直
磁気記録媒体の製造方法。 - （２）前記Ｃｏ−Ｃｒ系合金において、Ｃｏの含有１が
４０〜７３重量％、Ｃｒの含有量が２３〜３２重量％、
Ｗの含有量が４〜２５％、Ｃの含有量が０．１〜３％で
ある特許請求範囲第１項記載の垂直磁気記録媒体の製造
方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21059186A JPS6366728A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
| DE8787113123T DE3781071D1 (de) | 1986-09-09 | 1987-09-08 | Vertikaler magnetischer aufzeichnungstraeger und verfahren zu seiner herstellung. |
| EP87113123A EP0259840B1 (en) | 1986-09-09 | 1987-09-08 | Vertical magnetic medium and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21059186A JPS6366728A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6366728A true JPS6366728A (ja) | 1988-03-25 |
Family
ID=16591854
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21059186A Pending JPS6366728A (ja) | 1986-09-09 | 1986-09-09 | 垂直磁気記録媒体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6366728A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006292219A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Shimizu Corp | クリーンルーム |
-
1986
- 1986-09-09 JP JP21059186A patent/JPS6366728A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006292219A (ja) * | 2005-04-07 | 2006-10-26 | Shimizu Corp | クリーンルーム |
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