JPS6123348A - 樹脂封止型半導体装置 - Google Patents

樹脂封止型半導体装置

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JPS6123348A
JPS6123348A JP59144683A JP14468384A JPS6123348A JP S6123348 A JPS6123348 A JP S6123348A JP 59144683 A JP59144683 A JP 59144683A JP 14468384 A JP14468384 A JP 14468384A JP S6123348 A JPS6123348 A JP S6123348A
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JP
Japan
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resin
lead frame
die
bonded portion
die attach
Prior art date
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Pending
Application number
JP59144683A
Other languages
English (en)
Inventor
Nobuyuki Yamamichi
山道　信行
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS6123348A publication Critical patent/JPS6123348A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • H10W70/00—Package substrates; Interposers; Redistribution layers [RDL]
    • H10W70/40—Leadframes
    • H10W70/456—Materials
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  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （技術分野） 本発明は、樹脂モールドされてなる半導体素子用プラス
チックパッケージに関するものである。
（従来技術） 従来の樹脂をもってモールドされてなるプラスチックパ
ッケージに於いては、リードフレームの所定部に金■ロ
ー材あるいは接着剤を用いて素子を接着し、電極結線後
樹脂モールドした型になっている。この場合素子を乗せ
たダイアタッチ部の反対側の面は、同等表面処理が施さ
れていない。
近年集積回路素子の薄肉化が進んで来ている。
この場合、従来のリードフレームでは、ダイアタッチ部
の反対側の面からモールド樹脂表面までの距離が短かく
なる。その時、本発明者の実験によればその部分でとく
にモールド樹脂のクラックが入りおすいことがわかった
。これはリードフレーム材の膨張率と樹脂の膨張率とが
違っている為、樹脂厚が薄くなればなるほどクラックが
入りやすくなると考えられる。そ七て、このクラックは
とくに樹脂厚の薄い部分、即ち上記の部分に生じやすい
。
（発明の目的） 本発明はかかる不具合を改善したパッ□ケージを提供す
ることである。
（発明の構成） 本発明は、リードフレーム材と樹脂との接着性が良い事
がかえって樹脂に応力の集中を起こして、クラック発生
を助長しているとの知見に基き、ダイアタッチ部の反対
側の面に樹脂と密着しにくい物質を設けたことを特徴と
する。
こうする事によりリードフレーム材と樹脂の膨張率差は
、ダイレクトにはダイアタッチ部下の樹脂には伝わらず
、その影響は緩和され樹脂へのクラックは防止される。
（実施例の説明） 以下本発明の一実施例を図面を用いて説明する。
第１図は従来のプラスチックパッケージを示す図である
。
リードフレーム１のダイアタッチ部２の上に金属ロー材
又は銀ペースト等の接着剤３により半導体素子４を接着
し、ボンディングワイヤ５で該素子の電極とリードフレ
ーム先端にボンディング出来る様に例えば銀メッキした
部分６とを結線し、その後樹脂７でモールドし、最後に
外部リードに例えば錫メッキ８を施したものである。
この様な従来のプラスチックパッケージの場合モールド
樹脂７の厚さを薄くしていた時、ダイアタッチ部２下の
樹脂厚が極端に薄くなってくる。
リードフレーム素材としては、一般的に４２％Ｎｉ−Ｆ
ｅ　合金が使用されており、樹脂よりも膨張率が小さく
かなりの膨張差が生ずる。又他のリードフレーム素材に
於いても大なり小なり膨張差に存在する。
リードフレーム素材とモールド樹脂との密着性はリード
フレームとモールド樹脂界面からの水分侵入を防止する
上からも当然良くなければならない。しかし、ダイアタ
ッチ部２の下面の状態を考察してみると、リードフレー
ム素材とモールド樹脂が密着している事から熱膨張衝撃
に対してその膨張差による熱応力ひずみはダイアタッチ
部下面の端部に集中する事となりモールド樹脂７にクラ
ック９が発生する事が認められた。
これに対して第２図は本発明による一実施例を示す図で
ある。
本実施例はリードフレーム１のダイアタッチ部２の上に
金属ロー材又は銀ペースト等の接着剤３により半導体素
子４を接着し、ボンディングワイヤ５で該素子の電極と
リードフレーム先端にボンディング出来る様例えば銀メ
ッキした部分６とを結線しである。ここで従来の構造と
異なる点は、ダイアタッチ部２０反対側の面に限定的に
モールド樹脂７と密着しにくい物質例えばフッ素樹脂１
０をコーティングした事である。更に樹脂７でモールド
し、最後に外部リードに例えば錫メッキ８を施す。
（発明の効果） この様に本発明の実施例では、ダイアタッチ部２０反対
側の面にフッ素樹脂１０をコーティングしであるので、
リード素材とモールド樹脂７はその部分では密着してお
らず、このため熱膨張衝撃に対してその膨張差による応
力ひずみはダイアタッチ部下面の端部に集中する事がな
くなりモールド樹脂７にクラックの発生はなくなった。
以上本発明の一実施例を図面により説明したが、本発明
を使用する事によりモールド樹脂厚を薄くしても充分信
頼性の高いプラスチックパッケージとして利用出来る様
になった。
＝５−
【図面の簡単な説明】
第１図は従来のプラスチックパッケージを示す断面図で
ある。第２図は本発明の一実施例であるプラスチックパ
ッケージを示す断面図である。 １・・・・・・リードフレーム、５・・・・・・ボンデ
ィングワイヤ、９・・・・・・クラック、２・・・・・
・ダイアタッチ部、６・・・・・・銀メツキ部、１０・
・・・・・フッ素樹脂、３・・・・・・金属ロー材又は
銀ペースト、７・・・・・・モールド樹脂、４・・・・
・・半導体素子、８・・・・・・錫メッキ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 　リードフレーム上の半導体素子が樹脂でモールドされ
    てなるプラスチックパッケージに於いて、該素子を支持
    するダイアタッチ部の反対側の面に該モールド樹脂と密
    着しにくい物質をコーティングした事を特徴とする樹脂
    封止型半導体装置。
JP59144683A 1984-07-12 1984-07-12 樹脂封止型半導体装置 Pending JPS6123348A (ja)

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JP59144683A JPS6123348A (ja) 1984-07-12 1984-07-12 樹脂封止型半導体装置

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JP59144683A JPS6123348A (ja) 1984-07-12 1984-07-12 樹脂封止型半導体装置

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JPS6123348A true JPS6123348A (ja) 1986-01-31

Family

ID=15367826

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP59144683A Pending JPS6123348A (ja) 1984-07-12 1984-07-12 樹脂封止型半導体装置

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JP (1) JPS6123348A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6370548A (ja) * 1986-09-12 1988-03-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置用リ−ドフレ−ム
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