JPS6372116A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
- Publication number
- JPS6372116A JPS6372116A JP61215716A JP21571686A JPS6372116A JP S6372116 A JPS6372116 A JP S6372116A JP 61215716 A JP61215716 A JP 61215716A JP 21571686 A JP21571686 A JP 21571686A JP S6372116 A JPS6372116 A JP S6372116A
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- JP
- Japan
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- ray
- absorber
- exposure
- rays
- resist
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/7055—Exposure light control in all parts of the microlithographic apparatus, e.g. pulse length control or light interruption
- G03F7/70558—Dose control, i.e. achievement of a desired dose
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明はＸ線リソグラフィに係り、特にＳＯＲなど、Ｘ
線強度の経時変化が大きいＸ線源を用いる場合の露光強
度モニターに関する。
線強度の経時変化が大きいＸ線源を用いる場合の露光強
度モニターに関する。
Ｘ線露光装置は現在、研究開発の段階にあり、数機種の
装置がやっと市場に出たところである。
装置がやっと市場に出たところである。
しかし、これらの露光装置にもＸ線用の露光強度モニタ
ーは設置されていない、現在迄のところ、露光強度のモ
ニタ一方法として提案されているのは主に半導体検出器
や比例増幅器を用いるもので、いずれも入射Ｘ線を直接
受光するものである（Ｂ。
ーは設置されていない、現在迄のところ、露光強度のモ
ニタ一方法として提案されているのは主に半導体検出器
や比例増幅器を用いるもので、いずれも入射Ｘ線を直接
受光するものである（Ｂ。
Ｌ 、Ｈｅｎｋｅ他、ジエー・アプライド・フィジック
ス、第５２巻、 １９８１年、第１５０９頁（Ｊ 、Ａ
ｐｐｌ、Ｐｈｙｓ。
ス、第５２巻、 １９８１年、第１５０９頁（Ｊ 、Ａ
ｐｐｌ、Ｐｈｙｓ。
Ｖｏ！、５２．ｐ、１５０９ （１９８１））参照）。
上記従来技術では、入射Ｘ線を受光するために、試料レ
ジストの露光と同時にＸ線強度をモニターすることが困
難であること、また、同時モニターするためには検出器
を露光面に設置するため、Ｘ線の露光面積が大きく制約
されるという問題があった。
ジストの露光と同時にＸ線強度をモニターすることが困
難であること、また、同時モニターするためには検出器
を露光面に設置するため、Ｘ線の露光面積が大きく制約
されるという問題があった。
本発明の目的は露光面積を減少させることなく、露光と
露光強度を同時にモニターすることにある。
露光強度を同時にモニターすることにある。
上記目的は、Ｘ線マスクのパターンを形成する吸収体（
Ｘ線を吸収して電子を発する物体で、フォトカソードと
呼びれることもある）など、Ｘ線の存在領域にあるＸ線
吸収体がＸ線の照射によって発する電子、特に２次電子
を検出する手段を設けることによって達成される。
Ｘ線を吸収して電子を発する物体で、フォトカソードと
呼びれることもある）など、Ｘ線の存在領域にあるＸ線
吸収体がＸ線の照射によって発する電子、特に２次電子
を検出する手段を設けることによって達成される。
なお、Ｘ線吸収体としては、Ａｕ、Ｗ、Ｍｏなどの重金
属が適用できる。
属が適用できる。
Ｘ線吸収体から発生する２次電子は真空中で長い飛程（
例えば１０″″’Ｐａの圧力下で１ｋｅＶのエネルギー
を有する２次電子のｆｌｉｔｉｎｇ’ ｓ ｒａｎｇｅ
は３００ｍ以上である）を持つため、２次電子の検出器
を露光領域より離して設置することができるｔ、また、
吸収体（フォトカソード）として、Ｘ線マスクの吸収体
パターンをそのまま利用するか、これに準じたＸ線吸収
体を露光面などＸ線が存在する領域に設置すれば良く、
特別のＸ線用センサーを必要としない。
例えば１０″″’Ｐａの圧力下で１ｋｅＶのエネルギー
を有する２次電子のｆｌｉｔｉｎｇ’ ｓ ｒａｎｇｅ
は３００ｍ以上である）を持つため、２次電子の検出器
を露光領域より離して設置することができるｔ、また、
吸収体（フォトカソード）として、Ｘ線マスクの吸収体
パターンをそのまま利用するか、これに準じたＸ線吸収
体を露光面などＸ線が存在する領域に設置すれば良く、
特別のＸ線用センサーを必要としない。
実施例１
本実施例の構成概略図を第１図に示す、被加工基板１゛
にＸ線レジスト２を塗布した試料にＸ線マスクを近接さ
せて設定する。ｘ、ｉａマスクは１μｍ厚の金で作られ
た吸収体４、および、これを保持するためのメンブレン
３より構成される。上記メンブレンは窒化ホウ素（Ｂ
Ｎ）膜（２μｍ）にポリイミド膜（３μｍ）を積層させ
て作成した。２次電子の検出器としてチャネルトロン（
ゲイン；１０８）を用い、これのプローブ先端をＸ線マ
スクの最外側の吸収体パターンより約２０国難れた位置
に設置した。チャネルトロン５よりの出力パルス信号を
増幅回路により処理して、その電圧を測定した。Ｘ線源
として回転対陰極型（陰極材にＭＯを用いた）を使用し
た場合、Ｘ線６を露光することにより、本モニターの出
力電圧として約２Ｖの信号を得ることが出来た０本実施
例では試料のＸ線露光は真空中（＜１０−’Ｐａ）で行
った。
にＸ線レジスト２を塗布した試料にＸ線マスクを近接さ
せて設定する。ｘ、ｉａマスクは１μｍ厚の金で作られ
た吸収体４、および、これを保持するためのメンブレン
３より構成される。上記メンブレンは窒化ホウ素（Ｂ
Ｎ）膜（２μｍ）にポリイミド膜（３μｍ）を積層させ
て作成した。２次電子の検出器としてチャネルトロン（
ゲイン；１０８）を用い、これのプローブ先端をＸ線マ
スクの最外側の吸収体パターンより約２０国難れた位置
に設置した。チャネルトロン５よりの出力パルス信号を
増幅回路により処理して、その電圧を測定した。Ｘ線源
として回転対陰極型（陰極材にＭＯを用いた）を使用し
た場合、Ｘ線６を露光することにより、本モニターの出
力電圧として約２Ｖの信号を得ることが出来た０本実施
例では試料のＸ線露光は真空中（＜１０−’Ｐａ）で行
った。
本実施例によればＸ８＠マスクをそのままセンサーとし
て用いて、露光中のＸ線強度をモニターすることが出来
る。
て用いて、露光中のＸ線強度をモニターすることが出来
る。
実施例２
本実施例では第２図に示す如く試料の露光を１気圧のＨ
ｅ中で行うことにし、このため、露光部とＸ線導入部を
厚さ２００μｍのベリリウム膜２０で分離した。Ｘ線レ
ジスト、および、マスクの設置方法は実施例１と同様と
した。フォトカソードとして、上記のベリリウム膜上に
１００人厚さの金３０を真空蒸着法により被着した。２
次電子の検出器として２台のチャネルトロン５を露光域
の外側より２０論離れた上下の位置に設置した。
ｅ中で行うことにし、このため、露光部とＸ線導入部を
厚さ２００μｍのベリリウム膜２０で分離した。Ｘ線レ
ジスト、および、マスクの設置方法は実施例１と同様と
した。フォトカソードとして、上記のベリリウム膜上に
１００人厚さの金３０を真空蒸着法により被着した。２
次電子の検出器として２台のチャネルトロン５を露光域
の外側より２０論離れた上下の位置に設置した。
それぞれのチャネルトロン７からの信号を増幅した後、
演算回路１１により、これらの信号の和を測定した。Ｘ
線源にはシンクロトロン軌道放射光（電子エネルギー＊
２−５ Ｇ ｅ Ｖ ＋軌道半径３０ｍ）を用い、さ
らに、回転する平面ミラー１８によってこれを反射させ
ることにより、放射光ビームの光束を拡幅させた（６．
６’ ）。すなわち、反射された光束６，６′がミラー
の傾きの時間変化に伴ってフォトカソード面上を掃査す
ることになる。
演算回路１１により、これらの信号の和を測定した。Ｘ
線源にはシンクロトロン軌道放射光（電子エネルギー＊
２−５ Ｇ ｅ Ｖ ＋軌道半径３０ｍ）を用い、さ
らに、回転する平面ミラー１８によってこれを反射させ
ることにより、放射光ビームの光束を拡幅させた（６．
６’ ）。すなわち、反射された光束６，６′がミラー
の傾きの時間変化に伴ってフォトカソード面上を掃査す
ることになる。
したがって、チャネルトロンからの検出信号強度の時間
変化を測定することにより、拡幅された光束の露光強度
分布をモニターすることができる。
変化を測定することにより、拡幅された光束の露光強度
分布をモニターすることができる。
第３図に放射光を露光中に測定した信号電圧の時間変化
を示す６本実施例によれば試料レジストの露光と同時に
露光面内の光強度分布をモニターすることが可能となる
。
を示す６本実施例によれば試料レジストの露光と同時に
露光面内の光強度分布をモニターすることが可能となる
。
なお、本発明で適用できる吸収体の膜厚は５〜１０００
人が最適である。すなわち、膜厚が５Å以下では発生す
る電子の数が少なく、よって検出することが不可能であ
り、また１０００人を越えると発生する電子の数が過剰
となり、露光装置内での反射電子が多くなり、レジスト
を感応させたりして、パターン転写の性能を低下させる
。
人が最適である。すなわち、膜厚が５Å以下では発生す
る電子の数が少なく、よって検出することが不可能であ
り、また１０００人を越えると発生する電子の数が過剰
となり、露光装置内での反射電子が多くなり、レジスト
を感応させたりして、パターン転写の性能を低下させる
。
また、吸収体としては、Ａｕの他にＮ１５Ｗなどの重金
属を適用することができた。
属を適用することができた。
本発明によれば、レジストへのＸ線露光と同時に、露光
強度、および、その分布をモニターできるので、Ｘ線リ
ソグラフィにおけるレジストパターン寸法の高精度制御
に多大な効果がある。
強度、および、その分布をモニターできるので、Ｘ線リ
ソグラフィにおけるレジストパターン寸法の高精度制御
に多大な効果がある。
第１図は実施例１の強度モニタ一手段の構成図、第２図
は実施例２の強度モニタ一手段の構成図。 １・・・Ｓｉウェーハ、２・・・Ｘ線レジスト、３・・
・メンブレン、４・・・吸収体、５・・・チャネルトロ
ン、６゜６′・・・Ｘ線、７・・・アンプ、８・・・電
圧計、２０・・・Ｂｅ膜、３０・・・Ａｕ膜、１８・・
・回転ミラー、１０・・・アンプ、１１・・・和算回路
、１２・・・電圧計、、′（□
は実施例２の強度モニタ一手段の構成図。 １・・・Ｓｉウェーハ、２・・・Ｘ線レジスト、３・・
・メンブレン、４・・・吸収体、５・・・チャネルトロ
ン、６゜６′・・・Ｘ線、７・・・アンプ、８・・・電
圧計、２０・・・Ｂｅ膜、３０・・・Ａｕ膜、１８・・
・回転ミラー、１０・・・アンプ、１１・・・和算回路
、１２・・・電圧計、、′（□
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、Ｘ線マスクのパターンを転写するＸ線リソグラフィ
で用いるＸ線露光装置において、該Ｘ線の存在領域にあ
るＸ線吸収体から発せられる電子を検出することによつ
て該Ｘ線の強度をモニターする手段を有することを特徴
とするＸ線露光装置。 ２、前記Ｘ線吸収体が前記Ｘ線マスクの吸収体パターン
であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のＸ
線露光装置。 ３、前記Ｘ線吸収体が、前記Ｘ線の存在領域にある重金
属膜であることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
のＸ線露光装置。 ４、前記Ｘ線吸収体の厚さが５〜１，０００Åであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１〜３項いずれかに記
載のＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61215716A JPS6372116A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61215716A JPS6372116A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | Ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6372116A true JPS6372116A (ja) | 1988-04-01 |
Family
ID=16676992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61215716A Pending JPS6372116A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6372116A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02100311A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-12 | Canon Inc | Ｓｏｒ−ｘ線露光装置 |
| EP0987601A3 (en) * | 1998-09-17 | 2001-10-04 | Nikon Corporation | An exposure apparatus and exposure method using same |
| JP2002141280A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-05-17 | Asm Lithography Bv | 平板投影装置、素子製造方法およびそれによって製造された素子 |
| EP1331519A3 (en) * | 2002-01-29 | 2004-01-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure control |
| US7686505B2 (en) | 2005-02-01 | 2010-03-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Method and system for indirect determination of local irradiance in an optical system |
| US7875865B2 (en) | 2005-11-10 | 2011-01-25 | Carl Zeiss Smt Ag | EUV illumination system with a system for measuring fluctuations of the light source |
-
1986
- 1986-09-16 JP JP61215716A patent/JPS6372116A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02100311A (ja) * | 1988-10-06 | 1990-04-12 | Canon Inc | Ｓｏｒ−ｘ線露光装置 |
| EP0987601A3 (en) * | 1998-09-17 | 2001-10-04 | Nikon Corporation | An exposure apparatus and exposure method using same |
| US6842500B1 (en) | 1998-09-17 | 2005-01-11 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and exposure method using same |
| JP2002141280A (ja) * | 2000-08-25 | 2002-05-17 | Asm Lithography Bv | 平板投影装置、素子製造方法およびそれによって製造された素子 |
| EP1331519A3 (en) * | 2002-01-29 | 2004-01-21 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure control |
| US6825481B2 (en) | 2002-01-29 | 2004-11-30 | Canon Kabushiki Kaisha | Exposure apparatus, control method thereof, and device manufacturing method using the same |
| US7686505B2 (en) | 2005-02-01 | 2010-03-30 | Carl Zeiss Smt Ag | Method and system for indirect determination of local irradiance in an optical system |
| US8454230B2 (en) | 2005-02-01 | 2013-06-04 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Method and system for indirect determination of local irradiance in an optical system |
| US7875865B2 (en) | 2005-11-10 | 2011-01-25 | Carl Zeiss Smt Ag | EUV illumination system with a system for measuring fluctuations of the light source |
| US8513628B2 (en) | 2005-11-10 | 2013-08-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | EUV illumination system with a system for measuring fluctuations of the light source |
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