JPS6372131A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS6372131A JPS6372131A JP21598986A JP21598986A JPS6372131A JP S6372131 A JPS6372131 A JP S6372131A JP 21598986 A JP21598986 A JP 21598986A JP 21598986 A JP21598986 A JP 21598986A JP S6372131 A JPS6372131 A JP S6372131A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- plasma
- silicon nitride
- wiring
- protective film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Formation Of Insulating Films (AREA)
- Local Oxidation Of Silicon (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
半導体基板上に形成された配線層の保護膜として光ＣＶ
Ｄ窒化珪素膜とプラズマ窒化珪素膜を交互に堆積させ半
導体基板に対するストレスを緩和させる。
Ｄ窒化珪素膜とプラズマ窒化珪素膜を交互に堆積させ半
導体基板に対するストレスを緩和させる。
本発明は半導体装置の製造方法に係り、特に半導体基板
上に形成された配線層の保護膜の形成法に関するもので
ある。
上に形成された配線層の保護膜の形成法に関するもので
ある。
バンシベーション技術は半導体装置例えばＩＣ。
ＬＳＩ等に影響を与える各種の外部要因を取り除くため
行なわれる。そのバフシベーション技術の１つ人してセ
ラミックパッケージを用いた場合リン珪酸ガラス（ＰＳ
Ｇ）膜、プラスチックパッケージを用いた場合ＰＳＧ膜
とプラズマ窒化シリコン（ＳｉｓＮａ）膜の２Ｎ又は多
層膜が用いられている。特に後者のＰＳＧ膜とプラズマ
５ｉＪａ膜を用いる場合プラズマＳｉ、Ｎ、膜はストレ
スが大きく下層の配線層が断線したり、またウェハの大
きさが大口径化するに従ってウェハを凸状の円弧状にそ
らせる問題を有する。
行なわれる。そのバフシベーション技術の１つ人してセ
ラミックパッケージを用いた場合リン珪酸ガラス（ＰＳ
Ｇ）膜、プラスチックパッケージを用いた場合ＰＳＧ膜
とプラズマ窒化シリコン（ＳｉｓＮａ）膜の２Ｎ又は多
層膜が用いられている。特に後者のＰＳＧ膜とプラズマ
５ｉＪａ膜を用いる場合プラズマＳｉ、Ｎ、膜はストレ
スが大きく下層の配線層が断線したり、またウェハの大
きさが大口径化するに従ってウェハを凸状の円弧状にそ
らせる問題を有する。
本発明は半導体基板（ウェハ）に対してそりや、ウェハ
上の配線に断線等を生じない保護膜（カバー膜）を有す
る半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
上の配線に断線等を生じない保護膜（カバー膜）を有す
る半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
上記問題点は本発明によれば半導体基板上にストレス方
向の異なる光ＣＶＤ窒化珪素膜とプラズマで解決される
。
向の異なる光ＣＶＤ窒化珪素膜とプラズマで解決される
。
本発明によれば、前述した通りウェハを凸状の円弧状に
そらせる傾向を有するプラズマＣＶＤ （化学的気相成
長）窒化珪素（ＳｉＪｎ−）膜とプラズマＣＶＤ Ｓｉ
＋Ｎａ膜と反対にウェハを凹状の円弧状にそらせる傾向
を有する光ＣＶＤ ５ｉＪＬ膜とを交互に形成すること
によりストレスが相殺された保護膜が形成される。特に
この傾向は光ＣＶＤの光として低圧水銀灯を用いた場合
により現われる。
そらせる傾向を有するプラズマＣＶＤ （化学的気相成
長）窒化珪素（ＳｉＪｎ−）膜とプラズマＣＶＤ Ｓｉ
＋Ｎａ膜と反対にウェハを凹状の円弧状にそらせる傾向
を有する光ＣＶＤ ５ｉＪＬ膜とを交互に形成すること
によりストレスが相殺された保護膜が形成される。特に
この傾向は光ＣＶＤの光として低圧水銀灯を用いた場合
により現われる。
光ＣＶＤ法はプラズマＣＶＤ法と異なりプラズマによる
照射損傷がないため光ＣＶＤ ５ｉＪ４膜を直接ウェハ
上に形成することも可能である。
照射損傷がないため光ＣＶＤ ５ｉＪ４膜を直接ウェハ
上に形成することも可能である。
本発明によればストレスが相殺するようなプラグ７ Ｓ
ｉ ３ Ｎ ａ膜と光ＣＶＤ ５ｔＪＬ膜の上下２層
が少なくとも１対形成される。ＰＳＧ膜が最下層に存在
する時は光ＣＶＤ ５ｉｓＮａ膜及びブラダ？ＣＶＤ
Ｓｉ：＋Ｎ４膜対はいずれが上でもよい。
ｉ ３ Ｎ ａ膜と光ＣＶＤ ５ｔＪＬ膜の上下２層
が少なくとも１対形成される。ＰＳＧ膜が最下層に存在
する時は光ＣＶＤ ５ｉｓＮａ膜及びブラダ？ＣＶＤ
Ｓｉ：＋Ｎ４膜対はいずれが上でもよい。
（実施例）
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図である。
第１図に示すようにシリコンウェハ１上に１μｍの厚さ
のＡｌ配線２を周知の蒸着法及びバターニングにより形
成し更に全表面を被覆するように約２０００人の厚さに
光ＣＶＤ ５ｉＪ４膜３及びその上に約１０００人のプ
ラズマ５ｆＪ４膜４を形成して保護膜５を形成する。光
ＣＶＤ ５ｉＪｎ膜はガスとしてジシラン１０ｃｃ／分
、アンモニア５００ｃｃ／分、窒素５００ｃｃ／分、圧
力３ Ｔｏｒｒの条件でウェハ背面から赤外線ランプ、
抵抗加熱で３００℃に加熱し赤外線を用いて形成した。
のＡｌ配線２を周知の蒸着法及びバターニングにより形
成し更に全表面を被覆するように約２０００人の厚さに
光ＣＶＤ ５ｉＪ４膜３及びその上に約１０００人のプ
ラズマ５ｆＪ４膜４を形成して保護膜５を形成する。光
ＣＶＤ ５ｉＪｎ膜はガスとしてジシラン１０ｃｃ／分
、アンモニア５００ｃｃ／分、窒素５００ｃｃ／分、圧
力３ Ｔｏｒｒの条件でウェハ背面から赤外線ランプ、
抵抗加熱で３００℃に加熱し赤外線を用いて形成した。
一方プラズマ５ｉｓＮａ膜はガスとしてシラン６００ｃ
ｃ／分、アンモニア５１７分、圧力１．２５Ｔｏｒｒの
条件で高周波５０Ｋｔｌｚで基板を３８０℃に加熱して
形成した。
ｃ／分、アンモニア５１７分、圧力１．２５Ｔｏｒｒの
条件で高周波５０Ｋｔｌｚで基板を３８０℃に加熱して
形成した。
第１図に示した保護膜はシリコンウェハ１にそりを生ぜ
ずしかも配線の断線が軽減される。また耐湿性において
ＰＳＧ膜より優れており、水素濃度も低いためホットエ
レクトロン対策になり得る。
ずしかも配線の断線が軽減される。また耐湿性において
ＰＳＧ膜より優れており、水素濃度も低いためホットエ
レクトロン対策になり得る。
第２図は本発明の他の実施例を示す断面図である。
第２図に示すようにシリコンウェハ１上に第１図と同様
に１μｍの厚さのＡｌ配線２を形成し、その上に１μｍ
の厚さのリン珪酸ガラス（ＰＳＧ）膜、その上に約１０
００人の厚さのプラズマ５ｆＪ４膜４及び約２０００人
の厚さの光ＣＶＤ ５ｉＪａ膜３更に同様にプラズマＳ
ｉ、Ｎ、膜４及び約２０００人の厚さの光ＣＶＤ５ｉＪ
ａ膜３を順次形成する。
に１μｍの厚さのＡｌ配線２を形成し、その上に１μｍ
の厚さのリン珪酸ガラス（ＰＳＧ）膜、その上に約１０
００人の厚さのプラズマ５ｆＪ４膜４及び約２０００人
の厚さの光ＣＶＤ ５ｉＪａ膜３更に同様にプラズマＳ
ｉ、Ｎ、膜４及び約２０００人の厚さの光ＣＶＤ５ｉＪ
ａ膜３を順次形成する。
このように光ＣＶＤ ５ｉ３Ｎｎ膜とプラズマ５ｉＪ４
膜対を複数段はストレスから生ずるそりの発生を防止す
る保護膜が形成される。光ＣＶＤ ＳｔＪ＜膜の厚さ約
２０００人及びプラズマ５ｉＪ４膜約１０００人の厚さ
はそれぞれのストレスから起因するウェハに対するそり
を相殺できる厚さである。
膜対を複数段はストレスから生ずるそりの発生を防止す
る保護膜が形成される。光ＣＶＤ ＳｔＪ＜膜の厚さ約
２０００人及びプラズマ５ｉＪ４膜約１０００人の厚さ
はそれぞれのストレスから起因するウェハに対するそり
を相殺できる厚さである。
以上説明したように本発明によれば保護膜のストレスに
よるそりの発生が防止でき配線の断線も軽減され半導体
装置製造の歩留の向上を図ることができる。
よるそりの発生が防止でき配線の断線も軽減され半導体
装置製造の歩留の向上を図ることができる。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図であり、第２図
は本発明の他の実施例を示す断面図である。 １・・・シリコンウェハ、 ２・・・Ａβ配線、３・
・・光ＣＶＤ Ｓｉ、Ｎ、、 ４・・・ブラダ７
Ｓ ｉ ２ Ｎ、膜、５・・・保護膜、
６・・・ＰＳＧ膜。
は本発明の他の実施例を示す断面図である。 １・・・シリコンウェハ、 ２・・・Ａβ配線、３・
・・光ＣＶＤ Ｓｉ、Ｎ、、 ４・・・ブラダ７
Ｓ ｉ ２ Ｎ、膜、５・・・保護膜、
６・・・ＰＳＧ膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、半導体基板上にストレス方向の異なる光ＣＶＤ窒化
珪素膜とプラズマ窒化珪素膜とを交互に形成することに
よって保護膜を形成することを特徴とする半導体装置の
製造方法。 ２、前記プラズマ窒化珪素膜と光ＣＶＤ窒化珪素膜を上
下２層１対で形成することを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の半導体装置の製造方法。 ３、前記プラズマ窒化珪素膜と光ＣＶＤ窒化珪素膜の上
下２層対を複数形成することを特徴とする特許請求の範
囲第２項記載の半導体装置の製造方法。 ４、前記保護膜の最下層に光ＣＶＤ窒化珪素膜を形成す
ることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の半導体
装置の製造方法。 ５、リン珪酸ガラス膜を最下層に形成することを特徴と
する特許請求の範囲第１項記載の半導体装置の製造方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21598986A JPS6372131A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21598986A JPS6372131A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6372131A true JPS6372131A (ja) | 1988-04-01 |
Family
ID=16681564
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21598986A Pending JPS6372131A (ja) | 1986-09-16 | 1986-09-16 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6372131A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5620910A (en) * | 1994-06-23 | 1997-04-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device with a gate insulating film consisting of silicon oxynitride |
-
1986
- 1986-09-16 JP JP21598986A patent/JPS6372131A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5620910A (en) * | 1994-06-23 | 1997-04-15 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for producing semiconductor device with a gate insulating film consisting of silicon oxynitride |
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