JPS6376105A - 薄膜磁気ヘツド - Google Patents

薄膜磁気ヘツド

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Publication number
JPS6376105A
JPS6376105A JP21938286A JP21938286A JPS6376105A JP S6376105 A JPS6376105 A JP S6376105A JP 21938286 A JP21938286 A JP 21938286A JP 21938286 A JP21938286 A JP 21938286A JP S6376105 A JPS6376105 A JP S6376105A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
groove
lower core
connection part
resist
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP21938286A
Other languages
English (en)
Inventor
Hitoshi Yanagihara
仁 柳原
Masamichi Yamada
雅通 山田
Masaaki Kurebayashi
榑林 正明
Katsuo Konishi
小西 捷雄
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP21938286A priority Critical patent/JPS6376105A/ja
Publication of JPS6376105A publication Critical patent/JPS6376105A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、基板の溝部に下部コアを埋め込む薄膜磁気ヘ
ッドにおいて、下部コア底面を平坦化するようにした薄
膜磁気ヘッドに関する。
〔従来の技術〕
薄膜磁気ヘッドのヘッド特性ご決定する形状要素の一つ
に上部コアと下部コア間隔がある。この間隔が狭いと上
下コア間での磁束漏洩が増加し、記録再生効率が劣化す
る。この対策として、上下コア間隔を広げる目的でコア
間の非磁性展写を増加する手段がとられる。しかし、同
一基板面上で前記対策を行った場合、上部コアのパター
ニング時には段差の大きい状態で行わなければならない
このため、高精度パターニング時での理想形態としての
低い段差状態でパターニングを行うという形態が実現で
きず、ヘッド決悪の理想とパターニング時での理想が相
反するものとなる問題があった0 これを改善するために、下部コアを非磁性材料基板に設
けた凹部に形成することにより、下部コアおよび上下コ
ア間の非磁性膜の一部を前記基板表面よりへこませ、上
部コアパターニング時の段差を減少させると共に、上下
コア間隔ご増加させている。この棟の薄膜磁気ヘッドと
しては、例えば特開昭57−189321号公報に記載
されているものが挙げられる。
しかし、前記した従来例は非磁性基板の表面粗さ、また
は凹部の溝底面粗さが大きい場合には、下部コア形成面
を平坦化しなければならないが、この時に下部コア厚さ
の変動が生じ、記録再生効率のバラツキに結びつくが、
この点については配慮されていなかった。
〔発明が解決しようとする問題点〕
上記従来技術においては、下部コア形成面を平坦化する
必要があり、その際に下部コア厚が変動し、記録再生効
率およびヘッド摺動性にバラツキが生じるという問題が
あった。
本発明は、下部コア厚、特にフロント接続部に生じる下
部コア厚の変動を低減した薄膜磁気へラド企提供するこ
とを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
上記目的は、非磁性基板等に形成した基板溝部に、コア
形成面の凹凸tを低減するために、被子ffl化材分形
成し、平坦化材としてホトレジストを回転塗布した場合
、レジスト膜厚が基板溝深さと基板溝長さおよびフロン
ト接続部幅、リア接続部幅との関係で膜厚に差異が生じ
、これを利用して被平坦化材の厚さがフロント接続部で
厚く、リア接続方向にゆるやかな傾斜で薄くなるように
したことにより達成される。
〔作用〕
平坦化材としてのホトレジス)E回転塗布すると、基板
溝深さと溝長さおよび溝幅に応じて、レジスト溝深さは
一定の値に近づくため、下部コア形状のバラツキ企低減
させることができる。
〔実施例〕
以下、本発明の実施例を図面を用いて説明する。
第1図(α)は本発明による薄膜磁気ヘッド基板上の下
部コアの平面図、第1図ψ)は上記下部コアの断面図で
あって、1はヘッド基板、2は被平坦化材、3は下部コ
ア、4は基板溝、5は磁気ギャップ部、6はリア接続部
、7は下部コア形成面である。
同図において、セラミック系非磁性基板1に下部コア3
用基板溝4をA、B2ヘントチツブの70ンド接続部を
互いに対向させ、それらを連結させる形状である。
フロント接続部長さtは約500μm1コア全長りは約
11000μm1フロントコア溝幅Fwは約30μm1
リアフア溝幅Rwは約280μm1基板溝深さtRは約
20μmである。
基板1にイオンエツチング法で形成した基板溝4(底面
凹凸量:約3μmP−P )に被平坦化材2として膜厚
10μmのスパッタCr膜ご用いた。Cr面にホトレジ
ストを平坦面塗布で約3.5μm厚となる条件で上記基
板1に回転塗布した後、イオンエツチング法によりCr
面に上記レジスト面3転写させ、下部コア形成面7(底
面凹凸祉:約0.5μ雇p−p)i形成した。この結果
、フロント接続部:) 7 厚tyは約15μm、+)
ア接続部コア厚tRは約20μmであり、磁束絞り効果
からも好ましい形状である。なお、Twは磁気ギャップ
幅である。
上記実施例によれば、ギャップ深さ!qd−内でのコア
厚変動が縮少され、安定な記録再生効率およびヘッド摺
動性の良好なヘッドが得られるとともに、−2へラドチ
ップを対向させたことによりチップ分割する数が減少す
るために、ヘッド製作の時間短縮、さらに同一ウニバー
上でのヘッドチップ数の増加が可能である。また、ウェ
ハー状態で連結した一方の信号コイルに信号分印加し、
他方の信号コイルからの出力を検出することにより、ヘ
ッド特性の良否判定を行うことが出来る効果もある。
第2図はホトレジストを回転塗布した場合の特性図であ
り、基板溝部のレジスト溝深さと基板溝幅との間には、
上記溝幅の増加と共にレジスト溝深さは増加し、ある溝
長さL(幅W)になると上記レジスト溝深さtlは基板
溝深さto付近に飽和する。しかし、基板溝長さがLよ
り長い場合においても、基板溝幅がWより狭い場所では
レジスト溝深さtlは基板溝深さtoには一致せず、基
板溝幅Wに対応したレジスト溝深さに飽和する。
たとえば、溝深さtoが約20μmの同一条件において
もフロント接続部の溝幅が30μm、リア接続部の溝幅
が約280μmで両者の溝長さが250μm以上の場合
では、フロント部レジスト溝深さは約13μmリア部レ
ジスト溝深さは約20μmに飽和する。
上記溝幅Wと溝深さtoとの間には、溝長りが約12t
O〜15to以上とすることにより、溝内のレジスト溝
深さtlは溝幅Wに応じた値で飽和し、/クラツキが少
なくなる。
下部コア形状寸法ご第1図(α)の形状とすることによ
り、フロント接続部長さLは第2図の基板溝長さく幅)
とレジスト溝深さとの関係から必要な溝長さ約250μ
mより充分長いため、第1図(b)に示すフロント接続
部の下部コア断面形状が得られた0第3図はヘッド断面
図であって、8は信号コイル、9は絶縁材、10は上部
コア、11は保護膜である0 同図は下部コア3上に磁気ギャップ部5、リア接続部6
を形成した後、絶縁材9、信号コイル8、上部コア10
および保護膜112順次形成パターニングしたヘッドチ
ップである。
下部コア乙の断面形状は非磁性基板に形成された被平坦
化材2を平坦化材で平坦化したときの形状、即ちリア接
続部6の被平坦化材2の厚さはゆるやかな傾斜でフロン
ト接続部(磁気ギャップ部5)方向に薄くなるように変
化し、フロント接続部ではフィル8の形成部より被平坦
化材2の厚さは厚く、フロント接続部とコイル8の形成
部との間でゆるやかな傾斜でフィル8の形成部方向に被
平坦化材2の厚さが薄くなるように変化した面が下部コ
ア底面となっている。
第4図(α)、(b)は本発明による他の実施例?示す
平面図、断面図であって、フロント接続部基板溝長さt
をフロント接続部基板溝深さtH(約20μrrL)の
15tRとなる約300μmとして基板溝を形成したの
ち、コア形成面7ご上記実施例と同様に平坦化し、下部
コア32形成した場合にも磁気ギャップ部5の形成部の
下部コア厚が安定したヘントチツブを得た。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明によれば、下部コア埋め込
み形薄膜磁気ヘッドにおいて・磁気ギャップ部での下部
コア厚の変動P低減できるため、ウェハー上のヘントチ
ノブ間でのヘッド特性バラツキを少なくでき、上記従来
技術の問題点を解決し、新規かつ優れた機能の薄膜磁気
ヘッドご提供することができる0
【図面の簡単な説明】
第1図(cL)は薄膜磁気ヘッド基板上の下部コアの平
面図、第1図(b)は同断面図、第2図はホトレジスト
を回転塗布した場合の特性図、第5図はヘッド断面図、
第4図(α)、(”)は他の実施例2示す平面図、断面
図である0 1・・・ヘッド基板、    2・・・被平坦化材、3
・・・下部コア、    4・・・基板溝、5・・・磁
気ギャップ部、  6・・・リア接続部、7・・・下部
コア形成面。 第 1 図 第 2 図 0   /ρθ   200   300    ヂ0
0溝炙文 ム(f”) 第3図 男十図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1、非磁性基板もしくは前記基板上に形成した非磁性薄
    膜等にパターニングした溝部に被平坦化材を形成し、前
    記被平坦化材を平坦化材により平坦化した面を、フロン
    トおよびリア接続部を含む下部コア形成面とする薄膜磁
    気ヘッドにおいて、前記被平坦化材の厚さがフロント接
    続部で他部より厚く、リア接続部方向にゆるやかな傾斜
    で薄くなるように変化している面を下部コア底面とする
    様に構成したことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
JP21938286A 1986-09-19 1986-09-19 薄膜磁気ヘツド Pending JPS6376105A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
JP21938286A JPS6376105A (ja) 1986-09-19 1986-09-19 薄膜磁気ヘツド

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JP21938286A JPS6376105A (ja) 1986-09-19 1986-09-19 薄膜磁気ヘツド

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS6376105A true JPS6376105A (ja) 1988-04-06

Family

ID=16734541

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Application Number Title Priority Date Filing Date
JP21938286A Pending JPS6376105A (ja) 1986-09-19 1986-09-19 薄膜磁気ヘツド

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JP (1) JPS6376105A (ja)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5888817A (ja) * 1981-11-24 1983-05-27 Nec Corp 複合薄膜磁気ヘツド
JPS58108017A (ja) * 1981-12-18 1983-06-28 Hitachi Ltd 薄膜磁気ヘツド

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5888817A (ja) * 1981-11-24 1983-05-27 Nec Corp 複合薄膜磁気ヘツド
JPS58108017A (ja) * 1981-12-18 1983-06-28 Hitachi Ltd 薄膜磁気ヘツド

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