JPS637653B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS637653B2 JPS637653B2 JP56092629A JP9262981A JPS637653B2 JP S637653 B2 JPS637653 B2 JP S637653B2 JP 56092629 A JP56092629 A JP 56092629A JP 9262981 A JP9262981 A JP 9262981A JP S637653 B2 JPS637653 B2 JP S637653B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- substrate
- substrate holder
- clamp plate
- holder device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、イオン注入装置に係り、特に真空処
理室へウエハを搬入、搬出する機構の改良に関す
る。
理室へウエハを搬入、搬出する機構の改良に関す
る。
周知のようにイオン注入装置により半導体装置
を製造するのに、真空処理室内にウエハを導入
し、これに所定のイオンが注入される。
を製造するのに、真空処理室内にウエハを導入
し、これに所定のイオンが注入される。
ウエハを真空処理室に導入する従来技術として
は、ウエハの自重を利用して処理工程の進行方
向に下降する傾斜角を有する傾斜ガイドを設け、
大気中から予備真空室を経て真空処理室に導き、
さらに予備真空室を経て大気中に導出するもの、
また、パーツフイーダと称される装置と同様の
原理による搬送ガイドに適当な振動を与えること
により、ウエハを水平的に搬送するようにしたも
のがある。
は、ウエハの自重を利用して処理工程の進行方
向に下降する傾斜角を有する傾斜ガイドを設け、
大気中から予備真空室を経て真空処理室に導き、
さらに予備真空室を経て大気中に導出するもの、
また、パーツフイーダと称される装置と同様の
原理による搬送ガイドに適当な振動を与えること
により、ウエハを水平的に搬送するようにしたも
のがある。
しかし、上記の技術によれば、搬送のための
駆動源および駆動機構が不要となり、搬送装置が
小型かつ安価になるという利点があるものの、フ
オトレジストのためウエハ表面にある種の処理を
施したような場合、搬送途中でひつかかりを生
じ、これによりウエハが破損される恐れがある。
また、上記の技術においてもウエハを直接強制
的に搬送するようにしたものではないから、搬送
途中におけるひつかかりをさけることができない
という欠点を有する。
駆動源および駆動機構が不要となり、搬送装置が
小型かつ安価になるという利点があるものの、フ
オトレジストのためウエハ表面にある種の処理を
施したような場合、搬送途中でひつかかりを生
じ、これによりウエハが破損される恐れがある。
また、上記の技術においてもウエハを直接強制
的に搬送するようにしたものではないから、搬送
途中におけるひつかかりをさけることができない
という欠点を有する。
つまり、従来のウエハ搬送技術では品質の良好
なウエハをスピーデイかつ確実に生産することが
困難であつた。
なウエハをスピーデイかつ確実に生産することが
困難であつた。
従つて、本発明の目的とするところは、品質の
良好なウエハをスピーデイかつ確実に生産しうる
イオン注入装置を提供することにあり、以下、本
発明の一実施例を示す図を参照して詳細に説明す
る。
良好なウエハをスピーデイかつ確実に生産しうる
イオン注入装置を提供することにあり、以下、本
発明の一実施例を示す図を参照して詳細に説明す
る。
第１図はイオン注入装置の概要を示す正面図で
ある。１は搬送されてきたウエハに対し所定のイ
オン注入を施すための真空処理室であつて、その
内部には後述する基板ホルダー装置２及び搬送ベ
ルト３が設けられている。また、注入すべきイオ
ンは、図示してないイオン源から紙面と直角方向
に飛来し、垂直状態で注入される。４，５は真空
処理室１の両側にゲートバルブ６，７を介して設
けられる予備真空室であり、それぞれの室内には
搬送ベルト８，９が設けられている。１０，１１
は予備真空室４，５と外気との間にそれぞれ設け
られるゲートバルブである。１２はイオン注入前
のウエハを収納するキヤリア、１３はイオン注入
後のウエハを収納するキヤリアであり、それぞれ
キヤリア１２，１３はスクリユーネジ１４，１５
の回転により上下動するテーブル１６，１７の上
に載置されている。１８，１９は搬送ベルトであ
る。なお、図示の矢印で示すように、ウエハＷは
図面の右方より左方に移動し、真空処理室１内で
所定のイオン注入が行なわれるものとする。ま
た、上記において搬送ベルト３，８，９，１８，
１９は図示しない駆動装置により駆動されるもの
とする。
ある。１は搬送されてきたウエハに対し所定のイ
オン注入を施すための真空処理室であつて、その
内部には後述する基板ホルダー装置２及び搬送ベ
ルト３が設けられている。また、注入すべきイオ
ンは、図示してないイオン源から紙面と直角方向
に飛来し、垂直状態で注入される。４，５は真空
処理室１の両側にゲートバルブ６，７を介して設
けられる予備真空室であり、それぞれの室内には
搬送ベルト８，９が設けられている。１０，１１
は予備真空室４，５と外気との間にそれぞれ設け
られるゲートバルブである。１２はイオン注入前
のウエハを収納するキヤリア、１３はイオン注入
後のウエハを収納するキヤリアであり、それぞれ
キヤリア１２，１３はスクリユーネジ１４，１５
の回転により上下動するテーブル１６，１７の上
に載置されている。１８，１９は搬送ベルトであ
る。なお、図示の矢印で示すように、ウエハＷは
図面の右方より左方に移動し、真空処理室１内で
所定のイオン注入が行なわれるものとする。ま
た、上記において搬送ベルト３，８，９，１８，
１９は図示しない駆動装置により駆動されるもの
とする。
第２図は真空処理室１内に設けられる基板ホル
ダー装置２付近の詳細を示す斜視図、第３図はウ
エハＷを基板ホルダー装置２に挿入した直後（ま
たは取出す直前）の状態を、また第４図はウエハ
Ｗを基板ホルダー装置２が保持した状態をそれぞ
れ示す断面図である。基板ホルダー装置２は、搬
送方向に溝２７を設け、回転軸２２の回転により
Ｘ（水平）方向―Ｙ（垂直）方向に回転自在とされ
るホルダー基板２１と、このホルダー基板２１と
相対向して配設され、その中央にイオンが通過す
る孔２３ａを設けたクランプ板２３と、このクラ
ンプ板２３を上下動自在に保持し、図示しない駆
動装置により駆動される支持軸２４と、前記クラ
ンプ板２３をホルダー基板２１側に押える復帰バ
ネ２５と、ベース２６により形成されている。
ダー装置２付近の詳細を示す斜視図、第３図はウ
エハＷを基板ホルダー装置２に挿入した直後（ま
たは取出す直前）の状態を、また第４図はウエハ
Ｗを基板ホルダー装置２が保持した状態をそれぞ
れ示す断面図である。基板ホルダー装置２は、搬
送方向に溝２７を設け、回転軸２２の回転により
Ｘ（水平）方向―Ｙ（垂直）方向に回転自在とされ
るホルダー基板２１と、このホルダー基板２１と
相対向して配設され、その中央にイオンが通過す
る孔２３ａを設けたクランプ板２３と、このクラ
ンプ板２３を上下動自在に保持し、図示しない駆
動装置により駆動される支持軸２４と、前記クラ
ンプ板２３をホルダー基板２１側に押える復帰バ
ネ２５と、ベース２６により形成されている。
前記基板ホルダー装置２には、搬送ベルト３が
付設され、この搬送ベルト３により予備真空室４
の搬送ベルト８により搬送されて来たウエハＷ
を、基板ホルダー装置２の所定位置に搬送する
（第３図参照）。また、前記ウエハＷをホルダー基
板２１とクランプ板２３の間に挾持したときに
は、前記搬送ベルト３が前記ホルダー基板２１の
溝２７内に位置するよう構成されている（第４図
参照）。
付設され、この搬送ベルト３により予備真空室４
の搬送ベルト８により搬送されて来たウエハＷ
を、基板ホルダー装置２の所定位置に搬送する
（第３図参照）。また、前記ウエハＷをホルダー基
板２１とクランプ板２３の間に挾持したときに
は、前記搬送ベルト３が前記ホルダー基板２１の
溝２７内に位置するよう構成されている（第４図
参照）。
次にこのように構成されたイオン注入装置の動
作について説明する。今、キヤリア１２の内部に
はイオン注入処理前のウエハＷが階層的に収納さ
れており、キヤリア１２を載置したテーブル１６
は上限位置にあるものとする。一方、キヤリア１
３の内部は空で、このキヤリア１３を載せたテー
ブル１７は下限位置にあるものとする。
作について説明する。今、キヤリア１２の内部に
はイオン注入処理前のウエハＷが階層的に収納さ
れており、キヤリア１２を載置したテーブル１６
は上限位置にあるものとする。一方、キヤリア１
３の内部は空で、このキヤリア１３を載せたテー
ブル１７は下限位置にあるものとする。
まず、ゲートバルブ１０が開かれると、キヤリ
ア１２の最下段に収納された一枚のウエハＷが搬
送ベルト１８，８により予備真空室４内の所定位
置まで搬送される。このとき、スクリユーネジ１
４が回転し、テーブル１６が下降することによ
り、次のウエハが搬送に待機するようにしておく
と、ムダ時間が少なくなる。次いて、ゲートバル
ブ１０が閉じられて、予備真空室４内は図示しな
い真空系により真空引きされる。このとき、他の
予備真空室５も同時に真空引きされるようにして
おくと好都合である。所定の真空度（例えば、
10-2〜10-8Torr）に達すると、ゲートバルブ６
が開かれ、ウエハＷは搬送ベルト８，３により真
空処理室１内の基板ホルダー装置２の所定位置ま
で搬送される。このときゲートバルブ６は再び閉
じられ、次のウエハが予備真空室４内に搬送さ
れ、該室内の排気に備える。
ア１２の最下段に収納された一枚のウエハＷが搬
送ベルト１８，８により予備真空室４内の所定位
置まで搬送される。このとき、スクリユーネジ１
４が回転し、テーブル１６が下降することによ
り、次のウエハが搬送に待機するようにしておく
と、ムダ時間が少なくなる。次いて、ゲートバル
ブ１０が閉じられて、予備真空室４内は図示しな
い真空系により真空引きされる。このとき、他の
予備真空室５も同時に真空引きされるようにして
おくと好都合である。所定の真空度（例えば、
10-2〜10-8Torr）に達すると、ゲートバルブ６
が開かれ、ウエハＷは搬送ベルト８，３により真
空処理室１内の基板ホルダー装置２の所定位置ま
で搬送される。このときゲートバルブ６は再び閉
じられ、次のウエハが予備真空室４内に搬送さ
れ、該室内の排気に備える。
さて、真空処理室１内において、ウエハＷが第
３図に示すように、基板ホルダー装置２の所定位
置に載置されると、搬送ベルト３は停止されると
ともに、真空ポンプなどにより、該室内は高真空
（例えば、10-6〜10-7Torr）に排気される。そし
て、支持軸２４が下方に移動し、このとき第４図
に示すように、搬送ベルト３はホルダー基板２１
の溝２７内に位置し、ウエハＷはホルダー基板２
１とクランプ板２３により完全に挾持される。そ
の後、回転軸２２がＹ方向に回動して、基板ホル
ダー装置２は起立され、これにともなつてウエハ
Ｗもほぼ90゜回転させられ、注入位置に保持され
る。そして、図示しないイオン源によりＺ方向か
ら飛来するイオンが前記ウエハＷに注入される。
所定量のイオン注入が行なわれると、回転軸２２
がＸ方向に回動し、基板ホルダー装置２は元の位
置（水平位置）に戻り、支持軸２４が上方に移動
し、これによつてクランプ板２３によるウエハＷ
への挾持が解除される。
３図に示すように、基板ホルダー装置２の所定位
置に載置されると、搬送ベルト３は停止されると
ともに、真空ポンプなどにより、該室内は高真空
（例えば、10-6〜10-7Torr）に排気される。そし
て、支持軸２４が下方に移動し、このとき第４図
に示すように、搬送ベルト３はホルダー基板２１
の溝２７内に位置し、ウエハＷはホルダー基板２
１とクランプ板２３により完全に挾持される。そ
の後、回転軸２２がＹ方向に回動して、基板ホル
ダー装置２は起立され、これにともなつてウエハ
Ｗもほぼ90゜回転させられ、注入位置に保持され
る。そして、図示しないイオン源によりＺ方向か
ら飛来するイオンが前記ウエハＷに注入される。
所定量のイオン注入が行なわれると、回転軸２２
がＸ方向に回動し、基板ホルダー装置２は元の位
置（水平位置）に戻り、支持軸２４が上方に移動
し、これによつてクランプ板２３によるウエハＷ
への挾持が解除される。
次いで、ゲートバルブ７が開かれると、前記注
入処理済のウエハＷは搬送ベルト３，９により予
備真空室５に搬送される。この後、ゲートバルブ
７は再び閉じて次のウエハが真空処理室１に搬入
されるのに待機する。さて、ゲートバルブ１１が
開かれると、前記予備真空室５は大気圧に戻さ
れ、注入処理済のウエハＷは搬送ベルト９，１９
を介してキヤリア１３の最上段に収納保管され
る。この収納保管が完了すると、スクリユーネジ
１５が回転してテーブル１７を上昇させ、次の保
管に待機する。
入処理済のウエハＷは搬送ベルト３，９により予
備真空室５に搬送される。この後、ゲートバルブ
７は再び閉じて次のウエハが真空処理室１に搬入
されるのに待機する。さて、ゲートバルブ１１が
開かれると、前記予備真空室５は大気圧に戻さ
れ、注入処理済のウエハＷは搬送ベルト９，１９
を介してキヤリア１３の最上段に収納保管され
る。この収納保管が完了すると、スクリユーネジ
１５が回転してテーブル１７を上昇させ、次の保
管に待機する。
なお、注入処理工程の効率を上げるため、第１
図に示すように、ウエハＷは真空処理室１、予備
真空室４，５のいずれにも常時１枚ずつ搬入し、
それぞれの室で排気処理等が行なわれるようにし
ておくとよい。
図に示すように、ウエハＷは真空処理室１、予備
真空室４，５のいずれにも常時１枚ずつ搬入し、
それぞれの室で排気処理等が行なわれるようにし
ておくとよい。
上述の説明において、搬送ベルト３，８，９，
１８，１９の材料として要求される性能は、耐熱
性、耐真空性、耐イオン性が良好なことである。
１８，１９の材料として要求される性能は、耐熱
性、耐真空性、耐イオン性が良好なことである。
以上詳述したように、本発明によれば、ウエハ
を水平方向に搬送ベルトにより搬送し、しかも基
板ホルダー装置に前記搬送ベルトのうちの一つを
付設し、これによつてウエハを所定位置に位置決
めし、基板ホルダー装置を起立してイオン注入を
行なえるようにしているので、ウエハの搬送がス
ピーデイかつ確実となる外、ウエハの欠損やごみ
の発生が少なく、品質の良好な半導体装置を製造
することができる。
を水平方向に搬送ベルトにより搬送し、しかも基
板ホルダー装置に前記搬送ベルトのうちの一つを
付設し、これによつてウエハを所定位置に位置決
めし、基板ホルダー装置を起立してイオン注入を
行なえるようにしているので、ウエハの搬送がス
ピーデイかつ確実となる外、ウエハの欠損やごみ
の発生が少なく、品質の良好な半導体装置を製造
することができる。
第１図は、本発明によるイオン注入装置の概略
を示す正面図、第２図は上記装置において用いる
基板ホルダー装置の一例を示す斜視図、第３図，
第４図は基板ホルダー装置の動作を説明するため
の側断面図である。 １…真空処理室、２…基板ホルダー装置、３，
８，９，１８，１９…搬送ベルト、Ｗ…ウエハ。
を示す正面図、第２図は上記装置において用いる
基板ホルダー装置の一例を示す斜視図、第３図，
第４図は基板ホルダー装置の動作を説明するため
の側断面図である。 １…真空処理室、２…基板ホルダー装置、３，
８，９，１８，１９…搬送ベルト、Ｗ…ウエハ。
Claims (1)
- １ ウエハを水平状態で真空処理室に、駆動装置
により駆動される複数の搬送ベルトによつて搬
入、搬出し、前記真空処理室内で前記ウエハにイ
オン注入を施こすものにおいて、搬送方向に溝を
設けたホルダー基板と、これと相対向して配設さ
れ、その中央にイオンが通過する孔を設けたクラ
ンプ板と、このクランプ板を上下動自在に保持す
る支持軸と、前記クランプ板をホルダー基板側に
押える復帰バネをもつて基板ホルダー装置を形成
し、この基板ホルダー装置に前記搬送ベルトのう
ちの１つを付設し、この搬送ベルトによつて前記
ウエハを基板ホルダー装置の所定位置に搬送し、
これをホルダー基板とクランプ板の間に挾持し、
このとき前記搬送ベルトをホルダー基板の前記溝
内に位置せしめ、この状態で基板ホルダー装置を
起立可能に構成したことを特徴とするイオン注入
装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56092629A JPS57205955A (en) | 1981-06-15 | 1981-06-15 | Ion implanting device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP56092629A JPS57205955A (en) | 1981-06-15 | 1981-06-15 | Ion implanting device |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS57205955A JPS57205955A (en) | 1982-12-17 |
| JPS637653B2 true JPS637653B2 (ja) | 1988-02-17 |
Family
ID=14059731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP56092629A Granted JPS57205955A (en) | 1981-06-15 | 1981-06-15 | Ion implanting device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS57205955A (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61173445A (ja) * | 1985-01-28 | 1986-08-05 | Tokyo Erekutoron Kk | ウエハの真空処理装置 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4914102A (ja) * | 1972-05-16 | 1974-02-07 | ||
| JPS52149981A (en) * | 1976-06-09 | 1977-12-13 | Hitachi Ltd | Wafer scanning device |
| JPS5950221B2 (ja) * | 1977-12-24 | 1984-12-07 | 富士電機株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
-
1981
- 1981-06-15 JP JP56092629A patent/JPS57205955A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS57205955A (en) | 1982-12-17 |
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