JPS6379227A - 垂直磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は垂直磁気記録媒体に関する。さらに詳しくはカ
ード、テープ、またはディスク形状などで使用され、鉄
または鉄・コバルトに、Ｎ。

ＣｒおよびＴｉの少なくとも１種を加えた混合物と、お
よび／またはこれらの合金との部分酸化物からなる垂直
磁気異方性膜が形成された高密度磁気記録に適した垂直
磁気記録媒体に関する。ここで前記部分酸化物とは、鉄
または鉄とコバルトに、ＡＮ、ＣｒおよびＴｉの少なく
とも１種を加えた混合物および／またはこれらの合金と
、これらの酸化物との混合物をいう。

［従来の技術〕 従来より、高密度磁気記録を行うには垂直磁気記録媒体
を用いるのが有効である。このような垂直磁気記録媒体
には、磁化容易方向が膜面に対して垂直な方向である磁
性薄膜が使用され、この磁性薄膜としては、これまでス
パッタリング法または真空蒸着法によって形成されるコ
バルト−クロム（コバルトとクロムの合金）の薄膜、Ｐ
ｅ３０ｉの薄膜、Ｏｓ　−ｒ　Ｆｅ２Ｏ：ｉの薄膜や、
塗布法またはスパッタリング法によって形成されるバリ
ウム・フェライトの薄膜などが使用され、検討されてい
る。

［発明が解決しようとする問題点］ しかしながら以上のような従来の垂直磁気記録媒体にお
いては、コバルト−クロム合金の磁性薄膜を垂直磁気記
録媒体として用いるばあいには、単結晶に近い構造のも
のを用いる必要があり、一般に垂直磁気記録媒体の製造
時に、前記磁性薄膜が形成される基板を１００℃以上、
あるいはしばしば２００℃以上に加熱する必要があり、
耐熱性のある基板を用いなければならず、製造コストを
アップさせている。さらにこのばあいには、膜成分が金
属であるために本質的に摩耗し易いという欠点がある。

一方Ｆ、ｅ３０ａ　、Ｏｓ　−７Ｐｅ２０３などの金属
酸化物は硬く、摩耗に対して強いが、Ｐｅ３０ａ磁性薄
膜やＯ８−γＦｅ２Ｏ３磁性薄膜についてもその製造時
に前記基板を２５０℃以上に加熱する必要があり、前記
コバルト−クロム合金の磁性薄膜と同様に製造コストを
アップさせることになる。さらにまた、これらの磁性薄
膜を使用した垂直磁気記録媒体は飽和磁化が小さく、高
い再生感度のものは望めないという欠点がある。

またバリウムフェライト磁性薄膜を垂直磁気記録媒体と
して用いるばあいにおいて、この磁性薄膜を塗布法によ
り製膜するばあいには、０．１μｍ程度で粒径がそろっ
たバリウムフェライト粉を製造する必要があり、このた
め磁性薄膜の製造コストが高くなるという欠点がある。

また製膜時にバインダーを必要とし、その分だけバリウ
ムフェライト量の組成比が小さくなり、それによって磁
性薄膜の飽和磁化が小さくなって磁性記録媒体としての
性能が低下する欠点がある。

さらにバリウムフェライトの磁性薄膜をスパッタリング
法により製膜するばあいには、塗布法によるばあいにく
らべ磁性薄膜の飽和磁化は大きくなるが基板を５００℃
程度まで加熱する必要があり、廉価なプラスチック材料
製の基板を使用することができないという欠点がある。

そしてさらに、磁性薄膜に情報を記録し、それを再生す
るばあいの記録、再生感度を向上させるために、垂直磁
化容易の磁性薄膜の下地に軟磁性膜が設けられた２層膜
構造の垂直磁気記録媒体においては、たとえば、前記磁
性薄膜がＣｏ　−Ｃ「合金からなるばあいには、ｈｃｐ
　＜　　００１＞の結晶軸が膜面に対して垂直に配向す
ることが必要となるが、そのためには、下地となる軟磁
性膜の材料の種類、結晶形態、格子定数、ならびに配向
程度を厳密に規定する必要があるなど、これらの２層の
膜のそれぞれの結晶性癖のためにお互いに制約を受ける
ばあいが多いという問題がある。

本発明は以上のような従来の問題点に鑑みてなされたも
ので、基板温度が低い条件で垂直磁気異方性膜を製膜す
ることができ、膜面に対して垂直な方向に磁化容易軸を
有し、垂直磁気異方性膜の飽和磁化および垂直異方性磁
界が大きく、垂直磁気異方性膜の耐摩耗性および耐酸化
性が優れ、しかも、垂直磁気異方性膜の下地として軟磁
性膜を用いた二層膜として用いるばあいには、前記軟磁
性膜の材質の選択の制約が少ない垂直磁気記録媒体を提
供することを目的とする。

［問題点を解決するための手段］ 本発明の垂直磁気記録媒体は、鉄または鉄・コバルトに
、ＭｓｃｒおよびＴｉの少なくとも１種を加えた混合物
と、および／またはこれらの合金との部分酸化物からな
り、膜面に対して垂直な方向に磁化容易軸を有する垂直
磁気異方性膜が設けられてなる。

まず本発明の垂直磁気記録媒体における垂直磁気異方性
膜について説明する。

本発明の垂直磁気異方性膜の組成はその一般式が［（Ｆ
ｅ＋−ｘｃｏｘ　）　＋−ｙＭｙｌ　ｌ−Ｚ　Ｏｚで表
わされる。

ここで、式中の阿はＭｓＣｒおよびＴｉから選ばれた少
なくとも１種である。

垂直磁気異方性膜中の酸素濃度は１０〜６０原子％程度
が望ましいが、さらに望しくは、２０〜５０原子％程度
である。鉄とコバルトの割合によっても異なるが酸素濃
度が６０原子％程度より大きくなると垂直磁気異方性膜
の飽和磁化（Ｘｓ）の値が小さくなりすぎ、また酸素濃
度がＩＯ原子％程度より小さくなると垂直磁気異方性膜
の垂直磁気異方性が小さくなり異方性磁界（）Ｉｋ）の
値が低下し、また垂直磁気異方性膜の飽和磁化（Ｍｓ）
が大きくなりすぎて垂直異方性を有する膜かえられなく
なる。このようなことは、膜中の鉄とコバルトの総量に
対するコバルトの割合が３０原子％であるばあいの酸素
濃度の変化に対する異方性磁界（Ｈｋ）、飽和磁化（Ｘ
ｓ）および垂直保磁力（Ｈｅ上）の変化の様子を示して
いる第１〜３図をみても分る。

なお本明細書中で述べる膜中の前記酸素濃度は、アルゴ
ンイオンビームで膜表面を約３００人エツチングした後
大気にさらすことなくＸ線光電子分光法で求めた値であ
り、選択エツチングのために他の方法で求めた値とは若
干異なるばあいがありうる。

また垂直磁気異方性膜中の金属成分の割合は蛍光Ｘ線法
、Ｘ線マイクロアナライザー、Ｘ線光電子分光法および
オージェ電子分光法などにより求めることができる。膜
中のコバルトの割合は、鉄とコバルトの総量に対し、θ
〜７５原子％程度であるのが望しいが、さらに望しくは
１０〜８５原子％である。これは、膜中の酸代物の割合
（酸素濃度）によっても異なるが、コバルトの割合が前
記７５原子％程度以上になるばあいには、垂直保磁力よ
りも面内保磁力の方が大きくなり、垂直異方性（異方性
磁界）が小さくなり、また垂直角型性も悪くなり、垂直
異方性膜としての機能を持たなくなる。

またコバルトの割合の下限については、とくに制限はな
いが、コバルトを適当量加えることにより垂直磁気異方
性膜の垂直異方性（異方性磁界）　（Ｈｋ）、飽和磁化
（Ｘｓ）および垂直保磁力（Ｈｅ）の値が上昇する。

第４〜６図は０２分圧が４．５Ｘ　１０’　Ｔｏｒｒで
あるばあいの鉄とコバルトの総量に対するコバルトの割
合が変化したばあいの垂直磁気異方性膜の異方性磁界（
Ｈｋ）、飽和磁化（Ｍｓ）および垂直保磁力（Ｈｅ上）
の値の変化の様子を示しており、第４図はコバルトの割
合の変化に対する前記異方性磁界（Ｈｋ）の変化を示し
、第５図はコバルトの割合の変化に対する飽和磁化（Ｍ
、ｓ）の変化を示し、第６図はコバルトの割合の変化に
対する垂直保磁力（Ｈｅ上）の変化を示している。第４
〜６図かられかるようにとくに望ましいコバルトの割合
は、鉄とコバルトの総量に対し、１０〜６５原子％程度
である。

またＡｌｌ　、、ＣｒおよびＴＩから選ばれた少なくと
も１種であって、秩または鉄とコバルトに添加される添
加金属の割合は、全金属成分の総和に対して概ね３０原
子％以下が望ましい。

これらの添加金属を含有させることは、垂直磁気異方性
膜の耐酸化性を向上させるために重要であるが、添加金
属の含有量が多過ぎると垂直磁気異方性および保磁力が
低下する。一方添加金属の含有量が少なくなり過ぎると
、前記耐酸化性を向上させる効果がほとんど認められな
くなる。そして添加金属を垂直磁気異方性膜全体に均一
に添加したばあいには、添加金属の含有量が１原子％程
度以下になると、前記耐酸化性が向上する効果がほとん
どなくなる。しかしながら垂直磁気異方性膜の外気に接
触する表面部分のみに添加金属を含む層を形成したり、
あるいは垂直磁気異方性膜の厚さ方向に添加金属の濃度
勾配が生じているようにし添加金属の含有量が前記表面
部分でこれ以外の部分より多くなるようにするなどの方
法をとれば、添加金属の垂直磁気異方性膜全体としての
含有量を１原子％程度以下にでき、たとえばこの含有量
を０．１原子％程度以下にしても垂直磁気異方性膜の前
記表面部分での添加金属の含を量が１原子％程度以上で
あれば充分に前記耐酸化性の向上の効果をえることがで
きる。

本発明の垂直磁気異方性膜をＸ線回折分析すると立方晶
の金属酸化物の格子面間隔２．１３〜２．１６人に対応
する格子による回折に起因すると考えられる回折Ｘ線強
度の回折ピークと、体心立方構造の金属の２．０２−２
．０８人の格子面間隔を有するミラー指数（１１０）の
格子面による回折に起因すると考えられる回折Ｘ線強度
の回折ピークとが現われる。そして前者が後者よりも相
対的に大きいばあいに大きな垂直磁気異方性が現われる
。逆に前者が後者よりも相対的に小さいばあいには、垂
直磁気異方性が小さくなる傾向がある。なお後者の回折
ピークがほとんど消失しても垂直磁気異方性膜の磁化が
必ずしも失われるわけではなく、垂直磁気異方性が生じ
ているばあいがある。本発明においては前者のピーク強
度の値が後者のそれに等しいか、前者のピーク強度の値
が後者のそれより大きいばあいに飽和磁化ならびに垂直
異方性の大きい垂直磁気異方性膜かえられる。

なお、本発明の垂直磁気異方性膜が金属とこれらの酸化
物の混合物からなることはＸ線光電子スペクトルのケミ
カルシフトによっても確認できる。

つぎに本発明の垂直磁気異方性膜の製膜方法について説
明する。垂直磁気異方性膜は、真空蒸着法、スパッタリ
ング法など広義の蒸着法によって形成することができる
が、そのうちスパッタリング蒸着法により、基板上に形
成した軟磁性膜上に形成するばあいについて以下に説明
する。好ましい垂直磁気異方性膜をうるためにはスパッ
タリング条件を適切に選ぶ必要がある。

膜を形成すべき基板の温度は低温であるのが好ましく、
具体的には一５０℃ないし１００℃程度であることが好
ましい。スパッタリングのターゲットとしては鉄；コバ
ルトおよび添加金属の複合ターゲット、これらの金属の
合金ターゲット、これらの金属の酸化物の複合ターゲッ
トならびにこれらの金属−合金およびその酸化物を組合
せた複合ターゲットなどが使用される。また垂直磁気異
方性膜の酸素組成はＸ線光電子分光法で求めた値で１０
原子％以上６０原子％以下であることが好ましいが、こ
の酸素濃度はスパッタリング時のスパッタリング蒸着装
置内の酸素分圧によって制御でき、その最適ガス圧は膜
の堆積速度により異なる。またスパッタリング蒸着装置
内のアルゴンガス圧がｌＸｌ０−３〜ｌＸｌ０−２Ｔｏ
ｒｒの範囲内ある状態でスパッタリングが行われる。製
膜速度はとくに限定されない。このようなスパッタリン
グ条件で製膜された垂直磁気異方性膜は大きな飽和磁化
と垂直磁気異方性ならびに適当な垂直保磁力を有してい
る。組成によってこれらの値は異なるが、飽和磁化の値
が９００ｅｍｕ／　ｃｍ３前後であり、垂直異方性磁界
の値が６キロ二一ルステツド前後であり、垂直保磁力の
値が８００工−ルステツド前後である垂直磁気異方性膜
をその膜厚に関係なく容易にうろことができる。

本発明の垂直磁気記録媒体は、基板の上に軟磁性膜を形
成し、この上に垂直磁気異方性膜を形成した２層膜構造
としてもよい。このような２層膜構造にすることにより
、本発明の垂直磁気記録媒体の記録再生感度を大幅に向
上できる。

このような軟磁性膜の材料としては、たとえば、純鉄、
珪素網、種々のパーマロイ、Ｃｕ−Ｎｉフェライト、Ｎ
ｉ−Ｚｎフェライト、Ｍｎ−Ｚｎフェライト、センダス
トなどの結晶質、Ｆｅ−Ｃｏ　５Ｃｏ−Ｚｒ　％　Ｃ。

とＴｉ　；　Ｙ　　；　Ｈｆ’　；　Ｎｂ　；　Ｔａま
たはνなどとの合金およびＦｅ；Ｃｏ；Ｎ１などの遷移
金属と８１；Ｂ；Ｐ；Ｃなどの半金属との合金から成る
非晶質などがあげられる。これらのいずれの材料を軟磁
性膜に使用してもその上に載せる垂直磁気異方性膜の異
方性にあまり影響がない点は本発明の大きな特徴である
。

また本発明に用いる前記軟磁性膜および垂直磁気異方性
膜を形成すべき基板としては、アルミニウムおよびステ
ンレスなどの金属板、あるいはポリイミドおよびポリエ
ステルなどのブラスチックからなる板、シートまたはフ
ィルムなどがあるが、軟化点５０℃程度以上で厚さが１
０μｍ〜２０ｍｍ程度のものであれば本発明の前記基板
として使用できる。

［実施例］ つぎにマグネトロンスパッタリング法により基板上に垂
直磁気異方性膜を形成したばあいの本発明の垂直磁気記
録媒体の実施例を示す。

高周波マグネトロン型スパッタ機を用いて、厚さが１關
のガラス基板上に、鉄とコバルトにＡｌ、ＣｒおよびＴ
ｉのいずれか１種を加えた金属の混合物の部分酸化物か
らなる垂直磁気異方性膜を形成した。金属のターゲット
としては、直径が３インチで厚さが０．５ｍｌの鉄板に
寸法が１０Ｉｌｌｌ角の微小なコバルト板とＭ、Ｃｔお
よびＴｉのいずれか１種であって寸法が１０ｍｍ角の゛
微小な板をのせた複合ターゲットを用いた。基板とター
ゲットの距離は５ｃｍであり、基板が設けられている雰
囲気のアルゴンガス圧は３　Ｘ　１０’　Ｔｏｒｒであ
り、添加酸素ガス圧は４．５　Ｘ　１０’　Ｔｏｒｒで
あり、基板温度は室温である。そしてスパッタリングパ
ワーは４００ｖであり、充分に予備スパッタリングを行
ってターゲット表面を洗浄したのちにシャッターを開き
、１分間スバッタングを行い基板上に垂直磁気異方性膜
を形成した。

比較例１として、鉄とコバルトのみの部分酸化物からな
る垂直磁気異方性膜を実施例１と同様にして形成した垂
直磁気記録媒体を作成した。

えられた垂直磁気異方性膜の厚さを触針式膜厚計により
測定し、膜の組成をＸ線光電子分光（ＸＰＳ）法および
Ｘ線マイクロアナリシス（ＸＭＡ）法により測定し、ま
た膜の飽和磁化（Ｍｓ）および垂直保磁力（Ｈｅ上）を
試料振動型磁力計により測定した。

えられた垂直磁気異方性膜の厚さ、組成および磁気特性
［垂直保磁力（Ｈｅ上）および異方性磁界（Ｈｋ）］を
第１表に示す。

第１表かられかるように、添加金属の含有量が３０原子
％以上の垂直磁気異方性膜は、垂直保磁力（ｔｌｃ上）
が小さくなり過ぎており、また垂直磁気異方性（Ｈｋ）
もほとんど認められなくなっている。

つぎに添加金属の含有量が３０原子％以上の垂直磁気異
方性膜のサンプルを除き、えられた垂直磁気異方性膜を
大気中で２４０℃で熱処理を行い、垂直磁気異方性膜の
耐酸化性を調べた。その結果、熱処理時間と垂直磁気異
方性膜の垂直保磁力（Ｈｅ上）との関係は第７図に示さ
れるようになった。また熱処理時間と異方性磁界（Ｈｋ
）との関係は第８図に示されるようになった。

第７図および第８図かられかるように、鉄とコバルトに
添加金属を加えることにより垂直磁気異方性膜の耐酸化
性を向上できる。

［発明の効果コ 以上のように本発明による鉄または鉄とコバルトに、Ａ
Ｎ　ｓ　ＣｒおよびＴｉの少なくとも１種を加えた混合
物および／またはこれらの合金の部分酸化物からなる垂
直磁気異方性膜が設けられた垂直磁気記録媒体は、基板
温度が低い条件で垂直磁気異方性膜を製膜することがで
き、膜面に対して垂直な方向に磁化容易軸を有し、垂直
磁気異方性膜の飽和磁化および垂直異方性磁界が大きく
、垂直磁気異方性膜の耐摩耗性が優れ、しかも、垂直磁
気異方性膜の下地として軟磁性膜を用いた二層膜として
用いるばあいには、前記軟磁性膜の材質の選択の制約が
少ないという効果がある。さらにまた本発明の垂直磁気
記録媒体は、鉄または鉄とコバルトのみの部分酸化物か
らなる垂直磁気異方性膜が設けられた垂直磁気記録媒体
よりも垂直磁気異方性膜の耐酸化性が優れる効果がある
。そしてＭｓＣｒおよびＴｉなどの金属を鉄または鉄と
コバルトに加えることにより、垂直磁気異方性膜の飽和
磁化、異方性磁界および耐摩耗性などの磁気特性が劣化
することはない。

【図面の簡単な説明】

第１図は垂直磁気異方性膜中の鉄とコバルトの全量に対
するコバルトの割合が３０原子９６であるばあいの垂直
磁気異方性膜中の酸素の濃度（原子％）と異方性磁界（
ｌｌｋ）との関係を示す図、第２図は第１図のばあいと
同条件下での前記酸素の濃度と飽和磁化（Ｍｓ）との関
係を示す図、第３図は第１図のばあいと同条件下での前
記酸素の濃度と垂直保磁力ＣＨｅ上）との関係を示す図
、第４図は垂直磁気異方性膜を形成するスパッタリング
時の酸素分圧が４．５Ｘ　１０’　Ｔｏｒｒであるばあ
いの垂直磁気異方性膜中の鉄とコバルトの全量に対する
コバルトの割合（原子％）と異方性磁界（）Ｉｋ）との
関係を示す図、第５図は第４図のばあいと同条件下での
垂直磁気異方性膜中のコバルトの割合（原子％）と飽和
磁化（Ｍｓ）との関係を示す図、第６図は第４図におけ
るばあいと同条件下での垂直磁気異方性膜中のコバルト
の割合（原子％）と垂直保磁力（Ｈｅ工）との関係を示
す図、第７図は本発明の実施例１によって製造された垂
直磁気記録媒体のうち、垂直磁気異方性膜に含まれる添
加金属の含有量が全金属成分の総量に対し３０原子％以
上となるものを除いたものについての垂直磁気異方性膜
における２４０℃の空気中で熱処理した時間と垂直保磁
力Ｎｌｃ上）との関係を示す図、第８図は第７図のばあ
いと同様の条件下での垂直磁気異方性膜の２４０℃の空
気中での熱処理時間と異方性磁界（ＩＩ　ｋ　”）との
関係を示す図である。 ミ　；０ ミ　；０゛ よ　　ミ Ｑり一 よ　・Ｏ −〇−サンプル扁１ 一＾−サンプル煮２ 一争一すンプル煮６ 一＾−サンプル洟− 熱処理時間　〔ｈ、〕 才８図 一〇−サンプルＡ１ 一＾−サンプ７Ｍρ 一番一すンプル厘６ 一＾−サンプル煮４ 熱処理時間［ｈｒｌ 手続１１Ｔ−１１正書（自発） 昭和６２年２月１３日 １事件の表示 昭和６１年特許願第２２４２１４号 ２発明の名称 垂直磁気記録媒体 ３補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住　所　　大阪市北区中之島三丁目２番４号名　称　　
（０９４）　ｍ淵化学工業株式会社代表者新納眞人 ４代理人　〒５４０ ５補正の対象 （１）　　明細書の「特許請求の範囲」の欄（２）　　
明細書の「発明の詳細な説明」の欄６補正の内容 （１）明細書の「特許請求の範囲」を別紙「補正された
特許請求の範囲」のとおり補正する。 （２明細書ｌＯ頁最下行の「０．１原子％程度以下」と
あるのを「０．１原子％程度」と補正する。 ７添付書類の目録 （１）補正された特許請求の範囲　　　　１通補正され
た特許請求の範囲 「１　鉄または鉄・コバルトに、ＭｓｃｒおよびＴｌの
少なくとも１種を加えた混合物と、および／またはこれ
らの合金との部分酸化物からなり、膜面に対して垂直な
方向に磁化容易軸を有する垂直磁気異方性膜が設けられ
てなる垂直磁気記録媒体。 ２　前記部分酸化物が一般式 ［（Ｆｅ＋＜ＧＯ＋＋　）　ｓ−ｙＭｙコ＋−ｚ　Ｏｚ
　　（ただしへＯ≦ｘ≦０．７５．０．００１≦ｙ≦０
．３０および０．１０　≦Ｚ　≦０．６０　テあり、ま
たＸはＸＩ　％　ＣｒおよびＴＩの少なくとも１種であ
る）で表わされるものからなる特許請求の範囲第１項記
載の垂直磁気記録媒体。 ３　前記垂直磁気異方性膜が基板上または基板上に形成
された軟磁性膜上に形成されてなる特許請求の範囲第１
項または第２項記載の垂直磁気記録媒体。」 以　　上 手続補正書印釦 １事件の表示 昭和６１年特許願第２２４２１４号 ２発明の名称 垂直磁気記録媒体 ３補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住　所　　大阪市北区中之島三丁目２番４号名　称　　
（，０９４）鐘淵化学工業株式会社代表者　新　納　眞
　人 ほか１名 ５補正の対象 （１）明細書の「特許請求の範囲」の欄（２）明細書の
「発明の詳細な説明」の欄６補正の内容 （１）明細書の「特許請求の範囲」を別紙「補正された
特許請求の範囲」のとおり補正する。 １？Ｊ　　明ｍ１７頁５行＋７）　ｒｌｏ　〜８０原子
９６Ｊ　ヲｒｌＯ〜５０原子％」と補正する。 （３）同７頁６〜７行の「２０〜５０原子％」をｒ２０
〜４０原子％」と補正する。 （４）同７頁８行の「６０原子％」を１５０原子％」と
補正する。 （９同１３頁４行のｒｌＱ原子％以上６０原子％以下」
をｒｌＯ原子％以上５０原子％以下」と補正する。 （６）　　同１！１頁１７行の「６キロエールステツド
」を［６キロエルステツド」と補正する。 （７）　　同１３頁１８行の「８００エールステツド」
を「８００エルステツド」と補正する。 （８）　　同１７頁の第１表金体をつぎのとおり補正す
る。 ［以下余白］ ７添付書類の目録 （１）補正された特許請求の範囲　　　　１通補正され
た特許請求の範囲 「１　鉄または鉄・コバルトに、ＭｓｃｒおよびＴｉの
少なくとも１種を加えた混合物と、および／またはこれ
らの合金との部分酸化物からなり、膜面に対して垂直な
方向に磁化容易軸を有する垂直磁気異方性膜が設けられ
てなる垂直磁気記録媒体。 ２　前記部分酸化物が一般式 ［（Ｐｅ＋−ｘ　ＣＯｌ［）　１−ｙ　Ｍｙコ１−ｚ　
　Ｏｚ　　（ただし、０≦ｘ≦０．７５、ｏ、ｏｏｔ≦
ｙ≦０．３０および０．１０≦２≦　０．５０であり、
また間はＡｌ、ＣｒおよびＴｉの少なくとも１種である
）で表わされるものからなる特許請求の範囲第１項記載
の垂直磁気記録媒体。 ３　前記垂直磁気異方性膜が基板上または基板上に形成
された軟磁性膜上に形成されてなる特許請求の範囲第１
項または第２項記載の垂直磁気記録媒体。」 以　　上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １　鉄または鉄・コバルトに、Ａｌ、ＣｒおよびＴｉの
   少なくとも１種を加えた混合物と、および／またはこれ
   らの合金との部分酸化物からなり、膜面に対して垂直な
   方向に磁化容易軸を有する垂直磁気異方性膜が設けられ
   てなる垂直磁気記録媒体。 ２　前記部分酸化物が一般式 ［（Ｆｅ＿１＿−＿ｋＣｏ＿ｘ）＿１＿−＿ｙＭ＿ｙ］
   ＿１＿−＿ｚＯ＿ｚ（ただし、０≦ｘ≦０．７５、０．
   １０≦ｙ≦０．３０および０．１０≦ｚ≦０、６０であ
   り、またＭはＡｌ、ＣｒおよびＴｉの少なくとも１種で
   ある）で表わされるものからなる特許請求の範囲第１項
   記載の垂直磁気記録媒体。 ３　前記垂直磁気異方性膜が基板上または基板上に形成
   された軟磁性膜上に形成されてなる特許請求の範囲第１
   項または第２項記載の垂直磁気記録媒体。