JPS6380577A - ホトカプラ - Google Patents
ホトカプラInfo
- Publication number
- JPS6380577A JPS6380577A JP61226788A JP22678886A JPS6380577A JP S6380577 A JPS6380577 A JP S6380577A JP 61226788 A JP61226788 A JP 61226788A JP 22678886 A JP22678886 A JP 22678886A JP S6380577 A JPS6380577 A JP S6380577A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- semiconductor element
- liquid crystal
- switch
- photocoupler
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10F—INORGANIC SEMICONDUCTOR DEVICES SENSITIVE TO INFRARED RADIATION, LIGHT, ELECTROMAGNETIC RADIATION OF SHORTER WAVELENGTH OR CORPUSCULAR RADIATION
- H10F55/00—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto
- H10F55/20—Radiation-sensitive semiconductor devices covered by groups H10F10/00, H10F19/00 or H10F30/00 being structurally associated with electric light sources and electrically or optically coupled thereto wherein the electric light source controls the radiation-sensitive semiconductor devices, e.g. optocouplers
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、高い絶縁性を保持して二つの信号回路の間を
結合させるのに便利に用いられるホトカプラ、特に１発
光部から受光部に至る間の光信号のオン、オフが自在に
行えるホトカプラに関する。
結合させるのに便利に用いられるホトカプラ、特に１発
光部から受光部に至る間の光信号のオン、オフが自在に
行えるホトカプラに関する。
第４図に従来の樹脂封止型のホトカプラを示す。
第４図において、発光体用基板１に発光半導体素子２を
マウントし、この発光体用基板１の発光半導体素子２に
相対させて、受光体用基板３にマウントした受光半導体
素子４を配置し、発光および受光半導体索子２と４から
ボンディング線５にて引出しリード６．６にそれぞれ接
続し１両手導体素子の絶縁保持および間隔保持のために
、発光半導体素子２と受光半導体素子４０間に透光性の
スペーサ１２を介在させ、全体を樹脂封止（図示せず）
している。
マウントし、この発光体用基板１の発光半導体素子２に
相対させて、受光体用基板３にマウントした受光半導体
素子４を配置し、発光および受光半導体索子２と４から
ボンディング線５にて引出しリード６．６にそれぞれ接
続し１両手導体素子の絶縁保持および間隔保持のために
、発光半導体素子２と受光半導体素子４０間に透光性の
スペーサ１２を介在させ、全体を樹脂封止（図示せず）
している。
第５図は従来のエアーギヤツブ泣ホトカプラの斜視図で
あり、図におｔハて、ステムベース１０に貫通植設され
た支柱兼リード１６に、発光体用基板１と受光体用基板
３が相対して支持され、発光体用基板１と受光体用基板
３の相対面には、それぞれ発光半導体素子１と受光半導
体素子２がエアーギャップを介して相対するように固着
されている。これらｒｉ図示してないキャップがかぶさ
れ外部から保護される。第６図はこれらのホトカプラの
使用例を示す回路図で、図において発光半導体素子２か
ら発せられた光信号は受光半導体素子４で受け、その出
力は、バッファおよびインピーダンスマツチングならび
に増幅用などのトランジスタ８に加えられ、トランジス
タ８から出力される。
あり、図におｔハて、ステムベース１０に貫通植設され
た支柱兼リード１６に、発光体用基板１と受光体用基板
３が相対して支持され、発光体用基板１と受光体用基板
３の相対面には、それぞれ発光半導体素子１と受光半導
体素子２がエアーギャップを介して相対するように固着
されている。これらｒｉ図示してないキャップがかぶさ
れ外部から保護される。第６図はこれらのホトカプラの
使用例を示す回路図で、図において発光半導体素子２か
ら発せられた光信号は受光半導体素子４で受け、その出
力は、バッファおよびインピーダンスマツチングならび
に増幅用などのトランジスタ８に加えられ、トランジス
タ８から出力される。
しかして、光信号のオン・オフを行うには、発光半導体
素子２と直列にスイッチ９を設け、スイッチ９のオン−
オフにより実行される。あるいは。
素子２と直列にスイッチ９を設け、スイッチ９のオン−
オフにより実行される。あるいは。
図示してないが、受光半導体素子４．増幅用トランジス
タ８０を流通路、または出力回路に直列にオン−オフス
イッチを設けていた。
タ８０を流通路、または出力回路に直列にオン−オフス
イッチを設けていた。
上述し、た従来のホトカプラで信号をオン・オンする方
法では、信号ライン又はバイアスラインをスイッチを用
いてオン会オフするために、スイッチのトランシェドや
ヒゲの発生、バイアス立上シの遅れ、立下りの信号残り
などの欠点があり、さらに外部にスイッチを設けること
によりスペース的にも問題があり、経済的にもスイッチ
のコストは無視できない。また、第５図に示したエアー
ギャップ型では、絶縁耐圧ｒｔ発光素子２と受光素子４
との間隔で決まり、高耐圧ホトカプラに対して製造上の
自由度が少なかった。ギヤ９プを広くすると絶縁耐圧は
向上するが光量がへるため、発光半導体ｌの能力をあげ
るか、受光半導体２の感度を向上させるために利得を大
きくすると共に素子耐圧が低下するという欠点があり０ 〔問題点を解決するための手段〕 上記問題点に対し本発明のホトカプラは、発光半導体素
子と受光半導体素子との間の光が通過する位置に、液晶
スイッチ３を設けている。
法では、信号ライン又はバイアスラインをスイッチを用
いてオン会オフするために、スイッチのトランシェドや
ヒゲの発生、バイアス立上シの遅れ、立下りの信号残り
などの欠点があり、さらに外部にスイッチを設けること
によりスペース的にも問題があり、経済的にもスイッチ
のコストは無視できない。また、第５図に示したエアー
ギャップ型では、絶縁耐圧ｒｔ発光素子２と受光素子４
との間隔で決まり、高耐圧ホトカプラに対して製造上の
自由度が少なかった。ギヤ９プを広くすると絶縁耐圧は
向上するが光量がへるため、発光半導体ｌの能力をあげ
るか、受光半導体２の感度を向上させるために利得を大
きくすると共に素子耐圧が低下するという欠点があり０ 〔問題点を解決するための手段〕 上記問題点に対し本発明のホトカプラは、発光半導体素
子と受光半導体素子との間の光が通過する位置に、液晶
スイッチ３を設けている。
つぎに本発明を実施例によシ説明する。
第 １ 図は本発明の一実施例の封止樹脂を除いて示し
た側面図である。第１図において、これを第４図の従来
例と比べると、第４図のスベーｆ１２の代わりに１本実
施例では、スイッチ機能を有する液晶スイッチ７が発光
半導体素子２と受光半導体素子４との間に配置され、引
出しリード６ヘボンデイング線５で接続されている。
た側面図である。第１図において、これを第４図の従来
例と比べると、第４図のスベーｆ１２の代わりに１本実
施例では、スイッチ機能を有する液晶スイッチ７が発光
半導体素子２と受光半導体素子４との間に配置され、引
出しリード６ヘボンデイング線５で接続されている。
液晶スイッチ７の動作は、第３図の回路図で示すように
、外部から液晶のＸ軸およびＹ軸にバイアス電圧を印加
することで、発光半導体素子２から受光半導体素子４へ
到達する光信号を通過またｒｉ遮断する。
、外部から液晶のＸ軸およびＹ軸にバイアス電圧を印加
することで、発光半導体素子２から受光半導体素子４へ
到達する光信号を通過またｒｉ遮断する。
第２図はエアーギャップ型ホトカプラにおける実施例の
、外囲保護キャップを除いて示した斜視図である。第２
図において１発光半導体素子２を発光体用基板１にマウ
ントし、これに対して、受光半導体素子４を受光体用基
板３にマウントし、各基板ｌと３上に作られた導体パタ
ーン１８と。
、外囲保護キャップを除いて示した斜視図である。第２
図において１発光半導体素子２を発光体用基板１にマウ
ントし、これに対して、受光半導体素子４を受光体用基
板３にマウントし、各基板ｌと３上に作られた導体パタ
ーン１８と。
半導体素子２，４とボンディング線５にて接続する。基
板１と３は、ステムベース１０を貫通して植設されてい
る支柱兼リード１６により支持されており、さらに１発
光素子２と受光素子４との間に、液晶スイッチ１７が、
支柱１６により支持きれ、最終的には１図示してないキ
ャップをかぶせてステムベースｌＯとの間で気密封止さ
れる。しかして、液晶スイッチ１７にバイアス電圧を印
加することにより、発光素子２と受光素子４との間の信
号光の伝達を通過°としたシ遮断とする。
板１と３は、ステムベース１０を貫通して植設されてい
る支柱兼リード１６により支持されており、さらに１発
光素子２と受光素子４との間に、液晶スイッチ１７が、
支柱１６により支持きれ、最終的には１図示してないキ
ャップをかぶせてステムベースｌＯとの間で気密封止さ
れる。しかして、液晶スイッチ１７にバイアス電圧を印
加することにより、発光素子２と受光素子４との間の信
号光の伝達を通過°としたシ遮断とする。
以上説明したように１本発明は発光半導体素子と受光半
導体素子のあい対する間隙に液晶スイッチを設けること
により、樹脂封止型ホトカプラではチップ間の絶縁耐圧
向上にも対応でき、信号ラインに対して電気的に何らか
の影響を与えずに、信号ラインのオン・オフが実現でき
る。又エアーギャップ型ホトカプラでも、従来絶縁耐圧
を取るためにスペースを広く取り、その為に発光半導体
２の光量アップに努力したり、受光牛導体ヰの感度アッ
プや利得向上の努力がされ、ともに半導体の耐圧劣化と
なっていたが、液晶スイッチを配すことで、絶縁耐圧の
向上と信号ラインのオン・オフが実現できる。
導体素子のあい対する間隙に液晶スイッチを設けること
により、樹脂封止型ホトカプラではチップ間の絶縁耐圧
向上にも対応でき、信号ラインに対して電気的に何らか
の影響を与えずに、信号ラインのオン・オフが実現でき
る。又エアーギャップ型ホトカプラでも、従来絶縁耐圧
を取るためにスペースを広く取り、その為に発光半導体
２の光量アップに努力したり、受光牛導体ヰの感度アッ
プや利得向上の努力がされ、ともに半導体の耐圧劣化と
なっていたが、液晶スイッチを配すことで、絶縁耐圧の
向上と信号ラインのオン・オフが実現できる。
第１図は本発明の一実施例の封止樹脂を除いて示した（
ＦＩＯ面図、第２図は本発明の他の実施例の保護キャッ
プを除いて示した斜視図、第３図は、第１図のホトカプ
ラの使用例を示す回路図、第４図と第５図はそれぞれ従
来の樹脂封止型およびエアーギャップ型ホトカプラの外
囲部を除いて示した側面図と斜視図、第６図は第５図の
ホトカプラの使用例を示す回路図である。 １・・・・・・発光体用基板、２・・・・・・発光用半
導体素子。 ３・・・・・・受光体用基板、４・・・・・・受光用半
導体素子。 ５・・・・・・ボンディング線、６・・・・・・引出し
リード、７゜１７・・・・・・液晶スイッチ、８・・・
・・・トランジスタ、９・・・・・・外部スイッチ、１
０・・・・・・ステムベース、１６・・・・・・支柱兼
リード、工８・・・・・・導体パターン。 第Ｚ図
ＦＩＯ面図、第２図は本発明の他の実施例の保護キャッ
プを除いて示した斜視図、第３図は、第１図のホトカプ
ラの使用例を示す回路図、第４図と第５図はそれぞれ従
来の樹脂封止型およびエアーギャップ型ホトカプラの外
囲部を除いて示した側面図と斜視図、第６図は第５図の
ホトカプラの使用例を示す回路図である。 １・・・・・・発光体用基板、２・・・・・・発光用半
導体素子。 ３・・・・・・受光体用基板、４・・・・・・受光用半
導体素子。 ５・・・・・・ボンディング線、６・・・・・・引出し
リード、７゜１７・・・・・・液晶スイッチ、８・・・
・・・トランジスタ、９・・・・・・外部スイッチ、１
０・・・・・・ステムベース、１６・・・・・・支柱兼
リード、工８・・・・・・導体パターン。 第Ｚ図
Claims (1)
- 発光半導体素子がマウントされた発光体用基板と、この
発光体用基板の発光体半導体素子と所定の間隙をおいて
相対させた受光半導体素子がマウントされた受光体用基
板と、前記発光半導体素子と受光半導体素子との間隙部
に設けられた液晶スイッチとを含むことを特徴とするホ
トカプラ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61226788A JPS6380577A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | ホトカプラ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61226788A JPS6380577A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | ホトカプラ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6380577A true JPS6380577A (ja) | 1988-04-11 |
Family
ID=16850623
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61226788A Pending JPS6380577A (ja) | 1986-09-24 | 1986-09-24 | ホトカプラ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6380577A (ja) |
-
1986
- 1986-09-24 JP JP61226788A patent/JPS6380577A/ja active Pending
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