JPS6381841A - 高周波集積回路 - Google Patents
高周波集積回路Info
- Publication number
- JPS6381841A JPS6381841A JP22676586A JP22676586A JPS6381841A JP S6381841 A JPS6381841 A JP S6381841A JP 22676586 A JP22676586 A JP 22676586A JP 22676586 A JP22676586 A JP 22676586A JP S6381841 A JPS6381841 A JP S6381841A
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- Japan
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- signal terminal
- output signal
- auxiliary
- input signal
- input
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は高周波集積回路の回路構成に関するものであ
る。
る。
以下、高周波集積回路として、モノリシックマイクロ波
集積回路増幅器（ＭＭＩＣ増幅器）を例にとって説明す
る。
集積回路増幅器（ＭＭＩＣ増幅器）を例にとって説明す
る。
第４図は従来のＭＭＩＣ増幅器の回路構成を示す回路図
である０図において、１はトランジスタ、２は抵抗、３
は直流阻止用コンデンサ、４は入力信号端子、５は出力
信号端子、６はトランジスタの直流バイアス印加端子で
ある。
である０図において、１はトランジスタ、２は抵抗、３
は直流阻止用コンデンサ、４は入力信号端子、５は出力
信号端子、６はトランジスタの直流バイアス印加端子で
ある。
次に動作について説明する。入力信号端子４に印加され
た信号はトランジスタ１により増幅され、出力信号端子
５から取り出される。ここで、トランジスタ１を動作さ
せるための直流バイアスは直流バイアス印加端子６から
供給され、トランジスタ相互の直流バイアスの分離は直
流阻止用コンデンサ３によってなされる。
た信号はトランジスタ１により増幅され、出力信号端子
５から取り出される。ここで、トランジスタ１を動作さ
せるための直流バイアスは直流バイアス印加端子６から
供給され、トランジスタ相互の直流バイアスの分離は直
流阻止用コンデンサ３によってなされる。
第５図はこのＭＭＩＣ増幅器の各々の端子部分のパター
ン配置を示すチップパターンの概略図である。ＭＭ Ｉ
Ｃ増幅器チップは第６図に示すように、適当なパッケ
ージ７に装着され、入力信号端子４．出力信号端子５．
および直流バイアス印加端子６がパッケージ７の相当す
るリード部４１゜５１．６１に接続されて用いられる。
ン配置を示すチップパターンの概略図である。ＭＭ Ｉ
Ｃ増幅器チップは第６図に示すように、適当なパッケ
ージ７に装着され、入力信号端子４．出力信号端子５．
および直流バイアス印加端子６がパッケージ７の相当す
るリード部４１゜５１．６１に接続されて用いられる。
従来のＭＭＩＣ増幅器は以上のように構成されているの
で、更に多段の増幅器を構成する場合、第７図に示すよ
うにＭＭＩＣ増幅器チップ間の直流バイアス分離のため
に、外付けの直流阻止用コンデンサ３１を必要とし、節
単に縦続接続できないという問題点があった。
で、更に多段の増幅器を構成する場合、第７図に示すよ
うにＭＭＩＣ増幅器チップ間の直流バイアス分離のため
に、外付けの直流阻止用コンデンサ３１を必要とし、節
単に縦続接続できないという問題点があった。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、多段の縦続接続を容易に実現することのでき
る高周波集積回路を得ることを目的とする。
たもので、多段の縦続接続を容易に実現することのでき
る高周波集積回路を得ることを目的とする。
この発明に係る高周波集積回路は、従来の入力。
及び出力信号端子に加え、該入力、及び出力信号端子に
それぞれ直流■土用コンデンサを介して接続した補助入
力、及び補助出力信号端子を設けたものである。
それぞれ直流■土用コンデンサを介して接続した補助入
力、及び補助出力信号端子を設けたものである。
［作用〕
この発明においては、補助入力、又は補助出力信号端子
を、縦続接続する回路の出力、又は入力信号端子に接続
するようにしたので、多段に縦続接続する場合の高周波
集積回路チップ間の直流阻止用コンデンサを不要とする
ことができる。
を、縦続接続する回路の出力、又は入力信号端子に接続
するようにしたので、多段に縦続接続する場合の高周波
集積回路チップ間の直流阻止用コンデンサを不要とする
ことができる。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。
第１図はこの発明の一実施例による高周波集積回路であ
るＭＭ Ｉ Ｃ増幅器を示し、第２図は第１図に示す回
路のチップパターンの概略図である。
るＭＭ Ｉ Ｃ増幅器を示し、第２図は第１図に示す回
路のチップパターンの概略図である。
両図において、１〜６は従来例と同じものを示し、４０
は補助入力信号端子、５０は補助出力信号端子であり、
両端子４０．５０とも直流阻止用コンデンサ３ａを介し
てそれぞれ入力、及び出力信号端子４．５と電気的に接
続され、該入力、及び出力信号端子４．５に近接して設
置されている。
は補助入力信号端子、５０は補助出力信号端子であり、
両端子４０．５０とも直流阻止用コンデンサ３ａを介し
てそれぞれ入力、及び出力信号端子４．５と電気的に接
続され、該入力、及び出力信号端子４．５に近接して設
置されている。
このような構成になるＭＭ Ｉ Ｃ増幅器では、ＭＭＩ
Ｃ増幅器チップを縦続接続する場合、そのチップ間の信
号端子接続を補助入力信号端子４０と出力信号端子５、
又は補助出力信号端子５０と入力信号端子４とで行なう
ことにより、チップ間の直流バイアス分離を行なうこと
ができる。したがって、従来のＭＭ Ｉ Ｃ増幅器の縦
続接続では必要であった外付けの直流阻止用コンデンサ
が不要となり、容易に縦続接続することができる。
Ｃ増幅器チップを縦続接続する場合、そのチップ間の信
号端子接続を補助入力信号端子４０と出力信号端子５、
又は補助出力信号端子５０と入力信号端子４とで行なう
ことにより、チップ間の直流バイアス分離を行なうこと
ができる。したがって、従来のＭＭ Ｉ Ｃ増幅器の縦
続接続では必要であった外付けの直流阻止用コンデンサ
が不要となり、容易に縦続接続することができる。
なお、上記実施例ではＭＭＩＣ増幅器について説明した
が、これに限定するものではなく、他の高周波集積回路
に適用しても同様の効果を奏することは言うまでもない
。
が、これに限定するものではなく、他の高周波集積回路
に適用しても同様の効果を奏することは言うまでもない
。
以上のように、この発明の高周波集積回路によれば、入
力、及び出力信号端子にそれぞれ直流阻止用コンデンサ
を介して接続された補助入力、及び補助出力信号端子を
設けたので、回路の多段の縦続接続を容易に行なうこと
ができる効果がある。
力、及び出力信号端子にそれぞれ直流阻止用コンデンサ
を介して接続された補助入力、及び補助出力信号端子を
設けたので、回路の多段の縦続接続を容易に行なうこと
ができる効果がある。
第１図はこの発明の一実施例による高周波集積回路を示
す回路図、第２図は上記実施例のチップパターンを示す
概略図、第３図は上記実施例を縦続接続した状態を示す
概略図、第４図は従来の高周波集積回路を示す回路図、
第５図は上記従来例のチップパターンを示す概略図、第
６図は上記従来例をパフケージに組み入れた状態を示す
図、第７図は上記実施例を縦続接続した状態を示す概略
図である。 図において、■はトランジスタ、２は抵抗、３゜３ａは
直流阻止用コンデンサ、４は入力信号端子、５は出力信
号端子、６は直流バイアス印加端子、７はパッケージ、
３１は外付けの直流阻止用コンデンサ、４０は補助入力
信号端子、５０は補助出力信号端子、４１はパッケージ
の入力リード部、５１はパッケージの出力リード部、６
１はパッケージのバイアス用リード部である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
す回路図、第２図は上記実施例のチップパターンを示す
概略図、第３図は上記実施例を縦続接続した状態を示す
概略図、第４図は従来の高周波集積回路を示す回路図、
第５図は上記従来例のチップパターンを示す概略図、第
６図は上記従来例をパフケージに組み入れた状態を示す
図、第７図は上記実施例を縦続接続した状態を示す概略
図である。 図において、■はトランジスタ、２は抵抗、３゜３ａは
直流阻止用コンデンサ、４は入力信号端子、５は出力信
号端子、６は直流バイアス印加端子、７はパッケージ、
３１は外付けの直流阻止用コンデンサ、４０は補助入力
信号端子、５０は補助出力信号端子、４１はパッケージ
の入力リード部、５１はパッケージの出力リード部、６
１はパッケージのバイアス用リード部である。 なお図中同一符号は同−又は相当部分を示す。
Claims (1)
- （１）高周波集積回路において、 入力、及び出力信号端子にそれぞれ直流阻止用コンデン
サを介して接続した補助入力、及び補助出力信号端子を
備え、該補助入力又は補助出力信号端子を、縦続接続す
る回路の出力又は入力信号端子に接続するようにしたこ
とを特徴とする高周波集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22676586A JPS6381841A (ja) | 1986-09-25 | 1986-09-25 | 高周波集積回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22676586A JPS6381841A (ja) | 1986-09-25 | 1986-09-25 | 高周波集積回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6381841A true JPS6381841A (ja) | 1988-04-12 |
Family
ID=16850264
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22676586A Pending JPS6381841A (ja) | 1986-09-25 | 1986-09-25 | 高周波集積回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6381841A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003043087A1 (fr) * | 2001-11-13 | 2003-05-22 | Niigata Seimitsu Co., Ltd. | Dispositif a semi-conducteur |
-
1986
- 1986-09-25 JP JP22676586A patent/JPS6381841A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003043087A1 (fr) * | 2001-11-13 | 2003-05-22 | Niigata Seimitsu Co., Ltd. | Dispositif a semi-conducteur |
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