JPH01189210A - 負帰還型広帯域増幅回路 - Google Patents

負帰還型広帯域増幅回路

Info

Publication number
JPH01189210A
JPH01189210A JP1288688A JP1288688A JPH01189210A JP H01189210 A JPH01189210 A JP H01189210A JP 1288688 A JP1288688 A JP 1288688A JP 1288688 A JP1288688 A JP 1288688A JP H01189210 A JPH01189210 A JP H01189210A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit
amplifier circuit
negative feedback
field effect
negative
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1288688A
Other languages
English (en)
Inventor
Yoshinobu Kadowaki
門脇 好伸
Tetsuo Mori
哲郎 森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP1288688A priority Critical patent/JPH01189210A/ja
Publication of JPH01189210A publication Critical patent/JPH01189210A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Amplifiers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は電界効果トランジスタを用いたマイクロ波周
波数帯の負帰還型広帯域増幅回路の回路構成に関するも
のである。
〔従来の技術〕
第2図は、従来より広く知られている電界効果トランジ
ス々を用いた負帰還型広帯域増幅回路で二段増幅構成の
場合の回路図を示す。電界効果トランジスタ+11 、
 (21のドレイン端子より出力信号の一部を帰還抵抗
(RflXRf2)でゲート端子に負帰還させる。容[
1(Cfθ(Cf、)は、帰遭回路の直流阻止用として
用い、容量(C1)、(C2)は増幅股間の直流阻止用
である。
この構成による負帰還型広帯域増幅回路では。
各増幅段の電界効果トランジスタの直流バイアスは、ド
レイン側は負荷抵抗(Rtl) 、(RL2)を介して
ドレインバイアス端子VDDに接続され、ゲート側は直
列抵抗(Rgl)、(Rg、)を介してゲートバイアス
端子vGGに接続される。このような回路構成を用いて
、半導体基板とに集積化したマイクロ波モノリックIC
(以下、MMICと称する)に適用する場合、そのMM
IGのパッケージとしては、第4図に示すような、多ビ
ンを有する特殊マイクロディスクパッケージを使用した
。
〔発明が解決しようとする課題〕
以とのように、従来の回路構成では、MMICに適用す
る場合、電極端子数が増加することで、回路パターンが
複雑となり、かつパッケージも待殊仕様のものが必要で
あった。したがって、生産性とコストの面で問題があっ
た。
この発明はと記のような問題点を解消するためになされ
たもので、回路構成を単純化し、−船釣なマイクロディ
スクパッケージの使用が可能な負帰還型広帯域増幅器を
得ることを目的とする。
〔課題を解決するための手段〕
この発明に係る負帰還型広帯域増幅回路は、負帰還回路
が電界効果トランジスタのドレインから直流阻止用の股
間コンデンサを経た後に抵抗で直接ゲートに接続するよ
うにしたものである。
〔作 用〕
この発明における負帰還回路は股間のコンデンサを負帰
還回路の一部として利用することで、回路を簡略化し、
電界効果トランジスタのゲートバイアスを信号の入力端
子と共用化している。
〔実施例〕
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第1
図はこの発明による負帰還型広帯域増幅回路の構成を示
す。電界効果トランジスタ(1)および(2)は股間の
直流阻止用コンデンサ(に+)、(Cz)から帰還抵抗
(Rf t) 、(R’ z戻ドレインよりゲートへ信
号が帰還されている。ドレインバイアスは従来と同様に
負荷抵抗(1,1)、(RL2)を介してドレインバイ
アス端子(VDD )に接続される。ゲートバイアスは
帰還抵抗(Rfl)、(Rf z)を通して入力信号端
子に接続されるため入力信号とゲートバイアスVGG 
 が共用となる。
第3図は、この発明の回路で構成したMMICのパッケ
ージを示す。従来、一般にマイクロ波帯周波数で用いら
れているマイクロディスクパッケージを使用する。
以とのように、本発明による負帰還型広帯域増幅器回路
は負帰還回路の抵抗(Rfl)、(Rfz)を電界効果
トランジスタのゲートバイアス印加用として利用し、ド
レインバイアスの直流阻止用には股間のコンデンサ(C
1)、(C2)を共用する。
負帰還回路としては、従来よりの回路と同様の作用を行
なうが、電界効果トランジスタのゲーしバイアス用の専
用端子を必要としない。
なお、と記実施例では、各増幅段の電界効果トランジス
タについて、各々、帰還抵抗(Rft)−(”z)を設
は負帰還させているが、更に入力と出力の間に帰還抵抗
を入れた全体帰還回路を追加してもよい。
〔発明の効果〕
以とのように、この発明によれば、負帰還型広帯域増幅
回路の帰還回路を電界効果トランジスタのゲートバイア
ス印加回路として共用したので、回路構成が簡単となり
、また使用するパッケージも通常の外形のものが使用で
き、生産性の向上と装置が安価にできる効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図はこの発明の一実施例による負帰還型増幅器回路
の構成を示す回路図、第2図は従来の負帰還型増幅器回
路の構成を示す回路図、第3図は本発明による広帯域増
幅用ICのパッケージを示す平面図、第4図は従来の構
成の広帯域増幅用ICのパッケージの一例を示す平面図
である。(1)。 (2)は電界効果トランジスタ、(3)は入力信号端子
、(4)はドレインバイアス端子、(51は出力信号端
子、(6)は接地端子、(7)はゲートバイアス端子で
ある。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 電界効果トランジスタを用いた負帰還型広帯域増幅回路
    において、電界効果トランジスタのドレインから直列に
    直流阻止用のコンデンサが接続され、電界効果トランジ
    スタの出力信号の一部を帰還するための抵抗が、直流阻
    止コンデンサを介してドレインとゲート間に接続されて
    いることを特徴とする負帰還型広帯域増幅回路。
JP1288688A 1988-01-22 1988-01-22 負帰還型広帯域増幅回路 Pending JPH01189210A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1288688A JPH01189210A (ja) 1988-01-22 1988-01-22 負帰還型広帯域増幅回路

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1288688A JPH01189210A (ja) 1988-01-22 1988-01-22 負帰還型広帯域増幅回路

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH01189210A true JPH01189210A (ja) 1989-07-28

Family

ID=11817886

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1288688A Pending JPH01189210A (ja) 1988-01-22 1988-01-22 負帰還型広帯域増幅回路

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH01189210A (ja)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06303046A (ja) * 1993-04-14 1994-10-28 Nec Corp 半導体集積回路

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06303046A (ja) * 1993-04-14 1994-10-28 Nec Corp 半導体集積回路

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH045289B2 (ja)
JPS6043907A (ja) 増幅回路
JPH0257722B2 (ja)
JP3371151B2 (ja) モノリシックマイクロウエーブ半導体集積回路
US5160984A (en) Amplifying feedback FET semiconductor element
JP3062358B2 (ja) マイクロ波集積回路素子
JPH01233812A (ja) マイクロ波用多段増幅回路
JP2002222893A (ja) 高周波増幅器
JPS60140907A (ja) 半導体集積回路
JPH03192801A (ja) モノリシック・マイクロ波集積回路
JPS63224508A (ja) モノリシツクマイクロ波集積回路多段増幅器
JPH04261206A (ja) 増幅器
JPH0219002A (ja) マイクロ波増幅回路
JPS63268303A (ja) レベルシフト回路
JPS611104A (ja) モノリシツク集積回路多段増幅器
JPH11340747A (ja) Mmic低雑音増幅器
JPH021177A (ja) 半導体装置
JPH0145154Y2 (ja)
JPH04273607A (ja) 低雑音増幅器
JPH0846446A (ja) ゲートバイアス回路
JPS61107804A (ja) 半導体集積回路
JPH02105701A (ja) マイクロ波集積回路用バイアス回路
JPS6381841A (ja) 高周波集積回路
JPH0352029Y2 (ja)
JPS61281708A (ja) 広帯域増幅回路