JPS638538B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS638538B2 JPS638538B2 JP1437778A JP1437778A JPS638538B2 JP S638538 B2 JPS638538 B2 JP S638538B2 JP 1437778 A JP1437778 A JP 1437778A JP 1437778 A JP1437778 A JP 1437778A JP S638538 B2 JPS638538 B2 JP S638538B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- thin film
- etching layer
- gas
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明はレーザービーム等の記録ビームにより
情報を記録する担体、特にビデオデイスクや
PCM録音レコードのレプリカを大量に製造する
ための原盤の製造方法に関する。
情報を記録する担体、特にビデオデイスクや
PCM録音レコードのレプリカを大量に製造する
ための原盤の製造方法に関する。
従来のビデオデイスク等の原盤は、ガラス基板
上に直接薄膜を形成したものに、記録ビームを照
射して薄膜を蒸発せしめピツトを形成することに
より情報を記録したものであつた。しかしながら
このとき薄膜が薄すぎると、レプリカ作製の際充
分なＳ／Ｎ比を確保するために必要な1000乃至
2000A゜の段差（深さ）を得ることができず、薄
膜が厚すぎると記録ビームを照射しても薄膜が充
分蒸発せず、情報を正確に担体に記録すること自
体が困難となつていた。また記録ビームの照射に
より蒸発した薄膜がピツト周辺に突起部を形成
し、精度の低下またＳ／Ｎ比の劣化をもたらす別
の原因となつていた。
上に直接薄膜を形成したものに、記録ビームを照
射して薄膜を蒸発せしめピツトを形成することに
より情報を記録したものであつた。しかしながら
このとき薄膜が薄すぎると、レプリカ作製の際充
分なＳ／Ｎ比を確保するために必要な1000乃至
2000A゜の段差（深さ）を得ることができず、薄
膜が厚すぎると記録ビームを照射しても薄膜が充
分蒸発せず、情報を正確に担体に記録すること自
体が困難となつていた。また記録ビームの照射に
より蒸発した薄膜がピツト周辺に突起部を形成
し、精度の低下またＳ／Ｎ比の劣化をもたらす別
の原因となつていた。
本発明は斯る欠点を除去し、記録ビームに含ま
れる情報をより正確に記録し得るとともに、充分
なるＳ／Ｎ比を有するレプリカを作製し得る精度
の高い原盤を容易に製造する方法を提供するもの
である。
れる情報をより正確に記録し得るとともに、充分
なるＳ／Ｎ比を有するレプリカを作製し得る精度
の高い原盤を容易に製造する方法を提供するもの
である。
以下図面（同一符号は同一機能を有する部分を
示す）を参照して本発明の実施例を説明する。本
発明によれば、第１図に示す如く板ガラスの基板
１上に所定の温度および圧力のフロン系ガス
（CF4，C2F6，CHF3，SF6等）中でよくエツチン
グできる素材よりなるエツチング層６を、蒸着，
スパツタリング，CVD（ケミカルベーパーデイポ
ジシヨン）等により形成する。該素材は例えば
Si，SiO，SiO2，Si3N4や、またはこれらに重量
比で最水20％のＰもしくはＢを含むものとするこ
とができる。
示す）を参照して本発明の実施例を説明する。本
発明によれば、第１図に示す如く板ガラスの基板
１上に所定の温度および圧力のフロン系ガス
（CF4，C2F6，CHF3，SF6等）中でよくエツチン
グできる素材よりなるエツチング層６を、蒸着，
スパツタリング，CVD（ケミカルベーパーデイポ
ジシヨン）等により形成する。該素材は例えば
Si，SiO，SiO2，Si3N4や、またはこれらに重量
比で最水20％のＰもしくはＢを含むものとするこ
とができる。
すなわち該素材はSiまたはSiの酸化物もしくは
窒化物を主成分とするものである。エツチング処
理過程において該主成分と所定の温度及び圧力の
フロン系ガスとが反応して化合物（例えばSiF4）
が生成され蒸発することにより、エツチング層の
所定の部分が除去されることとなるが、該化合物
が蒸発する沸点より高い沸点を有する化合物（例
えばNaF、CaF2等）を上記ガスと反応して生成
する物質（例えばNa、Ca等）がエツチング層の
素材に含まれているとNaF、CaF2等の化合物と
は蒸発せずに残留することとなり、エツチングに
よるエツチング層の除去を精度よく行うことが困
難となる。従つてエツチング層の素材としては上
記のような化合物NaF、CaF2等を上記ガスと反
応して生成する物質Na、Ca等を含まないものを
用いる必要がある。
窒化物を主成分とするものである。エツチング処
理過程において該主成分と所定の温度及び圧力の
フロン系ガスとが反応して化合物（例えばSiF4）
が生成され蒸発することにより、エツチング層の
所定の部分が除去されることとなるが、該化合物
が蒸発する沸点より高い沸点を有する化合物（例
えばNaF、CaF2等）を上記ガスと反応して生成
する物質（例えばNa、Ca等）がエツチング層の
素材に含まれているとNaF、CaF2等の化合物と
は蒸発せずに残留することとなり、エツチングに
よるエツチング層の除去を精度よく行うことが困
難となる。従つてエツチング層の素材としては上
記のような化合物NaF、CaF2等を上記ガスと反
応して生成する物質Na、Ca等を含まないものを
用いる必要がある。
換言すれぱ、常温乃至300℃の温度で10乃至
0.01Torrの圧力の範囲中エツチング層の素材に
応じて適当に選択された所定の温度及び圧力のフ
ロン系ガス中においてエツチング層をエツチング
により除去する場合0.01Torrの圧力下において
300℃以上の沸点を有する化合物（例えばNaF、
CaF2等）を上記ガスと反応して生成する物質
（例えばNa、Ca等）を含まない素材であれば実
用的である。そしてさらに該エツチング層６上に
Cr，Ti，Ｖ，Nb，Ta，Ｗ，Mo，Hf等の金属ま
たはこれらの酸化物や窒化物であつて、記録ビー
ムの照射により容易に蒸発し、イオンミリングま
たはガスプラズマによるエツチング過程において
マスクとしての耐性を有する薄膜２を、蒸着，ス
パツタリング，CVD（ケミカルベーパーデイポジ
シヨン）等により形成する（ａ図）。そして記録
ビームの照射により該薄膜２を蒸発せしめピツト
３を形成することにより情報を記録する（ｂ図）。
さらに常温乃至300℃の温度かつ10乃至0.01Torr
の圧力の範囲中エツチング層の素材に応じ適当に
選択された所定の温度および圧力のフロン系ガス
（CF4，C2F6，CHF3，SF6等）中において、イオ
ンミリングまたはガスプラズマ等により該薄膜２
をマスクとしてエツチング層６に第１のエツチン
グを施こし、所定の段差を形成する（ｃ図）。そ
して必要に応じさらにマスクとして使用した該薄
膜２を通常のケミカルエツチング等の第２のエツ
チングにより除去する（ｄ図）。該薄膜２を除去
する場合は、その厚さを適当に調整することによ
り、第１のエツチングにより所定の段差が形成さ
れたとき、頂度該薄膜２が除去されるようにして
もよい。該薄膜２を除去しないときは、第１のエ
ツチング終了後の該薄膜２と該エツチング層６の
厚さの和を、また該薄膜２を除去するときは該エ
ツチング層６の厚さを、それぞれ所定の段差
（1000乃至2000A゜）となるように調整する。該薄
膜２としてCrを用いると接着性がよく、該エツ
チング層６としてSiO2を用いるときは融点が通
常の板ガラスよりも高いので、該薄膜２の蒸着等
に有利である。
0.01Torrの圧力の範囲中エツチング層の素材に
応じて適当に選択された所定の温度及び圧力のフ
ロン系ガス中においてエツチング層をエツチング
により除去する場合0.01Torrの圧力下において
300℃以上の沸点を有する化合物（例えばNaF、
CaF2等）を上記ガスと反応して生成する物質
（例えばNa、Ca等）を含まない素材であれば実
用的である。そしてさらに該エツチング層６上に
Cr，Ti，Ｖ，Nb，Ta，Ｗ，Mo，Hf等の金属ま
たはこれらの酸化物や窒化物であつて、記録ビー
ムの照射により容易に蒸発し、イオンミリングま
たはガスプラズマによるエツチング過程において
マスクとしての耐性を有する薄膜２を、蒸着，ス
パツタリング，CVD（ケミカルベーパーデイポジ
シヨン）等により形成する（ａ図）。そして記録
ビームの照射により該薄膜２を蒸発せしめピツト
３を形成することにより情報を記録する（ｂ図）。
さらに常温乃至300℃の温度かつ10乃至0.01Torr
の圧力の範囲中エツチング層の素材に応じ適当に
選択された所定の温度および圧力のフロン系ガス
（CF4，C2F6，CHF3，SF6等）中において、イオ
ンミリングまたはガスプラズマ等により該薄膜２
をマスクとしてエツチング層６に第１のエツチン
グを施こし、所定の段差を形成する（ｃ図）。そ
して必要に応じさらにマスクとして使用した該薄
膜２を通常のケミカルエツチング等の第２のエツ
チングにより除去する（ｄ図）。該薄膜２を除去
する場合は、その厚さを適当に調整することによ
り、第１のエツチングにより所定の段差が形成さ
れたとき、頂度該薄膜２が除去されるようにして
もよい。該薄膜２を除去しないときは、第１のエ
ツチング終了後の該薄膜２と該エツチング層６の
厚さの和を、また該薄膜２を除去するときは該エ
ツチング層６の厚さを、それぞれ所定の段差
（1000乃至2000A゜）となるように調整する。該薄
膜２としてCrを用いると接着性がよく、該エツ
チング層６としてSiO2を用いるときは融点が通
常の板ガラスよりも高いので、該薄膜２の蒸着等
に有利である。
本発明によれば、記録ビームで情報記録後さら
に第１のエツチングによりエツチング層６を所定
の深さにエツチングするので薄膜２自体の厚さを
薄くすることができ、正確な情報の記録が可能で
あるばかりでなく、レプリカ作製に必要な所定の
段差も確保することができるのである。また第１
のエツチングが通常のケミカルエツチング等によ
るときは、第２図に示す如く、エツチ部４が横方
向に拡がるが、イオンミリングまたはガスプラズ
マ等によりエツチングを行うので、エツチング層
６が深さ方向にエツチングされ、より正確な原盤
を作製することができる。さらにエツチング層６
の素材を、SiおよびSiの酸化物もしくは窒化物を
主成分とするものであつて、所定の温度および圧
力のフロン系ガスと該主成分とが反応して生成さ
れる化合物の沸点より高い沸点を有する化合物を
該ガスと反応して生成する物質を含まないものと
したことにより、マスク（薄膜２）に対するエツ
チング層６のエツチング比eS／eMが、フロン系ガ
ス中でのエツチングにおいても充分大きくするこ
とができ、レプリカ作製に必要な所定の段差を得
ることがより容易になつたのである。エツチング
層６の素材として通常の板ガラス（アルカリ金属
であるNaやアルカリ土金属であるCa等を含んだ
SiO2）を使用し、フロン系ガス中で薄膜２をマ
スクとして第１のエツチングを行つた場合、エツ
チング層６のマスクに対するエツチング比eS／eM
は約３であるのに対し、上記素材中例えば石英ガ
ラス（SiO2）をエツチング層６とした場合にお
いてはエツチング比eS／eMは100以上とすること
ができた。これは通常の板ガラスはその成分中
に、所定の温度及び圧力のフロン系ガスと主成分
であるSiO2とが反応して生成される化合物SiF4
の沸点より高い沸点を有する化合物NaF、CaF2
等を該ガスと反応して生成する物質Na、Ca等を
包合していることから、上記化合物SiO2をエツ
チングにより、除去する条件下では、上記化合物
NaF、CaF2等は沸点が高いため、除去されずに
残つてしまうことに起因するものと思われる。さ
らに本発明によれば、薄膜２を（マスクとして）
第１のエツチングをするので、記録ビームの照射
により蒸発した金属が形成する突起部５（第３図
参照）を平担化することができ、第１または第２
のエツチングにより薄膜２を除去したときは、該
突起部５を完全に除去することができ、より精度
の高い原盤を作製することができるのである。
に第１のエツチングによりエツチング層６を所定
の深さにエツチングするので薄膜２自体の厚さを
薄くすることができ、正確な情報の記録が可能で
あるばかりでなく、レプリカ作製に必要な所定の
段差も確保することができるのである。また第１
のエツチングが通常のケミカルエツチング等によ
るときは、第２図に示す如く、エツチ部４が横方
向に拡がるが、イオンミリングまたはガスプラズ
マ等によりエツチングを行うので、エツチング層
６が深さ方向にエツチングされ、より正確な原盤
を作製することができる。さらにエツチング層６
の素材を、SiおよびSiの酸化物もしくは窒化物を
主成分とするものであつて、所定の温度および圧
力のフロン系ガスと該主成分とが反応して生成さ
れる化合物の沸点より高い沸点を有する化合物を
該ガスと反応して生成する物質を含まないものと
したことにより、マスク（薄膜２）に対するエツ
チング層６のエツチング比eS／eMが、フロン系ガ
ス中でのエツチングにおいても充分大きくするこ
とができ、レプリカ作製に必要な所定の段差を得
ることがより容易になつたのである。エツチング
層６の素材として通常の板ガラス（アルカリ金属
であるNaやアルカリ土金属であるCa等を含んだ
SiO2）を使用し、フロン系ガス中で薄膜２をマ
スクとして第１のエツチングを行つた場合、エツ
チング層６のマスクに対するエツチング比eS／eM
は約３であるのに対し、上記素材中例えば石英ガ
ラス（SiO2）をエツチング層６とした場合にお
いてはエツチング比eS／eMは100以上とすること
ができた。これは通常の板ガラスはその成分中
に、所定の温度及び圧力のフロン系ガスと主成分
であるSiO2とが反応して生成される化合物SiF4
の沸点より高い沸点を有する化合物NaF、CaF2
等を該ガスと反応して生成する物質Na、Ca等を
包合していることから、上記化合物SiO2をエツ
チングにより、除去する条件下では、上記化合物
NaF、CaF2等は沸点が高いため、除去されずに
残つてしまうことに起因するものと思われる。さ
らに本発明によれば、薄膜２を（マスクとして）
第１のエツチングをするので、記録ビームの照射
により蒸発した金属が形成する突起部５（第３図
参照）を平担化することができ、第１または第２
のエツチングにより薄膜２を除去したときは、該
突起部５を完全に除去することができ、より精度
の高い原盤を作製することができるのである。
第４図は本発明の他の実施例を示すものであつ
て、基板そのものをエツチング層として形成した
場合である。この実施例においても、エツチング
層６を所定の深さにエツチングすることにより、
前記と同様の効果を有する原盤を作製することが
できることは明らかである。
て、基板そのものをエツチング層として形成した
場合である。この実施例においても、エツチング
層６を所定の深さにエツチングすることにより、
前記と同様の効果を有する原盤を作製することが
できることは明らかである。
またフロン系ガス以外のガス中において本発明
を実施するきは、エツチング層の素材を該ガスと
反応する物質を主成分とし、該ガスと主成分とが
反応して生成される化合物の沸点より高い沸点を
有する化合物を該ガスと反応して生成する物質を
該素材より除去すればよいことは明らかである。
を実施するきは、エツチング層の素材を該ガスと
反応する物質を主成分とし、該ガスと主成分とが
反応して生成される化合物の沸点より高い沸点を
有する化合物を該ガスと反応して生成する物質を
該素材より除去すればよいことは明らかである。
図面はいずれも情報記録担体の断面図を表わ
し、第１図および第４図は本発明の実施例であ
り、第２図および第３図はその説明図である。 １……板ガラスの基板、２……薄膜、３……ピ
ツト、４……エツチ部、５……突起部、６……エ
ツチング層。
し、第１図および第４図は本発明の実施例であ
り、第２図および第３図はその説明図である。 １……板ガラスの基板、２……薄膜、３……ピ
ツト、４……エツチ部、５……突起部、６……エ
ツチング層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 基板上にエツチング層を形成し、該エツチン
グ層上に薄膜を形成し、該薄膜上に記録ビームを
照射して該薄膜を選択的に除去し、該薄膜をマス
クとして該除去部分に対応する該エツチング層を
所定の温度及び圧力のガス雰囲気中でエツチング
することにより、上記エツチング層の素材と上記
ガスとが反応して生成される化合物を蒸発させて
所定の深さのピツトを形成することよりなり、上
記エツチング層の素材として上記ガスと対応した
際蒸発せずに残る化合物を生成する物質を含まな
いものを用いたことを特徴とする情報記録担体の
製造方法。 ２ 上記エツチングがイオンミリング又はガスプ
ラズマによることを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の情報記録担体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1437778A JPS54107705A (en) | 1978-02-10 | 1978-02-10 | Method of fabricating information recording carrier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1437778A JPS54107705A (en) | 1978-02-10 | 1978-02-10 | Method of fabricating information recording carrier |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54107705A JPS54107705A (en) | 1979-08-23 |
| JPS638538B2 true JPS638538B2 (ja) | 1988-02-23 |
Family
ID=11859349
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1437778A Granted JPS54107705A (en) | 1978-02-10 | 1978-02-10 | Method of fabricating information recording carrier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54107705A (ja) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59210547A (ja) * | 1983-05-13 | 1984-11-29 | Sharp Corp | 光メモリ素子の製造方法 |
| JPS60173735A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学デイスクの製造方法 |
| JPS60173736A (ja) * | 1984-02-06 | 1985-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学デイスク用スタンパの製造方法 |
| JPS60173732A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学デイスク |
| JPS60173738A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-09-07 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光学ディスクの製造方法 |
| JPS60182030A (ja) * | 1984-02-29 | 1985-09-17 | Hoya Corp | 情報記録用基板の製造方法 |
| JPS60202555A (ja) * | 1984-03-26 | 1985-10-14 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光デイスク用溝原版およびその製造方法 |
| JPS60226041A (ja) * | 1984-04-25 | 1985-11-11 | Hoya Corp | 情報ガラス基板の製造方法 |
| JPS60226042A (ja) * | 1984-04-25 | 1985-11-11 | Hoya Corp | 情報ガラス基板およびその製造方法 |
| JPS6168746A (ja) * | 1984-09-04 | 1986-04-09 | インタ−ナショナル ビジネス マシ−ンズ コ−ポレ−ション | 光学記憶デイスクを製造するためのモ−ルド・インサ−トを形成する方法 |
| US4632898A (en) * | 1985-04-15 | 1986-12-30 | Eastman Kodak Company | Process for fabricating glass tooling |
| JP2531472B2 (ja) * | 1992-08-07 | 1996-09-04 | 株式会社ニコン | プラスチック成形用鋳型の製造方法 |
-
1978
- 1978-02-10 JP JP1437778A patent/JPS54107705A/ja active Granted
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54107705A (en) | 1979-08-23 |
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